「Films」を含む例文一覧(13252)

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  • To provide a polymerizable compound which is useful as a material for optically anisotropic films such as optically compensating films or multi-domain films for polarizing plates, retardation plates, or the like used for display such as liquid crystal display, to provide a polymerizable liquid crystal composition using the same, and to provide their polymers and films.
    液晶表示装置等の表示装置に用いられる、偏光板や位相差板等の光学補償フィルムやマルチドメインフィルム等の光学異方性フィルム用材料として有用な、重合性化合物、それを用いる重合性液晶組成物並びにそれらの重合体及びフィルムを提供する。 - 特許庁
  • A plurality of the individual liquid rooms 3 are respectively equipped with first piezoelectric films 10A, and engraved parts 1 between a plurality of the individual liquid rooms 3 and a common liquid room 11 are respectively equipped with second piezoelectric films 10B, and the first piezoelectric films 1 and the second piezoelectric films 10B corresponding to each other are driven relatively to each other.
    複数の個別液室３のそれぞれに第１圧電膜１０Ａを備えると共に、複数の個別液室３と共通液室１１との間の掘り込み部１のそれぞれに第２圧電膜１０Ｂを備えて、互いに対応する第１および第２圧電膜１，１０Ｂを関連的に駆動する。 - 特許庁
  • The method of manufacturing the semiconductor device includes steps of forming interlayer insulating films 10, 14, 18 as silicon oxide films on an SOI layer 3 of an SOI wafer, and printing the wafer ID on the interlayer insulating films by applying a laser beam on the interlayer insulating films.
    本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩウェハのＳＯＩ層３上にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１０，１４，１８を形成する工程と、前記層間絶縁膜にレーザー光線を照射することにより、前記層間絶縁膜にウェハＩＤを印字する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁
  • Subsequently, on the poly-silicon films 4, 4' of a first layer prescribing a gate width of a MOSFET and on a sidewall SiN film 6, the poly-silicon films of a second layer wider than the poly-silicon films 4, 4' are formed through a SiO2 film 8, and the poly-silicon films of the second layer are silicified to form a titanium silicide layer 12.
    次いで、ＭＯＳＦＥＴのゲート幅を規定する１層目のポリシリコン膜４，４'の上、及び、側壁ＳｉＮ膜６の上にＳｉＯ2膜８を介して、ポリシリコン膜４，４'よりも幅広の２層目のポリシリコン膜を形成し、その２層目のポリシリコン膜をシリサイド化して、チタンシリサイド層１２を形成する。 - 特許庁
  • Each of the pair of mirrors 56 and 57 includes a plurality of dielectric films 551, and post members 552 that are disposed between these dielectric films 551, keeps the distance between the dielectric films 551 facing each other at a predetermined dimension, and forms an air layer 553 between the dielectric films 551 facing each other.
    そして、一対のミラー５６，５７は、それぞれ、複数の誘電体膜５５１と、これらの誘電体膜５５１の間に設けられ、互いに対向する誘電体膜５５１間の距離を所定の寸法に保持するとともに、互いに対向する誘電体膜５５１間に空気層５５３を形成するポスト部材５５２と、を備える。 - 特許庁
  • In the metal processing method, photoresist liquid is applied on both sides of a metal plate 210 to form photoresist films 220 and 230 (step S102), then the photoresist films 220 and 230 are exposed and developed so that the photoresist films 220 and 230 are removed while leaving the photoresist films 220 and 230 of the portions where holes are opened (step S103).
    金属板２１０の両面にフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト膜２２０及び２３０を形成し（ステップＳ１０２）、引き続き、フォトレジスト膜２２０及び２３０の露光と現像を行い、孔を開ける部分のフォトレジスト膜２２０及び２３０を残すように、他のフォトレジスト膜２２０及び２３０を除去する（ステップＳ１０３）。 - 特許庁
  • The optical filter 10 includes: first and second substrates 20, 30 opposite to each other; first and second reflective films 40, 50 provided on the first and second substrates; first and second bonding films 100, 110 provided on the first and second substrates; and first and second barrier films 120, 130 formed on the surfaces of the first and second reflective films.
    光フィルター１０は、対向する第１，第２基板２０，３０と、第１，第２基板に設けられた第１，第２反射膜４０，５０と、第１，第２基板に設けられた第１，第２接合膜１００，１１０と、第１，第２反射膜の表面に形成された第１，第２バリア膜１２０，１３０とを有する。 - 特許庁
  • By a chemical vapor deposition (CVD) process using a gaseous starting material in which components are regulated in such a manner that thin films start to grow only from growth starting points 3 formed at prescribed regions on a glass plate 1, thin films (e.g., transparent electrically conductive films such as tin oxide films) are selectively grown on the above prescribed regions.
    ガラス板１上の所定領域に形成された成長起点３のみから薄膜が成長を開始するように成分を調整した原料ガスを用いた化学蒸着（ＣＶＤ）法により、薄膜（例えば酸化錫膜等の透明導電膜）を上記所定領域に選択的に成長させる。 - 特許庁
  • The method has: a step in which SiOC films are formed on Si substrates 1 or on foundation films 2 and 3 formed on the Si substrates and containing Si; a step in which an ashing process is carried out to the SiOC films; and a step in which the SiOC films 4' receiving the ashing treatment are removed selectively by a wet process containing F.
    Ｓｉ基板１上又は前記Ｓｉ基板上に形成されたＳｉを含む下地膜２、３上に、ＳｉＯＣ膜を形成する工程と、前記ＳｉＯＣ膜に、アッシング処理を施す工程と、前記アッシング処理を施したＳｉＯＣ膜４’を、Ｆを含むウエット処理により選択的に除去する工程を備える。 - 特許庁
  • To provide a method for spreading agricultural polyolefin-based films, comprising spreading and fixing two or more agricultural polyolefin-based films, while superposing the end portions of the two or more films on each other, by which the strengths of the superposed portions are not deteriorated to improve the durability of the polyolefin-based films.
    ２枚以上のポリオレフィン系農業用フィルムを、その端部を重ね合わせながら展張固定するフィルム展張方法であって、長期間展張しても、２枚のフィルムの重ね合わせ部の強度が劣化しない耐久性のあるポリオレフィン系農業用フィルムを用いた農業用ハウスの展張方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for cutting a resin sheet with protective films, capable of suppressing a condition that, when cutting the resin sheet with protective sheets having protective films on the surface and back sides of the resin sheet, the laminated protective films are raised, and peeling of the protective films is degraded during the annealing processing.
    樹脂シートの表裏両面に保護フィルムを設けた保護フィルム付き樹脂シートの切断において、ラミネートされている保護フィルムを浮き上がらせてしまい、アニール処理において保護フィルムの剥がれが悪化してしまうことを抑制することができる保護フィルム付き樹脂シートの切断方法を提供する。 - 特許庁
  • This dry process various density image processor takes out films 15 before exposure by one sheet each, conveys the films to an exposure means 40 and heats the exposed films 15a irradiated with laser rays of image data signals during the passage through the exposure means 40 by a heating means 50 of a post process step, thereby subjecting the films to dry process development.
    露光前のフィルム１５を一枚ずつ取り出して露光手段４０へ搬送し、該露光手段４０を通過する際に画像データ信号のレーザー光線を照射した露光フィルム１５ａを後工程の加熱手段５０で加熱して乾式現像処理する乾式濃淡画像処理装置である。 - 特許庁
  • The optical member has a plastic base material and multilayered antireflection films composed of inorganic vapor-deposited films and organic vapor-deposited films, in which the organic vapor-deposited films are formed by using an organic silicon compound and a silicon non-containing organic compound essentially consisting of carbon and hydrogen as raw materials for vapor deposition.
    プラスチック基材と、無機蒸着膜及び有機蒸着膜より構成される多層反射防止膜を有する光学部材であって、前記有機蒸着膜が有機ケイ素化合物と、炭素及び水素を必須成分とするケイ素非含有有機化合物とを蒸着原料としたものである光学部材である。 - 特許庁
  • The optical thin films, such as the magnesium fluoride thin films formed on the optical glass surfaces of various kinds of the optical apparatus are peeled by treating the articles defectively formed with the optical thin films, such as the magnesium fluoride thin films, with an aqueous solution containing ferric chloride at a high concentration or further strong acids, such as hydrochloric acid and nitric acid, or a non-aqueous solution.
    各種光学機器の光学ガラス表面に形成された弗化マグネシウム膜等を形成した光学薄膜の形成不良品を、高濃度の塩化第２鉄、もしくは更に塩酸、硝酸等の強酸を含有する水溶液、又は非水溶液で処理して弗化マグネシウム薄膜等の光学薄膜を剥離する。 - 特許庁
  • Next, a deposition process of depositing the films in such a manner that the films adjoin each other in the lamination direction and setting the thicknesses of the boundary diffusion layers existing at the boundaries for the films adjacent to each other in the lamination direction so as to be ≤50% of the thicknesses on the layers on the thinner sides among the adjacent films is performed.
    次に、積層方向において互いに隣接するように膜を成膜すると共に、積層方向に互いに隣接する膜の界面に存在する界面拡散層の厚みが、隣接する膜のうち薄い側の層の厚みの５０％以下となるように設定する成膜工程を実施する。 - 特許庁
  • On the photosensitive polyimide layer 15 and in the through-holes 17, a plurality of conductive films 19 for connecting one end side of the lower-layer conductive films 7 and the other end side of adjacent lower-layer conductive films 7 through the through-holes 17 are formed so that all the lower-layer conductive films 7 are connected in series.
    感光性ポリイミド層１５上及びスルーホール１７内に、すべての下層導電性膜７が直列に接続されるように、スルーホール１７を介して下層導電性膜７の一端側と隣の下層導電性膜７の他端側を接続するための複数の上層導電性膜１９が形成されている。 - 特許庁
  • The first electrode 11 is connected to the first conductor films 4 while not connected to the second conductor films 5 in the first contact hole, and the second electrode 14 is connected to the second conductor films 5 while not connected to the first conductor films 4 in the second contact hole.
    第一の電極１１は、第一のコンタクトホール内において、第一の導電体膜４に対し接続され、且つ、第二の導電体膜５に対し接続されておらず、第二の電極１４は、第二のコンタクトホール内において、第二の導電体膜５に対し接続され、且つ、第一の導電体膜４に対し接続されていない。 - 特許庁
  • Each dielectric material multi-layered film 310 and 311 is formed by laminating n layers of films consisting of Si films 320 and SiO2 films 321 and third dielectric material thin films 330 and 331 consisting of the Si film and having prescribed thickness are interposed between each dielectric material multi-layered film 310 and 311 and a magnetic body thin film 307, respectively, to form the magnetooptical body 300.
    磁気光学体３００は、Si膜３２０及びSiO_2膜３２１をｎ層積層して誘電体多層膜３１０，３１１を形成し、誘電体多層膜３１０，３１１のそれぞれと磁性体薄膜３０７との間に、Si膜の所定厚さの第３の誘電体薄膜３３０，３３１を介装した。 - 特許庁
  • An inductor is composed of inductor conductors 15 and 26 and magnetic films 13 and 17 covering them, where diffusion preventing films 14 and 16 are provided between the inductor conductors 15 and 26 and the magnetic films 13 and 17 respectively, and it is preferable that the diffusion stopping films 14 and 16 be formed of at least one element selected from among TiN, W and Pt.
    インダクタ導体１５、２６を磁性体膜１３、１７で被覆してなるインダクタであって、インダクタ導体１５、２６と磁性体膜１３、１７との間に拡散防止膜１４、１６を形成してなるもので、拡散防止膜１４、１６は、ＴｉＮ、ＷおよびＰｔのうち少なくとも一種からなることが望ましい。 - 特許庁
  • To provide a film forming device capable of continuously forming plural kinds of films.
    複数種類の膜を連続的に形成できる成膜装置を提供する。 - 特許庁
  • Further, it is desirable the distance between the two films is not less than 0.2 mm.
    また、２枚のフィルム間の距離は、０．２ｍｍ以上であることが好ましい。 - 特許庁
  • Plating electrode films are formed on the bottom and the side face of the viahole.
    ビアホールの底面および側面にはめっき用電極膜が形成されている。 - 特許庁
  • The protective films 20A and 20B are formed by a polyamide resin and are flexible.
    保護膜２０Ａ、２０Ｂはポリイミド樹脂から形成され、柔軟性を有する。 - 特許庁
  • To easily and inexpensively form fine thin films with good dimensional precision.
    微細でかつ寸法精度の良好な薄膜を容易にかつ安価に形成する。 - 特許庁
  • NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING FOUR STORAGE NODE FILMS AND METHOD OF OPERATING THE SAME
    四つのストレージノード膜を備える不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁
  • The films of the piezoelectric layer 22 and the mixed layer 23 are formed using a gas deposition method.
    圧電層２２および混合層２３は、ガスデポジション法を用いて成膜される。 - 特許庁
  • The semiconductor lamination 15 includes a plurality of semiconductor films for a semiconductor laser.
    半導体積層１５は、半導体レーザのための複数の半導体膜を含む。 - 特許庁
  • Also, the coated film obtained from the dispersion and a laminate obtained by laminating the coated films are provided.
    また、これから得られる塗膜、および、この塗膜を積層した積層体。 - 特許庁
  • The films are based on the best-selling trilogy written by J.R.R. Tolkien.
    これらの映画はJ.R.R.トールキンによって書かれたベストセラー３部作に基づいている。 - 浜島書店 Catch a Wave
  • The control gate electrode is formed by a plurality of laminated conductive films.
    制御ゲート電極は、積層された複数の導電膜により形成される。 - 特許庁
  • Fin bodies (fins 10, 20) are metal patterns and are held between films U, L.
    フィン体（フィン１０、２０）は金属パターンであり、フィルムＵ、Ｌに挟まれている。 - 特許庁
  • End-section electrode films 20 are formed on the surfaces of the recesses 30 for the connection.
    接続用凹部３０の表面には、端部電極膜２０が形成してある。 - 特許庁
  • Finally, the silicon oxide film and the organic films are etched using the silicon nitride film as a mask.
    次に、シリコン窒化膜をマスクにして、シリコン酸化膜、有機膜をエッチングする。 - 特許庁
  • In the electrode of the each element, high melting point metal silicide films (51-58) are formed.
    各素子の電極には高融点金属シリサイド膜（５１〜５８）が形成される。 - 特許庁
  • Next, first and second protective films 4, 5 are formed on the semiconductor wafer 1.
    次いで、半導体ウェーハ１上に、第１、第２の保護膜４、５を形成する。 - 特許庁
  • After that, he moved to Toho Co., Ltd. and directed many literary films, receiving critical acclaim.
    その後、東宝に移って文芸映画を多く監督し、高い評価を得た。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • In the films such as "Zigeunerweisen" (the movie), "Kagero-za" and "Yumeji," Suzuki captured profound and beautiful screen images.
    『ツィゴイネルワイゼン(映画)』、『陽炎座』、『夢二』などでは幽遠な映像美を見せた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Thereafter, he was to have a unique sense of style in his films featuring women.
    以後女性をテーマにした作品に独特の感覚を発揮するようになる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • He became an assistant director for historical films at the beginning and made his debut with "Kogoro KATSURA and Ikumatsu" in 1925.
    当初は時代劇の助監督となり、1925年『桂五郎と幾松』でデビュー。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The memory part 20 has a multilayer structure in which a plurality of thin films are layered.
    メモリ部２０は、複数の薄膜が積層された多層構造を有している。 - 特許庁
  • Respective electrode films 25, 26 are neighbored to both surfaces of the GMR film 30.
    電極膜２５、２６のそれぞれは、ＧＭＲ膜３０の両面に隣接する。 - 特許庁
  • In addition, multicomponent films are coated on a substrate by way of magnetron co-sputtering.
    そしてマグネトロン同時スパッタリングによって複合膜を基板上に成膜する。 - 特許庁
  • A sidewall 9 is formed of these insulation films 3 and 2.
    これらの絶縁膜３及び絶縁膜２からサイドウオール９が構成されている。 - 特許庁
  • In addition, a synthetic resin material 1 is applied to peripheral edges of the polarizing films 2.
    そして、偏光フィルム２の周辺端部に合成樹脂材１を塗着する。 - 特許庁
  • For the deposition of the silicon oxide films 7, the high-density plasma CVD method is used.
    酸化シリコン膜７の堆積には、高密度プラズマＣＶＤ法を使用する。 - 特許庁
  • The conductive films 61 and 62 constitute from a conductive adhesive preferably.
    導電性膜６１，６２は、好ましくは導電性接着剤にて構成する。 - 特許庁
  • To automatically peel films stuck on both sides of a glass sheet in processing.
    板ガラスの両面に貼付けてあるフィルムを加工に際し自動的に剥離する。 - 特許庁
  • The group of interlayer insulating films 20 is located on the semiconductor device 10.
    半導体基板１０上には、層間絶縁膜群２０が設けられている。 - 特許庁
  • The films are not formed on the second translucent member 322.
    第２の透光性部材３２２の表面にはこれらの膜は形成されていない。 - 特許庁
  • To improve the magnetic permeability of a whole free layer by thinning bias impression films.
    バイアス印加膜を薄膜化してフリー層全体の透磁率が改善すること。 - 特許庁
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