「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 70 71 72 73 74 75 76 77 78 .... 88 89 次へ＞- Thus, since a system maker can form an entry table for controlling good/failed blocks with the information of the management block 105 as information when it manufactures a memory card or a device incorporating the flash memory 101, the process for inspecting good/failed blocks for the all of the blocks can be omitted.
これにより、システムメーカが、フラッシュメモリ１０１を組み込んだメモリカードや機器を製造する際に、管理ブロック１０５の情報を初期値として、良／不良のブロックを制御するためのエントリーテーブルを作成できるので、良／不良のブロックを全ブロックに渡って検査する工程を削減することができる。 - 特許庁 - At a time when the animation photographing data mode is released, an animation file Fa including multiple still image data 1-m in a prescribed format is formed from the data 1-m stored in the region 3b, and the file Fa is stored with a still image file Fb and an motion image file Fc in an external memory 8 such as a flash memory.
アニメーション撮影モードが解除された時点で、プログラム動作領域３ｂにある複数の静止画像データ１〜ｍから、それらを含む所定のフォーマット形式のアニメ・ファイルＦａを作成し、それを静止画ファイルＦｂや動画ファイルＦｃと共にフラッシュメモリ等の外部メモリ８に記憶する。 - 特許庁 - To provide an inexpensive guide cover for a card connector which is used for an easily portable, large capacity compact card-shaped information storage medium such as a PC (Personal Computer) card, a compact flash memory card, an SD card and a memory stick and has excellent heat radiation properties.
本発明は、ＰＣカード、コンパクト・フラッシュメモリカード、ＳＤメモリカード、メモリースティック等のコンパクトで大きな容量で持ち運びの容易なカード状の情報記憶媒体に用いられるカードコネクタ用ガイドカバーについて放熱特性の優れ、かつ、安価なものを提供することである。 - 特許庁 - In the imaging apparatus 1 which generates image data by photoelectrically converting the optical image of a subject and records the generated image data in a removable external memory 101, a storage part 10a houses both an electronic flash part 11 irradiating the subject with light and the external memory 101.
被写体の光学像を光電変換することによって画像データを生成し、その生成した画像データを着脱自在な外部メモリ１０１に記録する撮像装置１にて、収容部１０ａが、被写体に光を照射するストロボ部１１と外部メモリ１０１との両者を収容する。 - 特許庁 - Accordingly, in the rewriting of the memory area 21 by the power supply by the noncontact interface 33, no booster circuit is required for generation of high voltage, and the power consumption can be thus suppressed, so that a flash memory which is easy to increase in capacity can be mounted.
したがって、非接触インターフェイス３３による電力供給によって記憶領域２１の書換えを行うにあたって、高電圧を発生するのに昇圧回路が不要となり、電力消費を抑制し、大容量化が容易なフラッシュメモリを搭載することができる。 - 特許庁 - In this digital video camera, a flash memory 20 incorporated in the digital video camera 1 is separated into a ROM area 22 and a RAM area 24 and is controlled by a memory controller 40, and the application software with which the information device can process previously picked-up image data is stored in the ROM area 22.
デジタルビデオカメラ１に内蔵されたフラッシュメモリー２０を、メモリーコントローラー４０によってＲＯＭ領域２２とＲＡＭ領域２４に区画して制御するとともに、ＲＯＭ領域２２には予め撮影した動画データを情報機器側で扱うためのアプリケーションソフトを格納しておく。 - 特許庁 - Since no piece of positional information is stored in the flash ROM for storing the positional information when a USB memory is shipped from a factory, in such a case that a user purchases the USB memory and first installs it in a personal computer, a judgment result in the step S5 becomes "No".
ＵＳＢメモリが工場から出荷されたときには、位置情報記憶用フラッシュＲＯＭにいっさいの位置情報が記憶されていないから、利用者がＵＳＢメモリを購入してはじめてパソコンに装着したような場合、このステップＳ５の判断結果は“Ｎｏ”となる。 - 特許庁 - When a USB memory 16 is mounted on a personal computer 18, a learning game is executed by a program file 44 stored in a flash memory chip 42, then a picture to promote the connection of the game result to a Web site for analysis is displayed, and when a user clicks a connection button, it is connected through a Web browser 40 to a Web server 12.
USBメモリ16をパソコン18に装着すると、フラッシュメモリチップ42に格納されたプログラムファイル44によって学習ゲームが実行され、その後でゲーム結果の分析用Webサイトへの接続を促す画面が表示され、ユーザが接続ボタンをクリックするとWebブラウザ40を介してWebサーバ12に接続される。 - 特許庁 - The shop decodes the enciphered video signals by reading out the signals from the memory 6 of the camera 1 by using a device provided in the shop, writes the decoded digital video signals on an external recording medium, such as the magnetic disk, flash memory card and hands over the medium to the photographer.
店舗は店舗に備える装置によって、そのデジタルカメラ１の半導体メモリ６から暗号化された映像信号を読み出して復号化し、その復号化後のデジタル映像信号を、磁気ディスクやフラッシュメモリカードなどの外部記録媒体に書き込んで撮影者に引き渡す。 - 特許庁 - In addition, in a video camera for monitoring or the like, a medium prestored with map image data such as a USB flash memory and an SD card and a reading means for reading the map image data from the medium are used as different video input sources, thereby the map image data can be captured in the memory in the similar manner.
また、監視用途ビデオカメラなどにおいては、地図画像データをあらかじめ保存している媒体、例えばＵＳＢフラッシュメモリやＳＤカードなどと該媒体から地図画像データを読み出す読み出し手段を別の映像入力源とすることで、同様にメモリ内に取り込める。 - 特許庁 - This system is equipped with the nonvolatile memory 108 as the single body in which an A/D converter and D/A converter 101, a DSP 102, a CPU 109, and high-speed writable volatile memories SRAMs 106 and 107 are incorporated, and the SRAM 107 and a Flash memory 105 have independent buses.
Ａ／Ｄ変換器とＤ／Ａ変換器１０１、ＤＳＰ１０２、ＣＰＵ１０９、および高速書き込み可能な揮発性メモリＳＲＡＭ１０６、１０７を内蔵した単体の不揮発性メモリ１０８を備え、ＳＲＡＭ１０７とＦｌａｓｈメモリ１０５に各々独立したバスを有する。 - 特許庁 - To quicken the reading of a sector management table to be used for the management of a defective sector, and to suppress the increase of the capacity of an RAM in which the read sector management table is temporarily stored in an outside storage device using a non-volatile semiconductor memory such as a flash memory.
フラッシュメモリなどの不揮発性半導体メモリを用いた外部記憶装置において、不良セクタの管理のために用いられるセクタ管理テーブルの読み出しを高速化し、かつ読み出したセクタ管理テーブルを一時的に格納するＲＡＭの容量の増大を抑止する。 - 特許庁 - When a telephone set main body 1 is mounted on a charger 20, memory dial data preserved in a flash memory 1 is transferred to EEPROM 22 arranged in the charger and it can be reregistered by using data which is read from EEPROM when the telephone set main body has been lost.
電話機本体１を充電器２０に装着したとき、フラッシュメモリ１１に保存するメモリダイヤルデータを充電器に設けるＥＥＰＲＯＭ２２に転送しておき、電話機本体の紛失にはＥＥＰＲＯＭから読み出したデータを使用して再登録できるようにする。 - 特許庁 - The storage controller uses the address conversion information to identify a physical address corresponding to a logical address designated by an I/O request from a higher-order apparatus, and transmits an I/O command having I/O destination information based on the identified physical address to a memory controller in a flash memory module.
ストレージコントローラが、上位装置からのＩ／Ｏ要求が指定する論理アドレスに対応した物理アドレスを、上記アドレス変換情報を用いて特定し、特定された物理アドレスに基づくＩ／Ｏ先情報を有したＩ／Ｏコマンドを、フラッシュメモリモジュール内のメモリコントローラに送信する。 - 特許庁 - A state machine 14 is made non-activation by a control signal from the outside of a chip, a flash control bus 15 is taken out to the outside, and a microcomputer 16 for test in which a memory storing a test program is incorporated or to which the memory is externally attached is connected, and tests of peripheral circuits and storage regions are performed.
チップ外部よりの制御信号によりステートマシーン１４を非活性とし、フラッシュ制御バス１５を外部に取り出し、テストプログラムを格納するメモリを内蔵するまたは該メモリが外付けされる検査用マイコン１６を接続して、周辺回路および記憶領域の検査を行う。 - 特許庁 - Then, the cache flash device 100 receives modified data sent from a processor 110 or 120 corresponding to the read request and only concerning a cache line for which this reception is completed, burst write to the main memory is performed through the main memory controller 500.
そして、キャッシュフラッシュ装置１００は、リード要求に応じて送られてきたプロセッサ１１０又は１２０からのモディファイドデータを受け取り、当該受け取りが完了したキャッシュラインだけについて前記メインメモリに対するバーストライトをメインメモリ制御装置５００を介して行う。 - 特許庁 - In the flash memory, writing is done to each memory cell MC to be written out of a plurality of memory cells MC corresponding to a selected word line WL, verifying is done by using a low word line voltage V_VR than usual, and additional writing is done to all the memory cells MC corresponding to the selected word line WL under the condition that a charge injection rate is lower than usual.
このフラッシュメモリでは、選択ワード線ＷＬに対応する複数のメモリセルＭＣのうちの書込対象の各メモリセルＭＣに書込を行なうとともに通常よりも低いワード線電圧Ｖ_ＶＲを用いてベリファイを行ない、書込が終了した後に、選択ワード線ＷＬに対応する全メモリセルＭＣに通常よりも電荷注入量が少ない条件で追加書込を行なう。 - 特許庁 - To provide a gate structure of a flash memory cell which has a multi-capacitor structure capable of increasing programming and erasing rates by an increase in the coupling ratio, a method of forming the same, and a method of forming the dielectrics film for the same.
カップリング比の増加によるプログラム及び消去速度を増加させることができる、マルチキャパシタ構造を有するフラッシュメモリセルのゲート構造とその形成方法及び誘電体膜形成方法を提供すること。 - 特許庁 - One of a pair of blocks of the flash memory 6 is used as a rotation block for use in normal data writing, and the other is used as a mirror block for writing the same data as the rotation block.
フラッシュメモリ６の対をなす２ブロックのうちの一方を、通常のデータ書き込み時において用いるローテーションブロックとして使用し、もう一方を、ローテーションブロックと同じデータを書き込みミラーブロックとして使用する。 - 特許庁 - This address mapping table is composed of: a first value representing an initial position in a flash memory of a RUN including RUN units, for instance, at least two continuous physical addresses; and a second value representing the whole size of the RUN.
前記アドレスマッピングテーブルはＲＵＮ単位、例えば少なくとも２つ以上連続した物理アドレスを含むＲＵＮのフラッシュメモリ内での初期位置を示す第１値と、前記ＲＵＮの全体のサイズを示す第２値で構成される。 - 特許庁 - When new data (record) is stored in a sector in a state in which data is stored halfway in a sector to be processed in a flash memory 4, data is stored at a position of which a flag 1 is in a state being not yet stored.
フラッシュメモリ４内の処理対象となるセクタの途中まで記憶されている状態で、新しいデータ（レコード）をセクタ内に記憶しようとする場合には、フラグ１が未記憶状態の位置に記憶する。 - 特許庁 - As to all of the physical blocks inside a flash memory 111, writing processing times and deletion processing times are measured, and an address of a physical block with a processing time longer than that stored in a threshold value table 109 is stored in a late block table 110.
フラッシュメモリ１１１内の全物理ブロックの書き込み・消去の処理時間を測定し、閾値テーブル１０９に記憶される値より処理時間の長い物理ブロックのアドレスをレイトブロックテーブル１１０に記憶しておく。 - 特許庁 - Once the music data are selected, the music data are read out of a 2nd ROM 6B or flash memory 21 together with a copyright flag CRF indicating that the data are copyrighted with '1' and written to a RAM 7.
楽曲データが選択されたら、楽曲データを、著作権が存在することを「１」で示す著作権フラグＣＲＦと一緒に第２ＲＯＭ６Ｂまたはフラッシュメモリ２１から読み出してＲＡＭ７に書き込む。 - 特許庁 - To reduce latency of a computer by reducing the time required for writing storage data, in a data storage device storing/updating the storage data by alternately writing the storage data into two blocks of a flash memory.
フラッシュメモリの２つのブロックに交互に保存データを書き込むことで保存データの記憶／更新を行うデータ記憶装置において、保存データの書き込みに要する時間を短くして、コンピュータの待ち時間を抑える。 - 特許庁 - A program or data corresponding to an object device such as coin processor are read out of a storage medium such as PC card 2 and the object device is controlled or flash memory is reloaded by running the read program.
硬貨処理装置等の対象装置に対応するプログラムやデータをＰＣカード２等の記憶媒体から読み出し、該読み出したプログラムを実行して対象装置の調整やフラッシュメモリの書き換えを行う。 - 特許庁 - In this erasure, the bias voltage of the floating gate of a flash memory element is set so that second voltage or third voltage being an injecting condition of a hot hole is kept, and gate bias voltage is desirably controlled in accordance with a coupling ratio.
この際、フラッシュメモリ素子のフローティングゲートバイアス電圧は、ホットホール注入条件の第２電圧ないし第３電圧が維持されるようにし、ゲートバイアス電圧は、カップリング比に応じて調節されることが望ましい。 - 特許庁 - To reduce a fault rate by leveling frequently accessing regions over an entire region by using a simple means even when carrying out random access is made in a magnetic recording device, such as, HDD and a semiconductor recording device, such as flash memory.
HDDなど磁気記録装置やフラッシュメモリなど半導体記録装置において、ランダムアクセスを頻繁に行う場合でも、簡易な手段で頻繁にアクセスする領域を全領域内で平準化し、故障率を下げる。 - 特許庁 - To provide a flash memory system that cannot only streamline data writing but also suppress an increase in access time even when data entries are increased, and an electronic apparatus and a portable terminal device having the same.
効率よくデータの書き込みを行うことができることはもとより、データエントリ数が多くなっても、アクセス時間の増大を抑止できるフラッシュメモリシステム、電子機器、およびそれを備えた携帯端末装置を提供する。 - 特許庁 - By this arrangement, the writing of data and reading of data at one word unit become possible by giving the continuous external addresses at the writing of the binary data, thereby the NOR type flash memory 100 can be effectively utilized at an SLC mode.
これにより、二値データ書込み時には、連続した外部アドレスを与えて１ワード単位でのデータ書込みとデータ読出しが可能となり、ＳＬＣモード時にＮＯＲ型フラッシュメモリ１００を有効利用できる。 - 特許庁 - In the NAND-type flash memory 100, a drain side selecting gate line SGD, source side selection gate line SGS, and a (p) type semiconductor substrate Psub of a block made as non-selection by a row decoder are made to be a ground potential.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１００は、ロウデコーダ２により非選択とされたブロックのドレイン側選択ゲート線ＳＧＤ、ソース側選択ゲート線ＳＧＳおよびＰ型半導体基板Ｐｓｕｂを接地電位にする。 - 特許庁 - To provide a flash memory built-in LSI which eliminates the need to specially develop an evaluation chip for program debugging and can verify even the operation that an emulator hardly reproduces faithfully in debugging.
プログラムデバッグのためにエバリュエーションチップを別途開発する必要がなく、デバッグ時にエミュレータによって忠実な再現が困難な動作についても検証を行うことができるフラッシュメモリ内蔵ＬＳＩを提供する。 - 特許庁 - To provide a write method for a flash memory in which a case of normal operation and a case of issue of a write-protect-code caused by runaway of program can be discriminated from each other, and erroneous write can be prevented.
正常に動作している場合と、プログラムが暴走してライトプロテクトコードを発行した場合を区別することができ、誤書き込みを防止することができるフラッシュＲＯＭへの書き込み方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a flash memory device having a multi-bank structure in which performance of elements can be improved by realizing effectively dual operation without increasing area in the multi-bank structure of two banks or more.
２バンク以上のマルチバンク構成において面積を増加させなくてもデュアルオペレーションを効果的に実現することにより、素子の性能を向上させることが可能なマルチバンク構造のフラッシュメモリ装置を提供すること。 - 特許庁 - Also, when restarting of the computer is necessary, the new software is written on a nonvolatile medium 102 such as an HDD and a flash memory when acquiring a new program while providing services so that the computer can be operated by the new software.
また、再起動を必要とした場合、新しいソフトウェアで稼動することができるよう、新しいプログラム取得の際、サービスを提供しながらＨＤＤやフラッシュメモリなどの不揮発性メディア１０２に書き込む。 - 特許庁 - The flash memory is divided into a plurality of batch erasable storage areas to store a rewritten control program and a transfer control program, and provided with a control register which sets the operating state of erasure/writing, etc.
フラッシュメモリは、複数の一括消去可能な記憶領域に分割され、書換え制御プログラムと転送制御プログラムとを格納し、消去・書込み等の動作状態を設定するコントロールレジスタを有する。 - 特許庁 - In this invention, a ratio of a preset induced voltage constant Ys in design to an actual induced voltage constant Yj of a motor 19 is calculated in a flash memory 41F as a correction coefficient H.
本発明によれば、モータ１９の実際の誘起電圧定数Ｙｊに対する予め設定された設計上の誘起電圧定数Ｙｓの比を補正係数Ｈとして演算し、フラッシュメモリ４１Ｆに記憶しておく。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a flash memory element which sufficiently compensates for an etching damage while preventing an occurrence of an abnormal oxidation in a metal layer, and enhances a reliability of the process and electric characteristics of the element.
エッチングダメージを十分補償しながら金属層への異常酸化の発生を防止して工程の信頼性および素子の電気的特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a formation method of flash memory element which can suppress loss of a conductive film by forming a protective film on the surface of a conductive film for floating gate and then forming and etching an element isolation film.
フローティングゲート用導電膜の表面に保護膜を形成し、素子分離膜の形成およびエッチング工程を行うことにより、導電膜の損失を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の形成方法の提供。 - 特許庁 - The electronic control device comprises a first storage area R1 for storing an initial learning value of each parameter in the flash memory 13 and a second storage area R2 for storing a learning value newly calculated by learning operation.
電子制御装置は、フラッシュメモリ１３に、各パラメータの初期学習値を記憶する第一記憶領域Ｒ１と、学習動作により新たに算出された学習値を記憶する第二記憶領域Ｒ２とを備える。 - 特許庁 - In step S4, if determined to be a target receiver, text information containing position information regarding places of business at which software update services are provided is acquired, and the text information is stored in a nonvolatile memory (Flash), etc.
対象受信機であれば、ステップＳ４において、ソフトウェアの更新サービスを提供するサービス拠点に関する位置情報を含むテキスト情報を取得し、不揮発性メモリ（Ｆｌａｓｈ）などへテキスト情報を格納する。 - 特許庁 - Then, in a microcomputer 1, a correction value for matching the balance of the detected color levels of the reflected light with the balance of the color levels of red, green and blue of ideal white preset and stored in a flash memory 8 is calculated.
そして、マイコン１で、検出した反射光の色レベルのバランスを、予め設定されてフラッシュメモリ８に記憶された理想白色の赤、緑、および青の色レベルのバランスに合致させるような補正値を算出する。 - 特許庁 - Concurrently by this, a stored monitor value associated with the details of the failure among stored monitor values stored in the RAM of each of the pieces 20, 22 and 25 of equipment, and the failure code corresponding to the details of the failure are recorded in each flash memory.
同時に、各装置２０，２２，２５のＲＡＭで記憶されている保存モニタ値のうち、故障内容に関連した保存モニタ値とその故障内容に対応する故障コードを各フラッシュメモリに記録する。 - 特許庁 - Thereby, when a user extracts a USB flash memory 1 from the female connector 2, the inner cap 13 is pushed back by the elastic body 14, and restored to the home position to close the entrance of a recessed part 11a of the plug shell 11.
そのため、ユーザがＵＳＢフラッシュメモリ１を雌型コネクタ２から抜き出した際には、インナーキャップ１３は弾性体１４によって押し返され、ホームポジションに戻って、プラグシェル１１の凹部１１ａの入口を塞ぐ。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method for a flash memory cell that can improve the operating speed of the cell by decreasing its contact resistance and the surface resistance of a select gate line, thus reducing its contact area and increasing its integration degree.
接触抵抗及びセレクトゲートラインの面抵抗を減少させて素子の動作速度を向上させ、コンタクト面積を減少させて集積度を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a printer controller device, capable of easily updating firmware for adding a storage medium for supporting or addition of a function while suppressing increase in cost without loading a large-capacity flash memory.
大容量のフラッシュメモリを搭載することなくコストの増加を抑制して、サポートする記録媒体の追加や機能の追加を行うためのファームウエアの更新を容易に行うことができるプリンタコントローラ装置を提供する。 - 特許庁 - Also, when the erasure time stored in the table data is shorter, whether the difference between both erasure times is smaller or larger than a specified value is checked (S 15) and if the difference is larger, warning as the deterioration of the flash memory (S 16)is carried out.
また、テーブルデータに記憶する消去時間の方が短い場合、両消去時間の差が一定値よりも小さいか大きいかをチェックし（Ｓ１５）、大きい場合にはフラッシュメモリの劣化として警告を行う（Ｓ１６）。 - 特許庁 - A file information management part 122 detects the processing state of one or a plurality of files stored in the flash memory, stores the detected processing states in file information generated for each file and manages them.
ファイル情報管理部１２２は、フラッシュメモリに格納されている１又は複数のファイルの処理状態を検出し、検出した処理状態を、各ファイル毎に生成したファイル情報に格納して管理する。 - 特許庁 - An antenna element 10 is mounted on one main surface of the laminated substrate 101, and circuit elements such as an IC 201 for down converter, a CPU chip 301, and a flash memory 302 are mounted on the other main surface thereof.
積層基板１０１の一方主面にはアンテナ素子１０が実装され、他方主面にはダウンコンバータ用ＩＣ２０１、ＣＰＵチップ３０１およびフラッシュメモリ３０２等の実装回路素子が実装されている。 - 特許庁 - A flash memory control system for writing data using a plurality of sectors includes a write control part for writing data on the basis of a status flag indicating each sector status.
複数のセクタを使用してデータの書き込みを行うフラッシュメモリの制御システムにおいて、 各セクタの状態を示す状態フラグに基づいてデータの書き込みを行う書き込み制御部を有することを特徴とする。 - 特許庁 - Parallel with this transmission, a CPU 40 of the second control board 32 sequentially reads the address data of the latter half from a flash memory 36 and transmits them through a UART 38 and the serial line 60 to the first control board 12.
これと並行して、第２制御板３２のＣＰＵ４０は、フラッシュメモリ３６から後半部分のアドレスデータを順次リードし、第１制御板１２に対してＵＡＲＴ３８およびシリアル回線６０を介して送信する。 - 特許庁
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