「Films」を含む例文一覧(13275)

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  • Teruhiko KUZE mentioned 'It is enough to watch Ichikawa's works only for Japanese films. Everything for films as well as plays lies in "Ototo" (Brother).'
    久世光彦は、「日本映画は市川作品だけを観ていればよい。『おとうと』には映画のすべて、芝居のすべてがある」と発言している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • He also contributed to female action films such as "Karei naru tsuiseki" (1975) starting with "Sukeban" that were produced at the same period as pornography films.
    ポルノ路線と同時期に始まった『女番長』シリーズを皮切りに、『華麗なる追跡』（1975年）など女性のアクション映画も多く手掛けている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • In his short life, he released 26 films (including two films on which he served as assistant director) in just five years as a director.
    その短い生涯のうちのたった5年間の監督生活で発表した監督作品は、全26本（応援監督2本含む）である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • It is Nakahira's masterpiece of light and refined films, that brought waves of applause at the time of the screening, 'Ko NAKAHIRA Retrospective, a pioneer director who designed films.'
    「映画をデザインした先駆的監督・中平康レトロスペクティヴ」で上映時に拍手も上がった中平の軽妙洒脱路線の名作。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Silicon oxide films 10c, 20c made of polysilazane are formed inside of the silicon oxide films 10a, 10b, 20a, 20b.
    これらのシリコン酸化膜１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂの内側にポリシラザンによるシリコン酸化膜１０ｃ、２０ｃが形成されている。 - 特許庁
  • Or, the insulation films and the dielectric films are made to contain moisture beforehand and then exposed to carbon dioxide and dried.
    また、絶縁膜や誘電体膜にあらかじめ水分を含有させ、その後、超臨界状態の二酸化炭素に曝して膜を乾燥させる。 - 特許庁
  • In this way, one piezoelectric film 32 is formed by superimposing two films of the primary and secondary piezoelectric films 32a and 32b upon another in this way.
    これにより、一次，二次圧電体膜３２ａ，３２ｂの２枚の膜が積み重ねられてなる一枚の圧電体膜３２を形成した。 - 特許庁
  • By applying a voltage to the conductive films 21a, the films 21b are electrified and microscopic objects are held on the suction parts 21 by electrostatic suction.
    導電膜２１ａに電圧をかけることにより絶縁膜２１ｂが帯電し、静電吸着により微小物体を保持する。 - 特許庁
  • To shield a claw opening from light and to prevent instant films from flying out, without hindering the operation of a claw member and the discharge of instant films.
    クロー部材の動作とインスタントフイルムの排出とを妨げることなく、クロー開口の遮光とインスタントフイルムの飛出し防止とを行なう。 - 特許庁
  • The first and second metal projection sections are formed as the laminated films of the first and second metal films 32 and 34.
    第１及び第２の金属突起部は第１の金属膜３２及び第２の金属膜３４の積層膜として形成されている。 - 特許庁
  • Then metallic barrier films 9 are formed on the insulating films 7 and in the contact holes 8 and a filling material 10 is buried in the holes 8.
    層間絶縁膜７上及びコンタクトホール８内にバリア金属膜９を形成し、コンタクトホール８内に埋め込み材１０を埋め込む。 - 特許庁
  • Protective films 12-13 are attached to the mounting surface of the substrate 1 to bury a space produced around the metal films 51-71, 52-72.
    保護膜１２〜１３は、基板１の搭載面上に付着され、金属膜（５１〜７１）、（５２〜７２）の周囲に生じるスペースを埋めている。 - 特許庁
  • These layers have different thickness from one another by forming the first thin films 31 and second thin films 32 with different film thickness from each other.
    これら積層される第１薄膜３１と第２薄膜３２との膜厚が異なることにより各層それぞれの厚さが異なる。 - 特許庁
  • The plurality of erase light shielding films 8 and the plurality of read light shielding films 9 are alternately arranged to extend continuously.
    この複数の消去光遮光膜８と複数の読取光遮光膜９とが交互に隙間なく連続するように配列されている。 - 特許庁
  • To provide a vertical-type epitaxial-growth apparatus, whereby the films of epitaxial-growth layers can be formed on wafers, while maintaining proper distribution for the thicknesses of the films between the wafers.
    ウエハ間の良好な膜厚分布を維持して、エピタキシャル成長層を成膜できる縦型エピタキシャル成長装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of making resist patterns for forming fine patterning thin films and a method of patterning the thin films using the same.
    微細なパターニング薄膜を形成するためのレジストパターンの作製方法、及びこれを用いた薄膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁
  • To enhance the film adhesion property of AR coating films and to prevent the stripping of the AR coating films, in a LCD panel displaying a color image.
    カラー画像を表示するＬＣＤパネルにおいて、ＡＲコート膜の膜密着性を向上させ、ＡＲコート膜の剥離を防止する。 - 特許庁
  • Second plating films 24a, 24b consisting of Sn are formed, as the outermost layer, to cover the first plating films 22a, 22b.
    第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂを覆うようにして、最外層としてＳｎからなる第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成される。 - 特許庁
  • Thus, a gate electrode composed of a polycide film containing the cobalt silicide films 7a, 7b and polycrystalline silicon films 3a, 3b is formed.
    それにより、コバルトシリサイド膜７ａ，７ｂおよび多結晶シリコン膜３ａ，３ｂを含むポリサイド膜からなるゲート電極を形成する。 - 特許庁
  • To provide a water base printing ink composition for styrene films having excellent adhesion even when the water base ink is applied to the styrene films.
    水性印刷インキをスチレンフィルムに適用しても接着性に優れるスチレンフィルム用水性印刷インキ組成物を提供すること。 - 特許庁
  • Then, by depositing conductor films 16b and 16c while heating, the conductor films 16a, 16b and 16c are poured into the grooves 11 and 13.
    その後、導体膜１６ｂ，１６ｃを加熱しながら堆積することで導体膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃを溝１１，１３内に流し込む。 - 特許庁
  • Organic conductive films having a plurality of projections on surfaces thereof are used as resistance films of the upper electrode plate 20 and the lower electrode plate 30.
    上部電極板２０や下部電極板３０の抵抗膜には、表面に複数の凸部を有する有機導電膜を用いる。 - 特許庁
  • Thermoplastic resin films 10a and 10b are formed on non- thermoplastic resin films 11a and 11b, and metal wiring 8 is formed on them.
    非熱可塑性樹脂フィルム１１_a、１１_b上に熱可塑性樹脂フィルム１０_a、１０_bを形成し、その上に金属配線８を形成する。 - 特許庁
  • To provide a method, etc., of forming antireflection films capable of realizing the antireflection films to develop desired refractive indices and exhaustion coefficients.
    所望の屈折率及び消衰係数を発現する反射防止膜を実現できる反射防止膜の形成方法等を提供する。 - 特許庁
  • Flat polysilicon films 10 are formed as the polysilicon films 7 in sections not etched being covered with photo-resists 8.
    フォトレジスト８で覆われることによってエッチングされなかった部分のポリシリコン膜７として、平板型のポリシリコン膜１０が形成される。 - 特許庁
  • A memory laminated body is formed by respectively alternately laminating a plurality of insulation films 15 and electrode films WL on a silicon substrate.
    シリコン基板上にそれぞれ複数の絶縁膜１５及び電極膜ＷＬを交互に積層させてメモリ積層体を形成する。 - 特許庁
  • Electrode films 21, 22 are formed on the electroosmosis material 2, and when voltage is applied between the electroosmosis films 21, 22, the liquid is fed.
    電気浸透材２に電極膜２１，２２が成膜され、電極膜２１，２２の間に電圧が印加されると液体が送液される。 - 特許庁
  • A plurality of film configuration data corresponding to a plurality of assumed multilayer films that are assumed as the multilayer films are stored (S14).
    前記多層膜として想定されうる複数通りの想定多層膜に対応する複数通りの膜構成データが格納される（Ｓ１４）。 - 特許庁
  • Then cut negative films, print photographs, and a DP bag are collated and the negative films and print photographs are put in the DP bag (step S28).
    その後、カットされたネガフイルムとプリント写真とＤＰ袋とを照合して、ＤＰ袋にネガフイルムとプリント写真を入れる（ステップＳ２８）。 - 特許庁
  • For this reason, the production had to change their plans and decided to produce all of their films starring Bando; moreover, they made a bold decision to make the last of the nine films with Bando himself in the director's chair.
    そこで同プロダクションはすべて阪東主演作に切り替え、最後の9本目は、阪東自身が監督するに踏み切った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The RESTful Web Services node in the Projects window displays all the RESTful web services in your project. The value between the square brackets, such as [/films/],is the value for the URI template.
    「プロジェクト」ウィンドウの「RESTful Web サービス」ノードに、プロジェクトのすべての RESTful Web サービスが表示されます。 [/films/] など、角カッコ内の値は URI テンプレートの値です。 - NetBeans
  • Films 1, 5 which do not function as a capacitor are constituted by polyethyleneterephthalate film, and films 3, 7 which function as a capacitor are constituted by polypropylaene film.
    コンデンサとして機能しないフィルム１、５をポリエチレンテレフタレートフィルムとし、コンデンサとして機能するフィルム３、７をポリプロピレンフィルムとする。 - 特許庁
  • At least one polarization separating film out of the plurality of the polarization separating films has a film structure different from other polarization separating films.
    複数の偏光分離膜のうちの少なくとも１つの偏光分離膜は、他の偏光分離膜と異なる膜構造を有している。 - 特許庁
  • The group of interlayer insulating films 30 is formed of an insulating material of a dielectric constant lower than that of the group of interlayer insulating films 20.
    層間絶縁膜群３０は、層間絶縁膜群２０よりも低い誘電率をもつ絶縁材料によって形成されている。 - 特許庁
  • Thereafter, the first and second insulating films are removed until the upper surface of the substrate is exposed to form built-in insulating films on recessed parts.
    その後、第１絶縁膜および第２絶縁膜を、基板の上面が露出するまで除去し、凹部に埋め込み絶縁膜を形成する。 - 特許庁
  • Insulating films 14 and 16 are accumulated on a semiconductor substrate 11, and a trench is formed in the insulating films 14 and 16 so that the semiconductor substrate 11 can be exposed.
    半導体基板上に絶縁膜を堆積し、その半導体基板が露出されるように絶縁膜にトレンチを形成する。 - 特許庁
  • On both side surfaces of the gate 160, a charge retainer consisting of SiO films 171 and 181 and SiN films 172 and 182 is provided.
    さらに、ゲート部１６０の両側面には、ＳｉＯ膜１７１，１８１、ＳｉＮ膜１７２，１８２からなる電荷保持部が設けられる。 - 特許庁
  • In the perpendicular magnetic recording medium having the soft magnetic backing layer on the lower side of a perpendicular magnetic recording layer, the soft magnetic backing layer is formed by alternately laminating soft magnetic films and non-magnetic films, the soft magnetic backing layer has the soft magnetic films in the uppermost layer and the lowermost layer and the soft magnetic films and the non-magnetic films are manufactured by electroless plating.
    垂直磁気記録層の下側に軟磁性裏打ち層を有する垂直磁気記録媒体であって、軟磁性裏打ち層が軟磁性膜と非磁性膜とを交互に積層してなり、軟磁性裏打ち層の最上層と最下層とに軟磁性膜を有し、軟磁性膜と非磁性膜とが無電解メッキによって作製されたものである。 - 特許庁
  • The stainless steel foil coated with a plurality of inorganic polymer films comprising mainly siloxane bonds is the stainless steel coated with the silica films characterized by that at least a part of Si comprising respective inorganic polymer films is bonded with either an organic group or hydrogen or both of them, and adjoining films of the inorganic polymer films have different compositions each other.
    シロキサン結合を主体とする複数の無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔であって、前記各無機ポリマー膜を構成するＳｉの少なくとも一部が有機基又は水素の一方又は双方と化学結合しており、前記無機ポリマー膜の隣接した膜の組成が異なることを特徴とするシリカ系膜で被覆されたステンレスである。 - 特許庁
  • The insulator films 3 are positioned by guide members 11a-11d with a guide groove narrower than the width of the insulator films 3 provided at both sides of the hot press 20, and the lead conductor 2 and the insulator films 3 are heated and pressurized by the hot press 20 so that the insulating films 3 are stuck to the lead conductor 2.
    絶縁フィルム３は、ホットプレス２０の両側に設けた絶縁フィルム３の幅よりも狭いガイド溝を有するガイド部材１１ａ〜１１ｄによって位置決めし、リード導体２と絶縁フィルム３とをホットプレス２０で加熱・加圧することにより、リード導体２に絶縁フィルム３を貼り付けている。 - 特許庁
  • The first and the second interlayer insulating films 13 and 14 for insulating the top and bottom layers of a semiconductor layer 1a constitute a multilayer structure comprising PSG films 13a and 14a, a semiconductor layer 1a, and NSG films 13b and 14b formed in between the PSG films 13a and 14a.
    半導体層１ａの下層及び上層を絶縁する第１，第２層間絶縁膜１３，１４を、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａと、半導体層１ａとＰＳＧ膜１３ａ，１４ａとの間に形成されたＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂとを有する多層構造で構成する。 - 特許庁
  • To provide: a method of processing discarded films and photographic paper to enable efficient and reliable recovery of silver from the films and photographic paper; a processor of the films and photographic paper; and a compression molded body used for the method of processing the films and photographic paper.
    廃棄されたフィルム及び印画紙から効率良く、かつ、確実に銀を回収することが可能なフィルム及び印画紙の処理方法、フィルム及び印画紙の処理装置、並びに、このフィルム及び印画紙の処理方法において使用される圧縮成形体を提供する。 - 特許庁
  • Plating films 22 of a desired thickness are deposited on the semiconductor wafers 21 and thereafter plating films 25 are deposited thereon in order to annihilate the pit defects 24 arising in consequence of microbubbles 23 in the plating films 22 (at this time, the fresh pit defects 27 are generated in the plating films 25).
    本発明のウエハ処理は、半導体ウエハ２１に所望の厚さのメッキ膜２２を成膜し、次に、メッキ膜２２内にマイクロバブル２３が起因して発生したピット欠陥２４を消滅させるために、メッキ膜２５を成膜する（この際に、メッキ膜２５内には、新たなピット欠陥２７が発生している）。 - 特許庁
  • To provide a film-forming composition to be used in liquid crystal displays, recording materials for hard discs, solid imaging elements, solar cell panels light-emitting diodes, organic luminescent devices, luminescent films, fluorescent films, MEMS, actuators, antireflective materials, resists, resist lower layer films, resist upper layer films or templates (molds) for nanoimprinting use.
    液晶ディスプレイ、ハードディスク用記録材料、固体撮像素子、太陽電池パネル、発光ダイオード、有機発光デバイス、ルミネセントフィルム、蛍光フィルム、ＭＥＭＳ、アクチュエーター、反射防止材料、レジスト、レジスト下層膜、レジスト上層膜、又はナノインプリント用テンプレート（モールド）に使用される膜形成組成物を提供する。 - 特許庁
  • The oxygen concentrator 1 includes dimple films 2 formed with a perovskite type oxide material, sealing materials 3 and 4 arranged adjacent to ends of the dimple films 2, and supporting columns 11 arranged separately from the ends of the dimple films 2 between the adjacent dimple films 2.
    酸素濃縮装置１が、ペロブスカイト型酸化物材料で形成されたディンプル膜２と、隣接するディンプル膜２の間に、ディンプル膜２の端に接して設けられたシール材３、４と、隣接するディンプル膜２の間に、ディンプル膜２の端から離れて設けられた支持柱１１とを具備する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device equipped with gate insulating films and a manufacturing method thereof, wherein gate insulating films and gate electrodes each connected to the gate insulating films are continuously formed on the same substrate, and the gate insulating films are enhanced in reliability.
    同一基板上に複数のゲート絶縁膜と夫々のゲート絶縁膜に接続されるゲート電極を連続的に形成することができると共に、ゲート絶縁膜の信頼性を向上させることができる複数のゲート絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • This optical filter is a lens-simulating optical filter in which plural thin films are stacked on a substrate in such a manner that the same optical films among two kinds of optical thin films different in index of refraction are not continuously stacked, and in which the film thickness of staked optical thin films is stacked without periodic repetition.
    屈折率の異なる少なくとも２種類の光学薄膜のうち同一光学薄膜を連続積層させないで基板上に複数積層した水晶体模擬光学フィルタであって、積層される光学薄膜の膜厚を、周期的な繰り返しがないようにして積層する。 - 特許庁
  • A magneto-resistance effect element 17a formed on a reproduced lower gap 13 is arranged so as to be interposed between a pair of bias magnet films 14a and 14b constituted of laminated bodies including hard magnetic magnet films 31a and 31b, non-magnetic films 32a and 32b, and soft magnetic films 33a and 33b.
    再生下ギャップ１３の上に成膜された磁気抵抗効果素子１７ａは、硬質磁性の磁石膜３１ａ，３１ｂ、非磁性膜３２ａ，３２ｂ、及び軟質磁性膜３３ａ，３３ｂを含む積層体からなる一対のバイアス磁石膜１４ａ，１４ｂに挟まれるように配置される。 - 特許庁
  • To reduce variations of characteristics of two kinds of thin-film transistors having channel-length directions made orthogonal to each other which are so formed of polysilicon thin films as to change amorphous silicon films into the polysilicon films crystallized by the scanning projection of a CW laser on the amorphous silicon films, in an active-matrix type liquid crystal display.
    アクティブマトリクス型液晶表示装置において、アモルファスシリコン薄膜をＣＷレーザのスキャン照射により結晶化させてなるポリシリコン薄膜により形成された、チャネル長方向が互いに直交する２種類の薄膜トランジスタの特性のバラツキを小さくする。 - 特許庁
  • The device still further includes: Au films 14s and 14d electrically connected to the Ta films 11s and 11d without interposing the Al films 12a and 12d, respectively; and a gate electrode 13g that is located over the n-AlGaN layer 4 between the Ta films 11s and 11d.
    更に、夫々Ｔａ膜１１ｓ及び１１ｄにＡｌ膜１２ｓ及び１２ｄを介さずに電気的に接続されたＡｕ膜１４ｓ及び１４ｄと、ｎ−ＡｌＧａＮ層４上においてＴａ膜１１ｓ及び１１ｄの間に位置するゲート電極１３ｇと、が設けられている。 - 特許庁
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