「Diffusion」を含む例文一覧(18240)
＜前へ 1 2 .... 79 80 81 82 83 84 85 86 87 .... 364 365 次へ＞- Furthermore, the image reader is provided with a diffusion board turret 94 that selectively places diffusion boards 96A, 96B, 96C, in the vicinity of the photo film 22 to diffuse the lighting light.
また、照明光を拡散させるための拡散板９６Ａ、９６Ｂ、９６Ｃを写真フィルム２２の近傍に選択的に配置する拡散板ターレット９４が設けられている。 - 特許庁 - Poor image quality and granularity caused by a standard error diffusion algorithm in the system can be eliminated by the use of a constraint correlation error diffusion system.
このシステムにおける標準誤差拡散アルゴリズムによりもたらされる劣った画像品質および粒状性は、制約相関誤差拡散システムを使用することにより打ち消されることができる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, wherein a manufacturing process of the semiconductor device having a high-concentration dopant diffusion layer and a low-concentration dopant diffusion layer, is simplified.
高濃度ドーパント拡散層と低濃度ドーパント拡散層とを有する半導体装置の製造工程を簡略化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A groove-shaped gas passage 9 is formed on the surface coming in contact with the gas diffusion layer 3 of the separator 5, and fuel gas or oxidant gas is supplied from the gas passage 9 to the gas diffusion layer 3.
セパレータ５のガス拡散層３に接する面には、溝状のガス流路９が形成され、ガス流路９からガス拡散層へ３へ燃料ガスまたは酸化剤ガスが供給される。 - 特許庁 - A Zn diffusion speed to Al GaAs is increased intentionally by lowering the ambient temperature of the wafer, and the diffusion depth to AlGaAs only of a peripheral section is deepened.
例えばウェーハ周辺の温度を低くすることにより、ＡｌＧａＡｓに対するＺｎ拡散速度を意図的に早くし、周辺部のみのＡｌＧａＡｓに対する拡散深さを深くする。 - 特許庁 - The impurity density of a second diffusion region constituting the first ballast resistance 4 is lower than the impurity density of a fourth diffusion region constituting the second ballast resistance 6.
第１バラスト抵抗４を構成する第２拡散領域の不純物濃度は、第２バラスト抵抗６を構成する第４拡散領域の不純物濃度よりも低濃度にされている。 - 特許庁 - An N-type high-concentration diffusion layer 2 is selectively formed on a P-type silicon substrate 1, and a silicon oxide film is formed as a first interlayer insulating film 3 on the surface on the diffusion layer 2.
Ｐ型シリコン基板１上には選択的にｎ型高濃度拡散層２が形成され、その表面には第１層間絶縁膜３としてシリコン酸化膜が配置されている。 - 特許庁 - A plating bath contains a mixture of leveling agents, where the mixture includes a first leveling agent having a first diffusion coefficient and a second leveling agent having a second diffusion coefficient.
第一拡散係数を有する第一レベリング剤および第二拡散係数を有する第二レベリング剤が含有されているレベリング剤の混合物を含有するメッキ浴が提供される。 - 特許庁 - When an n-type or a p-type impurity diffusion layer 52 is formed on a surface of a monocrystalline silicon substrate 51, the impurity concentration in the impurity diffusion layer 52 is appropriately determined.
単結晶シリコン基板５１の表面上にＮ型またはＰ型の不純物拡散層５２を形成する際に、不純物拡散層５２中の不純物濃度を適宜設定する。 - 特許庁 - The second control gate 11b controls a channel in a region between the select gate 3a and the first diffusion region 7a, or between the select gate 3a and the second diffusion region 7b.
第２のコントロールゲート１１ｂは、セレクトゲート３ａと第１の拡散領域７ａの間、又は、セレクトゲート３ａと第２の拡散領域７ｂの間の領域のチャネルを制御する。 - 特許庁 - A fuel cell according to the present invention includes: a membrane electrode assembly; a pair of gas diffusion layers holding the membrane electrode assembly; and a pair of separators holding the pair of gas diffusion layers.
本発明に係る燃料電池は、膜電極接合体と、膜電極接合体を挟持する一対のガス拡散層と、一対のガス拡散層を挟持する一対のセパレータとを備える。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion electrode inexpensive in the production cost and excellent in the efficiency of electric power at the time of electrolysis without providing a current collector such as a silver net in the conventional gas diffusion electrode.
従来のガス拡散電極中の銀網のような集電体を設けることなく、製造コストが安く、電解時の電力効率も優れたガス拡散電極を提供する。 - 特許庁 - The doping of N-type region 111a and P-type region 112a respectively are executed, independent of the doping of N type diffusion layer of NMOS and the doping of P type diffusion layer of PMOS.
Ｎ型領域１１１ａ，Ｐ型領域１１２ａのドーピングは、それぞれＮＭＯＳのＮ型拡散層のドーピング，ＰＭＯＳのＰ型拡散層のドーピングと独立に行なわれる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a membrane electrode assembly capable of jointing mutually certainly an electrolyte membrane, a catalyst layer, and a diffusion layer by preventing breakage of the diffusion layer.
拡散層の破損を防止しながら、電解質膜、触媒層および拡散層を互いに確実に接合させることができる、膜電極接合体の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Further, the distance L1 between the floating diffusion region 8 and the output gate electrode 6 is set larger than the distance L2 between the floating diffusion region 8 and the reset gate electrode 11.
また、フローティングディフュージョン領域８と出力ゲート電極６との間の距離Ｌ１は、フローティングディフュージョン領域８とリセットゲート電極１１との間の距離Ｌ２よりも大きい。 - 特許庁 - The width of the n^++ diffusion region 3 is made wider than a blade width of a dicer so that the n^++ diffusion region 3 may be left over on the peripheral edge of each chip divided by dicing.
その際、ダイシングにより分割された各チップの外周縁にｎ^＋＋拡散領域３が残るように、ｎ^＋＋拡散領域３の幅をダイサーの刃幅よりも広くする。 - 特許庁 - Even if the upper end face of a gate electrode is located below the second diffusion region 6, an offset region is not formed by the first diffusion region 5.
そのことで、本発明では、ゲート電極の上端面が、第２の拡散領域６よりも下方に位置しても第１の拡散領域５により、オフセット領域を形成することはない。 - 特許庁 - A P-type impurity diffusion region 13 is formed below the gate electrodes 11 and 12 and an N-type impurity diffusion region 16 is formed below the gate electrodes 14 and 15.
ゲート電極１１，１２の下部にはＰ型不純物拡散領域１３が形成され、ゲート電極１４，１５の下部にはＮ型不純物拡散領域１６が形成されている。 - 特許庁 - Each of an anode electrode 14 and a cathode electrode 16 has gas diffusion layers 20 and 24 and electrode catalyst layers 22 and 26 which are in contact with the gas diffusion layers 20 and 24 and an electrolyte membrane 12.
アノード電極１４及びカソード電極１６の各々は、ガス拡散層２０、２４と、該ガス拡散層２０、２４と電解質膜１２に接する電極触媒層２２、２６とを有する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element having a diffusion prevention film capable of effectively suppressing the external diffusion of impurities even if the sheet resistance and contact resistance of a gate stack are small.
ゲートスタックのシート抵抗及びコンタクト抵抗が小さいながらも、不純物の外部拡散を効果的に抑制することのできる拡散防止膜を備える半導体素子を提供すること。 - 特許庁 - Electric medium layers 7, 8 are formed between one electrode layer 3 and one diffusion layer 5 and between the other electrode layer 4 and the other diffusion layer 6, respectively.
一方の前記電極層３および前記拡散層５の間ならびに他方の前記電極層４および前記拡散層６の間にそれぞれ電気媒介層７，８が設けられる。 - 特許庁 - Conductive and steam-collecting layers 7, 8 are disposed between an electrode layer 3 and one diffusion layer 5 and between the other electrode layer 4 and the other diffusion layer 6, respectively.
一方の電極層３および拡散層５の間ならびに他方の電極層４および拡散層６の間にそれぞれ導電性水蒸気捕集層７，８が設けられている。 - 特許庁 - An insulating film A or insulating film B thicker than the gate insulating film is each formed among the gate electrode, the lower dopant diffusion region, and an upper dopant diffusion region.
ゲート電極と下部不純物拡散領域及び上部不純物拡散領域間に、ゲート絶縁膜よりも膜厚が厚い絶縁膜Ａ又は絶縁膜Ｂをそれぞれ形成する。 - 特許庁 - A catalyst layer is arranged on both sides of an electrolyte membrane and a gas diffusion layer 23 is arranged on the outside of the catalyst layer, and a separator 21 is arranged on the outside of the gas diffusion layer 23.
電解質膜の両面に触媒層を配置するとともに、触媒層の外面にガス拡散層２３を配置し、さらにガス拡散層２３の外面にセパレータ２１を配置する。 - 特許庁 - By means of constituting the gas diffusion layer by the profiled section carbon fiber, moisture can be retained in a recess part pinched between protrusions, and the gas diffusion layer having the superior water holding property can be realized.
ガス拡散層を異形断面炭素繊維で構成することで、突出部の間に挟まれた凹部において水分を保持することができ、保水性の優れたガス拡散層を実現できる。 - 特許庁 - Discoloring in the diffusion plate is significantly decreased by coating the surface of the diffusion plate with a resin layer in which a UV absorbent having the maximum absorption at a specified wavelength is combined.
特定波長に最大吸収をもつ紫外線吸収剤を配合した樹脂層で拡散板表面を被覆することによって拡散板の変色を大幅に改善した。 - 特許庁 - This diffusion control part (19) is a small hole which introduces fuel gas of gas to be measured (accordingly the contained hydrogen gas) to a first electrode (3) and rate-controls the diffusion of the gas.
この拡散律速部（１９）は、被測定ガスである燃料ガス（従って含まれる水素ガス）を第１電極（３）側に導入するとともに、その拡散を律速する小さい孔である。 - 特許庁 - To provide an electrode for a fuel cell with strong water repellency without interrupting a proton transmission channel, an electron transmission channel and a gas diffusion channel in a gas diffusion electrode.
、ガス拡散電極内に、プロトン伝導経路、電子伝導経路およびガス拡散経路を遮断することなく、強い撥水性を与え、高出力の燃料電池用電極を得る - 特許庁 - A metal layer 107-1, a diffusion layer 107-2 of the first conductive type, and a diffusion layer 108 of the second conductive type are formed in a surface portion of the well 106 of the second conductive type.
第２導電型のウェル１０６の表面部には、金属層１０７−１、第１導電型の拡散層１０７−２、第２導電型の拡散層１０８が形成されている。 - 特許庁 - The light diffusion film 20 having the wide diffusion range is obtained.
（２）二種類の複屈折領域２１Ａ、２１Ｂを持った繊維２１であって、一方の複屈折領域が他方の内部に含まれているものを用いることにより、拡散範囲の広い光拡散フィルム２０を得る。 - 特許庁 - The light source module is provided with a light guide plate 120 having a plurality of irradiating faces 122, a light source for irradiating light on the light guide plate 120, a diffusion plate 130, and a diffusion sheet 140.
光源モジュールは、複数の出射面１２２を有する導光板１２０と、導光板１２０に光を照射する光源と、拡散板１３０と、拡散シート１４０とを備える。 - 特許庁 - To prevent an increase of a diffusion layer resistance and an increase of a silicide fine wire resistance when silicifying the diffusion layer, and to prevent a decrease of a positioning margin of a contact.
メモリ部における拡散層抵抗の増大、さらに拡散層をシリサイド化する場合にはシリサイド細線抵抗の増大を防止し、且つコンタクトの合わせマージンの低下を防止できるようにする。 - 特許庁 - To provide a diffusion bonding method capable of consistently performing diffusion bonding with sufficient bonding strength without depending on the thickness and the lamination number of members to be bonded.
被接合部材の厚みや積層数に依存することなく充分な接合強度で安定して拡散接合させることのできる拡散接合方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In this case, the radiation density of the laser beam is made higher on the surface of the diffusion plate 4 placed closer to a light source, and is made lower on the surface of the diffusion plate 4 placed away from the light source.
ここで、前記レーザ光線の照射密度を光源に近い拡散板４の表面程大きくし光源から遠い拡散板４の表面程小さくするようにする。 - 特許庁 - A heat conducting adhesion material layer 4 is sandwiched tightly between a heat sink and a thermal diffusion plate 2, while the heat sink 3 and the thermal diffusion plate 2 are fixed detachably to each other.
ヒートシンク３と熱拡散板２の間にこれらと密着状態に熱伝導性密着材層４を挟み込むと共に、ヒートシンク３と熱拡散板２とを着脱自在に相互固定する。 - 特許庁 - After the preliminary diffusion of Cu and Zn at 125 to 350°C, when solution treatment is performed, the metallic elements comprised in the metal powder are diffused into the work by atomic diffusion.
１２５〜３５０℃でＣｕ及びＺｎの予備拡散を行った後、溶体化処理を行えば、金属粉末に含まれる金属元素が原子拡散によってワークの内部に拡散する。 - 特許庁 - A plurality of memory cells 10a and 10b may have first diffusion layers 7 and 9a functioning as sources, and second diffusion layers 9a and 8 functioning as drains.
複数のメモリセル１０ａ及び１０ｂは、ソースとして機能する第１拡散層７及び９ａと、ドレインとして機能する第２拡散層９ａ及び８とを備えていても良い。 - 特許庁 - By this structure, the lateral diffusion width of a P-type diffusion layer 13 in the separation region 1 is suppressed, and the formation region of the separation region and the device size of the MOS transistor are reduced.
この構造により、分離領域１のＰ型の拡散層１３の横方向拡散幅が抑制され、分離領域の形成領域及びＭＯＳトランジスタのデバイスサイズが低減される。 - 特許庁 - Since the roughened outer side surface of the rear surface side transparent substrate 304 has an effective diffusion function of incident light, the number of diffusion plates of the backlight unit 101 can be reduced.
背面側透明基板３０４の粗面化された外側表面が、入射光の効果的な拡散機能を有するので、バックライト・ユニット１０１の拡散板の数を低減することができる。 - 特許庁 - At the time of turning off, an ordinary color of a chromatic color opaque part 8 inside of an inner lens 6 diffused by a diffusion action of a diffusion optical element group 7 outside of the inner lens 6 can be obtained.
消灯時、インナーレンズ６の外側の拡散光学要素群７の拡散作用で拡散されたインナーレンズ６の内側の有彩色不透明部８の色の通常色が得られる。 - 特許庁 - The aluminum pigment has a water surface diffusion area of 5.0 m^2/g or higher, a ratio of water surface diffusion area to average particle size of 1.0 or higher, and a leafing value of 80% or higher.
水面拡散面積が５．０ｍ^2／ｇ以上であり、平均粒子径に対する水面拡散面積の比が１．０以上であり、リーフィング値が８０％以上である、アルミニウム顔料。 - 特許庁 - The light diffusion layer 45 contains a first translucent light diffusion material 452 composed of silica particulates of a mean particle diameter 1 to 100 nm in an acrylic translucent resin 451, and a second translucent light diffusion material 452' composed of resin particulates of a mean particle diameter 1 to 15 μm in an acrylic translucent resin 451.
光拡散層４５は、アクリル系透光性樹脂４５１中に平均粒子径１ｎｍ〜１００ｎｍのシリカ微粒子からなる第１透光性光拡散材４５２及び平均粒子径１μｍ〜１５μｍの樹脂微粒子からなる第２透光性光拡散材４５２’を含有してなる。 - 特許庁 - Irradiating light of the LEDs 17 is guided in an irradiation direction while being mutually reflected-back between the pair of light diffusion films, and by diffusion effect of the light diffusion film 22, diffused in the orthogonal direction to the irradiation direction of light, and surface emission from the lens 13 is carried out.
ＬＥＤ１７の照射光は、一対の光拡散フィルム間で反射し合いながら照射方向に導かれるとともに、光拡散フィルム２２の拡散効果により、光の照射方向と垂直に交わる直交方向に拡散されて、レンズ１３から面発光する。 - 特許庁 - The protection structure 34 is provided with the diffusion barrier layer 36 covering the base 30 and containing iridium of at least about 70 weight % and the protective layer 40 covering the diffusion barrier layer 36 so that the diffusion barrier layer 36 is between the base 30 and the protective layer 40.
保護構造（３４）が、基板（３０）を覆う拡散障壁層（３６）であって、少なくとも約７０重量パーセントのイリジウムを含む拡散障壁層（３６）と、拡散障壁層（３６）が基板（３０）と保護層（４０）との間にあるように拡散障壁層（３６）を覆う保護層（４０）とを備える。 - 特許庁 - To provide an underwater diffusion preventing device including a diffusion preventive film, which partitions between both water areas adjacent to each other and prevents polluted water from being diffused from one polluted water area out of both water areas to the other clean water area, improving the life of the diffusion preventing device.
相隣る両水域を仕切り、これら両水域のうち、一方の汚濁水域から他方の清浄水域に向かって汚濁水が拡散することを防止する拡散防止膜を備えた拡散防止装置に関し、この拡散防止装置の寿命を向上させるようにする。 - 特許庁 - The surface-mounted diode 100d having the above structure can be designed such that it has large ESD resistance by suitably setting the diffusion depth and the surface impurity concentration of the n conduction type impurity diffusion region 12 and the p conduction type impurity diffusion region 13.
上記の構造を有する表面型ダイオード１００ｄは、ｎ導電型不純物拡散領域１２およびｐ導電型不純物拡散領域１３の拡散深さや表面不純物濃度を適宜設定することで、大きなＥＳＤ耐量を持つように設計することができる。 - 特許庁 - A semiconductor device includes: a semiconductor substrate 1; a through electrode 7 penetrating the semiconductor substrate 1; a diffusion layer 24 that is located at the upper part of the semiconductor substrate 1 and provided in a region located at the side of the through electrode 7; and the diffusion layer 22 provided at the upper part of the diffusion layer 24.
半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１を貫通する貫通電極７と、半導体基板１の上部であって、貫通電極７の側方に位置する領域に設けられた拡散層２４と、拡散層２４の上部に設けられた拡散層２２とを備えている。 - 特許庁 - The gas diffusion layer 32 is placed thereon, the members are heated in a reflow furnace, and cooled while pressing in the vertical direction to the stacked surface of the gas diffusion layer 32 and the porous body passage 34, and thereby, the gas diffusion layer 32 and the porous body passage 34 are fixed and bonded.
さらに、その上に、ガス拡散層３２を乗せ、当該部材をリフロー炉で加熱した上で、ガス拡散層３２及び多孔体流路３４の積層面に対して垂直方向にプレスしながら冷却して、ガス拡散層３２と多孔体流路３４とを固定・接着する。 - 特許庁 - When a p-gate HFET is prepared by conducting a vapor-phase Zn diffusion to an epitaxial wafer, the diffusion depth of Zn is controlled at a change in a temperature of the diffusion coefficient of Zn to a compound semiconductor wafer such as GaAs, AlGaAs or the like.
エピタキシャルウェーハに気相Ｚｎ拡散を行ってｐ−ｇａｔｅＨＦＥＴを作成する場合、ＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ等の化合物半導体ウェーハに対するＺｎの拡散係数が温度によって変化することに着目し、Ｚｎの拡散深さを制御する。 - 特許庁 - A error diffusion processing part 630 quantizes the noticed picture element to which the quantization error is added in accordance with the diffusion coefficient set, and stores the quantization error of the noticed picture element in a quantization error memory 640 for referring to the quantization error in the error diffusion processing of the current processing area.
誤差拡散処理部630は、拡散係数セットに応じて量子化誤差を加算した注目画素を量子化し、現在の処理領域の誤差拡散処理において量子化誤差を参照するために注目画素の量子化誤差を量子化誤差メモリ640に格納する。 - 特許庁
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