「In Isolation」を含む例文一覧(3114)
＜前へ 1 2 .... 19 20 21 22 23 24 25 26 27 .... 62 63 次へ＞- To provide a base isolation device exchanging method in which a base isolated condition of base-isolated locations is maintained even if an earthquake occurs during exchange work of base isolation devices set in a building, and risks occurring during the exchange work, such as fall of a column caused by slipout of a jack-up device, can be avoided.
建物に設置される免震装置を交換する際、施工中に地震が発生しても、施工箇所の免震状態を維持するとともに、ジャッキアップ装置が外れることによる柱の落下などの施工上の危険を回避することができる免震装置の交換方法を提供する。 - 特許庁 - To manufacture a sliding base isolation device with uniform accuracy without being formed in special specifications, and facilitate installing workability even if a smoothing plate being a mate of a sliding material becomes the large area in the sliding base isolation device adaptable to an enlargement of a structure and for supposing a giant earthquake.
構造体の大型化に適応でき、また巨大地震を想定した場合のすべり免震装置おいて、すべり材の相手となる平滑板が大面積となっても、均一な精度で、特殊仕様とすることなく作製することができ、また取り付け作業性が容易である。 - 特許庁 - The thickness of the gate insulating film 103 in a level difference region 120 of the border of the above element isolation region 102 and regions other than the element isolation region 102 is made 65%-100% to the film thickness of the gate insulating film 103 in regions other than the level difference region 120.
上記素子分離領域１０２とその素子分離領域１０２以外の領域との境界の段差領域１２０におけるゲート絶縁膜１０３の膜厚を、その段差領域１２０以外の領域におけるゲート絶縁膜１０３の膜厚に対して６５％〜１００％とする。 - 特許庁 - Each output-side winding of the n pieces of isolation transformers 14 is connected in series, and a resonance circuit 15, which boosts the shortage of the required boosting ratio to be achieved by the n pieces of isolation transformers 14, is connected to this output-side winding connected in series.
ｎ個の絶縁トランス１４の各出力側巻線を直列に接続し、この直列に接続された出力側巻線に、ｎ個の絶縁トランス１４による昇圧比が所要の昇圧比に対して足りない不足分を昇圧する共振回路１５を接続する。 - 特許庁 - To obtain an overlap margin between a storage node contact plug and a landing plug isolation film without poly-pad treatment, and to provide a method of forming contact plugs in a semiconductor device suitable for preventing etching loss of the landing plug isolation film in etching a storage node contact hole.
ポリパッド処理を行うことなく、ストレージノードコンタクトプラグとランディングプラグ分離膜との間のオーバーラップマージンを確保し、かつ、ストレージノードコンタクトホールをエッチングする際のランディングプラグ分離膜のエッチング損失の防止に適した半導体素子のコンタクトプラグの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a highly reliable semiconductor storage device which inhibits an influence of a shape of a micro trench formed in an element isolation region of a peripheral circuit part with adjusting a depth of the element isolation region of a memory cell array and the peripheral circuit part.
メモリセルアレイおよび周辺回路領域の素子分離領域の深さを調節しつつ、周辺回路部の素子分離領域に形成されるマイクロトレンチ形状の影響を抑制し、信頼性の高い半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - A plurality of isolation regions 316 extending in one direction are formed perpendicularly to the one direction on an insulation film 342 and a plurality of P type well regions 332 are formed to extend between respective isolation regions 316.
絶縁膜３４２上に、一方向に延在すると共に一方向の直行方向に並ぶ複数の素子分離領域３１６と、この複数の素子分離領域３１６の各々の間に延在する複数のＰ型ウェル領域３３２を形成する。 - 特許庁 - According to a manufacturing method of the element, the element isolation film which defines the active region on the semiconductor substrate defined the sell region is formed, the charge storing insulation film is formed on the whole surface of the semiconductor substrate in which the element isolation film is formed.
この素子の製造方法によると、セル領域が定義された半導体基板に活性領域を限定する素子分離膜を形成し、素子分離膜が形成された半導体基板の全面に電荷貯蔵絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - Therefore since the withstand voltage on the output side of the DC-DC conversion circuit is improved, and high voltage on the secondary side of an isolation transformer will not be applied to the primary side, even if dielectric breakdown occurs in an isolation transformer, and safety is improved also.
このため、直流直流変換回路の出力側の耐圧が向上でき、しかも、絶縁トランスに絶縁破壊が生じても絶縁トランスの２次側の高電圧が１次側に印加されることがないから安全性も向上できる。 - 特許庁 - This control device is provided with a means of storing the position of the base isolation device on the elevator device side, and is structured so that the operation of the elevator may be controlled based on the position and the running direction of the elevator car relative to the position of the base isolation device in the operation for emergency at the earthquake.
免震装置の位置をエレベータ装置側で記憶する手段を設け、地震時管制運転において免震装置位置に対するエレベータかごの位置や走行方向からエレベータ装置の運転を制御することができるようにした。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device employing a trench type oxide film 13 for isolation of a semiconductor substrate 12 in which surface planarity is enhanced by enhancing uniformity of polishing speed at the time of polishing an isolation oxide film 13a by a CMP method.
半導体基板１２の素子分離にトレンチ型分離酸化膜１３を用いた半導体装置において、分離酸化膜１３ａをＣＭＰ法で研磨する際の研磨速度の均一性を向上して表面平坦性の良好な半導体装置を得る。 - 特許庁 - The method for isolating the compound of the formula comprises: contacting a product mixture in a solid state comprising a trisaryl-triazine compound with a hydrocarbon solvent so as to produce an isolation blend; and filtering the isolation blend.
トリスアリール−トリアジン化合物を含有する固体形態の生成物混合物を炭化水素溶媒と接触させて単離用ブレンド物を生じさせ、そして該単離用ブレンド物を濾過することにより下記式の化合物を単離させる方法。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device with a superior element isolation property by making the impurity concentration in a semiconductor substrate below each element isolation insulation film sufficiently high, even if a semiconductor integrated circuit becomes shrunk, and also to provide a method of manufacturing the same.
半導体集積回路が微細化されても、各分離絶縁膜下の半導体基板中の不純物濃度を十分に高くすることができ、素子分離特性の優れた半導体装置およびその製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁 - To obtain the manufacturing method of a semiconductor device that manufactures a high-quality semiconductor device by equalizing the heights of each element isolation from the surface of a semiconductor substrate, when an insulating film is embedded in different depth grooves to form the device isolation.
深さの異なる溝に絶縁膜を埋め込んで素子分離を形成するに際して、各素子分離の半導体基板表面からの高さを均等とし、高品質の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を得ること。 - 特許庁 - To provide a base isolation guide device which reduces the cost compared with a base isolation guide device combining with only a curve guide device and exhibits a similar damping effect to the conventional one for vibrations in major directions of an earthquake.
曲線案内装置のみを組み合わせた免震案内装置と比較してコストを下げることができ、かつ地震時の主要な方向の振動に対して従来と同等の減衰効果を発揮させることが可能な免震案内装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming an element isolation layer which can contribute to reduction in device defect by easily making the height of the element isolation layer from the front surface of a semiconductor substrate to a prescribed value, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.
素子分離層の半導体基板表面からの高さを所定値に容易に合わせ込むことを可能とし、デバイス不良の低減に貢献できるようにした素子分離層の形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - When vibration isolation is executed, using the existing building, in which a substantially one-storied main building and an ancillary building as double layers are installed integrally, as an object, the foundation outer circumferential section 2a of the main building and the whole ancillary building are vibration-isolated and borne to the vibration isolation devices.
実質的に平屋建ての主建屋と複層の付属建屋が一体に設けられてなる既存建物を対象として免震化する場合、主建屋の基礎外周部と付属建屋全体を免震装置に免震支持せしめる。 - 特許庁 - To provide an expansion joint cover having less risk that the mounting part of a floor member is damaged or disengaged and difficult to return it to the original state even if a base isolation structure and a non-base isolation structure are relatively moved in the lateral direction during earthquake.
地震時において免震構造物と非免震構造物とが横方向に相対移動しても、床部材の取付部が破損したり、外れて元の状態に戻すことが困難となったりするおそれの少ないエキスパンションジョイントカバーを提供する。 - 特許庁 - To provide a technique, as to a semiconductor device which is formed on an SOI substrate and in which a periphery of an element region of a semiconductor layer constituting the SOI substrate is enclosed by element isolation, capable of preventing deterioration of reliability caused by the element isolation.
ＳＯＩ基板に形成され、ＳＯＩ基板を構成する半導体層の素子領域の周囲が素子分離により囲まれた半導体装置において、素子分離に起因する信頼度の低下を防ぐことのできる技術を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor substrate has the semiconductor substrate backside ground until the bottom of the element isolation region 14 is exposed after the semiconductor device is formed to make the semiconductor substrate 9 thin and to form the cavity in the element isolation region 14.
この半導体基板は半導体素子を形成後に半導体基板裏面を素子分離領域１４の底面が露出するまで研磨もしくはエッチングして半導体基板９を薄くすると共に素子分離領域１４内部を空洞にする。 - 特許庁 - Minimal manipulation refers to manipulation of cells in ways that do not affect their inherent biological properties, such as tissue isolation, tissue sectioning, isolation of human stem cells or differentiated cells, treatment with antibiotics, washing, sterilization by gamma rays or other means, freezing, and thawing.
最小限の操作とは、組織の分離、組織の細切、ヒト幹細胞又はヒト分化細胞の分離・単離、抗生物質による処理、洗浄、ガンマ線等による滅菌、冷凍又は解凍等の当該細胞の本来の性質を改変しない操作をいう。 - 厚生労働省 - To provide a vibration isolation structure which dispenses with a reappraisal of various designs, a change in basic structure, etc. by keeping vibration-proof performance good and making a level of a floor surface of a vibration isolation floor as low as a level of a general floor.
防振性能を良好に維持するとともに、防振床の床面の高さレベルを一般床の高さレベルと同等に低く抑えることで、各種設計の見直しや基本構造の変更等を伴わずに済むようにした防振構造を提供する。 - 特許庁 - In the semiconductor device, the sacrificial polymer whose heat resistant temperature is not less than 250°C and thermal decomposition temperature is not more than 500°C has the air isolation structure obtained by removing the sacrificial polymer from an air isolation structure precursor arranged between the metallic wirings.
耐熱温度が２５０℃以上、熱分解温度が５００℃以下の犠牲ポリマーが金属配線間に配置されたエアアイソレーション構造前駆体から該犠牲ポリマーを除去することによって得られるエアアイソレーション構造を有する半導体装置。 - 特許庁 - In an isolation region making contact with a P-type impurity layer P13 functioning as the drain region of a PMOS transistor QP1 in a Y-direction, an FTI structure is adopted.
ＰＭＯＳトランジスタＱＰ１のドレイン領域として機能するＰ型不純物層Ｐ１３にＹ方向で接する分離領域には、ＦＴＩ構造が採用される。 - 特許庁 - To provide a method for preventing an SOI layer from being bent in a process for making an isolation trench in an SOI substrate, and a semiconductor device formed by that method.
ＳＯＩ基板にトレンチ素子分離工程におけるＳＯＩ層ベンディングを防止する方法、およびその方法によって形成される半導体デバイスを提供する。 - 特許庁 - To provide a thermal isolation device designed to realize a reduction in heat transfer to fuel components, which leads to an improvement in the performance of the liquid fuel components.
燃料構成要素への熱伝達の減少を実現し、液体燃料構成要素の動作性能の向上につながるように設計された断熱装置を提供する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the circuit device, a first isolation trench 41 is formed on the surface of a conductive foil 40, and the conductive pattern to be formed is formed in a projected shape.
本発明の回路装置の製造方法では、導電箔４０の表面に第1の分離溝４１を設けて、形成予定の導電パターンを凸状に形成する。 - 特許庁 - To provide a micro relay in which the armature substrate is operated stably, spring constant can be freely established and the isolation characteristics to a pair of stationary contacts in the open condition is improved.
アーマチュア基板を安定動作させ、ばね定数を自由に設定できるようにし、開状態の一対の固定接点に対するアイソレーション特性を良くする。 - 特許庁 - To provide a vertical vibration control system being applicable to a base-isolated building having a three-dimensional base isolation structure and capable of reducing vibration, in particular, in the vertical direction effectively and properly.
３次元免震構造の免震建物に適用して、特に上下方向の振動を効果的に低減させ得る有効適切な上下制振システムを提供する。 - 特許庁 - This base isolation structure 18 includes the air layer 20 for supporting the structure 12 and a damping means 22 for reducing vibration in the vertical direction generated in the structure 12.
免震構造１８が、構造物１２を支持する空気層２０と、構造物１２に発生する上下方向の振動を低減する減衰手段２２とを有している。 - 特許庁 - A success is made in the isolation and identification of the GL5 gene associated with the elongation of the fruit (including the seed, glumous flower or fruit) of the plant body and, consequently an increase in yield by a linkage analysis.
連鎖解析により、植物体の子実（種子、頴花又は果実を含む）の伸長ひいては収量の増加に関するGL5遺伝子の単離・同定に成功した。 - 特許庁 - There are provided a method for isolation of CDR in a defined framework that is stable and soluble in a reducing environment as well as scFv obtained thereby.
還元環境において安定性かつ可溶性である規定されたフレームワーク内のＣＤＲの単離方法と同様に、そのようにして得られるｓｃＦｖが記載される。 - 特許庁 - Element isolation grooves 5 are formed in a wafer 1, using a chemical and mechanical polishing method, and thereafter impurities for adjusting the threshold voltages of MISFETs are introduced in the wafer 1.
化学機械研磨法を用いてウエハ１に素子分離溝５を形成した後、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧を調整するための不純物をウエハ１に導入する。 - 特許庁 - To provide a structure having the base isolation function, capable of reducing structural columns in a pilotis story, and capable of imparting a degree of freedom to a position of the structural columns in the pilotis story.
ピロティ階において構造柱を減数できると同時に、ピロティ階における構造柱の位置に自由度を付与できかつ免震機能をもつ構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device containing a high voltage transistor of SOI structure that suppresses a parasitic MOS transistor that may be generated in a semiconductor layer in the vicinity of element isolation insulating films.
ＳＯＩ構造の高耐圧トランジスタを含む半導体装置であって、素子分離絶縁膜近傍の半導体層に生じうる寄生ＭＯＳトランジスタを抑制する。 - 特許庁 - Thus, electrons are stored near the element isolation insulating film 14 in the second drift region 10, causing resistance in the second drift region 10 to be lowered.
これにより、第２ドリフト領域１０における素子分離用絶縁膜１４の近傍に電子が蓄積された状態となり、第２ドリフト領域１０の抵抗が下がる。 - 特許庁 - To provide a damper and a structure for vibration control, easy to install in a building and excellent in base isolation performance, eliminating damage to the beauty and convenience of the building.
特に建物への設置が容易で、かつ建物の美観と利便性を損なわない、免震性能のきわめて高い制振ダンパーおよび制振構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a base isolation device for enhancing a damping characteristic, by filling a filling material in a cavity part, by arranging the cavity part in laminated rubber of a hard plate and a soft plate.
硬質板と軟質板との積層ゴムに空洞部を設け、この空洞部に充填材料を充填することにより減衰特性を高めた免震装置を提供する。 - 特許庁 - Intermediate electrodes 4, which is made electrically floating, are provided in each of the element isolation, and vertical transfer electrodes 3 are provided in the vertical transfer regions 2.
各素子分離上には電気的にフローティングとされた中間電極４が設けられ、また垂直転送領域２上には垂直転送電極３が設けられる。 - 特許庁 - Since collector voltage of the power amplifier 102 in off state does not fall, deterioration in pass isolation of the power amplifier is reduced.
この構成では、Ｖｃｃ制御時にも、オフ中の電力増幅器１０２のコレクタ電圧が低下しないので、電力増幅器の通過アイソレーションの悪化を軽減できる。 - 特許庁 - In a p-type well 3 formed on a semiconductor substrate 100, an element isolation insulation film 4 is embedded in trenches 3 formed along the longitudinal direction of a bit line BL.
半導体基板１００上に形成されるｐ型ウェル２には、ビット線ＢＬの長手方向に沿って形成されたトレンチ３に素子分離絶縁膜４が埋め込まれている。 - 特許庁 - The solid-state imaging device has a floating diffusion region FD of the second conductivity type formed in a region isolated by the element isolation region 28 in the first semiconductor region.
第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型のフローティングディフージョン領域ＦＤを有する。 - 特許庁 - A tunnel oxide layer 102 and a first conductive layer 103 are formed in an active region on a semiconductor substrate 101, an element isolation structure 104 is formed in a field region.
半導体基板１０１上のアクティブ領域にトンネル酸化層１０２と第１導電層１０３を形成し、フィールド領域には素子分離構造１０４を形成する。 - 特許庁 - To provide a small-sized three-dimensional base isolation device excellent in the base isolating effect for vertical vibration transmitted from a substructure to a superstructure the in the damping effect to such vibration.
下部構造物から上部構造物に伝わる上下方向震動の免震効果とその震動減衰効果とに優れた小型の三次元免震装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a trigger device capable of fixing a building even when becoming different in the positional relationship before and after an earthquake in the building provided with a base isolation device.
免震装置を設置した建築物などにおいて、地震前後の位置関係がずれた場合においても、建築物などを固定することができるトリガー装置を得る。 - 特許庁 - The method for manufacturing a flash memory device comprises defining a plurality of parallel active regions, by forming element isolation films in a semiconductor substrate in an embodiment.
本発明のフラッシュメモリ素子の製造方法は、一実施形態で、半導体基板内に素子分離膜を形成して複数の平行な活性領域を限定することを具備する。 - 特許庁 - To prevent characteristics in a non-volatile semiconductor memory device from being deteriorated by an electromagnetic wave incident on an element isolation area in a plasma process out of manufacturing processes.
製造工程中のプラズマ工程において、素子分離領域に入射した電磁波が不揮発性半導体記憶装置の特性を劣化させるのを防止する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a (S)-5-substituted-5-hydroxy-3-oxopentanoate derivative by an industrially suitable simple method in a high optical purity and in a high isolation yield.
高い光学純度及び高い単離収率で、工業的に好適な簡便な方法によって、(S)-5-置換-5-ヒドロキシ-3-オキソペンタン酸エステル誘導体の製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide an elastomer composition excellent in workability and used for manufacturing a plug in a base isolation structure having sufficient damping performance, displacement follow-up capability and the like.
十分な減衰性能、変位追従性等を有する免震構造体用プラグの作製に用いられる、加工性が良好なエラストマー組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a base isolation type rail clamp device capable of safely absorbing external force vibration in a rail extension direction even if a work machine is in a runaway prevention state.
作業機械が逸走防止状態にあっても、レールの延在方向の外力振動を安全に吸収することができる免振型レールクランプ装置の提供を課題とする。 - 特許庁
