「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 次へ＞- To provide a method of protecting the sides of laminated word lines during SAS etching to avoid the problem that the sides of the laminated word lines of flash memory cells are exposed during SAS etching and prevents an inter-polysilicon dielectric and a gate dielectric from being undercut to increase the data hold loss.
フラッシュ・メモリ・セルの積層されたワード線の側をＳＡＳ食刻中に露呈すること生ずる問題点、ポリシリコン間誘電体及びゲート誘電体をアンダーカットし、データ保持損失の増加を生ずること、を防ぐため、ＳＡＳ食刻中に、積層されたワード線の側を保護する方法を提供する。 - 特許庁 - In the case of reproducing each slit image recorded in the flash memory 38 on a display section 13, each slit image is decoded, the decoded slit images are composited by concatenating them in a direction opposite to the moving direction of the object in a photographing time order and the composited image and the time count information are displayed on the display section 13.
フラッシュメモリ３８に記録された各スリット画像を表示部１３に再生する際、それらの各スリット画像を復号化し、復号化された各スリット画像を、撮影時間順に、被写体の移動方向と逆方向に連結することによって合成し、合成された画像と計時情報を表示部１３に表示する。 - 特許庁 - The flash memory 50 has a normal accessible area 51 recognized from a user terminal 110 by a standard function of the user terminal 110 and allowing information to be read from the user terminal 110, and a security protected area 52 not recognized from the user terminal 110 by the standard function.
フラッシュメモリ５０は、ユーザ端末１１０が有する標準機能によってユーザ端末１１０から認識され、ユーザ端末１１０からの情報の読み出しが可能な通常アクセス可能領域５１と、標準機能によってはユーザ端末１１０から認識されないセキュリティ保護領域５２とを有する。 - 特許庁 - To enable proper calculation of a checksum without being conscious of unnecessary data, a free area size or the like before update by making a flash memory store size information about data on a program to be updated and executing the checksum calculation about only a data area of the updated program on the basis of the size information.
更新するプログラムのデータのサイズ情報をフラッシュメモリに記憶させ、そのサイズ情報に基づいて、更新されたプログラムのデータ領域だけについてチェックサム計算を実行することにより、更新前の不要なデータや空き領域サイズなどを意識せずに的確にチェックサムの計算が行えるようにする。 - 特許庁 - A step-down power supply part 8 for generating an internal power source voltage VDDP provided in a flash memory 1 outputs the internal power supply voltage VDDP to a control system circuit 5 by a first step-down power supply circuit 19 in a normal operation mode when about 3. 3V is supplied from the outside as a power supply voltage VCC.
フラッシュメモリ１に設けられた内部電源電圧ＶＤＤＰを生成する降圧電源部８は、外部から電源電圧ＶＣＣとして、３．３Ｖ程度が供給された場合、通常動作時は、第１降圧電源回路１９によって内部電源電圧ＶＤＤＰが制御系回路５に出力される。 - 特許庁 - In flash ROM 2, a mail header memory 3 stores a mail header file including the header portion of the plain text e-mail, and a received mail management table 2t includes the relation of the plain text e-mail and a transfer processing result code indicating whether the plain text e-mail has been transferred to a mail server apparatus 40 or not.
フラッシュＲＯＭ２において、メールヘッダメモリ３は、上記平文電子メールのヘッダ部を含むメールヘッダファイルを格納し、受信メール管理テーブル２ｔは、上記平文電子メールと当該平文電子メールがメールサーバ装置４０に転送されたか否かを示す転送処理結果コードとの関係を含む。 - 特許庁 - The wall oxide film forming method of the flash memory element comprises a stage of offering a semiconductor substrate in which the trench has been formed, and a stage of forming the wall oxide film in the inner wall of the above-mentioned trench by performing the oxidation process by ISSG oxidation system in an atmosphere of H_2 and O_2.
フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法は、トレンチの形成された半導体基板を提供する段階と、Ｈ_２とＯ_２の雰囲気でＩＳＳＧ酸化方式によって酸化工程を行って前記トレンチの内側壁にウォール酸化膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁 - An MPU 62 reads the information on the delay from the flash memory 64 in response to the ON/OFF selection of the signal processing function by a user, a time difference of delays generated in the video-signal processing section 6 and the audio-signal processing section 7 is computed and the delay time of a delay section 8 is set at the value for synchronization.
ユーザによる信号処理機能のＯＮ／ＯＦＦの選択指示に応じて、ＭＰＵ６２はフラッシュメモリ６４から遅延時間の情報を読み出し、映像信号処理部６及び音声信号処理部７で発生する両遅延時間の差を算出し、遅延部８の遅延時間をその値に設定して同期合わせを行う。 - 特許庁 - To enable threshold voltage of an erase cell to be verified stably in a NAND flash memory element, where the quantity of electrons filled in a floating gate does not change, the basic threshold voltage of the erase cell will therefore not change and the threshold voltage of the cell is made to increase only in the operating mode.
ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子において、フローティングゲートに充填された電子の量が変化することなく、したがって、消去セルの基本しきい値電圧が変化することなく、動作モードでのみセルのしきい値電圧を増加させて安定して消去セルのしきい値電圧を検証できるようにする。 - 特許庁 - When the data required for booting the system are rewritten and the location of the data in the HDD is changed (S4, S6), an address or the like of the new data is calculated, an address in an address management table is rewritten on the basis of the calculated result, and then the updated data are copied to the flash memory.
また、当該システムの起動時に必要なデータが書き換えられて当該データのＨＤＤ上での位置が変更された場合には（Ｓ４，Ｓ６）、その新たなデータのアドレス等を計算し、その結果に基づいてアドレス管理テーブルのアドレスが書き換えると共に、その更新後のデータをフラッシュメモリにコピーする。 - 特許庁 - Thereafter, when the shift operation of the photographed image 63 from the first display section 11 to the second display section 12 is carried out by using the touch panel (C)(D), the photographed image 63 is determined as a recorded image and stored in a flash memory or the like, and the second display section 12 displays the stored image as a newest recorded image 62a (E).
その後、タッチパネルにより第１表示部１１から第２表示部１２へ撮影画像６３を移動する操作がなされたら（Ｃ）（Ｄ）、撮影画像６３を記録画像として確定しフラッシュメモリ等へ保存するとともに、第２表示部１２に最新の記録画像６２ａとして表示する（Ｅ）。 - 特許庁 - The method for manufacturing the flash memory device comprises the steps of forming the dielectric film 25, and then forming an amorphous silicon layer 31 to alleviate a topology generated by patterning a first polysilicon layer 24 in a cell region so that the silicon layer 31 conducts a role of a dielectric film protective layer of the cell region at the time of forming the gate oxide film 26 of the peripheral circuit region.
誘電体膜２５を形成した後、アモルフォスシリコン層３１を形成してセル領域で第１ポリシリコン層２４のパターニングで発生したトポロジーを緩和させ、アモルフォスシリコン層３１が周辺回路領域のゲート酸化膜２６形成の時にセル領域の誘電体膜保護層の役割をするようにする。 - 特許庁 - The in-card processing system 100 is provided with an area change request means 130 that requests reservation of an area of a flash memory 200, a reserve area information receiving means 140 that receives the information of a reserve area, and a management information search means 160 that holds storage position information of card-dedicated file management information 220.
カード内処理系１００は、フラッシュメモリ２００の領域の確保などを要求する領域変更要求手段１３０、確保領域の情報を受信する確保領域情報受信手段１４０、カード専用ファイル管理情報２２０の格納位置情報を保持する管理情報検索手段１６０を有する。 - 特許庁 - When an information part 15a is detected by a PI 22, it is recognized by a microcomputer 23 that the information inputting device 1 is loaded in the cartridge chamber, and information recorded by a magnetic information recording part 13 in the information inputting device 1 is read by a magnetic head 24, and then, the read information is stored in a flash memory 23b.
ＰＩ２２が情報部１５ａを検出すると、マイコン２３はパトローネ室に情報入力装置１が装填されたと認識し、情報入力装置１内の磁気情報記録部１３に記録されている情報を磁気ヘッド２４で読み取り、読み取った情報をフラッシュメモリ２３ｂ内に格納する。 - 特許庁 - To provide a music reproducing device which can actualize a copyright protecting function using the identification number of a semiconductor recording medium by using a general reader writer and a device driver on a PC side even when the specifications of the semiconductor recording medium and the manufacturer are different as to a music reproducing device which takes music data out of a recording medium having a semiconductor memory including a flash memory and reproduces the data.
本発明は、フラッシュメモリを初めとする半導体メモリを有する記録媒体から音楽データを取り出して再生する音楽再生装置に関し、半導体記録媒体の仕様や製造会社が異なっても汎用的な読み出し／書き込み装置とデバイスドライバをＰＣ側に用いて半導体記録媒体の識別番号を利用した著作権保護機能を実現できる音楽再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The flash memory includes an array of memory cells arrayed in rows and columns, and a randomization and derandamization circuit configured to randomize data stored in the array, and the randomization and derandamization circuit generates an initial seed corresponding to random data according to whether data stored in the array is the random data, generates a random sequence based upon the initial seed, and randomizes the random data based upon the random sequence.
ここに提供されるフラッシュメモリ装置は行と列に配列されたメモリセルのアレイと、前記アレイに格納されるデータをランダム化するように構成されたランダム化及びデランダム化回路と、を含み、前記ランダム化及びデランダム化回路は前記アレイに格納されるデータがランダムデータであるか否かにしたがって前記ランダムデータに対応する初期シードを生成し、前記初期シードに基づいてランダムシークェンスを発生し、前記ランダムシークェンスに基づいて前記ランダムデータをランダム化させる。 - 特許庁 - The split-gate type flash memory element is provided with a silicon epitaxial layer which is formed in an active region of a bulk silicon substrate, and an insulating film for preventing distrubances which is formed on the bulk silicon substrate between the source and the drain of the element, wherein the insulating film for distrubance prevention is formed, using an STI formation process.
バルクシリコン基板の活性領域に形成されているシリコンエピタキシャル層と、素子のソース及びドレイン間のバルクシリコン基板に形成されているディスターバンス防止用絶縁膜とを備えるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子であり、該スプリットゲート型フラッシュメモリ素子では、ディスターバンス防止用絶縁膜は、ＳＴＩ形成工程を利用して形成される。 - 特許庁 - An area rewritable by a PC (Personal Computer) and an area unrewritable are formed when connecting the PC by physically dividing an HDD (or a flash memory) recording the content into a first HDD 3a and a second HDD 3b, or logically dividing one HDD 4 into a first partition 4a and a second partition 4b.
コンテンツを記録するＨＤＤ（またはフラッシュメモリ）を、物理的に第１ＨＤＤ３ａ、第２ＨＤＤ３ｂに分割して、または、一つのＨＤＤ４を論理的に第１パーティション４ａ、第２パーティション４ｂに分割することにより、ＰＣに接続した際該ＰＣから書き換え可能な領域と、書き換え不可能な領域とに分離する。 - 特許庁 - To provide a data transferring system capable of improving the tolerance of this system by detecting the kind of a connector while transferring data, and performing local deletion and writing while the data are written in a flash memory, and realizing the error detection of data written in various products whose software can be updated and the recovery of the data.
データを転送している間に、コネクタの種類を検出してシステムの許容度を向上させ、そしてデータがフラッシュメモリに書き込まれている間に、局部的な削除、書き込みができると共に、ソフトが更新できる各種の製品に対して書き込まれたデータのエラー検出及びデータ回復ができる転送方式を提供すること。 - 特許庁 - A translating part 430 translates the recognized character string in the specific language into a character string in another language (other data) by using a translation program only when the character string in the specific language and the character string data in the other language whose meaning is common to, and whose transmission format is different from the character string are not stored in association with each other into a flash memory 160.
翻訳部４３０は，認識された特定言語の文字列と，その文字列と意味が共通していて伝達形式が異なる他の言語の文字列データとが対応付けられてフラッシュメモリ１６０に記憶されていない場合のみ，翻訳プログラムを用いて特定言語の文字列を他の言語の文字列（他のデータ）に翻訳する。 - 特許庁 - When referring to data after download, the language data is designated with a number, the address of the language data is acquired while referring to a pointer table, the added leading address 72 of the language data is subtracted from the acquired address and the leading address of a display language selected at present is added so that the address of data on a flash memory after download can be provided.
ダウンロード後のデータの参照は、言語データを番号で指定してポインタテーブルを参照し言語データのアドレスを取得し、取得したアドレスから前記追加した言語データの先頭アドレス７２を引き、現在選択されている表示言語の先頭アドレスを足すことにより、ダウンロード後のフラッシュメモリ上でのデータのアドレスを得ることができる。 - 特許庁 - An erase command to designate a partition number as the object of erase is issued from a host to an NAND type flash memory device, and the control part of a device interprets the address of an erase object area specified on the basis of the partition number by referring to a partition map for a control, and erases all the data stored in an erase object partition on the basis of the interpretation.
ホストからＮＡＮＤ型フラッシュメモリデバイスへ、消去対象となるパーティション番号を指定した消去コマンドを発行し、デバイスの制御部は、制御部用のパーティションマップを参照して、該パーティション番号で特定された消去対象領域のアドレスを解釈し、該解釈に基づき消去対象パーティションに記憶されている全データを消去する。 - 特許庁 - To respond at low cost with flexibility to advanced and complicated requirements from a user by increasing data volume to be stored with efficient use of a flash memory, and the like, and using a storage medium processing method with its device and a card reader/writer.
フラッシュメモリ等の記憶手段を効率よく使用して記憶可能なデータ量を増大し、さらにプロトコルの変更やセキュリティシステムの変更等のシステム変更にも柔軟に対応できる記憶媒体処理方法とその装置、及びカードリーダ／ライタを提案し、高度化複雑化する利用者の要求に対して低コストでフレキシブルに対応して利用者の満足度を向上させる - 特許庁 - The control module is configured so as to separate attribute information from saving data, which are read from the flash memory with the predetermined size, store the attribute information in an attribute information storage buffer and transfer user data contained in the saving data to a saving data storage region during a writing operation including a read modify write operation of data, of which sizes are smaller than the predetermined size.
前記制御モジュールは、前記サイズ単位未満のデータの書き換えを含む書き込み動作時に、前記フラッシュメモリから読み出した前記サイズ単位の退避データから属性情報を分離して属性情報格納用バッファに格納し、前記退避データに含まれるユーザデータを退避データ格納領域に転送する構成である。 - 特許庁 - The information processing apparatus includes a main processing device 22, having a disk access checking function for checking the disk access error and an OS emergency dump generation function for generating an OS emergency dump from the OS dump; a main controller 21 that transfers the OS emergency dump to a subcontroller 31; and a flash memory 34 that stores the OS emergency dump transferred to the subcontroller 31.
ディスクアクセス異常を検出するディスクアクセスチェック機能とＯＳダンプからＯＳ緊急ダンプを作成するＯＳ緊急ダンプ生成機能とをそなえたメインプロセッサ２２と、ＯＳ緊急ダンプをサブコントローラ３１へ転送するメインコントローラ２１と、サブコンローラ３１へ転送されてきたＯＳ緊急ダンプを保存するフラッシュメモリ３４とをそなえる。 - 特許庁 - A resistance value of the resistors R1 and R2 and a threshold voltage of the flash memory transistors 71a and 71b are adjusted under a prescribed condition so that a voltage level of the detection signal ERR in the state not irradiated with the electromagnetic wave and a voltage level of the detection signal ERR in the state irradiated with the electromagnetic wave are varied.
電磁波が照射されていない状態の下での検出信号ＥＲＲの電圧レベルと、電磁波が照射された状態下での検出信号ＥＲＲの電圧レベルとが変化するように、両抵抗Ｒ１及びＲ２の抵抗値、及び両フラッシュメモリトランジスタ７１ａ及び７１ｂの閾値電圧を所定の条件下に調整する。 - 特許庁 - Therefore, when drawing the image, since it is not necessary to read the corresponding image data from a character ROM 187 which consists of a NAND type flash memory 187a with the slow reading speed, the time required for reading can be saved, the drawing of the image is immediately performed, and the drawn image can be displayed on an auxiliary display part 65.
よって、画像描画時に読み出し速度の遅いＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１８７ａで構成されたキャラクタＲＯＭ１８７から対応する画像データを読み出す必要がないため、その読み出しにかかる時間を省略でき、画像の描画を即座に行って補助表示部６５に描画した画像を表示することができる。 - 特許庁 - To provide a method of forming a tunnel insulation film of a flash memory device that can improve leak current property and insulation breakdown voltage property or the like by suppressing boron impregnation by forming a silicon oxinitride film (SiON) through a process of forming the tunnel insulation film including a plasma nitridation process at a temperature higher than 800°C to reduce trap sites.
８００℃以上の高温のプラズマ窒化処理工程を含んでトンネル絶縁膜を形成することにより、トラップサイト(trap site)を減少させ、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）の形成によってホウ素浸透を抑制して漏れ電流および絶縁破壊電圧特性などを改善することが可能なフラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法の提供。 - 特許庁 - In this recording and reproducing control system where a data processing controller 10 is connected to a digital still camera 20 through an IEEE 1394 serial bus 50, the digital still camera 20 assigns an unequivocal discrimination number to each of plural files, which are hierarchized and recorded in a set flash memory 32, and uses these discrimination numbers to manage the files.
ＩＥＥＥ１３９４シリアルバス５０によりデータ処理制御装置１０とディジタルスチルカメラ２０とが接続された記録再生制御システムにおいて、ディジタルスチルカメラ２０は、装着されたフラッシュメモリ３２に階層化されて記録された複数のファイルのそれぞれに対して一意の識別番号を割り当て、これらの識別番号を用いてファイルの管理を行う。 - 特許庁 - When the plug 10 is pulled out, the second joining terminal 24 and the positive electrode 13 are disconnected in its early stage, and when the state is detected, the CPU30 is driven by DC power which is supplied while the plug 10 is pulled out of the jack 20, and data stored in an RAM 32 is written in a flash memory 33.
プラグ１０が引き抜かれると、その初期段階で、第２の接続端子２４と正電極１３が非接続となり、その状態が検知されると、プラグ１０がジャック２０から引き抜かれる間に供給されるＤＣ電源によってＣＰＵ３０が駆動されてＲＡＭ３２に格納されたデータがフラッシュメモリ３３に書き込まれる。 - 特許庁 - A CPU 1 is controlled so that the specified application program obtained is installed into either a Flash ROM 3 in the network print server 1500 or an external memory 10 equipped by the inside of a printer controller 1600 based on a storing position designating information to the specified application program obtained from a host computer 2001.
ホストコンピュータ２００１から取得される所定のアプリケーションプログラムに対する格納先指定情報に基づいて、ネットワークプリントサーバ１５００内のＦｌａｓｈＲＯＭ３またはプリンタコントローラ１６００内が備える外部メモリ１０のいずれかに該取得された所定のアプリケーションプログラムをインストールさせるようにＣＰＵ１が制御する構成を特徴とする。 - 特許庁 - In the fail-safe CPU 13, a position sensor 14 detects that the switch 10 is fix-opened or reverse-opened, and when the opening direction is matched with the direction indicated by conversion command information stored in the flash memory 15, the opening signal 27 indicating the present opening direction is outputted to a KR relay 31.
また、フェールセーフＣＰＵ１３は、転てつ機１０が定位開通または反位開通にあることを位置センサ１４が検知しており、かつこの開通方向とフラッシュメモリ１５に記憶されている転換指令情報の示す方向とが一致するとき、現在の開通方向を表わした開通方向表示信号２７をＫＲリレー３１に出力する。 - 特許庁 - This controller 3 associates blocks in chips different from each other to a flash memory 2 comprising a plurality of the chips, handles a plurality of the associated blocks as a common group, assigns one block in the group to a block for parity data written with parity data of user data written in the other block, and writes the user data and the parity data.
複数のチップで構成されたフラッシュメモリ２に対し、コントローラ３は、互いに異なるチップ内のブロックを関連付け、関連付けられた複数のブロックを共通のグループとして取扱い、そのグループ内の１ブロックを、他のブロックに書込まれたユーザデータのパリティーデータを書込むパリティーデータ用ブロックに割当て、ユーザデータとパリティーデータとを書込む。 - 特許庁 - When a server system 10 obtains a serial number of a product to be maintained together with a request of onsite maintenance from a user, it acquires parts specific information corresponding to the serial number from an order DB 39a and transfers software or the like in accordance with the acquired parts specific information from a soft DB 39b to a flash memory 62 of a service base terminal 60.
サーバシステム１０は、ユーザからオンサイト保守の依頼と共に保守対象製品のシリアル番号を取得したとき、そのシリアル番号に対応する部品特定情報を注文ＤＢ３９ａから取得し、該取得した部品特定情報に応じたソフトウェア類をソフトＤＢ３９ｂからサービス拠点端末６０のフラッシュメモリ６２に転送する。 - 特許庁 - The camera comprises: a lens optics system 22 to photograph an image, CCD 23 and others; a control part 32 which automatically determines color components to be emphasized based on the image data acquired by photographing and conducts color emphasizing on each pixel composing the image data based on the determined color components; and a flash memory 38 which records the image data which have undergone the color emphasizing.
画像を撮影するレンズ光学系22、ＣＣＤ23その他と、撮影で得た画像データにより強調する色成分を自動決定し、決定した色成分に基づいて撮影で得た画像データを構成する各画素に色強調処理を施す制御部32と、色強調処理を施した画像データを記録するフラッシュメモリ38とを備える。 - 特許庁 - The NAND flash memory 100 has a columnar floating gate formed on an element region via a gate insulating film, a diffusion layer formed on regions located on both sides of the floating gate out of the element region, and a control gate formed so as to surround the periphery of the floating gate via an IPD film formed on the side surfaces of the floating gate.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１００のメモリセルは、素子領域上にゲート絶縁膜を介して形成された柱状の浮遊ゲートと、素子領域のうち浮遊ゲートの両側に位置する領域に形成された拡散層と、浮遊ゲートの側面に形成されたＩＰＤ膜を介して前記浮遊ゲートの周囲を囲むように形成された制御ゲートと、を有する。 - 特許庁 - The controller unit 40 is provided with a recording medium 43 preparatorily recording the peculiar information and the prescribed correction information of the reader unit, and a transmitting means transmitting the peculiar information and the prescribed correction information before exchange preparatorily stored in the recording medium 43 to the flash memory of the reader unit after the exchange.
また、コントローラユニット４０は、リーダユニットの固有情報や所定の補正情報を予備的に記録させる記録媒体４３と、リーダユニットのフラッシュメモリを交換した場合に、記録媒体４３に予備的に記録させた交換前のリーダユニットの固有情報や所定の補正情報を、交換後のリーダユニットのフラッシュメモリに伝送する伝送手段と、を備える。 - 特許庁 - A telephone number as party specification information for specifying the party of communication, a final call originating date, when a call is finally originated to the party specified by that telephone number, and a final call terminating date, when a call is finally terminated from that party, are correspondently stored and held on the flash memory of a portable telephone terminal.
通信の相手先を特定するための相手先特定情報としての電話番号と、その電話番号によって特定される相手先に対して最後に発信を行った最後の発信日付と、その相手先から最後に着信があった最後の着信日時とを対応付けて、携帯電話端末のフラッシュメモリに記憶保持する。 - 特許庁 - A flash memory 506 stores therein a plurality of images time-sequentially captured by an image sensor 501 and image information including a recognition point obtained for each of the images through recognition processing of the image, and an appropriateness point calculation section 507 calculates, for each of the plurality of images, an appropriateness point indicating appropriateness of the image using the recognition point.
撮像素子５０１で時系列に撮影された複数の画像と、当該画像ごとに画像の認識処理により得られた認識ポイントを含む画像情報とをフラッシュメモリ５０６に記憶しており、好適度ポイント算出部５０７において、複数の画像における画像ごとに、認識ポイントを用いて当該画像の好適度を示す好適度ポイントを算出する。 - 特許庁 - An arithmetic processing unit(APU) 20 executes data writing in the flash memory 24 through a bus line 25, and in the case of writing data when a battery 1 is detached, power supply to external equipment such as an external data reader 30 and a communication equipment 40 is stopped and the external equipment side of the bus line 25 is set up to high impedance.
また、フラッシュメモリ２４へのデータの書き込みは、演算処理装置２０において、バスライン２５を介して行われ、バッテリ１が外されてデータの書き込みを行うときに、外部データ読み取り装置３０、通信装置４０などの外部機器に電源供給を行わないようにするとともに、バスライン２５の外部機器側をハイインピーダンスにする。 - 特許庁 - When any colorimetric data whose evaluation value has been stored already match colorimetric data of the selection image, all evaluation values in the past associated with the colorimetric data and the evaluation value of the selection image are additionally averaged, a correction parameter stored in a flash memory 48 is corrected with the obtained evaluation value, and the evaluation value is stored in association with the colorimetric data.
何らかの評価値が既に記憶されている測色データのうちいずれかと選択画像の測色データが一致する場合、測色データに対応付けされた過去の全評価値と選択画像の評価値とを加算平均し、得られた評価値でフラッシュメモリ４８に記憶された補正パラメータを修正し、測色データに対応付けして記憶する。 - 特許庁 - This device has a CPU 21 for displaying part of first image data, while overlapping it on an image displayed on a monitor by changing the transmittance of the first image when these first image data are acquired and for recording and preserving two pieces of image data as a single piece of image data arranged side by side in a flash memory 28 at a time point when second image data are provided.
第１の画像データを取得すると、その第１の画像データの一部を透過率を変えて表示部２５でモニタ表示される画像に重ね合わせて表示させ、第２の画像データが得られた時点で２つの画像データを左右に並べた１つの画像データとしてフラッシュメモリ２８に記録保存するＣＰＵ２１を有する。 - 特許庁 - A reading/writing/erasing voltage generating circuit 5 for flash memory is provided with a booster circuit 20 for generating a step-up voltage VP1 from an internal power supply voltage VDD, a booster circuit 21 for generating a step-up voltage VPP from the step-up voltage VP1, and a voltage step-down circuit 22 for generating a step-down voltage VDL.
フラッシュメモリの読み出し／書き込み／消去電圧生成回路５には、内部電源電圧ＶＤＤから昇圧電圧ＶＰ１を生成する昇圧回路２０、該昇圧電圧ＶＰ１から昇圧電圧ＶＰＰを生成する昇圧回路２１、および昇圧電圧ＶＰ１から、降圧電圧ＶＤＬを生成する降圧回路２２が設けられている。 - 特許庁 - When user data are written through the terminal of the JTAG interface in the flash memory, a command to instruct writing in an ATA register 27 is inputted from a terminal ITD to a soft register 26f, and an address and user data to be continuously inputted from the terminal TDI according to the command are shift-inputted to an address register 26d and a data register 26c.
ＪＴＡＧインターフェースの端子を介してフラッシュメモリにユーザデータを書き込む場合、ＡＴＡレジスタ２７への書き込みを指示するコマンドを端子ＴＤＩからシフトレジスタ２６ｆに入力し、そのコマンドに従い、端子ＴＤＩから続いて入力されるアドレスとユーザデータとを、アドレスレジスタ２６ｄとデータレジスタ２６ｃとにシフト入力する。 - 特許庁 - To provide a word line voltage regulation circuit that read-out margin can be sufficiently secured, erroneous reading of a cell is prevented, a noise can be reduced, operational reliability of an element can be improved by applying fixed voltage to a gate even when power source voltage is high voltage, when data are read out from a flash memory cell.
フラッシュメモリセルを読み出すとき、高い電源電圧でもゲートに一定の電圧が印加されるようにすることで、読み出しマージンを十分確保することができてセルの誤判読を防止し、ノイズを減少させることができて素子の動作信頼性を向上させることができるワードライン電圧レギュレーション回路を提供すること。 - 特許庁 - In this way, since it is not necessary to read corresponding image data from a character ROM 187 composed of a NAND flash memory 187a with slow reading speed when the image is drawn, the time necessary for reading the image data can be omitted, and the image can be immediately dawn to display the drawn image in an auxiliary display part 65.
よって、画像描画時に読み出し速度の遅いＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１８７ａで構成されたキャラクタＲＯＭ１８７から対応する画像データを読み出す必要がないため、その読み出しにかかる時間を省略でき、画像の描画を即座に行って補助表示部６５に描画した画像を表示することができる。 - 特許庁 - In an active area forming a floating gate electrode on an Si substrate forming a burying dispersion area being a control gate so as to be capacity-coupled through an insulating of the surface of the Si substrate and forming a flash memory cell, an n type dispersion area being a source area and a drain area is formed on both sides of the floating gate electrode.
コントロールゲートとなる埋設拡散領域を形成されたＳｉ基板上にフローティングゲート電極を、Ｓｉ基板表面の絶縁膜を介して容量結合するように形成し、フラッシュメモリセルが形成される活性領域中において、前記フローティングゲート電極の両側にソース領域およびドレイン領域となるｎ型拡散領域を形成する。 - 特許庁 - A determination unit 132 determines permission or prohibition of writing to a recording medium 12 on the basis of the device identification information acquired by the acquisition unit 131 and the writing identification information stored in the flash memory 18 when a communication protocol for session layer for performing writing to and readout from the recording medium 12 in sector units is selected.
決定部１３２は、記録媒体１２に対する書込みおよび読出しをセクタ単位で行うセッション層の通信プロトコルが選択された場合、取得部１３１が取得した機器識別情報と、フラッシュメモリ１８が記憶する書込み識別情報とに基づいて、記録媒体１２に対する書込み許可または書込み禁止を決定する。 - 特許庁 - As the data copying operation, the address multiplexer and the data multiplexer are respectively controlled by a control logic circuit, and a prearranged address bus and a prearranged data bus are selected, then the flash memory is constituted by copying direct the input data from the page buffer made as the corresponding source to the page buffer made as at least one destination through the above prearranged data bus.
データコピーする動作は、コントロールロジック回路に該アドレスマルチプレクサーと該データマルチプレクサーをそれぞれ制御させ、予定のアドレスバスと予定のデータバスを選ばせ、該予定のデータバスを経由して入力データを対応するソースとされるページバッファから少なくても一つのデスティネーションとされるページバッファに直接にコピーさせることによってフラッシュメモリを構成する。 - 特許庁 - A direct key, used in data communication mode such as an online connection key K2, is provided on the rear side of a cover panel 101, and by pressing this online connection key, address information, stored in a flash memory on a network for automatic connection to a common server device via an ISP server device, is used and connection is easily established.
カバーパネル１０１の裏側にオンライン接続キーＫ２などのデータ通信モード時に使用するダイレクトキーを設け、このオンライン接続キーを押下することにより、フラッシュメモリに格納されている、共通サーバ装置に対してＩＳＰサーバ装置を通じて自動接続するためのネットワーク上のアドレス情報を用いて、簡単に接続することができるようにする。 - 特許庁
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