「In Isolation」を含む例文一覧(3112)
＜前へ 1 2 .... 25 26 27 28 29 30 31 32 33 .... 62 63 次へ＞- A silicon nitride film on an element isolation film is removed, and in the removed region, a metal film that connects the first gate electrode to the second gate electrode is formed.
素子分離上のシリコン窒化膜を除去し、この除去された領域に第１のゲート電極と第２のゲート電極とを接続する金属膜を形成する。 - 特許庁 - To provide an assembly in which a rack contains a guide used to guide a pipette to a plurality of gel tubes and which supports the plurality of gel tubes for electrophoretic isolation.
ラックがピペットをゲル管に案内するためのガイドを含む、複数の電気泳動分離用ゲル管を支持するためのアセンブリを提供することにある。 - 特許庁 - In this manufacturing method of the semiconductor device, the element isolation film 2 having the openings 2b, 2c is formed on a semiconductor substrate 1 of a first conductivity type.
本半導体装置の製造方法では、第１導電型の半導体基板１に、開口部２ｂ，２ｃを有する素子分離膜２を形成する。 - 特許庁 - ISOLATION OF RHODOBACTER SPHAEROIDES RV DOUBLE VARIANT DEFICIENT IN BOTH PHA PRODUCTION AND UPTAKE TYPE HYDROGENASE, HAVING INCREASED HYDROGEN PHOTO- PRODUCTIVITY
ＰＨＡ産生および取り込み型ヒドロゲナーゼの両者を欠損させ、水素の光産生能を増大させたロドバクタースフェロイデスＲＶ二重変異株の単離 - 特許庁 - The fumigation part 301B fumigates the negative pressure atmosphere generating space NS and the isolation chamber 203 with ozone, and the ozone remaining in the space is returned to oxygen and collected.
燻蒸部３０１Ｂは、陰圧雰囲気生成空間ＮＳ及び隔離室２０３をオゾン燻蒸し、それらの空間に残るオゾンを酸素に戻して回収する。 - 特許庁 - Accordingly, a metal wiring, an element isolation film, or a contact or the like to be required can be formed in the trench, having an expanded structure.
従って、拡張さされた構造を有するトレンチ内に、要求される金属配線や素子分離膜またはコンタクトなどを正確に形成することができる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having trench isolation, capable of relieving the stresses on a semiconductor substrate, while suppressing increase in the cost.
トレンチ分離を有する半導体装置において、コストアップを抑制しつつ、半導体基板の応力を緩和することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - And during his adversity and isolation, this idea became symbolized and entrenched in his mind as a thing of far stronger spiritual beauty than the actual Kinkaku.
そしてその観念は自己の不遇と孤独のなかで実際の金閣よりも遙かに強力な、精神的な美として象徴化し固定化していた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - This base isolation device 1 is respectively installed in respective corner parts of a building structural frame 6 composed of a through-column 2, a pipe column 3, a horizontal member 4 and a sill 5.
通し柱２，管柱３，横架材４および土台５で構成される建家構造枠６の各コーナー部に、免震装置１をそれぞれ取付ける。 - 特許庁 - The base isolation building is horizontally displaced relative to a base building body in generation of earthquake and a car guide rail or the like is resiliently deformed and inclined.
地震発生時に免震建築体が基部建築体に対して水平方向に変位し、かご用案内レール等が弾性変形して傾斜する。 - 特許庁 - To obtain an optical add/drop module to improve isolation without increasing cost and a storage loss due to increase of components in a network.
ネットワークにおける構成部品増加によるコストおよび蓄積損失の増加なしに、アイソレーションを向上させる光アド／ドロップモジュールを提供すること。 - 特許庁 - When a measured value of a water level gauge 21 placed in the cooling water pool 12 falls below the set point, a controller 23 closes the electrically-driven isolation valve 17a entirely.
冷却水プール１２に設置された水位計２１の計測値が設定値未満になったとき、制御器２３が電動隔離弁１７ａを全閉にする。 - 特許庁 - To provide an inexpensive base isolation sill for a small-scale structure, easily fixable and relatively easy in the installation of an anchor bolt.
免震土台を固定する作業が容易で、アンカーボルトの設置作業も比較的容易な安価な小規模構造物用の免震土台を提供する。 - 特許庁 - A source region 40 and a drain region 50 are arranged so as to be isolated from each other in a semiconductor substrate 30 whose elements are isolated by an element isolation region (STI) 20.
素子分離領域(STI)２０により素子分離された半導体基板３０中に、ソース領域４０およびドレイン領域５０が離間して設けられている。 - 特許庁 - To provide an active vibration isolation supporting device absorbing transitional vibration generated in starting an engine and reducing a sense of incongruity imparted to a driver.
エンジンの始動時に発生する過渡振動を吸収でき、運転者に与える違和感を少なくできる能動型防振支持装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a memory device which overcomes the data holding problem caused by the thinness of its grid dielectric present in the interface between its STI-type isolation region and its grid material.
ＳＴＩ型の分離領域とグリッド材の界面間におけるグリッド誘電体の薄さに起因するデータ保持問題を克服したメモリ素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a flexible tube induction jig for a plurality of flexible tubes set in a seismic-isolation structure and a method for setting the flexible tube induction jig.
免震化構造物に設置された複数の可とう管用の可とう管誘導治具及びその可とう管誘導治具設置方法を提供する。 - 特許庁 - The trigger device 10 is installed on a bottom surface of the building provided with the base isolation device, and a controller for operating a fixing bar 40 is installed in a foundation part.
免震装置を設置した建築物の底面にトリガー装置１０を取り付け、基礎部分に固定棒４０を作動させるコントローラを取り付ける。 - 特許庁 - In order to suppress vibrations received from the track bed 7, a so-called vibration isolation system 4 is interposed between the frames 5A and 5B and module 3.
この架台５Ａ，５Ｂと太陽電池モジュール３との間に路盤から受ける振動を抑制するためのいわゆる免震装置４が介されて設けられている。 - 特許庁 - To provide a high frequency switch in which a contact and a contact terminal are stably contacted while isolation characteristic is secured, and which can be produced at a low cost.
アイソレーション特性を確保しつつ、コンタクトとコンタクト端子とを安定して接触させるとともに安価に製造できる高周波スイッチを提供する。 - 特許庁 - In a top view, the width of the connection path 22 is set smaller than the sum of those of the gate electrode 15 and the spacer 16 by the element isolation region 12.
上面からの接続経路２２は、素子分離領域１２によってゲート電極１５及びスペーサ１６を合わせた寸法範囲内の幅となっている。 - 特許庁 - To provide an elastomer composition used for preparing a plug of base-isolation structures having sufficient dumping performance, displacement following capability and the like and excellent in dumping performance in high strain areas.
十分な減衰性能、変位追従性等を有し、高歪領域での減衰性能に優れた免震構造体用プラグの作製に用いられるエラストマー組成物を提供する。 - 特許庁 - In the high voltage transformer, by using winding having isolation structure for primary winding and secondary winding, the degree of coupling of the windings is raised, by turning the primary winding and secondary winding in piles on the core of the transformer.
高圧トランスに一次巻線と二次巻線に絶縁構造を持つ巻線を用い、トランスのコアに対して一次巻線と二次巻線を重ねて巻き、巻線結合度を上げる。 - 特許庁 - To provide a base isolation device capable of precisely preventing a yawing phenomenon by a simpler constitution, to contribute to reduction in cost and the expansion of a degree of freedom in application.
より簡単な構成によってヨーイング現象を的確に防止できる免震装置を提供し、延いてはコストの削減や、適用上の自由度の拡大にも資することを目的とする。 - 特許庁 - An inner tube flange 10 and an outer tube flange 12 outward in a direction perpendicular to an axial direction are formed on an inner tube 6 and an outer tube 7 of the vibration isolation bush at one end side in the axial direction.
防振ブッシュ３の内筒６及び外筒７の軸方向一端側に、軸直角方向で外向きの内筒フランジ１０及び外筒フランジ１２を夫々形成する。 - 特許庁 - To solve a problem that in an interlayer isolation film of SiOCH film, which is a low dielectric constant film, O_2 ashing resistance is low since a CH_3 group is contained in the film, and adhesion with a SiO_2 film is also low.
低誘電率膜であるＳｉＯＣＨ膜の層間絶縁膜は、膜中にＣＨ３基が含まれるためにＯ２アッシング耐性が低く、ＳｉＯ２膜との密着性も低い。 - 特許庁 - Vibration isolation materials 7 are fitted in an inserted state in a plurality of respective mounting members 6 fixed at a body bottom plate 5 and inserted through respective openings 4a of a pedestal 4 on which the compressor 2 is placed.
本体底板５に固定されている複数の取付部材６に対して、防振材７を嵌挿し、さらに圧縮機２が載置されている台座４の開口部４ａを通す。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device fabrication method which enables a reduction in internal stress yielded when forming element isolation while suppressing such a disadvantage as variation in a threshold voltage.
しきい値電圧がばらつくなどの不都合を抑制しながら、素子分離形成時に発生した内部応力を緩和することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this isolation valve 50, a stopper part 63 formed on a spring bearing 60 is applied to a bearing part 64 formed in an outside cylinder wall 51A, so that move of the valve element 58 downward is regulated.
縁切り弁５０は、ばね受６０に形成されたストッパ部６３と、外側円筒壁５１Ａに形成された受部６４とを当接させることで、弁体５８の下方への移動を規制できる。 - 特許庁 - In this sliding base isolation device having a sliding material fixed to a plate and a smoothing plate for slidingly contacting with this sliding material, the sliding material is divided in a plane of the plate.
プレートに固定されたすべり材と、このすべり材と摺接する平滑板とを備えてなるすべり免震装置であって、上記すべり材はプレートの平面内において分割されている。 - 特許庁 - In the intruder sensing building 1, a detector 40 detects a load received by a seismic isolation device 21 of a building main part 20 and stores the detected load value in a load value memory section 51.
侵入者感知建物１では、建物本体２０の免震装置２１にかかる荷重を検出部４０で検出し、この検出された荷重値を荷重値記憶部５１に記憶させる。 - 特許庁 - An oxide film 110 id deposited on the trench 108 in such a way as to embed the trench 108 in the substrate 100 and the film 110 is removed down to the nitride film layer to form a trench element isolation structure of a field region.
そして、トレンチ１０８を埋め込むように酸化膜１１０を蒸着し、窒化膜層まで酸化膜１１０を除去してトレンチ素子分離構造のフィールド領域を形成する。 - 特許庁 - A vibration isolation lens 32 disposed in the reception optical system 30 is displaced as shown by M2 by a driving mechanism 43 in linkage with the driving mechanism 42, wherein M2 is a motion rougher than M1.
駆動機構４２に連動して受信光学系３０に配設された防振レンズ３２を駆動機構４３によりＭ２のように変位させるが，Ｍ２はＭ１よりもラフな動作とする。 - 特許庁 - Whether isolation is performed or not performed is controlled by turning ON/ OFF of the separation device 106, and simulated values are written in the normal input device (input) and the picture image device (output) in a separation ON condition.
アイソレーションの実施／未実施は切離し用デバイス１０６のON／OFFで制御し、切離しON状態で正規入力デバイス（入力）や写像デバイス（出力）に模擬値を書き込む。 - 特許庁 - To provide a wavelength multiplexed light coupler using an optical filter which can be manufactured in a simple process, has high isolation and is small in size and inexpensive, and to provide a manufacturing method of the wavelength multiplexed light coupler.
単純な工程で作製可能で、高いアイソレーションを有し、かつ小型で安価な光学フィルタを用いた波長多重光カプラおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The surface of the isolation 105 is lower than that of the silicon substrate 101 in the element formation regions, and hence there is a difference in level having a predetermined vertical interval between these two surfaces.
この素子分離１０５の表面は素子形成領域のシリコン基板１０１の表面よりも低く、両者間には所定の高低差を有する段差部が形成されている。 - 特許庁 - In forming an oxide film 2 and a nitride film 1 which are deposited in layers on top of the silicon substrate having the off angle, as a mask for forming element isolation, radical oxygen is used for growing the oxide film 2.
素子分離形成用のマスクとしてオフ角を有するシリコン基板の上に積層された酸化膜２、窒化膜１の形成において、酸化膜２の成長にラジカル酸素を用いる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit which is formed in an SOI layer and in which an element isolation region can be formed without deteriorating performance of a transistor, and to provide a method for manufacturing the circuit.
トランジスタの性能を劣化させることなく素子分離領域を形成することができるＳＯＩ層に形成された半導体集積回路及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To reduce a compressive stress, which is generated in a semiconductor substrate in the vicinity of a grooved element isolation region, and to suppress the generation of a crystal defect.
溝型素子分離領域近傍の半導体基板に発生する圧縮応力を低減して、結晶欠陥の発生が抑制される半導体装置とその製造方法とを提供する。 - 特許庁 - The end of each of the radiation conductors is curved and provided substantially vertically to the flat ground base plate in a direction in which the maximum gain can be obtained, thereby improving the isolation between the feeding ports.
各放射導体の端部を最大利得を有する方向へ平面地板に対しほぼ垂直に曲設することにより、給電ポート間のアイソレーションを高めることができる。 - 特許庁 - To provide a circulator in which transmissivity characteristics of received and outputted high frequency signals and isolation characteristics between the input and the output are stable and uniformized in the input and the output.
入出力される高周波信号の透過特性および入出力間のアイソレーション特性が安定であり、各入出力で均一であるサーキュレータを提供すること。 - 特許庁 - Further, the region width at a section, that is formed in the arrangement direction of the LED 10, is formed wider than the region width in the section among the LEDs 10 of the element isolation region 15.
更に、この素子分離領域１５の、ＬＥＤ１０間の部分の領域幅に対して、ＬＥＤ１０の配列方向に形成された部分の領域幅を広く形成する。 - 特許庁 - The isolation portion 32 has a holding region 36, made of at least two materials differing in dielectric constant, partially along a circumference of the conduction portion 34 in a longitudinal section.
絶縁部３２は、縦断面において導電部３４の周囲に沿った一部に、誘電率の異なる少なくとも２種類の材料で構成された保持領域３６を備えている。 - 特許庁 - To reduce junction leakage current in a boundary between an element isolation film and a diffusion layer without any increase in area of an element formation region at the time of forming a silicide film on the diffusion layer.
拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。 - 特許庁 - In order to directly detect the electric current flowing into the soundless discharge lamp, an electric current detector 5 is installed in the lead wire 3a by which secondary coil of the isolation transformer is grounded to the base plate 2.
無声放電灯１に流れる電流を直接検出するために、絶縁トランス３の二次巻線をベース板２に接地するリード線３ａに電流検出器５を設置した。 - 特許庁 - To provide a base isolation device capable of maintaining an elastic spring coefficient constant even when circumferential temperature changes in comparatively simple constitution and improving designing freedom and low in cost.
比較的簡単な構成で周囲温度が変化しても弾性バネ係数を一定に維持し、設計自由度を向上させることができると共に、安価な除振装置を提供すること。 - 特許庁 - An active region 7 for formation of DRAM cells is prescribed by a separation trench 40 formed in a silicon substrate 1, and an isolation insulating film 4 is formed in the separation trench 40.
ＤＲＡＭセルが形成される活性領域７は、シリコン基板１に形成された分離トレンチ４０により規定され、分離トレンチ４０内には分離絶縁膜４が形成される。 - 特許庁 - To provide a torque rod capable of satisfactorily realizing the isolation of vibration in idling and the reduction of booming noise in acceleration and enabling its shape to be held compactly.
アイドリング時の振動絶縁及び加速時の篭り音の低減をともに良好に実現できるとともに、併せて形状をコンパクトに保持することのできるトルクロッドを提供する。 - 特許庁 - Adverse effect is not caused by higher order modes at the Y shaped branching section of a conventional single mode optical waveguide, and associated increase in the loss and reduction in the isolation are avoided.
従来例のように単一モード光導波路のＹ字状の分岐部における高次モードによる影響はなく、それによる損失の増大やアイソレーションの低下を避けることができる。 - 特許庁 - As shown in (Fig.a), channel ions are implanted in a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation insulation film 12 for obtaining a desired threshold (13), thereby forming a gate oxide film 14.
（ａ）に示されるように、素子分離絶縁膜１２に囲まれた半導体基板１１に所望のしきい値を得るためのチャネルイオン注入を行い（１３）、ゲート酸化膜１４を形成する。 - 特許庁
- Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
- 本サービスで使用している「Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス」はWikipediaの日本語文を独立行政法人情報通信研究機構が英訳したものを、Creative Comons Attribution-Share-Alike License 3.0による利用許諾のもと使用しております。詳細はhttp://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/ および http://alaginrc.nict.go.jp/WikiCorpus/ をご覧下さい。
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
