「Films」を含む例文一覧(13275)
＜前へ 1 2 .... 25 26 27 28 29 30 31 32 33 .... 265 266 次へ＞- To provide a vapor deposition method for organic thin films which is capable of easily controlling a deposition rate and simultaneously depositing the films with stable and high controllability.
簡易に成膜速度を制御することができると同時に安定した高い制御性で成膜することが可能な有機薄膜の蒸着方法を提供する。 - 特許庁 - Laminated films F and filler paper cords 14 arranged in the lower parts of the films F are housed in light shielding bags 12 of the image recording material packages 10.
画像記録材料包装体１０の遮光袋１２の内部には、積層されたフイルムＦとフイルムＦの下部に配置された当て紙１４とが収容されている。 - 特許庁 - Then a transparent protective film 8 is formed to cover all over the reflection films 3 and 7.
反射膜３および７全体を覆うように透明保護膜８を形成する。 - 特許庁 - To manufacture a wrap film storage body in which various wrap films, particularly wrap films of high stretchability, can be cut easily and safety is secured at the time of handling.
種々のラップフィルム、特に高い伸長性を有するラップフィルムの切断が容易で、しかもハンドリング時の安全性が確保されたラップフイルム収納体を提供する。 - 特許庁 - After the slits are formed, application of heat and compression to a plurality of the resin films 23 laminated adheres the resin films 23 in the heating/compressing process.
スリット３０が形成された後に、加熱・加圧工程において、積層した複数枚の樹脂フィルム２３に熱及び圧力を加えて、樹脂フィルム２３同士を溶着する。 - 特許庁 - The seal ring 40 passes through the interface between the group of insulating films 20 and the group of interlayer insulating films 30, and is located apart from the semiconductor substrate 10.
シールリング４０は、層間絶縁膜群２０と層間絶縁膜群３０との間の界面を貫通し、且つ半導体基板１０と離間して設けられている。 - 特許庁 - A thickness of gate insulating films (116, 126) of the thin film transistors (110, 120) differs from a thickness of gate insulating films (136, 146) of the other thin film transistors (130, 140).
薄膜トランジスタ（１１０、１２０）のゲート絶縁膜（１１６、１２６）の厚さは、他の薄膜トランジスタ（１３０、１４０）のゲート絶縁膜（１３６、１４６）の厚さとは異なる。 - 特許庁 - The organic EL light source 1 is composed by stacking electrode films 4 and 5 on both surfaces of an organic EL emission layer 3, and either or both of the electrode films 4 and 5 is/are transparent.
有機ＥＬ光源１は、有機ＥＬ発光層３の両面に電極膜４、５を積層し電極膜４、５の一方または両方が透明である。 - 特許庁 - To provide a junction form between semiconductor thin films and different types of substrates, capable of obtaining stable bonding characteristics utilizing intermolecular force between the semiconductor thin films and metal.
半導体薄膜と金属との分子間力を利用した安定なボンディング特性が得られる半導体薄膜と異種基板間の接合形態を提供する。 - 特許庁 - The oxide films 19 and 20 are made of alumina or silicon oxide such as SiO_2 or the like.
酸化膜１９，２０は、アルミナまたはＳｉＯ_２等の酸化シリコンからなっている。 - 特許庁 - DIAMOND THIN FILM OR CBN, BCN OR CN THIN FILM, REFORMING METHOD OF THESE THIN FILMS, AND REFORM, FORMING AND PROCESSING METHODS OF THESE THIN FILMS
ダイヤモンド薄膜又はＣＢＮ、ＢＣＮ若しくはＣＮ薄膜、同薄膜の改質方法、同薄膜の改質及び形成方法並びに同薄膜の加工方法 - 特許庁 - Each film thickness of the respective conductive films 6b and the respective insulating films 6a is set equal to or less than the average free travel of electrons.
各導電性膜６ｂおよび各絶縁性膜６ａの各膜厚は電子の平均自由行程と同等または電子の平均自由行程以下に設定する。 - 特許庁 - To prevent admixtures from remaining between films for packaging by means of a transverse seal part to the films for packaging and to provide an enough heat seal strength to the whole transverse seal part.
包装用フィルムに対する横シール部で、包装用フィルム間への夾雑物の残留を防止するとともに、横シール部の全体に十分なヒートシール強度を付与する。 - 特許庁 - To provide a low pressure manufacturing method for thin films particularly used for nonlinear optical devices and organic light-emitting devices with reference to manufacturing of thin films of optical quality.
光学的品質の薄膜を製造することに関し、特に非線形光学デバイス及び有機発光デバイスで利用されるそのような薄膜の低圧製造を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing two-dimensional fine thin films, in which a solution containing a peptide material in a free state is used to simply produce the single molecular films of the peptide material on the surface of a substrate.
ペプチド材料が遊離状態にある溶液を用い、基材表面に該ペプチド材料の単分子膜を簡便に作製する方法を提供すること。 - 特許庁 - Apertures 32a for exposing a contact metal 27 arranged on a position where a lower electrode is to be formed are formed through the interlayer insulating films 151, 152 and the metallic films 291, 292.
層間絶縁膜１５１，１５２や金属膜２９１，２９２を貫通し、下部電極を形成すべき位置のコンタクト金属２７を露出させる開口３２ａを形成する。 - 特許庁 - In the method for processing films attached on two sides of the glass substrate, there is provided a laser machining device capable of projecting the laser beam whereas the transmittance of the laser beam is below 50%, and there is provided a glass substrate having its two sides being attached by films in respective.
本ガラス両面付着物加工方法は、レーザー加工装置を提供し、それは透過率が５０％より低いレーザー光を発生するものとする。 - 特許庁 - To provide an antifogging coating composition which gives coating films not peeling under a high humidity environment and the like and having excellent water resistance, when processed into the coating films.
高湿度環境下などにおいても塗膜が剥がれることなく、塗膜化させた際の塗膜の耐水性に優れる防曇性コーティング組成物を提供すること。 - 特許庁 - The tape 10 for wafer processing includes long release films 11, adhesive layers 12 (label-shaped adhesive part 22), pressure-sensitive adhesive films 13 (23a, 23b), and identification parts 14.
ウエハ加工用テープ１０は、長尺の離型フィルム１１と、接着剤層１２（ラベル形状接着部２２）と、粘着フィルム１３（２３ａ、２３ｂ）と、識別部１４とを備えている。 - 特許庁 - The metal-containing compounds are provided in high purity and are suitable for use in depositing metal films, particularly thin metal films used in electronic devices.
この金属含有化合物は高純度で提供され、および金属フィルム、特に電子デバイスで使用される薄い金属フィルムを堆積する際に使用するのに好適である。 - 特許庁 - Uniform insulation films made on the surfaces of the substrate having a three dimensional structure suppresses the increase of the interface level between the substrate and the insulation films.
これにより、立体構造の基板表面に均一に絶縁膜を形成することができ、基板と絶縁膜間の界面準位の増加を抑制することが可能となる。 - 特許庁 - The SiN films 4a and 9 are etched isotropically by a CDE method by the mixed gas of a CF_4 gas and an O_2 gas, and the patterns 10 of the new SiN films are formed.
次に、ＣＦ_4ガスとＯ_2ガスの混合ガスでＣＤＥ法によってＳｉＮ膜４ａ，９を等方性エッチングし、新たなＳｉＮ膜のパターン１０を形成する。 - 特許庁 - Optical lithography components or elements are hermetically sealed by a durable coating of a hermetically sealing material selected from a group consisting of oxide films and fluorinated oxide films.
リソグラフィ部品または素子を、酸化物膜及びフッ素処理酸化物膜からなる群から選ばれる気密封止材料の耐久性被膜によって気密封止する。 - 特許庁 - The respective films and a part of the semiconductor substrate 100 are etched to form trenches.
それら各膜と半導体基板１００の一部をエッチングしてトレンチを形成する。 - 特許庁 - To provide a thin ferroelectric films which is capable of controlling preferential crystal orientation even with relatively thick films of ≥1 μm in film thickness with a simple process.
簡便なプロセスで、膜厚が１μｍ以上の比較的厚い膜でも優先的な結晶配向を制御可能な強誘電体薄膜を得られるようにする。 - 特許庁 - The entire surfaces of wirings 4a and 4b are covered with the barrier films 3a and 3b.
このバリア膜３ａ，３ｂによって、配線４ａ，４ｂの全面が被覆されている。 - 特許庁 - To provide polyamide films well balanced in several physical properties, and excellent in physical properties, by controlling granular microcrystalline structure of films in simultaneous biaxial drawing.
同時二軸延伸法においてフィルムの粒状の微結晶構造を制御することによって、種々物性のバランスが取れ、物性に優れたポリアミド樹脂フィルムを提供する。 - 特許庁 - Protection films 15 are arranged on the whole of the second surface 141b and 142b.
第２面１４１ｂ及び１４２ｂ上全体に保護膜１５を配置されている。 - 特許庁 - In addition, a thermal load is reduced when forming the films, because the thin films 3a-3b are formed into multi-layers and deterioration of mechanical strength of the collector 1 can be suppressed.
また、薄膜３ａ〜３ｂを多層に形成するため膜形成時の熱負荷が軽減され集電体１の機械的強度の低下を抑制することができる。 - 特許庁 - A film package P packages a large number of stacked photosensitive sensitive films F after disposing a adhesive sheet 50 on at least one of the top and bottom of the films F.
このフィルムパッケージＰは、集積された多数枚の感光フィルムＦの最上部及び最下部の少なくとも一方に粘着シート５０を配置し感光フィルムを包装した。 - 特許庁 - Moreover, the NSG films 39 are etched back by isotropic etching until the conductive film 38 is exposed so that the NSG films 39 may be buried partially in the recessed sections 36a and 37a.
その後、シリンダ形状の記憶ノードを形成する際に、第１の犠牲酸化膜３５表面に露出したＰＤＡＳ膜３８を、等方性エッチング法を用いてエッチングする。 - 特許庁 - The surface films 29 and 30 are made of compositions mainly containing fluorinated resins.
表面膜２９，３０は、フッ素樹脂を主成分とする組成物からなっている。 - 特許庁 - In addition, the piezoelectric vibration element 1 has electrode films which are formed on front and rear surfaces of the respective weights 14 and no-electrode parts 18 which are provided on at least a part of respective electrode films.
更に、各錘部１４の表裏に形成された電極膜と、各電極膜の少なくとも一部に設けられた無電極部１８と、を有している。 - 特許庁 - Oxide films of MOS transistors configuring the current comparison circuit 104 are thinner than oxide films of MOS transistors configuring the voltage/current conversion circuit 103.
電流比較回路１０４を構成するＭＯＳトランジスタの酸化膜は、電圧電流変換回路１０３を構成するＭＯＳトランジスタの酸化膜よりも薄くする。 - 特許庁 - The resin films 2 and 2 are disposed on the obverse and reverse sides of the detection part 1, respectively, and the circuits 13 and 13 on the resin films 2 and 2 are electrically connected to the film electrodes 3 and 3, respectively.
検出部１の表裏に樹脂フィルム２、２を配設して樹脂フィルム２、２の回路１３、１３を薄膜電極３、３に電気的に接続している。 - 特許庁 - The first and second wiring intersect with each other via the first and second insulation films.
第１及び第２の配線は、第１及び第２の絶縁膜を介して交差する。 - 特許庁 - The optical member is provided with: a rectangular substrate having a main surface; and one or more included optical films and optical films, which are stacked on the main surface of the substrate.
光学部材は、主面を有する矩形状の基体と、基体の主面上に積層された１または複数の内包光学フィルムおよび光学フィルムとを備える。 - 特許庁 - Image datum of X-ray films obtained by an X-ray machine 11 and CT films obtained by a CT scanner 12 is read with a scanner 13 and is fetched into a personal computer 14.
レントゲン装置１１で取得されたレントゲンフィルムとＣＴ装置１２で取得されたＣＴフィルムとの画像データをスキャナ１３で読み取ってパーソナルコンピュータ１４に取り込む。 - 特許庁 - A part of the adhering part 14 is positioned inside a predetermined distance from an end edge 12a of each of the pair of wrapper films 12 and is provided with a holding part 18 formed by the wrapper films 12.
接着部１４の一部が包装フィルム１２の端縁部１２ａから所定距離内側に位置して、包装フィルム１２により形成された保持部１８を備える。 - 特許庁 - The filter substrates 2a, 2b are layered so that the alignment films 23 face each other, and are filled with the liquid crystal 5 mixed with the dye 6, in a clearance between the alignment films 23.
フィルタ用基板２ａ、２ｂは、配向膜２３同士が対向するように重ね合わされ、配向膜２３相互の隙間に色素６を混合した液晶５が充填される。 - 特許庁 - Cellulose ester films using hydrogenated petroleum resins having hydroxyl groups as the plasticizer.
可塑剤として水酸基を含有する水素化石油樹脂を用いたセルロースエステルフィルム。 - 特許庁 - To provide an SMC (sheet molding compound) producing method that can prevent an SMC material held between both mold releasing films, from spreading in the width direction of the mold releasing films.
両離型フィルムに挟持されたＳＭＣ材料が離型フィルムの幅方向に広がるのを防止することができるＳＭＣの製造方法を提供する。 - 特許庁 - On the top surface of the lower metallic plate 4, flux films 21 and 21A are formed by applying flux suspension using a screen-printing method so that the films may not be overlapped with the swelling part 11 for circuit formation.
下金属板４の上面に、回路形成用膨出部11と重複しないように、スクリーン印刷法によりフラックス懸濁液を塗布してフラックス塗膜21、21Aを形成する。 - 特許庁 - An electron emitting part 36 is formed in the intermediate position of respective conductive films 34.
各導電膜３４の中間位置には、電子放出部３６が形成される。 - 特許庁 - Or, solid lubricating films are formed on both of the box and the pin and a rust-prevention film is formed on at least either one of the solid lubricating films of the box and the pin.
あるいは、ボックスとピンの双方に固体潤滑被膜を形成し、更にボックスとピンの少なくともいずれか一方の固体潤滑被膜の上に防錆被膜を形成する。 - 特許庁 - He won awards at the Venice International Film Festival for his films "HANA-BI" in 1997 and "Zatoichi" in 2003.
彼は1997年に｢HANA-BI｣，2003年に｢座頭市｣で，ベネチア国際映画祭の賞を獲得した。 - 浜島書店 Catch a Wave - Her best-known films include "Giant," "Cat on a Hot Tin Roof," and "Cleopatra."
彼女の最も有名な作品には｢ジャイアンツ｣，｢熱いトタン屋根の猫｣，｢クレオパトラ｣がある。 - 浜島書店 Catch a Wave - Moreover, waterproof films may be formed on the 1st substrate 21 and 2nd substrate 22.
なお、第１の基板２１および第２の基板２２に防水膜を形成してもよい。 - 特許庁 - To provide powder coating polyester coating resin compositions which give coated films particularly excellent in weatherability and have sufficient strengths for practical purposes and good external appearance of the coated films.
特に耐候性に優れた塗膜を与え、実用上充分な強度と良好な塗膜外観を持つ粉体塗料用ポリエステル樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus capable of depositing high-quality thin films containing no impurities, and a method of forming the high-quality thin films using the sputtering apparatus.
不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。 - 特許庁
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