「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 71 72 73 74 75 76 77 78 79 .... 88 89 次へ＞- To return a program to an old version, and to prevent automatic update to an unjust program, in an information processor automatically taking in data or the program from a storage medium such as a USB flash memory to perform update.
ＵＳＢフラッシュメモリ等の記憶媒体からプログラムやデータを自動的に取り込んで更新する情報処理装置において、プログラムを古いバージョンに戻すことができ、また不正なプログラムへの自動更新を防止する。 - 特許庁 - A storage has a first cache area 41 temporarily storing one page data read from a flash memory 2, and a second cache area 42 to which the data of the first cache area are transferred.
記憶部は、フラッシュメモリ２から読み出された１ページ分のデータを一時的に記憶する第１のキャッシュ領域４１と、第１のキャッシュ領域のデータが転送される第２のキャッシュ領域４２とを有している。 - 特許庁 - To provide a method of fabricating a flash memory device with which reliability of the device can be improved by preventing an increase in a thickness of tunnel oxide films due to a wall oxidization process.
本発明は、ウォール酸化工程によるトンネル酸化膜の厚さ増加を防止することができるため、素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - When it is decided that the temperature of an HDD reaches an upper limit temperature or higher before reproduction of a content to be reproduced next in the content list is completed, a next content is reproduced not from the HDD but from a flash memory.
コンテンツリストで特定される次に再生すべきコンテンツを再生し終えるまでにＨＤＤの温度が上限温度以上になると判断されると、次のコンテンツをＨＤＤではなく、フラッシュメモリから再生する。 - 特許庁 - The print data conversion software memorized in the flash memory 26 sends dialog data for print mode setting to a liquid crystal control circuit 36 when started, and displays a dialog for print mode setting on a liquid crystal display panel 34.
フラッシュメモリ２６に記憶されたプリントデータ変換ソフトウエアは、起動されると、液晶制御回路３６にプリントモード設定用ダイヤログのデータを送り、液晶表示パネル３４にプリントモード設定用ダイヤログを表示させる。 - 特許庁 - Consequently, the flash memory system increases the overall bandwidth and data recording speed by achieving simultaneous performance of sequential transmission of data to each channel unit and storage of data transmitted from a host by using a plurality of buffers.
これにより、複数のバッファを利用して各チャンネル部にデータを順次に伝送すると同時に、ホストから伝送されるデータを保存することによって全体帯域幅を増大させ、かつデータの記録速度を向上させうる。 - 特許庁 - The indication tool (4) performs authentication processing based on the data for authentication received by the host computer (6), and, when the authentication processing attains success, allows the host computer (6) to employ a flash memory (303) as an external storage device.
指示具(4)は、ホストコンピュータ(6)より受信した前記認証用データに基づき認証処理を行い、この認証処理が成功するとホストコンピュータ(6)にフラッシュメモリ(303)を外部記憶装置として使用することを許可する。 - 特許庁 - When the photographic lens 200 is attached to a camera body 100, the camera body 100 receives a lens identifier 21C and compares a stored lens identifier 22C stored in a flash memory 142 with the received lens identifier 21C.
カメラボディ１００は撮影レンズ２００が取り付けられるとレンズ識別子２１Ｃを受信し、フラッシュメモリ１４２に格納されている格納済レンズ識別子２２Ｃと受信したレンズ識別子２１Ｃとの比較を行う。 - 特許庁 - Thus, it is possible to apply the efficient management method of the user data using address conversion even to the operation of the address table on the flash memory as it is, and to achieve the quick and flexible access of the address table.
これによりアドレス変換を用いたユーザーデータの効率的な管理手法を、フラッシュメモリ上のアドレステーブルの操作にもそのまま適用することが可能になり、アドレステーブルの迅速かつ柔軟なアクセスが実現できる。 - 特許庁 - Also, the color display data are prepared from the sewing data and accompanying data of the embroidery pattern stored in the flash memory (S31) and the embroidery pattern is color displayed at a display based on the color display data (S9).
また、フラッシュメモリ２５に記憶された刺繍模様の縫製データと付随データから、そのカラー表示データが作成され（Ｓ３１）、そのカラー表示データに基づいて刺繍模様がディスプレイ１０にカラー表示される（Ｓ９）。 - 特許庁 - To provide a page buffer circuit of a flash memory device in which stable precharge voltage is supplied to bit lines and read-out of erroneous data can be prevented without being affected by variation of temperature and voltage in the read operation.
読み出し動作の際に温度および電圧の変化に影響されることなく、ビットラインに安定したプリチャージ電圧を供給して誤データの読み出しを防止できるフラッシュメモリ装置のページバッファ回路を提供する。 - 特許庁 - The code storage cell of a flash memory element comprises a unit cell 300 having a floating gate 31 and a control gate 32, and a gate coupling part 301 being connected with the unit cell.
フラッシュメモリ素子のコード貯蔵セルにおいて、前記コード貯蔵セルは、フローティングゲート３１とコントロールゲート３２とからなる単位セル３００と、前記単位セルと接続されるゲートカップリング部３０１とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a data storage device with excellent operation performance whose writing time is short, by achieving control for writing data of a physical page unit in a plurality of flash memory chips by single access.
複数のフラッシュメモリチップに対して、物理ページ単位のデータを１回のアクセスで書き込む制御を実現することにより、書き込み時間の少ない動作性能の優れたデータ記憶装置を提供することにある。 - 特許庁 - When a user sets a flash memory in a storefront terminal 109 at a convenience store, etc., and selects desired electronic book contents, ciphered electronic book contents and software (reader) for reading the electronic contents are downloaded.
ユーザがコンビニエンスストア等の店頭端末１０９にフラッシュメモリをセットし、希望の電子書籍コンテンツを選択すると、暗号化された電子書籍コンテンツおよび電子コンテンツを読むためのソフトウェア（リーダー）がダウンロードされる。 - 特許庁 - At that time, a user is requested to input a password, and whether or not the inputted password is matched with a password stored in an RAM 7 is determined, and the image data are transferred to the flash memory 21 only when those passwords are matched.
この際、パスワードの入力をユーザに要求し、入力されたパスワードとＲＡＭ７に記憶されているパスワードとが一致するか否かを判断し、一致した場合にのみ画像データをフラッシュメモリ２１へ転送する。 - 特許庁 - The home controller 10 includes a flash memory 104 storing a program, a CPU 101 which executes the program, and a communication interface 108 which performs communications with the air circulating device 60 and an opening and closing device 20.
ホームコントローラ１０は、プログラムを格納したフラッシュメモリ１０４と、プログラムを実行するＣＰＵ１０１と、空気循環装置６０および開閉装置２０と通信を行なう通信インターフェイス１０８とを備える。 - 特許庁 - A part of plural storage blocks provided in a flash memory 172 is set to a first area 172a and the control program data for describing the procedure of performing the control of the respective parts of a key telephone main unit 1 are stored there.
フラッシュメモリ１７２が持つ複数の記憶ブロックの一部を第１領域１７２ａに設定して、ここにボタン電話主装置１の各部の制御処理を行う手順を記述した制御プログラムデータを記憶する。 - 特許庁 - To provide a flash memory cell which maintain a threshold voltage uniformly across a channel width even when the charge density of a charge trapping structure across the channel width size is not uniform, and its manufacturing method.
チャネル幅寸法に沿った電荷捕獲構造の電荷密度が一様でない場合でもチャネル幅寸法に沿ってしきい値電圧を一様に維持したフラッシュメモリセルおよびフラッシュメモリセルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the AG-AND type flash memory, the plurality of clusters are arrayed in the row direction of matrix and a plurality of banks are arrayed in the column direction, and the same pieces of management information 100 are stored in specific pages of all blocks belonging to a certain cluster.
ＡＧ−ＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、マトリクスの行方向に複数のクラスタ、列方向に複数のバンクを配列し、あるクラスタに属する全ブロックの特定ページに同一の管理情報１００を格納する。 - 特許庁 - To start an information processor even at the time of causing a memory failure, and to make rewritable a BIOS in a BIOS storing means (flash ROM or the like) while continuing the operation of the OS of the information processor.
メモリ障害の発生時にも情報処理装置の起動を可能とし、情報処理装置のＯＳの運用を継続したままＢＩＯＳ記憶手段（フラッシュＲＯＭ等）内のＢＩＯＳの書換えを可能とする。 - 特許庁 - The image data are transmitted to an SD card in an SPI mode where a CRC function is set off, and the address stored in an SD card storage address is used for a write start address and written in a flash memory of the SD card (S110).
画像データをＳＤカードへＣＲＣ機能をオフしたＳＰＩモードで伝送し、ＳＤカード格納アドレスに格納されたアドレスを書き込み開始アドレスとして、ＳＤカードのフラッシュメモリに書き込む（Ｓ１１０）。 - 特許庁 - To enhance the performance of an electronic camera that can easily transfer image data recorded in a camera medium such as a flash memory card to a large capacity data storage device even when no PC or the like is at hand because the electronic camera is being carried.
ＰＣ等が手元になくても、フラッシュメモリカード等のカメラメディアに記録された画像データを大容量のデータ蓄積装置に簡易に保管することができ、電子カメラの携帯性の向上に寄与し得る。 - 特許庁 - Subsequently, matching of a bit rate with a host H is carried out, and the CPU 3 refers protect data written in a protect area PR of the flash memory 2 for determining whether the protect data are in a protected condition.
続いて、ホストＨとのビットレートの合わせ込みを行い、ＣＰＵ３はフラッシュメモリ２のプロテクトエリアＰＲに書き込まれているプロテクトデータを参照し、該プロテクトデータがプロテクト状態となっているか、否かを判断する。 - 特許庁 - When the digital camera 11 receives a signal indicating the completion of character input from the keyboard 13, a control unit of the digital camera 11 generates the character information displayed on the unit 22 as image data, and stores the generated information in a flash memory 15.
キーボード１３から文字入力の終了信号をデジタルカメラ１１が受信すると、デジタルカメラ１１の制御部は、モニタ部２２に表示された文字情報を画像データとして生成して、フラッシュメモリ１５に記憶する。 - 特許庁 - For example, when receiving health data sent from scales 80, the management device acquires time information from a radio clock receiving section 82 and stores the received health data and received times corresponding to each other in a flash memory 74.
そして、例えば体重計８０から送信される健康データを受信すると、電波時計受信部８２から時刻情報を取得し、受信した健康データと受信時刻とを対応付けてフラッシュメモリ７４に保存する。 - 特許庁 - Further, memory means such as a CPU 51, a flash ROM 52, an SDRAM 53 and an EEPROM 54 are provided on the internal bus 4, and a configuration 5 of these means can realize the functions of "TCP2".
さらに内部バス４に対して、ＣＰＵ５１と、フラッシュＲＯＭ５２、ＳＤＲＡＭ５３、ＥＥＰＲＯＭ５４などのメモリ手段が設けられ、これらの構成５により「ＴＣＰ２」の機能が実現されるようになされている。 - 特許庁 - This flash memory device includes a cell array including a plurality of word lines, and a voltage supplying and selecting portion for supplying at least two voltages different from each other to the plurality of word lines during the erasing operation.
本発明のフラッシュメモリ装置は、複数のワードラインを有するセルアレイと、消去動作時に、前記複数のワードラインに少なくとも２個の互いに異なる電圧を提供する電圧供給及び選択部と、を備える。 - 特許庁 - A register setting value table 22b comprising a record which stores respective panel-driving supply voltage values of a plurality of types of liquid crystal display panels 42, and register setting value groups is stored in an SPI flash memory 22.
複数種類の液晶表示パネル４２の各々のパネル駆動用電源電圧値とレジスタ設定値群とを格納したレコードから構成されるレジスタ設定値テーブル２２ｂをＳＰＩフラッシュメモリ２２に記憶しておく。 - 特許庁 - Then, when it is detected that power is supplied in a ROM controller 195b, the ROM controller 195b sets a boot program from the NAND type flash memory 195a to a buffer RAM 187c.
そして、ＲＯＭコントローラ１９５ｂにおいて電源が投入されたことを検出すると、ＲＯＭコントローラ１９５ｂは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１９５ａからブートプログラムをバッファＲＡＭ１８７ｃにセットする。 - 特許庁 - Then, when the turn-on of the power is detected by a ROM controller 191b, the ROM controller 191b sets a boot program at a buffer RAM 187c from the NAND flash memory 191a.
そして、ＲＯＭコントローラ１９１ｂにおいて電源が投入されたことを検出すると、ＲＯＭコントローラ１９１ｂは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１９１ａからブートプログラムをバッファＲＡＭ１８７ｃにセットする。 - 特許庁 - A flash memory 15 includes a user boot area in which a program executed in a user boot mode and its endian information are stored; and a user area in which a program executed in a user mode and its endian information are stored.
フラッシュメモリ１５は、ユーザブートモードで実行されるプログラムおよびそのエンディアン情報が格納されるユーザブート領域と、ユーザモードで実行されるプログラムおよびそのエンディアン情報が格納されるユーザ領域とを含む。 - 特許庁 - As a result, the wired communication of the frame storage device 210 and the sewing machine is made possible, and the sewing machine accesses the flash memory provided to the frame storage device 210 and surely acquires the stored sewing data or the like.
その結果、枠記憶装置２１０とミシンとの有線通信が可能となり、ミシンは、枠記憶装置２１０の備えるフラッシュメモリにアクセスして、記憶された縫製データ等を確実に取得することができる。 - 特許庁 - Since detailed information to be usually stored in a RAM is stored in the flash memory by limiting a network, etc., management is performed so as to store more pieces of program detailed information.
通常はＲＡＭに記憶させる詳細情報を、ネットワークなどを限定することでフラッシュメモリに記憶させることができるため、より多くの番組詳細情報を記憶させるように管理することができる。 - 特許庁 - When the read address is in the additive address on the optical disk, the data corresponding to the read address stored in the flash memory 110 are read, and the rotating speed of the optical disk is increased to a predetermined speed.
光ディスクの読み出し対象アドレスが付加アドレス内であった場合、フラッシュメモリ１１０に記憶した読み出し対象アドレスに対応するデータを読み出し、かつ、光ディスクの回転速度を所定の回転数まで高める。 - 特許庁 - In the flash memory device and the method of manufacturing it, a tunnel oxide film, a floating gate, and a dielectric film which comprises a thin film made of a material with high dielectric constant are formed on a cell region of a semiconductor substrate.
フラッシュメモリ装置及びその製造方法において、半導体基板のセル領域上にはトンネル酸化膜とフローティングゲート及び高誘電率を有する物質からなる薄膜を含む誘電膜が形成されている。 - 特許庁 - A flash memory system and a method for data management using the embodiments of the invention use special test cells with early degradation detection (EDD) circuitry instead of using the actual user-data storage cells.
実際のユーザデータストレージセルを使用する代わりに、劣化の早期検出（ＥＤＤ）回路を備える特別なテストセルを使用する、本発明の実施形態を用いたフラッシュメモリシステムとデータ管理方法が開示される。 - 特許庁 - This information processing device reads the program from a server 402 administering all the programs of the device via a network by means of a boot loader 6101 stored in a flash memory 103 and connected via the network when power is turned on or reset.
情報処理装置は、パワーオン／リセット時に、フラッシュ・メモリ（１０３）に格納されたネットワーク経由のブート・ローダー（６１０１）により、装置の全プログラムを管理するサーバー（４０２）からネットワークを介して当該プログラムを読み込む。 - 特許庁 - The driving LSI 50A operates with a master clock MCLK, but reading of the correction data from the fast serial I/F flash memory 40A is performed on the basis of a serial clock SCK synchronized with the master clock MCLK.
前記駆動ＬＳＩ５０ＡはマスタークロックＭＣＬＫによって動作するが、補正データの高速シリアルＩ／Ｆフラッシュメモリ４０Ａからの読み出しは、マスタークロックＭＣＬＫに同期したシリアルクロックＳＣＫに基づいて行われる。 - 特許庁 - Then, in response to a request for access to a certain zone in the flash memory, the address conversion information related with a zone next to the pertinent zone from viewed from a host side is prepared in the predetermined table of the address conversion table.
そして、フラッシュメモリのあるゾーンに対するアクセスが要求されたことに応答して、ホスト側から見て当該ゾーンの次のゾーンに関するアドレス変換情報をアドレス変換テーブルの所定のテーブル内に作成する。 - 特許庁 - A UFD 1 has a function of storing log data showing a user authentication result by fingerprint or a content of operation performed using a host PC 2 after success of the user authentication in a flash memory 22 within the UFD1.
UFD１には、指紋によるユーザの認証結果、または、ユーザの認証が成功した後にホストPC２を用いて行われた操作の内容を表すログデータをUFD１内のフラッシュメモリ２２に保存する機能が設けられている。 - 特許庁 - When an error occurs in the flash memory 5, data are acquired from the server 2 storing the same data or another information processing device 3 via the network 1 using a wireless network or a network using a PLC for recovering the data.
フラッシュメモリ５にエラーが発生した場合に、ワイヤレスネットワークやＰＬＣを利用したネットワーク１を介して、同一のデータを記憶するサーバ２や他の情報処理装置３からデータを取得してデータの修復を行う。 - 特許庁 - The method of manufacturing a flash memory having conductor lines (24) crossing a trench isolation structure (70) comprises forming nitride side walls (125) for protecting a laminate during an SAS etching process.
溝隔離構造（７０）を横断する導電線（２４）を有するフラッシュ・メモリ装置を製造する方法であって、この方法は、ＳＡＳ食刻プロセス中に積層を保護するために窒化物側壁（１２５）を形成することを含む。 - 特許庁 - When the contents of a prescribed one block in a flash memory 1 is rewritten, the states of 128 flags inside of a flag circuit 7 corresponding to each address of page buffers 5, 6 in one to one is detected by a flag detecting circuit 8.
フラッシュメモリ１における所定１ブロックの内容を書き換える場合、ページバッファ５、６の各アドレスに１対１に対応するフラグ回路７内部の１２８個のフラグの状態をフラグ検出回路８で検出する。 - 特許庁 - When there is communication abnormality in reception of the OFF information, there is a possibility to have received the OFF information much later than an actual off timing, so that data write to the flash memory is canceled.
ここで、前記オフ情報の受信において通信異常があった場合には、実際のオフタイミングよりも大きく遅れてオフ情報を受け取った可能性があるので、フラッシュメモリへのデータの書き込みをキャンセルする。 - 特許庁 - To solve the problem that since a semiconductor flash memory required for high reliability must output and input electrons through an oxide film obtained by directly oxidizing a silicon substrate, a using voltage becomes large from positive to negative.
高信頼性が要求される半導体フラッシュメモリでは、シリコン基板を直接酸化した酸化膜を通して電子の出し入れを行わなければならないため、使用する電圧が正負にわたる大電圧となる。 - 特許庁 - Namely, comparing byte codes #1 to #14 at a flash memory side with byte codes #1 to #14 at a disk side, rewriting operation is started by determining that firmware of the disk is firmware of a corresponding model if they are all coincided with each other.
すなわち、フラッシュメモリ側のバイトコード＃１〜＃１４と、ディスク側のバイトコード＃１〜＃１４とを比較し、それらがすべて一致していれば、ディスクのファームウェアが対応機種のファームウェアであると判定して書換え動作を開始する。 - 特許庁 - A dopant 120 is implanted, at the same time, into a polysilicon region 130 used for forming the gate electrode of an NMOS transistor and a source line 77 in the flash memory array region 90.
ＮＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成するために使用することになる多結晶シリコン領域１３０とフラッシュ・メモリ・アレイ領域９０内のソース線７７とに一緒に同時にドーパント１２０を打ち込む。 - 特許庁 - An interface 21 is supplied at least a part of internal signal which is transmitted and received between the flash memory and the controller, is configured to recognize it, and outputs the at least the part of internal signal of an input signal.
インターフェース２１は、フラッシュメモリとコントローラとの間で授受される内部信号の少なくとも一部を供給され且つ認識可能に構成され、内部信号の少なくとも一部を入力信号として出力する。 - 特許庁 - An emulator 2 loads a simple program which a CPU 11 of a target system 1 uses to perform communications between an interface part 14 for the emulator and a flash memory 12 into a free storage area of a RAM 13 of the target system 1.
ターゲットシステム１のＣＰＵ１１が、エミュレータ用インターフェース部１４とフラッシュメモリ１２との通信を行うための簡易プログラムを、エミュレータ２がターゲットシステム１のＲＡＭ１３の空き記憶エリアにロードさせる。 - 特許庁 - Dynamic sub-region spacing refers at least to the number of data tracks in a data region of a magnetic disc 100 between dynamic isolators and the number of bits in a data region in flash memory between dynamic isolators.
動的なサブ領域間隔は少なくとも動的な隔離体間の磁気ディスク１００のデータ領域におけるデータトラックの数と動的な隔離体間のフラッシュメモリにおけるデータ領域内のビットの数とを指す。 - 特許庁
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