「Films」を含む例文一覧(13275)

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  • A common connecting conductor 10 is provided for coupling the lower electrode films belonging to the group and connecting the lower electrode films to the corresponding common terminal 21.
    各グループに属する下部電極膜同士を連結すると共に対応するコモン端子２１に下部電極膜を接続するコモン連絡導線１０を有する。 - 特許庁
  • Also, the second multilayer wiring layer 23a has the insulating film 42 and light shielding films 49 and 50 and the wiring films 44 and 45 laminated through the insulating film 42.
    また、第２多層配線層２３ａは、絶縁膜４２及び該絶縁膜４２を介して積層された遮光膜４９，５０及び配線膜４４，４５を有する。 - 特許庁
  • A negative electrode layer 14 is a multilayer film formed by alternately stacking metal films 14M_k and transparent conductive films 14T_m from the side of an organic EL layer 13.
    陰極層１４は、有機ＥＬ層１３の側より金属膜１４Ｍ_ｋ と透明導電膜１４Ｔ_ｍ とが交互に積層された多層膜である。 - 特許庁
  • A plurality of insulation films can be evaluated by one evaluation circuit, and even if there are a number of insulation films to be evaluated, only a few evaluation circuits are required.
    一つの評価回路で複数の絶縁膜を評価することができ、評価対象の絶縁膜の数が多くても、評価回路の数が少なくてよい。 - 特許庁
  • Superconducting films 2b, 2f are formed on the surfaces of base materials 1b, 1f to be bonded, and metallic films 3b, 3f are formed on the prescribed portions thereof.
    接合すべき基材１ｂ，１ｆの表面に超伝導体膜２ｂ，２ｆを形成し、更にその表面の所定箇所に金属膜３ｂ，３ｆを形成する。 - 特許庁
  • An off gas flows to the insides of the hollow string films and drying air flows to the outside of the hollow string films for water exchange, whereby the drying air is humidified.
    中空糸膜の内側にオフガスが通流し、中空糸膜の外側に乾燥空気が通流して水分交換が行われ、乾燥空気を加湿する。 - 特許庁
  • To provide a conductive coating which is used for ceramic electronic parts and can form good base metal electrode films not depositing fine glass particles on the electrode films.
    電極膜に微小ガラス粒子が析出しない良好な卑金属電極膜を形成できるセラミック電子部品用の導電性塗料を開発する。 - 特許庁
  • They can also be audio or video materials made by electric, optic, magnetic, or photographic means, such as microfiches, films, negative films, videotapes, tapes, gramophone records, CD-ROMs, etc.
    また、マイクロフィルムや、映画、写真のネガ、ビデオテープ、磁気テープ、レコード、CDなど、電気・光・磁気・撮影などにより作製された視聴資料であっても良い。 - 特許庁
  • To form Al alloy films in microscopic form parts as well, such as contact holes and via holes, with a good coverage, while generation of a whisker is suppressed in the alloy films.
    ウイスカ発生を抑制しながら、コンタクト孔やビア孔などの微細形状部分にも良好な被覆性でＡｌ系合金膜を成膜する。 - 特許庁
  • The cover-lay film 2 and the release films 3 and 4 are laminated on the printed circuit base material 1 of continuous length, and the films 1 to 4 are bonded together by a thermocompressing means 6.
    長尺のプリント回路基材１にカバーレイフィルム２とリリースフィルム３，４を重ね合わせ、加熱加圧手段６より各フィルム１〜４を貼り合わせる。 - 特許庁
  • The electromagnetic wave shielding and heat ray cut-off film 3 is formed by stacking thin titanium dioxide films and thin metal films on a base film in 5-13 layers, preferably stocked in 9 layers.
    電磁波シールド性熱線カットフィルム３は、ベースフィルム上に酸化チタン薄膜と金属薄膜とを５〜１３層好ましくは９層積層したものである。 - 特許庁
  • The storage case 14 is equipped with a support member 28 which supports the mount films MF and a restricting member 30 which restricts front-rear and right-left movements of the mount films MF.
    収納ケース１４は、マウントフィルムＭＦを支持する支持部材２８と、マウントフィルムＭＦの前後左右の動きを規制する規制部材３０とを備える。 - 特許庁
  • Since the wiring conductor films are formed on an almost flattened surface of a silicon substrate, the occurrence of voids (cavities) can be prevented and the qualities of the source wiring metallic films are improved.
    配線導体膜がほぼ平坦面とされたシリコン基板表面に形成されるのでヴォイド（空孔）の発生が防止でき、膜質が改善される。 - 特許庁
  • This enables preventing the separation of the chalcogenide films 26, and checking the disturbance at the adjacent position of bit information between the chalcogenide films 26.
    これにより、カルコゲナイド膜２６の剥離を防止し、かつ隣接するビット情報の位置のカルコゲナイド膜２６の間でディスターブを抑圧することができる。 - 特許庁
  • TEOS films of different thickness are formed independently on the opposite sides or TEOS films are formed independently on the opposite sides under different film deposition conditions.
    この際、膜厚の異なるＴＥＯＳ膜を両面に別々に形成するか、または成膜条件の異なるＴＥＯＳ膜を両面に別々に形成する。 - 特許庁
  • To read images after inverting the front and rear of photographic films to a correct position when the photographic films inverted in the front and rear are loaded in a film loading section.
    表裏が反転している写真フィルムがフィルム装填部に装填された場合に、写真フィルムの表裏を正しい向きに反転した後に画像を読み取る。 - 特許庁
  • To provide a film supply device from which a film can be easily taken out to the outside even when the number of remaining films decreases, and in which a large number of films can be stored.
    フィルムの残数が減少してもフィルムを外部に取り出しやすく、多数枚のフィルムを収容することができるフィルム供給具を提供する。 - 特許庁
  • In a fuse sealing apparatus, a required number of sheets of plastic films are pinched by a base stand part and an ascent/descent part and the plastic films are fused and sealed by an electrically heating wire.
    基台部と昇降部とで所望数枚のプラスチックフィルムを挟持し、電熱線によりプラスチックフィルムを熔断シールする熔断シール装置である。 - 特許庁
  • An authentication sensor part 60 comprises films 61 and 67, ITO films 63 and 65, a temperature sensor 62, a humidity sensor 64 and a pressure sensor 66.
    認証センサ部６０は、フィルム６１及び６７と、ＩＴＯ膜６３及び６５と、温度センサ６２と、湿度センサ６４と、圧力センサ６６とを備えて構成される。 - 特許庁
  • To provide a device for sticking films for a liquid crystal display element wherein bubbles can be satisfactorily removed from a stuck part of two films and internal distortion is not generated to a film stuck body.
    ２枚のフィルムの貼り合せ部から十分に気泡を排除でき、かつ貼り合わされたフィルム貼り合せ体に内部ひずみを生じさせないこと。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a polyester film for forming all manufactured films with characteristics durable against its use by simultaneously forming two or more films.
    フィルムを一挙に２枚以上製膜し、しかも製膜した全てのフィルムを使用に耐えるような特性となすためのポリエステルフィルムの製造プロセスを提供する。 - 特許庁
  • To reduce consumption of a material for flattening films in a color filter substrate and to prevent a color display from darkening due to existence of the flattening films.
    カラーフィルタ基板において平坦化膜材料の消費量を減じると共に、平坦化膜の存在によってカラー表示が暗くなるのを防止する。 - 特許庁
  • Or, the 1st and 2nd dielectric films are 37.5-47.5 nm, the metal film is 5.5-6.5 nm, total of both dielectric films is 77.5-92.5, the 2nd dielectric film/the 1st dielectric film is 0.85-1015.
    あるいは、第１及び第２誘電体膜：37.5〜47.5nm、金属膜：5.5〜6.5nm、両誘電体膜の合計：77.5〜92.5nm、第２誘電体膜厚／第１誘電体膜厚：0.85〜1.15とする。 - 特許庁
  • The repair coating film is composed of one or more coating films containing information nucleic acids having arbitrary and known sequences of bases in specified sites of the films.
    一又は複数の塗膜から構成され、塗膜に任意且つ既知の塩基配列を有する部位を備える情報化核酸を含有した補修塗膜である。 - 特許庁
  • The end edge of the guide is inserted between the films, and the films are clamped by a pair of elastic clamping materials near the end edge of the nozzle guide.
    さらに、ノズルガイドの端縁が各フィルム間に挿入され、ノズルガイドの端縁付近において、一対の弾性クランプ材によって各フィルムがクランプされる。 - 特許庁
  • A sacrificial layer 40 is formed on both the stopping films 31, 32, and is CM polished to form a flat surface 41 utilizing the both stopping films as the stopper.
    次に、両ストップ膜３１、３２上に犠牲層４０を形成し、両ストップ膜をストッパとして犠牲層４０をＣＭＰして平坦面４１を形成する。 - 特許庁
  • The respective joining films 15, 25 exhibit adhesiveness resulting from surface activation when applying energy onto the respective joining films 15, 25.
    そして、これらの各接合膜１５、２５にエネルギーを付与すると、表面が活性化されることに起因して、各接合膜１５、２５に接着性が発現する。 - 特許庁
  • Accordingly, at least one of the plurality of semiconductor films formed over one base substrate has a crystal plane orientation different from that of the other semiconductor films.
    すなわち、１つのベース基板上に形成される複数の半導体膜の少なくとも１つは、他の半導体膜と結晶面方位が異なることとなる。 - 特許庁
  • A silicon nitrided film 11 by plasma CVD is formed covering the memory cell array, and silicon nitrided films 12a and 12b are formed as inter-layer insulating films thereupon.
    メモリセルアレイを覆ってプラズマＣＶＤによるシリコン窒化膜１１が形成され、この上に層間絶縁膜となるシリコン酸化膜１２ａ，１２ｂが形成される。 - 特許庁
  • After the exposure step for all of the resist films 12 and 14 is completed, development of the resist films 12 and 14 is collectively performed so that a three-dimensional void 15 is formed.
    そして全てのレジスト膜１２、１４の露光が終了した後に、レジスト膜の現像を一括して行い、三次元の空隙１５を形成する。 - 特許庁
  • Then, metal thin films 240 and 250 are formed on both surfaces of the metal plate 210 where the photoresist films 220 and 230 are applied (step S104).
    次に、フォトレジスト膜２２０及び２３０が形成された金属板２１０の両面に、金属薄膜２４０及び２５０を形成する（ステップＳ１０４）。 - 特許庁
  • By pinching the organic insulation film with smaller inner stress than the inorganic insulation films between the inorganic insulation films, the inner stress can be suppressed.
    無機絶縁膜に比べて内部応力が小さい有機絶縁膜を、無機絶縁膜の間に挟むことで、内部応力を緩和することができる。 - 特許庁
  • In the respective film units 6 and 7, punching panels made of metal are superposed on inner surfaces of the duct member 5 relative to films 61 and 71, which are made of resin thin films.
    各フィルムユニット６，７は、樹脂製薄膜で成るフィルム６１，７１に対してダクト部材５内側の面に金属製パンチングパネルが重ね合わされている。 - 特許庁
  • Alignment films are formed on the first and second transparent substrates so as to cover the first and second transparent electrodes, and alignment processing is applied to the alignment films (step c).
    （ｃ）第１及び第２の透明基板上に、第１及び第２の透明導電膜を覆うように配向膜を形成し、配向膜に配向処理を施す。 - 特許庁
  • This transfer film feeding device 1 compares the amount of films of a feeding roll 3 of the transfer film 2 with the amount of films of a take-up roll 5 of the transfer film.
    転写フィルム送り装置１は、転写フィルム２の送り側ロール３のフィルム量と転写フィルムの巻取り側ロール５のフィルム量とを対比する。 - 特許庁
  • To provide a film scanner which is capable of smoothly reading long- size films on 6-frame continuous films without replacing film adapters and without generating curling.
    長尺フィルムや６コマ連続のフィルムを、フィルムアダプタ差し替えをせず、かつ、カールを発生させずに、円滑に読み取ることができるフィルムスキャナを提供する。 - 特許庁
  • The wave plate comprises two or more retardation films, in which retardation films are not adhered to each other in a part where laser light transmits.
    ２枚以上の位相差フィルムからなる波長板であって、レーザー光の透過部分において位相差フィルムどうしが接着されていない波長板。 - 特許庁
  • The battery element 6 is pinched from above and below by two sheath films 3, 4, and air-tightly sealed by joining peripheral parts of the sheath films 3, 4.
    電池要素６は、２枚の外装フィルム３，４によって上下から挟まれ、外装フィルム３，４の周縁部を接合することで気密封止される。 - 特許庁
  • After laminating 1st to 3rd support insulating films 22-24 on the film 16, respective films 22-24 are etched to form SN electrode forming holes 28.
    膜１６上に第１〜第３のサポート絶縁膜２２〜２４を積層した後、各膜２２〜２４をエッチングしてＳＮ電極形成用ホール２８を形成する。 - 特許庁
  • The metal films 14 and 15 for electrode formation are gold (Au)/chromium (Cr) films, and the material of the metal foil 13 is platinum (Pt) or tungsten (W).
    電極形成用金属膜１４，１５は銀（Ａｕ）／クロム（Ｃｒ）膜であり、金属箔１３の材質は白金（Ｐｔ）またはタングステン（Ｗ）である。 - 特許庁
  • From 1963 Toei had great success with its Ninkyo films starring popular actors and actresses such as Koji TSURUTA, Ken TAKAKURA, and Junko FUJI (now called Sumiko FUJI and the mother of Shinobu TERASHIMA) and this led to a Yakuza-film boom (Toei chivalry films).
    1963年から鶴田浩二、高倉健、藤純子（現・富司純子。寺島しのぶの母）らを擁してヤクザ映画ブームを作った（東映任侠映画）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The double bags are formed by simultaneously cutting the films for upper and lower outside bags 1 and the film for partition 2 interposed between the films for the outside bags 1.
    上下の外袋用フィルム１と外袋用フィルム１の間に介した仕切り用フィルム２とを同時に切断して二重袋を形成する。 - 特許庁
  • To reduce leakage currents, improve dielectric breakdown voltage, and reduce temporal dielectric breakdowns, of insulation films and dielectric films formed on a semiconductor substrate.
    半導体基板上に形成される絶縁膜や誘電体膜のリーク電流低減、絶縁耐圧の向上、経時的絶縁破壊の低減を図る。 - 特許庁
  • The antireflection film 10 has a two-layer structure including lower and upper silicon nitride films (p-SiN films) 11, 12 deposited by a plasma CVD method.
    反射防止膜１０は、プラズマＣＶＤ法で形成される下層及び上層シリコン窒化膜（ｐ−ＳｉＮ膜）１１，１２を含んで成る２層構造を有している。 - 特許庁
  • To provide a method for providing films having improved characteristics such as an etching rate, the concentration of hydrogen, and stress as compared to the films by thermal chemical vapor deposition.
    熱化学気相堆積の膜に比較してエッチング速度、水素濃度、およびストレスなどの改善された特性を有する膜を与える方法の提供。 - 特許庁
  • A compensation panel 12A has a structure sticking two sheets of polymer films 17Aa, 17Ab together, and the polymer films 17Aa, 17Ab have birefringence properties.
    補償パネル１２Ａは、二枚の高分子フィルム１７Ａａ，１７Ａｂを貼り合せた構造を有し、高分子フィルム１７Ａａ，１７Ａｂが複屈折性を有する。 - 特許庁
  • The protective films 7a, 7b are formed by applying coating liquids containing protective materials and fluorine-based solvents on the surfaces of the semiconductor films 6a, 6b, respectively.
    保護膜７ａ，７ｂは、保護膜材料とフッ素系溶媒とを含む塗布液を半導体膜６ａ，６ｂ表面にそれぞれ塗布することによって形成される。 - 特許庁
  • This memory device comprises a plurality of dielectric films SIN, SIO laminated on a semiconductor SUB and a control electrode GE on a plurality of dielectric films.
    半導体ＳＵＢ上に積層された複数の誘電体膜ＳＩＮ，ＳＩＯと、複数の誘電体膜上の制御電極ＧＥとを有している。 - 特許庁
  • The interlayer films under the resist film are patterned with the resist film as a mask, by which contact holes and the ruggedness of the interlayer film surfaces are formed simultaneously in the interlayer films.
    このレジスト膜をマスクとしてレジスト膜下の層間膜をパターニングして層間膜にコンタクトホールと層間膜表面の凹凸とを同時に形成する。 - 特許庁
  • The laminate includes a plurality of electrode films laminated along a first axis vertical to the first plane and an interelectrode insulation film between the electrode films.
    積層体は、第１平面に対して垂直な第１軸に沿って積層された複数の電極膜とそれらの間の電極間絶縁膜とを含む。 - 特許庁
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