「Diffusion」を含む例文一覧(18240)
＜前へ 1 2 .... 77 78 79 80 81 82 83 84 85 .... 364 365 次へ＞- To provide a light diffusion member which can be manufactured inexpensively, has sufficient rigidity and shows different light diffusion characteristics according to a direction, a light transmission type screen, an interactive board, and an interactive board system.
安価で作製でき、十分な剛性を有し、方向によって異なる光拡散特性を示す光拡散部材、透過型スクリーン、インタラクティブボード、インタラクティブボードシステムを提供する。 - 特許庁 - An N-type diffusion layer 9 and a P-type diffusion layer 11 are formed having a space between each other on the P-type semiconductor substrate 1 away from the N-type well 3.
Ｎ型ウエル３とは間隔をもってＰ型半導体基板１に互いに間隔をもって形成されたＮ型拡散層９及びＰ型拡散層１１が形成されている。 - 特許庁 - The light-reflecting member 16 diffuses and reflects light 21 reflected by the diffusion sheet 6, out of the light emitted from the point-like light-emitting element module 7, to the side of a diffusion sheet 6.
光反射部材１６は、点状発光素子モジュール７から出射される光のうちで、拡散シート６に反射された光２１を拡散シート６側へ向けて拡散反射する。 - 特許庁 - To provide a photomask for suppressing exfoliation of photoresist, when manufacturing a diffusion reflection plate by using proximity exposure, and also to provide the diffusion reflection plate, its manufacturing method and a color filter.
プロキシミティー露光を用いて拡散反射板を製造する際に、フォトレジストの剥離を抑制できるフォトマスク、拡散反射板及びその製造方法並びにカラーフィルタを提供する。 - 特許庁 - After an n^- diffusion region 60 becoming a drift region is formed on a p^- substrate 50, a part of the substrate 50 and the n^- diffusion region 60 are removed selectively to form a trench 51.
ｐ^-基板５０にドリフト領域となるｎ^-拡散領域６０を形成した後に、基板５０およびｎ^-拡散領域６０の一部を選択的に除去してトレンチ５１を形成する。 - 特許庁 - To manufacture an integrally-formed member of an electrolyte membrane-electrode assembly, a gas diffusion layer, and a seal member while suppressing damage of the electrolyte membrane-electrode assembly and the gas diffusion layer.
電解質膜・電極接合体及びガス拡散層の損傷を抑えつつ、電解質膜・電極接合体、ガス拡散層及びシール部材の一体形成部材を製造する。 - 特許庁 - A first conductive type of second impurity diffusion region 5 is disposed in the first layer 12 at an interval in an in-plane direction from the first impurity diffusion region 13.
第１の不純物拡散領域１３から、面内方向にある間隔を隔てて、第１の層１２内に第１導電型の第２の不純物拡散領域５が配置されている。 - 特許庁 - By this structure, the traverse diffusion widths W1, W2, W3 of the p-type buried diffusion layers 43, 44, 45 are so narrowed as to be able to reduce the device size of an npn transistor 1.
この構造により、Ｐ型の埋込拡散層４３、４４、４５の横方向拡散幅Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３が狭まり、ＮＰＮトランジスタ１のデバイスサイズを縮小することができる。 - 特許庁 - A surface of a diffusion sheet arrangement part 30a of the reflective sheet 30 is roughened (in, for example, an uneven shape) to reduce frictional resistance to the diffusion sheet 40.
反射シート３０の拡散シート配置部３０ａにおける表面形状は粗面化（例えば凹凸形状）されており、拡散シート４０との摩擦抵抗を下げるようにしてある。 - 特許庁 - The reflection type screen 1 has a sheet-like substrate 10, a diffusion layer 40 disposed on one surface of the substrate 10 and a reflective layer 30 disposed on the substrate surface on the side opposite to the diffusion layer 40.
反射型スクリーン１は、シート状の基材１０と、基材１０の片面に設けた拡散層４０と、拡散層４０の反対側の基材面に設けた反射層３０とを有する。 - 特許庁 - To provide structurally-simple equipment for preventing diffusion of contamination, which can properly promote sedimentation of a contamination component depending on a water flow and the condition of construction work, and a method for preventing the diffusion of the contamination.
構造が簡易で、水流や工事状況に応じて、適切に汚濁成分の沈殿を促進可能な汚濁拡散防止装置および汚濁拡散防止方法を提供する。 - 特許庁 - The oxide film 13 in a memory section however is formed, in contact with the lower surface of the first diffusion region 22, in the region below the gate electrode 21 and the first diffusion region 22.
一方、メモリ部の埋め込み酸化膜１３は、第１の拡散領域２２の下面に接してゲート電極２１及び第１の拡散領域２２の下方の領域に形成されている。 - 特許庁 - To drastically reduce the amount of operation and the size of a circuit in a diffusion code generator for generating many kinds of diffusion codes required for the code division multiplex communication in a W-CDMA system.
Ｗ−ＣＤＭＡ方式のコード分割多重通信に必要な多種類の拡散符号を発生させる拡散コード発生器の、演算量と回路規模を大幅に削減すること。 - 特許庁 - An n-type diffusion layer 3 is formed on the optical receiver surface side of a p-type silicon substrate 2, while an anti-reflective coating 4 and a silver electrode 7 for the optical receiver surface are attached on the diffusion layer 3.
ｐ型のシリコン基板２の受光面側にｎ型の拡散層３が形成され、この拡散層３の上に反射防止膜４と受光面銀電極７が設けられている。 - 特許庁 - In the manufacturing method of light diffusion plate for just-under type backlight, a composite sheet consisting of at least transparent resin (a) and glass fiber (b) is punched by a mold and is used as a light diffusion plate.
少なくとも透明樹脂（ａ）およびガラス繊維（ｂ）からなる複合シートを金型で打ち抜いて拡散板として用いる直下型バックライト用拡散板の製造方法。 - 特許庁 - It is desirable to set the intensity of the entire light diffused after it is made incident on the superposed diffusion angle areas to ≥5% of the intensity of diffused light of the entire laminated diffusion films.
重複する拡散角度領域内に入射し拡散された光全体の強度が、積層した拡散フィルム全体の拡散光強度の５％以上であることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a light diffusion sheet realizing further increase in high luminance and in thinning of a liquid crystal display device, and an optical unit, a backlight unit and a liquid crystal display device comprising this diffusion sheet.
液晶表示装置の更なる高輝度化及び薄型化を実現するための光拡散シート、この拡散シートを含む光学ユニット、バックライトユニット及び液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - A laminate film consisting of metal nitride and an elemental substance of noble metal is used as the oxygen diffusion preventive layer, and a plasma CVD oxide film is used as the interlayer insulation film 7 on the oxygen diffusion preventive layer.
酸素拡散防止層に、金属の窒化物と貴金属の単体との積層膜を用い、酸素拡散防止層上の層間絶縁膜７としてプラズマＣＶＤ酸化膜を用いる。 - 特許庁 - A channel stopper 20 is formed between a diffusion layer 12 and a diffusion layer 13 of an ESD protective circuit 10A, thereby preventing inversion of a p-well layer 11 and preventing the leak current.
ＥＳＤ保護回路１０Ａの拡散層１２と拡散層１３との間にチャンネルストッパー２０を形成することにより、ｐウェル層１１の反転を防ぎ、リーク電流の発生を防止する。 - 特許庁 - To provide a simulation process in which limitations are eliminated, the limitation being that Gaussian diffusion kernels have the same diffusion length in the different directions in calibration of a resist model used in critical dimension (CD) calculation.
最小寸法（ＣＤ）の計算で使用するレジスト・モデルの較正におけるガウシアン拡散カーネルが異なる方向に同じ拡散長を有する制限をなくしたシミュレーション・プロセスの提供。 - 特許庁 - To provide an inexpensive optical control diffusion element which is excellent in contrast, brightness and durability by equalizing an intensity distribution of an illumination pattern of a diffusion light in a visible wavelength region.
可視波長域にある拡散光の照明パターンの強度分布を一様にすることでコントラスト・輝度ともに優れ、また、耐久性に優れ、安価な光制御拡散体を提供する。 - 特許庁 - One of the source/drain of each of the above-mentioned double diffusion type transistors is individually formed in each transistor, and the n double diffusion type transistors share the other source/drain.
前記各二重拡散トランジスタのソース／ドレインのうちの一つは各トランジスタに個別的に形成され、他の一つのソース／ドレインは前記ｎ個の二重拡散トランジスタが共有する。 - 特許庁 - A guide groove 13a opened toward the separator 16 and guiding water in a high water content part in the diffusion layer 13 to a low water content part is installed in the diffusion layer.
拡散層１３にはセパレータ１６側に向かって開口し、拡散層内１３における高含水率部の水を低含水率部へ案内する案内溝１３ａが設けられている - 特許庁 - The first impurity diffusion layer 104 constitutes the drain region of a memory transistor MT and the source region of a selection transistor ST, and the first impurity diffusion layer 124 constitutes the drain region of the selection transistor ST.
第１不純物拡散層１０４はメモリトランジスタMTのドレイン領域と選択トランジスタSTのソース領域、第１不純物拡散層１２４は選択トランジスタSTのドレイン領域をなす。 - 特許庁 - The anode gas diffusion layer 14 and the cathode gas diffusion layer 15 are respectively provided with carbon paper formed with through-holes 14a and 15a, each having a hollow part with an inner diameter of 0.1-2 mm.
アノードガス拡散層１４およびカソードガス拡散層１５は、内径０．１〜２ｍｍの中空部を有する貫通孔１４ａ，１５ａが形成されたカーボンペーパを備えている。 - 特許庁 - Meanwhile, an n+ diffusion region 12b of the source electrode and an n+ diffusion region 13b of the drain region are formed by injecting a high-concentration n-type impurity into the simultaneously provided contact holes.
なお、ソース電極のｎ＋拡散領域１２ｂとドレイン電極のｎ＋拡散領域１３ｂは、同時に設けたコンタクトホールに高濃度のｎ型不純物を注入して形成する。 - 特許庁 - The n-type diffusion layer 110a is selectively formed just under the p-type diffusion layer 111a as the top gate, and becomes a channel layer of the junction field effect transistor 151.
トップゲートとなる前記Ｐ型拡散層１１１ａの直下に選択的に形成された前記Ｎ型拡散層１１０ａは接合型電界効果トランジスタ１５１のチャネル層となる。 - 特許庁 - A diffusion layer 11 related to a circuit element is formed on an Si semiconductor substrate, and a barrier layer 14 is installed between a conductive member 16 and the diffusion layer 11.
Ｓｉ半導体基板上において、回路素子に関係する拡散層１１が形成され、導電部材１６と拡散層１１との間にはバリア層１４が設けられている。 - 特許庁 - A diffusion element 2 diffusing the coherent light is provided between the coherent light source 1 and an illuminated object 5 illuminated with the coherent light source 1 to vibrate the diffusion element 2.
コヒーレント光源１とこのコヒーレント光源１によって照明される被照明体５との間にコヒーレント光を拡散させる拡散素子２を設け、この拡散素子２を振動させる。 - 特許庁 - A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 16 for overvoltage protection is formed.
Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１６が形成されている。 - 特許庁 - A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 17 for overvoltage protection is formed.
Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１７が形成されている。 - 特許庁 - A p-type extension diffusion layer 14 is formed under the lateral side of the gate electrode 12, and a p-type source-drain diffusion layer 15 is formed under the lateral side of the side wall 13.
そして、ゲート電極１２の側方下にはＰ型エクステンション拡散層１４が形成され、サイドウォール１３の側方下にはＰ型ソース・ドレイン拡散層１５が形成されている。 - 特許庁 - To provide an ion diffusion preventing film which excels in adhesiveness with a glass base material, heat resistance of the film, degassing characteristics of the film and film strength, and the like, and also excels in ion diffusion prevention performance.
ガラス基材との密着性、膜の耐熱性、膜の脱ガス特性、膜強度等に優れるとともにイオン拡散防止性能に優れたイオン拡散防止膜を提供する。 - 特許庁 - Each bit line 21 extending perpendicularly to word lines 11 comprises a diffusion bit line 211 formed in a semiconductor substrate 10 and of a metal line-shaped bit line 212 located above the diffusion bit line 211.
ワード線１１に直交するビット線２１の各々は、半導体基板１０内に形成された拡散ビット線２１１と、その上方のライン状の金属ビット線２１２とから成る。 - 特許庁 - An electrolyte material 214 is applied to the substrate 202 and the gas diffusion layer 204 including the catalyst material 206, and one surface of the electrolyte material 214 relates to the substrate 202 and the gas diffusion layer 204 in terms of functions.
電解質材料214を、基板202と、触媒材料206を有するガス拡散層204とに塗布し、電解質材料214の一方表面は基板202及びガス拡散層204に機能上関連する。 - 特許庁 - A plurality of unit gas diffusion layers 14 and 16 having regions of high gas-permeability 32 and 34 and a region of low gas-permeability are stacked to construct a gas diffusion layer.
ガス拡散層をガス透過性の高い高透過性領域３２，３４とガス透過性の低い低透過性領域とを有する複数の単位ガス拡散層１４，１６を積層して構成する。 - 特許庁 - To produce an R-T-B based sintered magnet stably without varying the diffusion quantity even if the conditions of RH diffusion to the R-T-B based sintered magnet change.
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体へのＲＨ拡散の条件が変わっても拡散量が変動することなく安定してＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を製造する。 - 特許庁 - Thereby, the silicon single crystal 9 vibrates during growth, an interstitial silicon concentration is increased, and the diffusion of the interstitial silicon having a long diffusion length is accelerated even when the pulling speed is increased.
すると、引き上げ速度を上げても、シリコン単結晶９が、その育成中に振動して格子間シリコン濃度を増し、拡散長の長い格子間シリコンの拡散が促進される。 - 特許庁 - The porous material part 162 has, on one side, a contact face contacted with the gas diffusion layer 140, and a passage forming a face to form an oxidation gas passage without contacting with the gas diffusion layer.
多孔質部１６２は、一方の側に、ガス拡散層１４０に接触する接触面と、ガス拡散層に接触せずに酸化ガス通路を形成する通路形成面と、を有する。 - 特許庁 - Diffusion layers 2 to 5 are formed on a silicon substrate 1, and on these diffusion layers 2 to 5 are formed gate dielectric layers 6, 7 and gate electrodes 8, 9, whereby a MOS transistor is formed.
シリコン基板１の上に拡散層２〜５が形成され、これら拡散層２〜５の上にゲ−ト絶縁膜６、７及びゲ−ト電極８、９が形成され、ＭＯＳトランジスタが構成される。 - 特許庁 - To remove a contour line caused by multiplying a ratio of a photo-diode integration time to a stray diffusion integration time to stray diffusion information in a CMOS image forming apparatus.
ＣＭＯＳ画像形成装置において、浮遊拡散情報にフォトダイオード集積時間対浮遊拡散集積時間の比率を乗算したことで生じる輪郭線を除去する。 - 特許庁 - An oxide film is formed on the surface of a semiconductor substrate in advance, and the semiconductor substrate is put into a diffusion furnace to diffuse impurities, thereby forming an impurity diffusion layer.
半導体基板表面には酸化膜をあらかじめ形成し、この半導体基板を拡散炉に収容して不純物を拡散させることにより不純物拡散層を形成する。 - 特許庁 - To prevent threshold voltage of a low breakdown strength MOS transistor from varying and to form a channel diffusion layer and the source diffusion layer of an LDMOS transistor, while being self-aligning.
低耐圧ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧が変化するのを防ぐとともに、ＬＤＭＯＳトランジスタのチャネル用拡散層とソース拡散層をともに自己整合的に形成する。 - 特許庁 - The oxygen diffusion prevention layer has oxygen diffusibility lower than that of the anode catalyst layer 26, and has a function for sufficiently diffusing hydrogen while restraining diffusion of oxygen.
この酸素拡散防止層は、アノード触媒層２６に比して酸素の拡散性が低くされており、水素を良好に拡散させる一方で酸素の拡散を抑制する機能を有している。 - 特許庁 - Next, an anode side gas diffusion layer 120a and a cathode side gas diffusion layer 120c are respectively hot-pressed on surfaces of the anode side catalyst layer 130a and the cathode side catalyst layer 130c.
次に、アノード側触媒層１３０ａ、カソード側触媒層１３０ｃの表面に、それぞれ、アノード側ガス拡散層１２０ａ、カソード側ガス拡散層１２０ｃを、ホットプレス接合する。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion electrode having high conductivity, high gas permeability, and high water-repellency preferably without using fluorine, its formation method, and MEA (membrane-electrode assembly) having the gas diffusion electrode.
好ましくは、弗素を用いることなく、導電性およびガス透過性が共に高く且つ撥水性の高いガス拡散電極、その形成方法、およびこれを備えたＭＥＡを提供する。 - 特許庁 - The light diffusion part 61 is scattered and provided in a rectangular range of light diffusion part formation 60 on a backside 23, and makes light propagating inside the light guide plate 21 diffused.
光拡散部６１は、裏面２３上の矩形形状の光拡散部形成範囲６０内に分散して設けられ、導光板２１の内部を伝播する光を拡散させる。 - 特許庁 - After the diffusion panel 10 is arranged in such a manner as to cover the whole of a sound insulation layer 51 for covering a wall surface 50 of the acoustic room 40, a sound absorbing panel 20 is temporarily fixed to a surface of the diffusion panel 10.
音響室４０の壁面５０を覆う遮音層５１の全体を覆うように拡散パネル１０を配設した後に、拡散パネル１０の表面に吸音パネル２０を仮留めする。 - 特許庁 - To execute a garbage treatment in a manner as to eliminate the need for the enormous combustion energy needed for the conventional incineration treatment, to solve the many problems associated therewith by diffusion of CO2 into the atmosphere, to save energy of the garbage treatment and to lessen the diffusion of the CO2 into the atmosphere.
生ごみ処理を、従来の焼却処理では、膨大な燃焼エネルギーが必要で、大気中へのＣＯ_２放散による多くの問題を含んでいる。 - 特許庁 - A variable diffusion coefficient LED 100 having a light control plate 105, whose light diffusion coefficient is changed according to applied voltage (v), is provided on the front of a blue LED element 101 for auxiliary illumination.
補助照明用の青色ＬＥＤ素子１０１の前面に、印加電圧ｖで光拡散率が変化する調光板１０５を有する拡散率可変ＬＥＤ１００を設けた。 - 特許庁
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