「In Isolation」を含む例文一覧(3114)
＜前へ 1 2 .... 16 17 18 19 20 21 22 23 24 .... 62 63 次へ＞- The base isolation bearing body 3 for the building is formed by foaming a synthetic resin material, and constituted in block shape provided with the slits 4 in the perpendicular direction.
さらに、合成樹脂材を発泡させて形成され、鉛直方向にスリット４が設けられたブロック状に建物の免震支承体３を構成する。 - 特許庁 - The top corner of the semiconductor 20 in the peripheral region is rounded, the first photo-resist is removed, and an element isolation film is formed in the first trenches 23 and 25.
ペリ領域の半導体基板２０のトップコーナーをラウンドさせ、第１フォトレジストを除去し、第１、第２トレンチ２３，２５内に素子分離膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a surface acoustic wave device, an electronic device and a communication device which are compact, superior in hermeticity, excellent in isolation, and highly reliable.
小型で気密性に優れ、アイソレーション性が良好で信頼性の高い弾性表面波装置、電子装置および通信装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide an effective and appropriate isolation unit that can be easily installed in a variety of facilities in the event of a pandemic and that can be easily dismantled, removed and disposed of.
パンデミック発生時に各種施設内に簡易に設置でき、かつ簡易に解体撤去，処分し得る有効適切な隔離ユニットを提供する。 - 特許庁 - An optical system (45) is equipped with the lenticular screen being a divergent element, for example, and changes the angular separation in the direction of the angle of visibility, for example, in order to enlarge the angular isolation.
光学系（４５）は、例えば、発散素子のレンチキュラスクリーンを備え、例えば、角度分離を拡大するために、視野角方向の角度分離を変更する。 - 特許庁 - To provide a particle in which the bonding amount of a target material to the particle is enlarged in separation or analysis of the target material and a magnetic isolation velocity is also high.
標的物質の分離、分析等に際して粒子への標的物質の結合量が大きく、かつ、磁気分離速度も速い粒子を提供すること。 - 特許庁 - To automatically optimize the local area ratio of an exposed part of an element isolation layer so that variations in temperature do not occur in a lamp anneal process.
ランプアニール工程において温度のばらつきが発生しないように素子分離層の露出部の局所面積率を自動的に最適化すること。 - 特許庁 - Accordingly, the planarity of the surface of a silicon oxide film embedded in an isolation groove is improved in the whole region of the dummy region FA.
これにより、分離溝内に埋め込まれた酸化シリコン膜の表面の平坦性をダミー領域ＦＡの全域において向上することができる。 - 特許庁 - Thereby, the planarity of the surface of a silicon oxide film embedded in isolation trenches can be improved in the entire area of the dummy area FA.
これにより、分離溝内に埋め込まれた酸化シリコン膜の表面の平坦性をダミー領域ＦＡの全域において向上することができる。 - 特許庁 - To manufacture a semiconductor device while suppressing reduction in an element isolation film formed using STI, in a wet etching step as much as possible.
ＳＴＩを利用して形成した素子分離膜がウエットエッチング工程により目減りすることを出来るだけ抑制しながら半導体装置を製造する。 - 特許庁 - In the compound semiconductor element, a first element isolation portion 9 reaching a buffer layer 2 from a surface of the element in the thickness direction of a substrate 1 is formed.
化合物半導体素子において、素子表面から基板１の厚さ方向にバッファ層２まで達する第１の素子分離部９を形成する。 - 特許庁 - A trench is formed by selectively etching the exposed semiconductor substrate, and a lower device isolation film having a groove in the upper sidewall is formed in the trench.
露出した半導体基板を選択的にエッチングしてトレンチを形成し、トレンチ内に上部の側壁にグルーブを有する下部素子分離膜を形成する。 - 特許庁 - The connection layer 5 is coupled to the fourth gate 3 and sixth gate 3, and at least its lower part is embedded in a recessed part 41 that is provided in the element isolation layer 21.
接続層５は、第４ゲート３と第６ゲート３とに結合し、少なくとも下部が素子分離層２１内に設けられた凹部４１に埋め込まれている。 - 特許庁 - To improve electric isolation among detection elements in the case that there are a plurality of the detection elements arranged in a radiation detector using a compound semiconductor.
化合物半導体を用いる放射線検出器において、検出素子を複数配列する際の検出素子間の電気的分離を改善する。 - 特許庁 - To provide a high frequency switching circuit in which excellent isolation can be ensured in two frequency bands while simplifying the configuration of a bias voltage application circuit.
バイアス電圧印加回路の構成を簡易にしつつ、２つの周波数帯において良好なアイソレーションが確保可能になる高周波スイッチ回路を提供する。 - 特許庁 - To provide a base isolation device capable of effectively absorbing vibration in the vertical direction as well as in the horizontal direction, and reducing the size of a rolling guide device to be inexpensive.
水平方向だけなく上下方向についても有効に振動を吸収し、転がり案内装置を小型化して安価に免震装置を提供する。 - 特許庁 - To improve the electrical characteristics and reliability of a non- volatile semiconductor device in which a silicon nitride layer is formed in the internal wall of an isolation trench.
素子分離用のトレンチの内壁に窒化シリコン層を形成した不揮発性半導体記憶装置の電気特性および信頼性を向上させる。 - 特許庁 - To provide an optical isolator having high isolation in a wide temperature range by absorbing the temperature dependence of a light rotation angle in a Faraday rotor.
ファラデー回転子における光の回転角の温度依存特性を吸収して、広い温度範囲で良好なアイソレーションを有する光アイソレータを提供する。 - 特許庁 - To shorten the reduction time of a metal oxide produced by reaction between oxygen contained in a nitrogen gas in an isolation chamber and a metallic oxygen-removing member.
隔離室内の窒素ガスに含まれる酸素と金属製の酸素除去部材とが反応して生成される金属酸化物の還元時間を短縮する。 - 特許庁 - The present invention provides the semiconductor integrated circuit device, having the Schottky barrier diode in which contact electrodes 11 are arranged over a guard ring 9, in contact with a peripheral element isolation region.
周辺の素子分離領域に接したガードリング９上に、コンタクト電極１１を配置したショットキー・バリア・ダイオードを有する半導体集積回路装置。 - 特許庁 - It is further possible to prevent the isolation of the off side terminal from deteriorating in the same way even in the case of providing a plurality of pin diode circuit blocks on the off side.
さらに複数のＰＩＮダイオード回路ブロックをオフ側に設けた場合であっても、同様にオフ側端子のアイソレーションを劣化させないことができる。 - 特許庁 - In the Edo period, exchanges with China continued through Nagasaki even in the state of national isolation, and strong trends to admire China remained among Confucian scholars.
江戸時代、鎖国の世にも長崎を通じて中国との交流は続き、儒学者などの間には中国崇拝の風潮が強く残っていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - To provide a manufacturing method of a flash memory element which can prevent generation of voids in formation of an element isolation film or in formation of an interlayer dielectric.
素子分離膜の形成時または層間絶縁膜の形成時にボイドの発生を防止することができるフラッシュメモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a vibration isolation structure of a viaduct capable of controlling oscillation frequency having about 20 Hz especially among vibrations generated in the case a car such as a train or the like goes through in the viaduct.
高架橋において、列車などの車両通過時に発生する振動のうち特に２０Ｈｚ前後の振動周波数を抑制すること。 - 特許庁 - The fluctuations of the back pressure in the buffer tank 5, which are attendant upon the advance/retreat operations of the ink in the flexible tubes 13 and 34, are absorbed by movement of the isolation member 20.
可撓性チューブ１３、３４内のインクの進退動に伴うバッファタンク５内の背圧の変動を隔離部材２０の移動により吸収する。 - 特許庁 - To obtain satisfactory isolation characteristic without sacrificing a radiation area in a composite antenna which operates in different frequencies and is suitably miniaturized.
異なる周波数帯で動作して小型化に好適な複合アンテナにおいて、放射面積を犠牲にすることなく良好なアイソレーション特性が得られるようにする。 - 特許庁 - An element isolation insulating film has a first height in a first region, whereas has a second height higher than the first height in a second region.
素子分離絶縁膜は、第１領域においては第１の高さを有する一方、第２領域においては第１の高さよりも高い第２の高さを有する。 - 特許庁 - In the base isolation damper 1 using together with the base isolation isolator 2 to protect the building from earthquake energy in the case earthquake occurs, the thickness around the center of a curve section of a damper body 5 of a lead column body or the like having the curve section in the middle part in the vertical direction is different from other parts.
免震用アイソレータ２と併用して地震発生時に建築物を地震エネルギーから保護する免震用ダンパー１において、上下方向中間部分に湾曲部を有する鉛柱体等よりなるダンパー本体５の上記湾曲部の中心付近の太さを、他の部分と異ならせたことを特徴とする。 - 特許庁 - In a nonvolatile semiconductor memory device, a first element isolation insulating layer in a memory cell region is configured by embedding a first oxide film in a first element isolation groove in the memory cell region, and the top surface of the first oxide film exists between the top surface of a semiconductor substrate and the top surface of a first gate electrode.
不揮発性半導体記憶装置は、メモリセル領域の第１素子分離絶縁層が当該メモリセル領域の第１素子分離溝内に第１の酸化膜を埋め込んで構成され、第１の酸化膜の上面が半導体基板の上面と第１ゲート電極の上面との間に存在するように構成されている。 - 特許庁 - In this base-isolation structure 1, an upper structure 4 is constructed through a base isolation device 6 in the head of a foundation pile 5 driven in the ground 2, a space 8 for maintenance is formed only in the periphery of the foundation pile 5 between the upper structure 4 and the ground 2, and the spaces 8 for maintenance are connected to each other by a connecting passage 9.
免震構造物１は、地盤２に打設された基礎杭５の頭部における免震装置６を介して上部構造４が構築され、該上部構造４と地盤２との間における基礎杭５の周囲にのみメンテナンス用空間８が形成され、該メンテナンス用空間８が連絡用通路９で連結されたものである。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device isolation structure that prevents a leak current due to inversion arising along the side wall of a device isolation film in an ultra-highly integrated device, and reduces a device RC delay owing to small capacitance in a trench.
本発明の目的は、超高集積素子で素子分離膜の側壁に沿って生じる反転によるリーク電流発生を抑制し、トレンチ内部にキャパシタンスが小さくして素子のＲＣ遅延を減少させた半導体素子の素子分離構造を提供すること。 - 特許庁 - In an nMOS, the plane of the source/drain region parallel to the gate width direction is brought into contact with an element isolation film into which a silicon nitride film is inserted, and the plane of the source/drain region in parallel to a gate length direction comes into contact with the element isolation film composed only of a silicon oxide film.
ｎＭＯＳにおいては、ゲート幅方向と平行なソース・ドレイン領域の面がシリコン窒化膜が挿入された素子分離膜と接し、ゲート長方向と平行なソース・ドレイン領域の面がシリコン酸化膜のみからなる素子分離膜と接している。 - 特許庁 - In addition, a capacitor C2, the primary coil W1 and the secondary coil of a voltage regulation transformer T1, the primary coil W3 of the isolation transformer T2, the primary coil W4 of the isolation transformer T3, and a capacitor C1 are connected in parallel with a high voltage battery.
また、高電圧バッテリ１０には、コンデンサＣ２，電圧調節用トランスＴ１の１次側コイルＷ１及び２次側コイル、絶縁用トランスＴ２の１次側コイルＷ３、絶縁用トランスＴ３の１次側コイルＷ４、及びコンデンサＣ１が並列接続されている。 - 特許庁 - There is provided a semiconductor device comprising a first element region, a second element region, and a first isolation region in a thin-film region TA1 and a third element region, a fourth element region, and a second isolation region in a thick-film region TA2.
薄膜領域ＴＡ１中に第１の素子領域、第２の素子領域および第１の分離領域を有し、厚膜領域ＴＡ２中に第３の素子領域、第４の素子領域および第２の分離領域を有する半導体装置を次のように製造する。 - 特許庁 - In another embodiment, the conductive elastomeric member is attached to a bracing member of the isolation valve and is brought into contact with a grounded component of the plasma processing system when the bracing member is deployed to hold the isolation valve door in place during substrate processing.
別の実施形態では、導電性エラストマー部材は、アイソレーションバルブの突っ張り部材に取り付けられ、この突っ張り部材が基板処理中にアイソレーションバルブドアを位置保持するように配置されたときにプラズマ処理システムの接地された要素に接触させられる。 - 特許庁 - To provide a base isolation rubber structure which can exert a required base isolation performance and load supporting, even with a light weight and a small number of laminating members, by making at least the modulus of elasticity in the vertical direction of a large part of a soft plate higher than the modulus of elasticity in the horizontal direction.
少なくとも大部分の軟質板の鉛直方向の弾性率を、水平方向の弾性率よりも高くして、軽量で積層部材点数が少なくても、所要の免震性能と荷重支持を発揮できる免震ゴム構造体を提供する。 - 特許庁 - In a system for sensing electrical signals within a living body, and specifically for tracking location of an object in the body using impedance measurements, an isolation circuit maintains isolation between the pacing and position sensing circuits, even while the heart is paced.
生体内の電気信号を感知するため、具体的には、インピーダンス測定を使用して、体内の物体の場所を追跡するためのシステムにおいて、分離回路は、心臓がペーシングされている間でさえも、ペーシングと、位置感知回路との間の分離を維持する。 - 特許庁 - To provide a cotter member for eliminating the necessity of disassembling and removing a horizontal restricting part constructed in an outer peripheral part of a building, when finishing base isolation forming work, while securing safety to an earthquake time load in the base isolation forming work of the building.
建物の免震化工事中の地震時荷重に対する安全性を確保すると共に、免震化工事終了時の建物の外周部に構築した水平拘束部を解体、除去する必要をなくすコッター部材を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a solar battery in which manufacturing steps are simplified by random reflecting a light collided to a bottom of a dielectric isolation silicon island to enhance a power generating efficiency, and to provide a method for manufacturing the dielectric isolation wafer for the solar battery.
誘電体分離シリコン島の底面に衝突した光を乱反射させて発電効率を高め、製造工程を簡略化する太陽電池および該電池用の誘電体分離ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In an end region surrounding the element region, a trench isolation film 31 is formed, and inside and outside of the trench isolation film 31 also, p-type semiconductor pillar layers 13A and n-type semiconductor pillar layers 14A are formed.
この素子領域を囲う終端領域にトレンチ絶縁膜３１が形成され、このトレンチ絶縁膜３１の内側及び外側にも、ｐ型半導体ピラー層１３Ａ及びｎ型半導体ピラー層１４Ａが記載されている。 - 特許庁 - In the LED array 100, element isolation regions 106 and the high-resistance substrate 102 isolate blocks 108 from each other, including the light emitting parts 110, thus realizing isolation of the semiconductor layer 104 into the blocks 108.
ＬＥＤアレイ１００では，素子分離領域１０６と高抵抗基板１０２とで発光部１１０を含むブロック１０８同士を相互に離隔することにより，半導体層１０４のブロック１０８への分離が実現されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which reduces stress concentration on a corner of a trench groove, can restrain generation of defect in the corner, and has an element isolation structure showing satisfactory element isolation characteristics; and to provide its manufacturing method.
トレンチ溝のコーナー部へのストレス集中を低減させ、該コーナー部における欠陥の発生を抑制することができ、十分な素子分離特性を示す素子分離構造を有する半導体装置と製造方法を提供する。 - 特許庁 - A well 21 for pn separation which has the opposite conductivity type from that of the collector well 22 is so formed in the silicon substrate 18 as to continuously surround the collector well 22, stretching over the entire distance between the first element isolation recess 20a and the second element isolation recess 20b.
コレクタ・ウエルと反対の導電型のｐｎ分離用ウエル２１が、第１の素子分離溝から第２の素子分離溝まで全間隔にわたり、ウエル・コレクタの周囲を連続して取り囲むようにシリコン基板に設けられている。 - 特許庁 - The p^+ isolation region 24 is so formed as to touch a p-type channel stopper region 21 formed on the surface of the first principal plane and a p-type collector layer 9 formed on the surface layer of the second principal plane in the isolation structure 120.
ｐ^+分離領域２４は、分離構造部１２０において、第１主面の表面に形成されたｐ型チャネルストッパー領域２１および第２主面の表面層に形成されたｐ型コレクタ層９に接するようにする。 - 特許庁 - In the device, the optical isolation device 11 has at least one opening 15, and the opening is provided, at least partially, at a predetermined angle other than zero with respect to the thickness of the optical isolation device 11.
この装置において光学的分離装置（１１）は少なくとも１つの開口部（１５）を有し、この開口部は少なくとも部分的に光学的分離装置（１１）の厚みに対して所定の、０以外の角度をなして設けられている。 - 特許庁 - To provide a solid state image sensor in which a signal is read easily, an element is isolated reliably by an element isolation part, and the number of saturation storage electrons of an N type photodiode is increased by a simple manufacturing process while minimizing a dark current generated from the element isolation part.
製造工程も簡易で、信号読み出しも容易であり、素子分離部により素子分離を確実に行い、素子分離部から発生する暗電流を抑制しつつ、Ｎ型フォトダイオードの飽和蓄積電子数を増加させる。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor device which has trench isolation, has a structure accumulating a charge in a part, suppresses fluctuation of a memory characteristic near an end of trench isolation and has a stable memory characteristic.
トレンチ分離を有し、局所に電荷を蓄積する構造の不揮発性半導体装置において、レンチ分離の端部近傍におけるメモリ特性の変動を抑制して、安定したメモリ特性を有する不揮発性半導体装置を実現する。 - 特許庁 - To form an isolation channel of stable quality with high yield, in the manufacture of a semiconductor device which includes a process for forming an isolation groove for dividing the active region on a semiconductor substrate.
本発明は半導体基板に活性領域を区分する分離溝を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、安定した品質を有する分離溝を高い歩留まりで形成することを目的とする。 - 特許庁 - The nonvolatile memory includes a substrate, isolation structures disposed in and protrudent over the substrate, floating gates as conductive spacers on the sidewalls of the isolation structures protrudent over the substrate, and a tunneling layer between each floating gate and the substrate.
不揮発性メモリは、基板と、基板に設けられ、その上に突き出た分離構造と、基板上に突き出た分離構造の側壁上にある導電性スペーサーとしての浮遊ゲートと、各浮遊ゲートと基板の間のトンネル層とを含む。 - 特許庁 - To provide a multilayered substrate with a built-in nonreciprocal circuit, in which isolation can be improved without enlarging the multilayered substrate in size when incorporating the nonreciprocal circuit in the multilayered substrate.
多層基板に非可逆回路を内蔵する場合に、多層基板を大型化することなくアイソレーションを向上させることが可能な非可逆回路内蔵多層基板を提供することを目的とする。 - 特許庁
- 特許庁
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