「In Isolation」を含む例文一覧(3114)

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  • Then the mask nitride film 150 and silicon oxide film 140 in the region of element isolation film to be formed are removed selectively through etching.
    次に形成すべき素子分離膜の領域のマスク窒化膜１５０及びシリコン酸化膜１４０をエッチングで選択的に除去する。 - 特許庁
  • By using a metal mask during the evaporation, the organic semiconductor layer 6 is formed only in necessary parts to perform element isolation.
    この蒸着の際に、メタルマスクを用いることによって、必要な箇所だけに有機半導体層６を形成し、素子分離を行う。 - 特許庁
  • A connector (24) receives the transformed data signal from the plurality of isolation transformers (22) in a pin order corresponding to the plurality of twisted-pair communication links (12).
    コネクタ(24)は、複数のツイストペア通信リンク(12)に対応するピン順序で複数の絶縁トランス(22)から変圧されたデータ信号を受け取る。 - 特許庁
  • However, it is possible to reduce the level of the noise by using PiN diodes having small isolation in an on mode as the respective PiN diodes 21 and 22.
    しかし、各ＰｉＮダイオード２１、２２として、ＯＮ時のアイソレーションが小さいものを使用すれば、上記ノイズのレベルを低減できる。 - 特許庁
  • To provide seismic isolation equipment capable of effectively decreasing the vibrations even in up-down direction which occurs during earthquakes or the like.
    地震時等に発生する上下方向の振動に対しても、これを効果的に低減化させることができる免震装置を提供する。 - 特許庁
  • In the isolation tank, you'll be freed from sensory distractions, and so the part of your brain which enables you to travel between universes should be more accessible.
    感覚遮断タンク内で 君は雑念から解放され─ 宇宙間の 移動能力を持つ 脳の部分に─ よりアクセス しやすくなるはず - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • She was very forthcoming, attributable primarily to her isolation at the time, and my promise that whatever she shared with me would be kept in the strictest confidence.
    とても協力的で それは主に 彼女が常に孤独だったことと 彼女が僕に話したことは 絶対に秘密にするという - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • In Japan where the administration was stabilized and which was isolated from foreign countries due to national isolation, a peaceful time lasted long, and its own culture developed again.
    政権が安定し、鎖国により外国と隔絶された日本では、平和な時期が長く続き、再び独自の文化が発達した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • When the long national isolation ended and the Meiji period started, many Japanese people emigrated to South America and North America as immigrants, and Japanese communities were established in various places.
    長い鎖国が解かれ、明治になると移民として南米へ、北米へと渡る者も多く、各地で日本人コミュニティが生まれた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The safe 1 is elevated, and moved to a desired place under the state, in which the earthquake-isolation base 2 is suspended from the underside of the safe 1.
    それから金庫１を上昇させて、免震台２を金庫１の下面から吊り下げた状態で、所望の場所に移動させる。 - 特許庁
  • To provide a base isolated building, simple in structure, and preventing excessive tensile force from being applied to a base isolation device when an earthquake occurs.
    地震時に免震装置に過大な引張力が作用するのを防ぐことができる簡単な構成の免震建築物を提供する。 - 特許庁
  • Highest position of the transmitting means 28 in the vertical direction is higher than the contact position of the transmitting means 28 and the isolation member 27.
    伝達手段２８の鉛直方向最高位置は、伝達手段２８と隔離部材２７との接触位置より上方に位置する。 - 特許庁
  • To form an element isolation insulating film so as to accumulate tensile stress by using a high-density plasma CVD method in an STI structure.
    ＳＴＩ構造において素子分離絶縁膜を、高密度プラズマＣＶＤ法を使って、引張り応力を蓄積するように形成する。 - 特許庁
  • The insulating sheet 14 has a conductive antenna 15 as a portion extended by a predetermined length in the isolation direction from the electric cable L.
    導電シート１４は、電線Ｌから離隔する方向に所定の長さだけ延長された部分である導電アンテナ１５を有する。 - 特許庁
  • To prevent dimples from being left on the surface of an isolation oxide film formed in a trench.
    トレンチに形成された分離酸化膜の上にディンプルが残存することを防止し得る半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The vibration control damper is installed as a vertical quake-absorbing mechanism which base-isolation supports structures in the vertical direction between a structure and a foundation.
    構造物と基礎との間に構造物を上下方向に免震支持するための上下免震機構として制振ダンパーを設置する。 - 特許庁
  • An island lower region with the same impurity concentration as a high concentration side isolation layer is formed in a lower part of an island region and a back gate is provided.
    高濃度側分離層と同じ不純物濃度をもった島下部領域を島領域の下部に形成し、バックゲートを与える。 - 特許庁
  • In the base isolation device 10, a measuring steel plate 110 is not deformed even if both ends of a laminate 100 in the lamination direction are relatively displaced in a direction perpendicular to the lamination direction.
    免震装置１０では、積層体１００の積層方向の両端を積層方向と直交する方向に相対変位させても、測定用鋼板１１０は変形しない。 - 特許庁
  • A diaphragm part 1 in which a detecting element (a p-n junction diode) D_j,_i is arranged is supported in an array isolation region 3 in a hollow state by a first support leg 2a and a second support leg 2b.
    検出素子（ｐｎ接合ダイオード）Ｄ_j,iを配置しているダイアフラム部１が、第１支持脚２ａと第２支持脚２ｂにより中空状態でアレイ分離領域３に支持されている。 - 特許庁
  • In a MOS type semiconductor device which makes an element separation by a trench element isolation region, in a pMOS, the length of the source/drain region in the channel direction is set to 1 μm or less.
    トレンチ型の素子分離領域によって素子分離がなされたＭＯＳ型半導体装置において、ｐＭＯＳにおいては、チャネル方向のソース・ドレイン領域の長さを1μｍ以下とする。 - 特許庁
  • To minimize trap phenomenon, in which charges are confined in an insulating layer on an element isolation structure, and prevent interference between bit lines, in the method for manufacturing flash memory device.
    フラッシュメモリ素子の製造方法において、素子分離構造上の誘電体層に電荷が閉じ込められるトラップ現象を最小限に抑えてビット線間の干渉を防ぐようにする。 - 特許庁
  • To provide a chemical mechanical polishing method for STI (shallow trench isolation) in which polishing speed in a convex part of a material to be polished is fast and slow in a recessed part, and a polishing face with high planarity is obtained.
    被研磨材の凸部分では研磨速度が高く、凹部分では研磨速度が低く、さらに、平坦性の高い研磨面とするためのＳＴＩ用化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁
  • A DC voltage is superimposed on an intercom circuit in standby mode in a CCU to isolate the DC voltage element from an intercom signal by using a power supply isolation circuit in a camera head, thereby operating an intercom circuit.
    CCU 内でスタンバイモードにおけるインターカム回線に DC 電圧を重畳させ、カメラヘッド部内の電源分離回路でインターカム信号から DC 電圧成分を分離させ、インターカム回路を動作させる。 - 特許庁
  • In this solid-state image sensing element, a part between the neighboring picture elements, in particular, a part between light receiving sensor parts 12 which are adjacent to each other in the vertical direction is isolated by an element isolation region 25 having trench structure.
    固体撮像素子において、隣接する画素、特に垂直方向に隣接する受光センサ部１２間がトレンチ構造による素子分離領域２５で分離されて成る。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device having an element isolation region suppressing expansion in a lateral direction in a deep region of a substrate, and decreasing size in a deep region relative to a shallow region.
    基板の深い領域における横方向の広がりを抑え、浅い領域より深い領域におけるサイズが小さくなる素子分離領域を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a vibration isolation apparatus which can increase only a spring constant in one direction among three orthogonal directions, while restraining an increase in the spring constants in two other directions.
    直交する３方向の内の２方向のばね定数の上昇は抑制しつつ、残りの１方向のばね定数のみを大きくすることができる防振装置を提供すること。 - 特許庁
  • An impurity region 17 is formed in the semiconductor substrate 11 under the element isolation region 12, and a diffusion layer 18 is formed in a surface region in the semiconductor substrate 11.
    素子分離領域１２下の半導体基板１１内には不純物領域１７が形成され、半導体基板１１の表面領域には拡散層１８が形成されている。 - 特許庁
  • To prevent generation of nonconformity of an irregularity in the threshold voltages of MISFETs within the surface of a wafer in a semiconductor device of a structure, wherein element isolation grooves are formed in the wafer using a chemical and mechanical polishing method.
    化学機械研磨法を用いて素子分離溝を形成する半導体装置において、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧がウエハ面内でばらつく不具合を防止する。 - 特許庁
  • The oscillating and supporting device forming of a single spherical seat 3 or an assembly of a plurality of base isolation devices inclined toward the imaginary center, is provided in one stage or in a multiple stage in the vertical direction.
    揺動支持装置を単一の球座３、あるいは仮想中心を向いて傾斜する複数の免震装置の集合体としてそれを１段あるいは上下に多段に設ける。 - 特許庁
  • To provide a base isolated building comprising an underfloor dressed body having a construction not damaged by a relative displacement in horizontal direction between a superstructure body and the ground without leakage of rain water, soil, sand or the like to an underfloor space, seismic isolation and bearing equipment having the underfloor dressed body, and a seismic isolation building equipped with its underfloor dressed body or seismic isolation bearing equipment.
    上部構造体と地盤との水平方向の相対変位により破損せず、床下空間に雨水や土や砂等が侵入しない構造の床下化粧体と、その床下化粧体を備えた建物の免震支承装置、及びその床下化粧体又は免震支承装置を備えた免震建物を提供する。 - 特許庁
  • To provide a base isolation structure capable of diminishing a load of floating-up force of an upper structure to a base isolation device based on a falling down direction rotation moment, reducing a tensile force in a superposing direction applied to the base isolation device, reducing a rocking of the upper structure and early damping the rocking even if the rocking is generated.
    転倒方向回転モーメントに基づく免震装置への上部構造物の浮き上がり力の負荷を小さくできて、免震装置に加わる積層方向の引っ張り力を低減でき、加えて、上部構造物のロッキングを低減できると共に、ロッキングが生じたとしても、早期にそれを減衰させることができる免震構造物を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a base isolation type safety against wind capable of preventing damage of a working machine and derailing of wheels by effectively exhibiting the function of a base isolation mechanism when lateral vibration intersecting the rails in the horizontal direction is applied to the working machine supporting a working machine main body on a traveling apparatus through the base isolation mechanism.
    走行装置上に免震機構を介して作業機械本体を支持した作業機械に対して、レールに水平に交叉する横方向の揺れが加わった場合に、前記免震機構の機能を効果的に発揮させることで、作業機械の損傷やレールからの脱輪を防止することができる免震型逸走防止装置の提供を課題とする。 - 特許庁
  • The semiconductor device includes an element isolation region 12 formed in a semiconductor substrate 10 and an active region 11 surrounded by the element isolation region 12, the fully silicided gate interconnection 19 formed on the element isolation region 12 and on the active region 11, and an insulating side wall 21 which continuously covers the side face of the gate interconnection 19.
    半導体装置は、半導体基板１０に形成された素子分離領域１２及び素子分離領域１２に囲まれた活性領域１１と、素子分離領域１２及び活性領域１１の上に形成され、フルシリサイド化されたゲート配線１９と、ゲート配線１９の側面を連続的に覆う絶縁性のサイドウォール２１とを備えている。 - 特許庁
  • This base isolation building 1 has a concrete foundation 2 fixed to and arranged in the ground by a pile, a base isolation device 5 composed of an isolator 4 containing a lead column 3, an office building 6 as an upper structure supported on the foundation 2 via the base isolation device 5, and the viscous system vibration damper 7 arranged between the foundation 2 and the office building 6.
    免震建物１は、地盤に杭等により固定されて設置されたコンクリート製の基礎２と、鉛支柱３入りのアイソレータ４からなる免震装置５と、免震装置５を介して基礎２上に支承された上部構造物としての事務所ビル６と、基礎２と事務所ビル６との間に配された粘性系の振動減衰装置７とを具備している。 - 特許庁
  • In this base isolation structure of the building 1 and the multistory parking garage 6 juxtaposed with the building 1, a base isolation device 4 is interposed between the building 1 and a foundation 3, the base isolation device 4 is also interposed between the multistory parking garage 6 and the foundation 3 to connect the top part of at least the multistory parking garage 6 and the building 1.
    建物１および建物１に併設された立体駐車場６の免震構造であって、建物１と基礎３との間に免震装置４を介装し、かつ立体駐車場６と基礎３との間に免震装置４を介装するとともに、少なくとも立体駐車場６の頂部と建物１とを繋いだことを特徴とする。 - 特許庁
  • After isolation grooves 4 are formed in the main surface of a semiconductor substrate 1S, an insulation film 6 having a thickness of not less than D+W/2, wherein D denotes the depths of the isolation grooves 4 and W denotes a minimum width of active regions surrounded by the isolation grooves 4, is deposited on the main surface by a high density plasma chemical vapor phase deposition method.
    半導体基板１Ｓの主面に分離溝４を形成した後、その主面上に、分離溝４の深さをＤ、その分離溝４により囲まれる活性領域の最小幅をＷとした場合に、Ｄ＋Ｗ／２またはそれ以上となるような厚さを持つ絶縁膜６を高密度プラズマ化学気相成長法により堆積する。 - 特許庁
  • To provide a vibration isolation foundation block capable of being simplified on the construction point only by uniformly setting vibration isolation blocks on the whole structure foundation lower part in the case execution of work is carried out and constructing such a structure that the equal base isolation is applied to the plane of the whole structure foundation.
    従来の免震装置では、環境に問題の有る産業廃棄物のゴム・合成ゴム・プラスチックの伸縮力とバネや流体圧及び土嚢効果のショック吸収力を複合利用して製造コストを下げ、施工を簡素化して構造物基礎全体の平面で均等免震を施す基礎ブロックの免震装置が無かった、これらの課題を解決する。 - 特許庁
  • To provide a base isolation device which facilitates tuning for making a long period of vibration while attaining the miniaturization of a device, eliminates the deviation in the base isolating direction as less as possible, uses the device itself as a foundation part, and directly constructs an object of the base isolation by unitizing a plural types of base isolation elements.
    複数種類の免震要素をユニット化することにより、装置の小型化を達成しつつ長周期化へのチューニングを容易にし、かつ、免震方向の偏りを極力無くすとともに、装置自体を基礎部として用いることができて、その上に免震しようとする対象物を直接構築することができる免震装置を提供する。 - 特許庁
  • In the cross-section along a region between word lines 8 and 8, a trench isolation oxide film 2 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1 and source liens 3a and 18a and bit lines 3b and 18b are formed in an element forming region between the trench isolation oxide films 2.
    ワード線８とワード線８とによって挟まれた領域に沿った断面において、半導体基板１の表面にトレンチ分離酸化膜２が形成され、そのトレンチ分離酸化膜２によって挟まれた素子形成領域にソース線３ａ、１８ａとビット線３ｂ、１８ｂが形成されている。 - 特許庁
  • In this semiconductor device formed in a semiconductor layer on an insulation film, the semiconductor layer is isolated by an inter-element isolation trench, and a side wall of the interelement isolation trench is provided with an anti-inversion layer comprising an impurity diffusion layer.
    本発明の半導体装置は、絶縁膜上の半導体層に形成された半導体装置において、前記半導体層が素子間分離溝によって分離され、前記素子間分離溝の側壁に不純物拡散層からなる反転防止層を有することを特徴とする - 特許庁
  • To provide the marine isolation method of carbon dioxide, which is applied to a ship towage system of a marine isolation technique for dissolving/diluting a large quantity of carbon dioxide in the intermediate layer of the ocean and in which carbon dioxide is dissolved by making effective use of the intermediate layer of the ocean being a specified discharge site.
    多量の二酸化炭素を海洋中層へ溶解希釈させる海洋隔離技術の船舶曳航方式に適用され、指定された放出サイトの海洋中層を有効に利用して二酸化炭素を溶解させる二酸化炭素海洋隔離方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a plain bearing for vibration isolation, which has excellent vibration-isolating performance while being able to be manufactured at a cost remarkably lower than the plain bearing for vibration isolation and in which height size can be inhibited in small size.
    積層ゴムを直列に付設した免震用滑り支承に迫る良好な免震性能を有する一方で、その種の免震用滑り支承より格段に安価に製造することができ、高さ寸法も小さく抑えることのできる免震用滑り支承を提供する。 - 特許庁
  • Thus the amount of the relative movement of the lower story 22 and the upper story 34 in the horizontal direction is restricted due to the deformations of the base isolation devices 26 beyond the predetermined value, the base isolation function can be exhibited in the estimated earthquake and strong wind, minimizing damage to the upper story 34.
    このように、免震装置２６が所定値以上変形して下層階２２と上層階３４との水平方向の相対移動量が規制されることで、想定した地震時や強風時等には免震機能が発揮されると共に、上層階３４の被害を最小限に抑えることができる。 - 特許庁
  • To fabricate a transistor in which reverse short channel effect does not take place by suppressing formation of a recess through etching of the sidewall part of an isolation pattern formed on a semiconductor pattern when a pad oxide film, a sacrifice oxide film, and the like, are removed by etching thereby solving the problem in an STI(shallow trench isolation) technology.
    パッド酸化膜、犠牲酸化膜等のエッチング除去時に半導体基板に形成した素子分離パターンの側壁部がエッチングされて窪みが形成されるのを抑制してＳＴＩ技術の課題を解決し、逆狭チャネル効果を生じないトランジスタの形成を可能にする。 - 特許庁
  • On an SOI substrate 64, elements such as MISFETs are provided in the element-forming region R1, and a trench element isolation 68 is formed reaching the insulation layer 62 penetrating the main-surface silicon layers 63 in the element isolation region R2.
    ＳＯＩ基板６４のうちで、素子形成領域Ｒ１に位置する部分にはＭＩＳＦＥＴなどの素子が設けられており、素子分離領域Ｒ２に位置する部分には主面側シリコン層６３を貫通して絶縁層６２に到達するトレンチ素子分離６８が設けられている。 - 特許庁
  • A vibration proof part (first-third vibration proof members 15a-15c) is sandwiched in the pressurizing direction of a pressurizing spring 23 between the mobile body 13 and the rotary ring 17, where vibration isolation around a center in the pressurizing direction is set higher relative to vibration isolation near both ends.
    さらに、移動体１３と回動環１７との間に加圧ばね２３の加圧方向において挟まれ、加圧方向に沿う方向における中心付近の防振性が、両端付近の防振性よりも相対的に高く形成されている防振部（第１〜第３防振部材１５ａ〜１５ｃ）を設ける。 - 特許庁
  • In an SOI layer 99 of an SOI substrate 100 having a buried oxide film 102, a first insulating isolation trench 109 is formed deep enough to reach the buried oxide film 102, and the IGBT is formed in an element region 103 insulated and isolated while enclosed with the first insulating isolation trench 109.
    埋め込み酸化膜１０２を有するＳＯＩ基板１００のＳＯＩ層９９に、埋め込み酸化膜１０２に達する深さまで第１絶縁分離トレンチ１０９を形成し、第１絶縁分離トレンチ１０９に取り囲まれて絶縁分離された素子領域１０３にＩＧＢＴを形成する。 - 特許庁
  • The element isolation insulating film adjacent to a first end at a memory string side of a dummy memory transistor is formed in the first region, and the element isolation insulating film adjacent to a second end of a selection transistor side of the dummy memory transistor is formed in the second region.
    ダミーメモリトランジスタのメモリストリング側の第１の端部に隣接する素子分離絶縁膜は前述の第１の領域に形成され、ダミーメモリトランジスタの選択トランジスタ側の第２の端部に隣接する素子分離絶縁膜は前述の第２の領域に形成されている。 - 特許庁
  • A plurality of trench isolation insulating films 4 are formed across an SOI layer 3 in the surface of the SOI layer 3 corresponding to the arrangement region of a spiral inductor SI in a resistance region RR, and resistors 30 are arranged on trench isolation insulating films 4, respectively.
    抵抗領域ＲＲにおいては、スパイラルインダクタＳＩの配設領域に対応するＳＯＩ層３の表面内にトレンチ分離絶縁膜４がＳＯＩ層３を間に挟んで複数配設され、各トレンチ分離絶縁膜４上に抵抗素子３０がそれぞれ配設されている。 - 特許庁
  • The equipment mount 61 on which supported equipment 30 is mounted is supported by a guide 64, and the guide 64 slides on a rail 66 which has a small coefficient of dynamic friction μ_2 in the direction of leaving the seismic isolation plate 11 and a great coefficient of dynamic friction μ_1 in the direction of approaching the seismic isolation plate 11.
    支援機器３０を搭載した機器搭載台６１は、ガイド６４に支持され、ガイド６４は免震台１１から離れる方向の動摩擦係数μ_２は小さく、免震台１１に近づく方向の動摩擦係数μ_１は大きいレール６６を摺動する。 - 特許庁
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