「Films」を含む例文一覧(13252)

＜前へ 1 2 .... 19 20 21 22 23 24 25 26 27 .... 265 266 次へ＞
  • Optical retardation films 4a and 4b are formed on transparent substrate 4, and the films form level differences of depth d at positions of radii r0 to r7.
    透明基板４の上には位相差膜４ａ、４ｂが形成され、これらの膜により半径ｒ０〜ｒ７の位置に深さｄの段差が形成されている。 - 特許庁
  • To provide a masking mechanism for a substrate capable of separately forming plural films on a simple substrate, and to provide a combinatorial film-forming apparatus capable of effectively forming films.
    単一基板上に複数の薄膜を分離して成膜可能な基板マスキング機構および効率的に成膜可能なコンビナトリアル成膜装置を提供する。 - 特許庁
  • In the stencil mask manufacturing method, a plurality of thin films are laminated, and patterning is performed by etching processing for each of the thin films.
    本発明のステンシルマスク製造方法は、薄膜を複数積層し、それぞれの薄膜についてエッチング加工によるパターン形成を行うことを特徴とする。 - 特許庁
  • A pair of conductive metal thin films 5 and 9 are formed so as to hold a first soft magnetic material film 7 therebetween from both sides thereof through insulating material films.
    第１の軟磁性体膜７を絶縁体膜を介して両側から挟み込むように、１対の導電性金属薄膜５、９を形成する。 - 特許庁
  • Therefore, the positions at which the parts of the insulating films 5 on both sides of the trenches 4 come into contact with each other and the heights of the insulating films 5 becomes the lowest become higher.
    これにより、トレンチ４の両側に位置する絶縁膜５が接して、トレンチ４の上部において絶縁膜５が最も低くなる位置が高くなる。 - 特許庁
  • The first core portion and the conductive films form a bump electrode, and the first core portion elastically deforms to bring the conductive films and the connection electrodes into electric contact with each other.
    第１コア部及び導電膜はバンプ電極を形成し、第１コア部の弾性変形により導電膜と接続電極とが導電接触する。 - 特許庁
  • Consequently, since time when the alignment films 16, 26 become open states is short, adsorption of moisture by the alignment films 16, 26 is suppressed.
    従って、配向膜１６、２６は開放状態になっている時間が短いので、配向膜１６、２６が水分を吸着することを抑制することができる。 - 特許庁
  • Lattice consistency with a foundation surface is improved in the case of the formation of the charge storage films CHS in the charge storage films CHS formed in this manner, and the incubation time is shortened.
    このように形成された電荷蓄積膜ＣＨＳは、その形成時に下地面との格子整合性が改善され、インキュベーション時間が低減した。 - 特許庁
  • Films 23 are provided on both front surfaces 22 of the outer peripheral part 10d of the swash plate 10, and the shoes 20 are slid on the films 23 of the swash plate 10.
    斜板１０の外周部１０ｄの両表面２２には皮膜２３が施されており、シュー２０は斜板１０の被膜２３と摺動する。 - 特許庁
  • Specifically, the material films 25a-25j and the material films 26a-26j are changed over between hydrophobic property and hydrophilic property with the application or not of the voltage.
    具体的には電圧の印加の有無により当該物質膜２５ａ〜２５ｊ及び物質膜２６ａ〜２６ｊの疎水性と親水性とが切り替わる。 - 特許庁
  • The film further satisfies the relationship of c/a≤8.0 wherein (a) is the charge accumulation between the films before saponification and (b) is the charge accumulation between the films after saponification.
    またセルロースエステルフィルムは、鹸化前のフィルム同士の帯電量：ａ、鹸化後のフィルム同士の帯電量：ｃとしたとき、ｃ／ａ≦８．０であることを特徴とする。 - 特許庁
  • As a result, even if the films are not sorted for every order information, since the image information on the films can be read in order of acceptance, the workability is improved.
    このため、注文情報毎にフィルムを仕分けしなくても、受付け順にフィルムの画像情報を読み取ることができるので、作業性が向上する。 - 特許庁
  • At this time, the bands 3 are arranged so that the pressure-sensitive adhesive films and the intermediate sheets 2 are opposed mutually and the resin films and the inner layer sheets 1 are opposed mutually.
    このとき，バンド３を，粘着材フィルムと中間板２とが対面するように，また，樹脂フィルムと内層板１とが対面するように配置する。 - 特許庁
  • To improve yield of bored films by preventing residue of cutting chips even on the lowest film in superposing the films, and boring them from above.
    フィルムを重ねてドリルにより上部より穴をあけるに際し、最下部フィルムまで穴に切屑が残らないようにして穴あけフィルムの収率を高める。 - 特許庁
  • To provide a batch-type apparatus for forming film on a substrate, which eliminates uneven film thickness of formed films, depending on the substrates treated in the same process and gives consistent quality of the formed films.
    バッチ式の基板成膜装置に於いて、同一工程で処理した基板間で成膜膜厚の不均一を解消し、成膜品質を安定する。 - 特許庁
  • Copper films 31 are respectively affixed on the surface parts of the elements 23 via a conductive pressure-sensitive adhesive and a lead wire 30 is soldered to the copper films 31.
    圧電セラミック素子２３の表面部に、銅箔３１を導電性粘着剤を介して貼付け、銅箔３１にリード線３０を半田付けする。 - 特許庁
  • As a result, the uneven shape of the inorganic oriented films 16, 26 remains after forming the surface insulator films 17, 27, thus not deteriorating an orientation control force.
    このため、表面絶縁膜１７、２７を形成した後も、無機配向膜１６、２６の凹凸形状が残るため、配向規制力を損なうことがない。 - 特許庁
  • To efficiently carry out disposal of defective films by discarding the defective films satisfactorily in order with simple constitution and process.
    簡単な構成及び工程で、不良フイルムを良好且つ整然と廃棄することができ、前記不良フイルムの廃棄処理を効率的に行うことを可能にする。 - 特許庁
  • The heaters 63, 65, 67 are constituted by including active films made of a conductive material of thin films sandwiched between combination passive thin film materials.
    各薄膜ヒータは、組み合わされた受動薄膜材料の間に挟まれた薄膜の導電性材料から成る能動膜を含んで構成される。 - 特許庁
  • Color oxide films are formed on the side faces of the trenches, and storage nodes electrically conducted with the storage electrodes are formed to the side faces of the color oxide films in the upper sections of the trenches.
    トレンチの側面にカラー酸化膜を形成し、トレンチの上部でカラー酸化膜の側面に蓄積電極に導通するストレージノードを形成する。 - 特許庁
  • The oxide films 7, 9 have the oxide of the same metal element as the metal element of the metal films 6, 10.
    酸化物膜７、９は、酸化物膜７、９とそれぞれ接している金属膜６、１０が有する金属元素と同じ金属元素の酸化物を有する。 - 特許庁
  • In the red conversion layer 12, entry of water vapor and the like from the barrier film 13A side is suppressed by two films of the barrier films 13A and 13C.
    赤色変換層１２では、バリアフィルム１３Ａ側からの水蒸気等の侵入がバリアフィルム１３Ａ，１３Ｃの２枚のフィルムにより抑制される。 - 特許庁
  • In the green conversion layer 11, entry of water vapor and the like from the barrier film 13B side is suppressed by two films of the barrier films 13B and 13C.
    緑色変換層１１では、バリアフィルム１３Ｂ側からの水蒸気等の侵入がバリアフィルム１３Ｂ，１３Ｃの２枚のフィルムにより抑制される。 - 特許庁
  • An adsorbent 2 is nipped with two films 4, 4 from the upper and lower sides in a sandwich-like state to adhere the films 4, 4 to the upper and lower surfaces of the adsorbent 2.
    ２枚のフィルム体４，４を用いて吸着体２を上，下方向からサンドイッチ状に挟み、フィルム体４，４を吸着体２の上，下面に接着する。 - 特許庁
  • Resist films 34 are partially formed to the surface of the land 32, and the solder pads 33 are formed to parts not covered by the resist films 34.
    ランド部３２の表面には、レジスト膜３４が部分的に形成され、このレジスト膜３４によって被覆されなかった部分には、はんだパッド３３が形成される。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device which prevents poor connection between conducting films via an insulation film and implementing good connection between respective conductor films on a substrate.
    絶縁膜を介した導電膜間の接続不良を防止し、基板上の各導電膜間の良好な接続を得る半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • The silicide films 31, 32 and 33 having a high resistance crystal structure C49 are phase-changed to the silicide films having a low resistance crystal structure C54.
    高抵抗の結晶構造Ｃ４９を有するシリサイド膜３１，３２，３３は，低抵抗の結晶構造Ｃ５４を有するシリサイド膜に相転移する。 - 特許庁
  • Sequentially, folding rollers 124 and 124 are moved toward central parts of the films 2 and 18 from the outsides of the folding levers and folded on the rear surface side of the films 2 and 18.
    続いて、折り込みローラ１２４，１２４を仮折りレバーの外側からフィルム２，１８の中央部に向かって移動させてフィルム２，１８の裏面側に折り込む。 - 特許庁
  • Moreover, the wiring 41 for connecting the connection terminals 31 with segment electrodes 15a is formed with the ITO films 41b and Cu films 41a laminated thereon.
    また、接続端子３１とセグメント電極１５ａを接続する配線４１は、ＩＴＯ膜４１ｂとＣｕ膜４１ａとが積層されて形成される。 - 特許庁
  • The amorphous silicon films 30, 31 are etched as far as the thickness of the N-hill layer 11 exposed from the amorphous silicon films 30, 31 to be used as an electrode.
    アモルファスシリコン膜３０、３１を、Ｎ−ｈｉｌｌ層１１がアモルファスシリコン膜３０、３１から露出する厚みにまでエッチングして電極とする。 - 特許庁
  • Finally, the upper surfaces of the element separating insulating films (2) and (3) are exposed to etch the element separating insulating films (2) and (3) to make them lower than first conductor film (22).
    次に、素子分離絶縁膜（２）（３）の上面を露出し、その素子分離絶縁膜（２）（３）を第１導電体膜（２２）よりも低くなるようにエッチングする。 - 特許庁
  • A film structure comprises the low k dielectric films 18 and 42; a barrier layer film 6; and N-H base source films such as an etching stopping film 30 and a hard mask film 54.
    膜構造は、低ｋ誘電体膜１８，４２および、バリア層膜６、エッチング停止膜３０およびハードマスク膜５４のようなＮ−Ｈ塩基源膜を含む。 - 特許庁
  • Then, SiO_2 films are formed as electrical insulation films 12 on the bottom and lateral wall faces of the grooves 16 through the introduction of an oxygen gas in the ICP device.
    次に、ＩＣＰ装置において酸素ガスを導入することにより、溝１６の底面及び側壁面にＳｉＯ_2膜を電気絶縁膜１２として形成する。 - 特許庁
  • That is, each thickness of the respective conductive films 6b and the respective insulating films 6a is set at a value capable of forming the trajectory of the electron.
    すなわち、各導電性膜６ｂおよび各絶縁性膜６ａそれぞれの各膜厚は電子の弾道化が起こる程度の膜厚に設定する。 - 特許庁
  • The electromagnetic wave shielding and heat ray cutting film 3 is produced by laying thin titanium oxide films and metal films in 5-13 layers, preferably in 9 layers on a base film.
    電磁波シールド性熱線カットフィルム３は、ベースフィルム上に酸化チタン薄膜と金属薄膜とを５〜１３層好ましくは９層積層したものである。 - 特許庁
  • Protective films 4 formed on the basis of each light reflecting film 3 are arranged between the electrodes 8 on the substrate 2 side and the light reflecting films 3.
    また、この基板２側の電極８と光反射膜３との間には、各光反射膜３毎に設けられた保護膜４が配置されている。 - 特許庁
  • Low refractive index dielectric films L and high refractive index dielectric films H are alternately layered on a substrate 1, and a third dielectric film 4 is deposited in the layers.
    基板１上に低屈折誘電体膜Ｌと高屈折誘電体膜Ｈとを交互に積層し、その間に第３の誘電体膜４を積層する。 - 特許庁
  • The adhesive films 12, 14 and 16 are smaller in size than the semiconductor chips 13, 15 and 17 placed on the adhesive films 12, 14 and 16.
    接着フィルム１２、１４、１６のサイズが、接着フィルム１２、１４、１６の上に載置されている半導体チップ１３、１５、１７のサイズより小さい。 - 特許庁
  • To efficiently form a film for a belt conveyor without damaging or stretching the respective films constituting the same and to prevent air bubbles from remaining between the films.
    ベルトコンベア用フイルムをこれを構成する各フイルムの破損や伸長なく能率的に形成でき、各フイルム間に空気泡が残留するのを防止可能にする。 - 特許庁
  • He contributed program pictures (a short film used to fill blank time between films) at the height of Japanese film, and the number of the films he participated in was great compared to film directors of the same generation.
    また、日本映画全盛期にプログラムピクチャーを手掛けていただけあってその参加作品数は、同年代の映画監督と比べて膨大。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • On April 23, 2008, Rock Chipper Record Co., Ltd released a compact disc called 'Music of Nikkatsu films, the director series, Ko NAKAHIRA,' which was a collection of music that appeared only in Nakahira films from his years at Nikkatsu.
    2008年4月23日、RockChipperRecord社から、日活時代の中平作品の音楽だけを集めたＣＤ「日活映画音楽集～監督シリーズ～中平康」が発売された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • From around this time, he shifted his work to made-for-TV films (in which many directors had engaged due to decline in Japanese films after the 1960s) in the 1970s.
    この時期と前後して、70年代には舞台をテレビ映画に移す（おりしも60年代からの邦画の斜陽化で、多くの監督がテレビ映画に進出していた）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To be concrete, alkali silicate powder and acid powder for neutralization each in a fixed amount are packed in water-soluble films or moisture-impermeable films, respectively.
    詳しくは、アルカリケイ酸塩の粉末、及び中和用の酸の粉末を、それぞれ所定量ずつ水溶性フィルムまたは非透湿性フィルムで包装しておく。 - 特許庁
  • A common connecting conductor 10 is provided for coupling the lower electrode films belonging to the group and connecting the lower electrode films to the corresponding common terminal 21.
    各グループに属する下部電極膜同士を連結すると共に対応するコモン端子２１に下部電極膜を接続するコモン連絡導線１０を有する。 - 特許庁
  • Also, the second multilayer wiring layer 23a has the insulating film 42 and light shielding films 49 and 50 and the wiring films 44 and 45 laminated through the insulating film 42.
    また、第２多層配線層２３ａは、絶縁膜４２及び該絶縁膜４２を介して積層された遮光膜４９，５０及び配線膜４４，４５を有する。 - 特許庁
  • A negative electrode layer 14 is a multilayer film formed by alternately stacking metal films 14M_k and transparent conductive films 14T_m from the side of an organic EL layer 13.
    陰極層１４は、有機ＥＬ層１３の側より金属膜１４Ｍ_ｋ と透明導電膜１４Ｔ_ｍ とが交互に積層された多層膜である。 - 特許庁
  • A plurality of insulation films can be evaluated by one evaluation circuit, and even if there are a number of insulation films to be evaluated, only a few evaluation circuits are required.
    一つの評価回路で複数の絶縁膜を評価することができ、評価対象の絶縁膜の数が多くても、評価回路の数が少なくてよい。 - 特許庁
  • Superconducting films 2b, 2f are formed on the surfaces of base materials 1b, 1f to be bonded, and metallic films 3b, 3f are formed on the prescribed portions thereof.
    接合すべき基材１ｂ，１ｆの表面に超伝導体膜２ｂ，２ｆを形成し、更にその表面の所定箇所に金属膜３ｂ，３ｆを形成する。 - 特許庁
  • An off gas flows to the insides of the hollow string films and drying air flows to the outside of the hollow string films for water exchange, whereby the drying air is humidified.
    中空糸膜の内側にオフガスが通流し、中空糸膜の外側に乾燥空気が通流して水分交換が行われ、乾燥空気を加湿する。 - 特許庁
  • To provide a conductive coating which is used for ceramic electronic parts and can form good base metal electrode films not depositing fine glass particles on the electrode films.
    電極膜に微小ガラス粒子が析出しない良好な卑金属電極膜を形成できるセラミック電子部品用の導電性塗料を開発する。 - 特許庁
＜前へ 1 2 .... 19 20 21 22 23 24 25 26 27 .... 265 266 次へ＞

例文データの著作権について