「In Isolation」を含む例文一覧(3112)
＜前へ 1 2 .... 21 22 23 24 25 26 27 28 29 .... 62 63 次へ＞- A hole-injected electrode 2 made of transparent conductive film, an insulating layer 3 and a barrier isolation layer 4 are formed in a glass board 1.
ガラスからなる基板１上に、透明導電膜からなるホール注入電極２、絶縁層３および隔壁分離層４を形成する。 - 特許庁 - To provide a material for manufacturing a printed wiring board capable of forming an insulating layer excellent in processability and isolation even if thin.
厚みが薄くても加工性及び絶縁性に優れる絶縁層を形成することができるプリント配線板製造用材料を提供する。 - 特許庁 - After removing the resist pattern 104, an oxide film 106 is formed on the semiconductor wafer 101, so as to fill in the trenches 105 for trench isolation.
レジストパターン１０４を除去した後、トレンチ分離用溝１０５を埋込むように、半導体ウェハ１０１の上に酸化膜１０６を形成する。 - 特許庁 - By implementing etching such that the height of the third insulating film 116 is low, a change in the EFH of the element isolation film is suppressed.
その第３の絶縁膜１１６の高さが低くなるようにエッチングを実施することで、素子分離膜のEFHの変化を抑えるように改善する。 - 特許庁 - After an element isolation trench 104 is formed in a semiconductor substrate 101, an HDP oxide film 108 is formed by using the HDP-CVD method.
半導体基板１０１に素子分離溝１０４を形成した後、ＨＤＰ−ＣＶＤ法を用いてＨＤＰ酸化膜１０８を形成する。 - 特許庁 - Accordingly, a rigid floor consisting of a frame in a conventional base isolation structure is dispensed with, and the construction work for setting the rigid floor is dispensed with.
従って、従来の免震構造における架台等から成る剛床が不要となり、剛床設置のための建築作業が不要になる。 - 特許庁 - The electronic control module 18 supplies a double isolation layer between the tool housing working as a heat sink and a line voltage source in it.
電子制御モジュール１８は、ヒートシンクとして作用する工具ハウジングと内部のライン電圧源との間に二重の絶縁層を提供する。 - 特許庁 - The acoustic isolation transformer (200) is operable to develop an isolated output signal (V_TRAN) in response to an input signal (V_MOD).
音響絶縁変成器(200)は、入力信号(Ｖ_ＭＯＤ)に応答して絶縁出力信号(Ｖ_ＴＲＡＮ)を生じるように動作可能である。 - 特許庁 - An oxide film 13 is embedded in the trench 12 of a prescribed depth on a silicon substrate 11, and element isolation regions 141 and 142 are formed.
シリコン基板１１上に所定深さのトレンチ１２に酸化膜１３が埋め込まれ、素子分離領域１４１，１４２が形成されている。 - 特許庁 - The element isolation region 142 is formed in a device region A2 to which a second drive voltage lower than the first drive voltage is supplied.
素子分離領域１４２は、第１の駆動電圧よりも低い第２の駆動電圧が与えられるデバイス領域Ａ２に形成されるものである。 - 特許庁 - To effectively inhibit capacity coupling of a floating gate by easily and certainly forming a recess formed in the upper part of an element isolation insulating film.
素子分離絶縁膜の上部に形成される凹部を容易且つ確実に形成し、フローティングゲートの容量結合を効果的に防止する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the semiconductor wafer 51, an element isolation layer 12 for separating an SOI forming region 13 and a bulk forming region is first formed.
半導体ウエハ５１の製造方法は、まず、ＳＯＩ形成領域１３とバルク形成領域とを分離する素子分離層１２を形成する。 - 特許庁 - A marking 9x for determination of a deterioration such as a convection pattern is given, and the isolation layer 9 in which a polymer is used as a base material is prepared.
対流模様等の劣化判定用のマーキング９ｘが施されていると共にポリマーを基材とする隔離層９を準備する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a trench element isolation region where a dummy projection region is formed in a predetermined pattern, and to provide a method of manufacturing the same.
トレンチ素子分離領域内に、ダミー凸部領域が所定のパターンで形成された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a stationary induction electric equipment, in which vibration isolation and noise reduction can be made high, man-hours for manufacturing can be reduced, and vibration prevention can be made high.
高い振動絶縁性能と騒音低減性能を持ち、製作工数が少なく、耐震性能が高い静止誘導電器を提供する。 - 特許庁 - Namely, the exposed part 11 of the retroreflective sheet 10 is continuously formed without isolation in the longitudinal, lateral and oblique directions of the sheet.
すなわち、再帰性反射シート１０の露出部１１が、孤立することなく縦、横、斜め方向に連続して形成されるようになっている。 - 特許庁 - To increase the horizontal accuracy and workability of a lower base and facilitate the withdrawal of a carrier in a ball type desk-top base isolation table.
ボール式の卓上免震台において、下ベースの水平精度と加工性とを向上させ、併せて、運搬具の抜き外しも容易ならしめる。 - 特許庁 - To provide a fire resistant member suitable for a base isolation building, and superior in fire resistance, waterproofness, workability, and quality stability, and its construction method.
免震建物等に好適であり、耐火性、防水性、施工性、品質安定性に優れた耐火部材と、その施工方法を提供する。 - 特許庁 - To improve performance of an element by forming an element isolation region having no recess in a semiconductor device having an SOI structure.
本発明は、ＳＯＩ構造の半導体装置において、くぼみのない素子分離領域を形成し、素子の高性能化を図ることを目的とする。 - 特許庁 - PLANNING METHOD OF TRAFFIC LINE STRUCTURE IN BASE ISOLATION BUILDING, STRUCTURE HAVING TRAFFIC LINE STRUCTURE AND STRUCTURE HAVING THE STRUCTURE
免震建物における動線用構造物の計画方法、および動線用構造物を備える構造、並びに前記構造を備える構造物 - 特許庁 - To provide a practical sensor rod for a position detector in which wear resistance and atmospheric isolation characteristics are increased without impairing positional detection sensitivity.
位置検出感度を損なうことなく耐摩耗性及び環境遮断特性を高めた実用的な位置検出器用センサーロッドを提供する。 - 特許庁 - In a first isolation transistor 1, a first node SN1 to be connected to the first memory cell is made to be one end and another end is set to a second node SN0.
第１分離トランジスタ１は、第１メモリセルに接続される第１ノードＳＮ１を一端とし且つ他端を第２ノードＳＮ０とする。 - 特許庁 - To improve reliability of a MISFET formed in an activated region surrounded by a shallow-groove-isolation.
浅溝アイソレーションによって囲まれる活性領域に形成されたＭＩＳＦＥＴの信頼度を向上することのできる技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a base isolation device for reducing vibration by extending the period of vibration of an upper structure in relation to the long-period vertical earthquake.
長周期の上下方向の地震動に対し上方構造物の振動を長周期化して振動を低減する免震装置を提供する。 - 特許庁 - To realize a semiconductor switch circuit which can be miniaturized while simultaneously ensuring a low insertion loss and isolation in a desired frequency.
本発明は低挿入損失とアイソレーシヨンを所望の周波数において同時に確保しつつ小型化できる半導体スイッチ回路を実現する。 - 特許庁 - To improve isolation inside a device by performing predetermined control for the device in a high-frequency amplifier unit, and expanding the dynamic range of the gain.
高周波増幅部のデバイスに所定の制御を行うことによりデバイス内部のアイソレーションを向上させ、利得のダイナミックレンジを拡大させる。 - 特許庁 - To easily and surely form a concave portion formed on the upper part of an element isolation insulating film, and to prevent capacitance coupling of the floating gate in an effective manner.
素子分離絶縁膜の上部に形成される凹部を容易且つ確実に形成し、フローティングゲートの容量結合を効果的に防止する。 - 特許庁 - The isolation between antennas is secured and the transmission and the reception of electromagnetic waves are performed omnidirectionally without the null point in the horizontal plane (XY plane).
アンテナ間アイソレーションを確保でき、かつ水平面（ＸＹ面）内においてヌル点がなく全方位で電磁波の送受信を行うことができる。 - 特許庁 - A first isolation layer 112 is formed on the substrate, after an oxidation liner layer 110 has been formed in the trench to partially embed the trench.
トレンチ内に酸化ライナー層１１０を形成した後基板上に第１のアイソレーション層１１２を形成しトレンチを部分的に埋め込む。 - 特許庁 - Therefore Britain dismissed their conventional policy of 'splendid isolation' and tried to negotiate with Germany first, and then approached Japan which had played a lively part in the Boxer Uprising.
そこで、それまでの「栄光ある孤立」政策を捨て、まずドイツとの交渉を試み、その後義和団事変で活躍した日本に接近した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - In such a situation, the occurrence of Shimabara/Amakusa uprisings led the bakufu to the complete prohibition of Christianity and the complete national isolation that allowed only bakufu-controlled trade.
そうした中勃発した島原・天草一揆は、キリスト教禁止の徹底と、幕府による管理貿易である鎖国の完成へとつながる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - In the process for forming the sharp corner-free shallow trench isolation structure, first, an SiON layer and a mask layer are successively formed on a semiconductor substrate.
シャープコーナーのないシャロートレンチ素子分離構造の製造工程では、先ず、SiON層とマスク層とを連続して半導体基板上に形成する。 - 特許庁 - Hereby, the element isolation oxide film 10 accumulated in the trench widens above the trench, and debots will not occur even by subsequent etchings.
これにより、トレンチ内に堆積した素子分離酸化膜１０は、トレンチの上部で広がり、そ野後のエッチングによってもディボット２２が発生しない。 - 特許庁 - In a specified region, the silicon nitride film and the semiconductor substrate are removed by etching to form an isolation groove for dividing an active region.
所定領域においてシリコン窒化膜と半導体基板とをエッチングにより除去して、活性領域を区分する分離溝を形成する。 - 特許庁 - The collector region of each BJT is arranged in the surface of a semiconductor substrate and adjacent to a first shallow trench isolation (STI) region.
各ＢＪＴのコレクタ領域は、半導体基板表面内に配置され、第１のシャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）領域に隣接している。 - 特許庁 - After that, the photoresist pattern PR2 is removed and the insulation film 6 is subjected to a CMP treatment to make parts of the insulation film 6 left in the isolation grooves 4.
その後、フォトレジストパターンＰＲ２を除去した後、絶縁膜６が分離溝４内に残されるように絶縁膜６をＣＭＰ処理する。 - 特許庁 - A vertical displacement negating means (a rack 6) is provided for negating vertical directional displacement of the upper structure part 2 in a base isolation restoring process.
免震・復元過程における上部構造部２の上下方向の変位を打ち消す上下変位打消し手段（ラック６）が備えられている。 - 特許庁 - To form lateral structured IGBTs and diodes for flywheels in a dielectric isolation type semiconductor device without increasing the chip area.
誘電体分離型半導体装置において、ラテラル構造のＩＧＢＴとフライホイール用のダイオードをチップ面積の増大をきたさずに形成する。 - 特許庁 - To guide radioactive gas material in a reactor pressure vessel to a gas waste processing system after closing a main steam isolation valve during reactor shutdown.
原子炉停止時、主蒸気隔離弁閉鎖後に原子炉圧力容器内の気体放射性物質を気体廃棄物処理系へ導出する。 - 特許庁 - The expansion and contraction body 1 constituting the vibration isolation device is set in a uniflow type having a reservoir R between an outer tube 14 and a cylinder body 11.
免震装置を構成する伸縮体１が外筒１４とシリンダ体１１との間にリザーバＲを有するユニフロー型に設定される。 - 特許庁 - According to this structure, the deep-trench isolation region blocks the propagation of crystalline defects generated in the logical operation circuit region into the memory storage region.
これにより、深いトレンチ分離領域は、論理回路領域で発生した結晶欠陥が、メモリ記憶領域へ伝搬するのを阻止する。 - 特許庁 - The semiconductor elements are separated from each other by shallow trench isolation (STI) 12 formed in the surface layer of the semiconductor substrate 10.
これらの半導体素子は、半導体基板１０の表層に設けられたシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）１２により互いに分離されている。 - 特許庁 - There is provided the general isolation of antigen-specific T-cells, in detail, the T-cells specific to the autoimmune antigen.
本発明は一般に、抗原特異的Ｔ細胞およびより詳細には自己抗原に対し特異的なＴ細胞の単離方法に関する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of preventing damage to an element isolation structure and a semiconductor substrate in melting fuse wiring.
ヒューズ配線を溶断する際に素子分離構造や半導体基板に与えるダメージを抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To assure isolation among plural antenna elements provided in a radio apparatus to be ready for broad multiple uses and multiple functions of a small-sized radio apparatus.
小型の無線装置の広範な多用途・多機能化に対応して、無線装置に設けられた複数のアンテナ素子間のアイソレーションを確保する。 - 特許庁 - Consequently, even a shallow photodiode can suppress deterioration in sensitivity effectively and sufficient isolation function can be realized because the photodiode is shallow.
これにより、浅いフォトダイオードでも感度低下を有効に抑制でき、かつ、フォトダイオードが浅いことにより、十分な素子分離機能が実現できる。 - 特許庁 - During isolation process in the serial/parallel conversion circuit 102, the port boundary of the multiplexed serial data is detected, based on the comma sign.
シリアル−パラレル変換回路１０２における分離処理時に、多重されたシリアルデータのポート境界を上記のコンマ符号をもとに検知する。 - 特許庁 - N type electrically conductive films 4n which being field shield electrodes are formed in isolation trenches 2 specifying the active regions 40 of a semiconductor substrate.
半導体基板の活性領域４０を規定する分離トレンチ２内にはフィールドシールド電極であるＮ型導電性膜４ｎが形成される。 - 特許庁 - This flow became a power responding to approaches at the end of the Edo period by European countries in the imperialism period, and became one of motivations to mark the end of a long period of isolation.
この流れは、幕末に帝国主義時代の欧米の接近に際して対応する力となり、開国の原動力のひとつになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - To provide a circuit breaker which incorporates an isolation mechanism without forming a large hole in a frame which hinders downsizing of a mechanism part.
フレームに機構部を小型化する妨げとなる大きな孔を形成することなく、アイソレーション機構を組み込んだ配線用遮断器を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
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