「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 次へ＞- Therefore, the set parameter of the BIOS stored in the CMOS is copied to the flash memory by the first copy part 23 so that even when the set parameter of the BIOS stored in the CMOS is lost, the set parameter of the BIOS can be restored by the second copy part 24.
第１のコピー部２３は、ＣＭＯＳに記憶されたＢＩＯＳの設定パラメータを、フラッシュメモリにコピーするので、ＣＭＯＳに記憶されたＢＩＯＳの設定パラメータが消失した場合でも、第２のコピー部２４によってＢＩＯＳの設定パラメータを復帰させることが可能となる。 - 特許庁 - A control unit 20 includes a mode changing means 21 of alternating two operation modes, i.e. the operation mode wherein a transmission signal including an address is sent out to a signal line in response to an operation of a switch of an operation input unit 23 and the address setting mode wherein the address to be stored in a flash memory 13 is set.
制御部２０は、操作入力部２３におけるスイッチの操作に応じてアドレスを含む伝送信号を信号線上に送出する操作モードと、フラッシュメモリ１３に記憶されるアドレスを設定するアドレス設定モードとの２つの動作モードを切り替えるモード切替手段２１を有する。 - 特許庁 - If a write instruction is issued from a host HST to a flash memory FM via a controller CTL, the CTL stores write data in a RAM (S101), and uses an all-zero determination section ALL0J to determine whether or not the write data is "all zero" (ALL 00h) (S104).
ホストＨＳＴよりコントローラＣＴＬを介してフラッシュメモリＦＭに対して書き込み命令がなされた場合に、ＣＴＬは、当該書き込みデータをＲＡＭに格納し（Ｓ１０１）、当該書き込みデータがオールゼロ（ＡＬＬ ００ｈ）か否かをオールゼロ判定部ＡＬＬ０Ｊを用いて判定する（Ｓ１０４）。 - 特許庁 - As one expansion card 10 which has the above structure enables both the expansion of function of the PDA and data recording by mounting the flash memory 13, it is not necessary to replace the expansion card 10 at the time of recording data while the function of the PDA is expanded.
このように構成された拡張カード１０は、フラッシュメモリ１３を装着することにより、ＰＤＡの機能の拡張とデータの記録とを１つの拡張カードで両立できるため、ＰＤＡの機能を拡張した状態でデータを記録する際に、拡張カードを交換する必要がない。 - 特許庁 - To reduce the thickness of a silicon oxynitride film used for the gate insulating film of a CMOS transistor or the tunnel oxide film or a flash memory, and in addition, to improve the reliability of the film, by making the stress resistance of the film secured, while increase in interface state density, the deterioration in carrier mobility, etc., are suppressed.
絶縁膜に関し、ＣＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜やフラッシュ・メモリのトンネル酸化膜などに用いるシリコン酸窒化膜を薄膜化し、しかも、界面準位密度の増加やキャリヤ易動度の劣化などを抑制しつつストレス耐性を確保できるようにして信頼性を向上させる。 - 特許庁 - When a panoramic image is selected to be reproduced and displayed by designating a reproducing mode and then depressing a "+" key 17a or "-" key 17b, in a digital camera 1, a CPU 36 reads selected panoramic image data from a flash memory 31 and then stores the data into a VRAM 26.
デジタルカメラ１において、ＣＰＵ３６は、再生モードが指定された後、「＋」キー１７ａ、あるいは「−」キー１７ｂが押圧操作されることによりパノラマ画像が再生表示選択されると、先ずフラッシュメモリ３１から選択されたパノラマ画像データを読み出し、ＶＲＡＭ２６に格納する。 - 特許庁 - At the time of reading-out, the flash memories FC1 to FC2 each read out data in a memory cell specified by inputted address information, output the read-out data to the interface circuit IF1 as output data groups DO1 to DO2, and selectively output the data herein.
読み出し時には、フラッシュメモリＦＣ１〜ＦＣ２のぞれぞれが入力されたアドレス情報で特定されたメモリセルのデータを読み出し、読み出されたデータを出力データ群とＤＯ１〜ＤＯ２してインターフェース回路ＩＦ１に出力し、ここで選択的に外部に出力する。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device manufacturing system which can make with LOCOS the element isolation films, that is, the size of an active region to be fixed for each semiconductor substrate to be manufactured in formation of an element isolation film on a semiconductor substrate, whereon a flash memory is formed.
フラッシュメモリが形成される半導体基板上に素子分離膜をロコスで形成する場合において、素子分離膜間の距離、すなわち活性領域の寸法を製造される半導体基板ごとに一定にさせることが可能な半導体装置製造システムを得ること。 - 特許庁 - The microcomputer with a built-in flash or an interface circuit is structured so that, when a prescribed command such as a status demanding command is received from the OS while the program in the nonvolatile memory is being rewritten, dummy data not affecting the procedures of the OS is sent back.
不揮発性メモリのプログラム書換え中にＯＳからステータス要求コマンドのような所定のコマンドを受信した時は、ＯＳの処理手順に影響を与えないようなダミーデータを返信するようにフラッシュ内蔵マイコンもしくはインタフェース回路を構成するようにした。 - 特許庁 - When the vote history associated with the corresponding video ID is not stored in the flash memory (step S204: NO), the CPU causes a monitor to display a user feedback input screen (step S212) so as to receive feedback on the content.
対応する動画ＩＤに対応付けられた投票履歴がフラッシュメモリに保存されていない場合（ステップＳ２０４においてＮＯの場合）には、ステップＳ２１２において、ＣＰＵは、ユーザ評価入力画面をモニタに表示する（ステップＳ２１２）とともに、コンテンツに対する評価を受付ける。 - 特許庁 - When an ECC code with respect to n-bit data is set as m-bit, a matrix table containing mutually different m-bit binary numbers arrayed in m+n columns is formed as a fixed data in a flash memory storage area (20Bb), and an ECC code generation program process is made to refer to it.
ｎビットのデータに対してＥＣＣコードをｍビットとするとき、ｍビットの相互に異なる２進数をｍ＋ｎ列に並べた行列テーブルをフラッシュメモリの記憶領域（２０Ｂｂ）に固定データとして形成し、ＥＣＣコード生成プログラムの処理にその行列テーブルを参照させる。 - 特許庁 - When uploading is selected, a starting address and an ending address of RAM or a flash memory are inputted (S6), a processing program and operation data stored in a domain between the starting address and the ending address are read out and sent to an external device, after a start command has been inputted (S7).
アップロードが選択されると、ＲＡＭまたはフラッシュメモリの先頭アドレスと最終アドレスとを入力し（Ｓ６）、スタート指令の入力を待って（Ｓ７）、先頭アドレスと最終アドレスとの間の領域に記憶されている処理プログラムや作業用データを読み出して外部装置に送信する。 - 特許庁 - A portion (the portion of the static variable) with a possibility of rewriting is stored in an EEPROM 150, and a portion (the Applet code and the portion of the static final variable) with no possibility of rewriting is enciphered by a code processing part 170 and it is stored in a flash memory 200.
書き換えが発生する可能性がある部分（ｓｔａｔｉｃ変数の部分）はＥＥＰＲＯＭ１５０に格納され、書き換えが発生する可能性がない部分（Ａｐｐｌｅｔコードおよびｓｔａｔｉｃｆｉｎａｌ変数の部分）は暗号処理部１７０で暗号化された後にフラッシュメモリ２００に格納される。 - 特許庁 - When receiving the authentication information, the apparatus 1 makes an image provider management server 17 authenticate the terminal 13 or authenticates the terminal 13 by using information registered in a flash memory, and sends the authentication result to the terminal 13.
画像形成装置１は、この認証情報を受信すると、画像提供者管理サーバ１７でこの画像提供者端末１３の認証を行なわせ、あるいは、フラッシュメモリ５に登録している情報を用いて認証を行ない、その認証結果を画像提供者端末１３に送る。 - 特許庁 - To provide a method for prolonging life of a flash memory by using a block continuously which is actually not abnormal even with respect to a block in which a write counter value or read counter value is equal to or larger than a threshold.
書込みカウンタの値又は読出しカウンタの値が閾値以上となったブロックであっても、実際には異常となっていないブロックを継続して利用することができるようにすることによりフラッシュメモリを延命させることを可能とするフラッシュメモリの延命方法を提供する。 - 特許庁 - The method for producing flash memory cell is provided with steps such as step for sequentially forming a pad oxide film 22 and a pad nitride film 23 on a wafer 21, and step for performing a source ion implantation process after the pad nitride film in the area planned to form a source S is removed.
本発明に係るフラッシュメモリ素子の製造方法は、半導体基板２１上にパッド酸化膜２２及びパッド窒化膜２３を順次形成し、ソースＳ形成予定領域の前記パッド窒化膜を除去した後、ソースイオン注入工程を行う段階等の段階を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁 - To perform wear leveling (WL) control including a physical block (PB) storing data of low rewrite frequency, only when deviation of an erasure count becomes large in a plurality of PBs which constitute a flash memory without requiring a user to set a WL control method.
ユーザがウェアー・レベリング（ＷＬ）制御方式の設定を行う必要がなく、フラッシュメモリを構成する複数個の物理ブロック（ＰＢ）において消去回数の偏りが大きくなったときにだけ、書き換え頻度が低いデータが格納されているＰＢを含めたＷＬ制御が行われるようにする。 - 特許庁 - When a temperature T detected is judged to be at least Th_A or lower than Th_I, a look-up table (LUT_N) corresponding to the temperature T is calculated from two upper and lower look-up tables close to the temperature T by a straight line interpolating calculation, and is stored in a flash memory.
検出された温度ＴがＴｈ＿Ａ以上、又はＴｈ＿Ｉ未満であると判定された場合には、温度Ｔに近い上下２個のルックアップテーブルから温度Ｔに対応するルックアップテーブル（ＬＵＴ＿Ｎ）が直線補間演算により算出され、フラッシュメモリに保存される。 - 特許庁 - This image recorder comprises a memory drive having a smart medium or a compact flash (registered trade mark) loaded thereto for accessing image data stored therein, a recording unit for recording an image on a recording medium and a CD-R drive for executing writing or reading of data by loading a CD-R medium thereto.
画像記録装置は、スマートメディアやコンパクトフラッシュ（登録商標）といったメディアを装着して、これらに記憶された画像データへアクセスするメモリドライブと、記録媒体上へ画像を記録する記録ユニット、ＣＤ−Ｒを装着してデータの書込み及び読出を行うＣＤ−Ｒドライブを有する。 - 特許庁 - A recorder 10 as an information processor has a CPU 11 as an arithmetic processor, a DRAM 12, an NOR flash memory 13 as a first device, an HDD 14 as a second device, a display output part 15, an operation input part 16, and a tuner 17.
本発明に係る情報処理装置としての記録装置１０は、演算処理装置としてのＣＰＵ１１、ＤＲＡＭ１２、第１のデバイスとしてのＮＯＲ型フラッシュメモリ１３、第２のデバイスとしてのＨＤＤ１４、表示出力部１５、操作入力部１６およびチューナ１７を有する。 - 特許庁 - When communication is performed in the automatic door between a controller 10 for controlling the opening/closing operation of the door and an adjuster 20 for adjusting the control contents, the communication contents are successively preserved in a recording medium such as a flash memory MC and, then, communication records are generated.
自動ドアにおいて、そのドアの開閉動作を制御する制御装置１０と、その制御内容を調整するための調整器２０との間で通信が行われる際、その通信の内容を例えばフラッシュメモリカードＭＣといった記録媒体に逐次保存して通信記録を作成する。 - 特許庁 - An input video image before exchange (video image capable of displaying all channels in divided indications) is stored on an external recording medium (such as a USB flash memory) and this is compared with an input video image after device exchange, thereby restoring the original connection state without fail.
交換前の入力映像(分割表示にて全チャンネル表示可能な映像)を外部記録媒体(ＵＳＢフラッシュメモリなど)に記憶させ、これと、機器交換後の入力映像を比較することで、間違えなく元の接続状態が復元できるようにすることを特徴とする。 - 特許庁 - Thus, since the flash memory 5 is provided with the address storage area 12 and the function storage area 13, the address information in the address storage area 12 and information stored in the function storage area 13 can be changed/ added and a CPU 4 can performs desired control operation after the change.
このように、フラッシュメモリ５にアドレス格納エリア１２と関数格納エリア１３を設けたので、アドレス格納エリア１２のアドレス情報と関数格納エリア１３の格納情報の変更・追加が可能となり、ＣＰＵ４に変更後の所望の制御動作を行わせることが可能となる。 - 特許庁 - Consequently, the system program in the flash memory 7 is rewritten by the system program in the card device 20 without switching the storage devices by external terminals of the facsimile control LSI 2, the external terminals are reduced and the system program is properly rewritten at a low cost.
したがって、ファクシミリ制御ＬＳＩ２の外部端子によって記憶デバイスの切り替えを行うことなく、カードデバイス２０のシステムプログラムでフラッシュメモリ７のシステムプログラムを書き替えることができ、外部端子を削減して、安価にかつ適切にシステムプログラムを書き替えることができる。 - 特許庁 - To provide a book-type flash card instantaneous presentation implement, which is capable of producing the effects of promoting bloodstream in the brain, activating the brain cells, enhancing memory ability, promoting heath, realizing desires, etc., by the instantaneous visual stimuli of characters, pictures, etc., and to provide a method of using for the same.
文字や絵などの瞬間視覚刺激により脳内の特定部位の血流を促進し、脳細胞を活性化し、記憶能力を高め、健康を増進し、願望を実現させる等の効果を生むことができる書籍型フラッシュカード瞬間呈示用具とその使用法を提供する。 - 特許庁 - In the case of registering a new application in a flash memory 4 built in a portable terminal 1 capable of reading/writing an IC card, communication with a host machine 2 is executed by using an IC card inserting port 5 surely attached to the terminal 1 to register the application.
ＩＣカードを読み書き可能な携帯端末１に新たなるアプリケーションをフラッシュメモリ４に登録する際、ＩＣカードを読み書き可能な携帯端末１に必ず付属しているＩＣカード挿入口５を利用して、ホストマシン２と通信を実行し、アプリケーションの登録を行う。 - 特許庁 - To provide a system, a device, and a method for peripheral equipment management which can automatically recognize resource data registered on a storage medium such as a flash memory and set resource data on a client PC when the storage medium is replaced, and the storage medium.
フラッシュメモリなどの記憶媒体が交換された際に、記憶媒体に登録されているリソースデータを自動的に認識し、クライアントＰＣ上のリソースデータを設定可能とした周辺機器管理システム、周辺機器管理装置、周辺機器管理方法及び記憶媒体を提供する。 - 特許庁 - Even though vehicle state data are overwritten (S5) while the part from the start address of a flash memory 14 to the end address is skipped except when the vehicle is stopped due to an accident (S4: NO), vehicle state data up to the accident can be stored because the S5 is jumped when travel is stopped due to an accident (S4: YES).
車両が事故によって停止した場合を除き（Ｓ４：ＮＯ）、フラッシュメモリ１４のスタートアドレスからエンドアドレスの間を飛ばして車両状態データを上書きするが（Ｓ５）、事故による走行停止なら（Ｓ４：ＹＥＳ）、Ｓ５をジャンプするので、事故時までの車両状態データを保存できる。 - 特許庁 - LTPb 152-i provided with the group of entries where the physical address of a block to which a logical block address is assigned is arranged in a flash memory 15 with a block group where the contents of a prescribed field in the logical block address are common as a unit and, then, one of LTPb 152-i is stored in a RAM 14.
論理ブロックアドレスが割り当てられるブロックの物理アドレスが登録されるエントリの群を有するＬＴＰｂ１５２-iを、論理ブロックアドレスの所定フィールドの内容が共通のブロック群を単位にフラッシュメモリ１５に用意し、当該ＬＴＰｂ１５２-iの１つをＲＡＭ１４に格納する。 - 特許庁 - The method avoids only the defect portion to execute alternatively a corrected module by using a part of a flash memory to store the module in which the defect of the program is corrected to an arbitrary address when the defect occurs in the control program stored in a mask ROM in a CPU.
ＣＰＵ内のマスクＲＯＭに格納される制御プログラムに不具合が発生した場合、フラッシュメモリの一部を使用して、制御プログラムの不具合を修正したモジュールを任意のアドレスへ格納することで、不具合部分のみを回避して代わりに修正モジュールを実行する。 - 特許庁 - A printer includes: a memory erasing part 202 for erasing data stored in a hard disk and first and second flash memories wherein various data is stored; and a device control part 201 for outputting information relating to erasing processing including at least a method of erasing processing by the memory erasing part 202 and an erasure result, as an erasure report.
プリンタは、各種データを記憶するハードディスク、第１のフラッシュメモリ、及び第２のフラッシュメモリに記憶されているデータの消去を行うメモリ消去部２０２と、このメモリ消去部２０２によるデータの消去処理の終了後、少なくともメモリ消去部２０２による消去処理の方法及び消去結果を含む消去処理に関する情報を消去レポートとして出力する機器制御部２０１とを備える。 - 特許庁 - A memory(Flash ROM) 20 connected to a system control part 14 of a player 10 is provided with a plurality of decoding software areas, and in the case of non-corresponding decoding software, a decoding software distribution server 33 is accessed through a router 30 and a WWW 32, and a decoding software module is automatically acquired, and downloaded to the decoding software area of the memory 20, and the content is reproduced.
プレイヤ１０のシステムコントロール部１４に接続されているメモリ（Ｆｌａｓｈ ＲＯＭ）２０に複数の復号化ソフトウェアエリアを設け、未対応復号化ソフトウェアの場合には、ルータ３０、ＷＷＷ３２を介して復号化ソフトウェア配信サーバ３３にアクセスして、復号化ソフトウェアモジュールを自動的に取得してメモリ２０の復号化ソフトウェアエリアにダウンロードすると共にコンテンツの再生を行なう。 - 特許庁 - To provide a method of fabricating a flash memory element capable of improving a difference in an EFH caused by the protrusions of an element isolation layer in each of a high voltage transistor region and a low voltage transistor/cell region, between these regions to ensure the stability of processes thereby promoting the reliability of the element.
高電圧トランジスター領域及び低電圧トランジスター／セル領域それぞれの素子隔離膜の突出部によってこれらの領域の間に誘発されるＥＦＨ差を改善させて工程の安定性を確保し、素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A mobile educational Web server system and method are concerned with an education system using a mobile flash memory for loading a program for education in a Web server with mobility to enable a teacher to prepare teaching materials as the top manager of the Web server, and to give a lesson to students by way of on/off line.
本発明は、移動式フラッシュメモリを用いた教育システムに関するものであって、移動性が提供されるウェブサーバに教育用プログラムを搭載して教師がウェブサーバの最高管理者として授業資料を作成し、学生とオン・オフラインで授業できる移動式教育用ウェブサーバシステム及び方法に関する。 - 特許庁 - To provide a flash memory element and program method in which, in a program operation of a multi-level-tip, different voltages corresponding to voltage differences from the threshold voltages are applied to bit lines and program operations having different threshold voltage value sections are simultaneously performed to reduce the program operation frequency and to shorten the program operation time.
マルチレベルチップのプログラム動作において、ビット線にしきい値電圧との電圧差に相当する異なる電圧を印加し、異なるしきい電圧値区間を有するプログラム動作を同時実行してプログラム動作回数を減らし、プログラム動作時間を短く減らすフラッシュメモリ素子とプログラム方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a flash memory device which can solve problems in small process margin and mass production margin in the existing process, while completely stripping a fence of dielectric layer in a gate formation process in which a thickness of a second conductive film used as a floating gate is over 1500 Å.
フローティングゲートとして用いられる第２導電膜の厚さを１５００Å以上に適用するゲート形成工程で誘電体膜のフェンスを完全除去しながら、既存工程の工程時間及び量産性マージンが足りないという問題点を解決することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A ROM 40 of a master data as well as a programmable ROM 30 to be written is made attachably and detachably to a programmable ROM writer 50 through sockets 55, 51, a microprocessor 32 of the programmable ROM 30 reads data from the ROM 40 through a parallel port 33 and writes it in a flash memory 31.
書込対象のプログラマブルＲＯＭ３０だけでなくマスタデータのＲＯＭ４０もソケット５５，５１を介してプログラマブルＲＯＭライタ５０に対して着脱可能とし、プログラマブルＲＯＭ３０のマイクロプロセッサ３２がパラレルポート３３を介してＲＯＭ４０からデータを読み込んでフラッシュメモリ３１に書き込むようにする。 - 特許庁 - A flash memory having hierarchical bit line configuration is provided with column reset/bit line test transistor regions 4a commonly to a plurality of cell blocks 3a sharing upper layer bit lines MBL0, MBL1, etc., so that data lines DL connected with sense amplifiers can be selectively disconnected from the upper layer bit lines.
階層ビット線構成を有するフラッシュメモリにおいて、上層ビット線ＭＢＬ０，ＭＢＬ１，…を共有している複数のセルブロック３ａに対して共通にカラムリセット兼ビット線テストトランジスタ領域４ａを設け、センスアンプが接続されるデータ線ＤＬを上層ビット線から選択的に切り離し得るようにした。 - 特許庁 - Thus, the counter area between adjoining floating gate electrodes FG and that between the floating gate electrode FG and other wiring (for example, plug 22) can be reduced for reduced coupling capacitance related to the floating gate electrode FG, thereby improving the performance and operation reliability of the flash memory.
これにより、隣接する浮遊ゲート電極ＦＧ同士の対向面積や浮遊ゲート電極ＦＧと他の配線（例えばプラグ２２）との対向面積を低減でき、浮遊ゲート電極ＦＧに付随するカップリング容量を低減することができるので、フラッシュメモリの性能および動作信頼性を向上させることができる。 - 特許庁 - For instance, the flash memory reads search data corresponding to the storage data stored in the block, from a top page of each block in a reverse consulting search mode and compares these search data with nonsearch data from a controller to send a block address and a page address of the search data coincident with the nonsearch data back to the controller.
たとえば、フラッシュメモリは、逆引き検索モードにおいて、各ブロックの先頭ページより、そのブロックに記憶された記憶データに対応する検索データを読み出し、その検索データとコントローラからの非検索データとを比較し、非検索データに一致する検索データのブロックアドレスおよびページアドレスをコントローラに送り返す。 - 特許庁 - In an engine ECU 11, upon receiving a rewrite start notification from a rewriting tool 19 connected to a vehicular communication line 17, a main microcomputer 21 performs predetermined communication with the rewriting tool 19, and then executes a rewrite process to rewrite control software stored in flash memory 32 to another piece of control software received from the rewriting tool 19.
エンジンＥＣＵ１１では、メインマイコン２１が、車両の通信線１７に接続された書換ツール１９からの書換開始通知を受けると、該書換ツール１９と所定の通信を行った後、フラッシュメモリ３２内の制御ソフトを書換ツール１９からの制御ソフトに書き換える書換処理を行う。 - 特許庁 - When the system controller 40 decides that the SW3 is not closed, the system controller 40 controls a media controller 58 to store compressed image data as an image file to an image storage area 59a of a flash memory 59, and a protect processing section 61 applies protect processing to the image file.
ＳＷ３がＯＮにされていないと判定された場合、システムコントローラ４０は、メディアコントローラ５８を制御して、圧縮された画像データを画像ファイルとして、フラッシュメモリ５９の画像記憶領域５９ａに記憶させるとともに、プロテクト処理部６１は、この画像ファイルに対してプロテクト処理を施す。 - 特許庁 - A control part 65 retrieves the flashing time interval T of a flash lamp 15 from a flashing time interval T table 78a stored in a nonvolatile memory 78 according to the set mode and light quantity for photography and the selected CCD, and sets the retrieved flashing time interval as the time interval between two times of photography.
制御部６５は、設定された撮影モード、撮影光量、選択されたＣＣＤに応じて不揮発性メモリ７８に格納された発光時間間隔（Ｔ）テーブル７８ａからストロボ１５の発光時間間隔（Ｔ）を検索し、検索された発光時間間隔を２回の撮影の時間間隔として設定する。 - 特許庁 - After that, the CPU 108, when a fact that the radio communication with the communicating object is disconnected is detected, sets the radio wave intensity of the radio wave output from the radio module 109 as radio wave intensity higher than communication radio wave intensity stored in the flash memory 110 to perform re-connection with the communicating object.
その後、ＣＰＵ１０８は、通信対象との無線通信が切断されたことが検出された場合には、無線モジュール１０９から出力する無線電波の電波強度を、フラッシュメモリ１１０に記憶した通信電波強度より高い電波強度に設定して、通信対象と再接続を行う。 - 特許庁 - When the transmission antenna of a digital video camera comes close to the reception antenna of a DVD writer, moving image data stored in the flash memory card of the digital video camera is automatically transmitted to the DVD writer without performing any action indicating operation, to store and back-up the data in the DVD media of the DVD writer.
デジタルビデオカメラの送信アンテナがＤＶＤライタの受信アンテナに近接した場合には、何ら動作指示操作が行われなくても、自動的にデジタルビデオカメラのフラッシュメモリ・カードに記憶されている動画像データをＤＶＤライタに送信して、ＤＶＤライタのＤＶＤメディアに記憶しバックアップする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having an arrangement for suppressing occurrence of malfunction in the machining process as much as possible when a transistor provided with a memory cell area and a peripheral circuit area, such as a NAND flash, and having an LDD structure in the peripheral circuit area is fabricated; and to provide its fabrication process.
ＮＡＮＤフラッシュ等のメモリセル領域および周辺回路領域を備え、周辺回路領域にＬＤＤ構造を有するトランジスタを形成する場合に、加工工程で不具合が発生するのを極力抑制することができる構成を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The imaging apparatus can rewrite a rewrite program similarly to an operating program and even if power is turned off under a state where the rewrite program in the flash memory 2 is erased during program rewrite operation, program rewrite operation can be continued when power is turned on again and the operation can be started normally.
本構成の画像形成装置は、動作プログラムと同様に書換プログラムの書き換えも可能であり、プログラム書き換え中にフラッシュメモリ２の書換プログラムがイレースされた状態で電源がオフとなっても、電源再投入時、プログラム書き換え動作を継続して行うことができ、正常に動作を開始することができる。 - 特許庁 - To provide a flash memory element in which a semiconductor substrate in the boundary of a cell region and a peripheral circuit region can be protected from an etching step for forming first and second trenches and a leak current generated due to damage on the semiconductor substrate can be prevented from increasing, and to provide its fabrication process.
セル領域と周辺回路領域との境界部の半導体基板を第１トレンチおよび第２トレンチの形成のためのエッチング工程から保護することができ、半導体基板の損傷で発生する漏れ電流の増加を防止することができる、フラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an image pickup device, an image file managing method, and a storage medium which make it easy to manage still picture files by easily grasping the contents of still pictures when the still picture recorded in a flash memory card are browsed and also saves the trouble of operation to rename the file numbers of still picture files in time-series order.
フラッシュメモリカードに記録された静止画を閲覧する際に、静止画の内容の把握を容易にし、静止画ファイルを管理し易くすると共に、静止画ファイルのファイル番号を時系列順にリネームする作業の手間を軽減可能とした撮像装置、画像ファイル管理方法、記憶媒体を提供する。 - 特許庁 - To provide a flash memory element and a method for manufacturing it for configuring a floating gate so that the upper part can be made narrower than the lower part, for reducing the area of the floating gate while maintaining the overlap area between the control gate and the floating gate, and for reducing intercell interference without lowering a program speed.
本発明は、フラッシュメモリ素子及びその製造方法に関するものであり、フローティングゲートを下部より上部が狭くなるように構成し、コントロールゲートとフローティングゲート間のオーバーラップ面積は維持させながらフローティングゲートの面積を減少させてプログラムスピード(program speed)の低下なしにセル間の干渉(interference)を減らすことを目的としている。 - 特許庁
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