「In Isolation」を含む例文一覧(3112)

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  • To provide a semiconductor memory having a structure in which etching of an insulating film in an element isolation trench and etching of an insulating film in an alignment trench can be simultaneously conducted by using one mask.
    素子分離トレンチ内の絶縁膜のエッチングとアライメントトレンチ内の絶縁膜のエッチングとを、１つのマスクを用いて同時に行える構造の半導体メモリを提供する。 - 特許庁
  • In the manufacturing method, an intrinsic base diffusion layer 7 is formed in almost a central part of a semiconductor region 2 which is enclosed with an isolation insulation film 3 in a main surface of a semiconductor substrate 1.
    半導体基板１の主面において分離絶縁膜３に囲まれた半導体領域２の略中央部に真性ベース拡散層７を形成する。 - 特許庁
  • In a semiconductor memory device 70, each STI (shallow trench isolation) 2 is buried in a first main face (surface) of a semiconductor substrate 1, which is P-type silicon in a word-line direction.
    半導体記憶装置７０では、ワード線方向において、P型シリコンである半導体基板１の第１主面（表面）にＳＴＩ（シャロートレンチアイソレーション）２が埋設される。 - 特許庁
  • To form a transmission side filter and a reception side filter in one chip, and to ensure the isolation of the both filters in a necessary level in a surface acoustic wave branching filter.
    弾性表面波分波器において、送信側フィルタおよび受信側フィルタを１つのチップ内に形成すると共に、両フィルタ間のアイソレーションを必要程度確保する。 - 特許庁
  • (3) The base isolation device of Claim 2, wherein the order N has a N-value at the point of a coordinate (L, N) in a closed region where a plurality of points, shown in Fig.6, are joined via lines in sequence.
    （３）次数Ｎを、座標（Ｌ，Ｎ）にて、図６の複数の点を順次直線でつないだ閉領域内にある点のＮ値とした、（２）記載の免震装置。 - 特許庁
  • The term “monster” (design) shall be replaced by the term “design” when used both in isolation and in compounds in the following statutory provisions.
    「monster」(意匠)の語は，次の法令規定において単独で使われている場合又は他の用語と結合して使われている場合の両者を含め，「design」の語に置き換えられるものとする。 - 特許庁
  • To provide a surface acoustic wave branching filter in which a transmitting-side filter and a receiving-side filter are formed in one chip and isolation between both filters is ensured in a necessary level.
    弾性表面波分波器において、送信側フィルタおよび受信側フィルタを１つのチップ内に形成すると共に、両フィルタ間のアイソレーションを必要程度確保する。 - 特許庁
  • To provide a fabrication process of a semiconductor device in which formation of a recess in the periphery of the surface of an isolation film buried in a semiconductor substrate is controlled.
    半導体基板に埋め込まれた素子分離膜の表面周辺部に、窪みが形成されることを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • In a region 411, a body region is formed in a drain region 121 defined by an element isolation region, and an N-type source region is formed in the body region.
    領域４１１においては、素子分離領域により規定されるドレイン領域１２１にボディ領域が形成され、ボディ領域にＮ型のソース領域が形成される。 - 特許庁
  • In the surface of the filler for isolation 31, an arrangement is made in such a manner that the end parts of the floating electrodes 5 that are adjacent in the gate width direction are separated from each other.
    分離用充填材３１の表面において、ゲート幅方向に隣接する浮遊電極５の端部のそれぞれが互いに離間するように配置される。 - 特許庁
  • To control leak current flowing through a substrate in formation of a contact hole in a boundary region between an active region and an element isolation region in the substrate.
    基板の内部であって、活性領域と素子分離領域との境界領域にコンタクトホールが形成された場合に、基板に流れるリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁
  • Afterwards, Tonouchi was assassinated and Yuzan NEGISHI withdrew the group in the internal leadership struggle, and Iesato who left in isolation ran away from the group, but he was forced to commit Seppuku (ritual suicide by disembowelment) by Serizawa when he was hiding in Osaka.
    その後主導権争いで殿内は暗殺、根岸友山も脱退し、孤立し出奔した家里は、大阪にいたところを芹沢に切腹させられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • After an isolation groove 54 is formed in a conductive foil 60, a circuit component 52 is mounted in the conductive foil 60, and an insulating resin 50 is deposited in the conductive foil 60 as a support substrate.
    導電箔６０に分離溝５４を形成した後、回路素子５２を実装し、この導電箔６０を支持基板として絶縁性樹脂５０を被着する。 - 特許庁
  • To provide an elevator car capable of normally rising and lowering even if a guide rail erected in a shaft is inclined due to earthquake or the like in a section where a base isolation device is arranged in a building.
    昇降路に立設した案内レールが建物の免震装置配置箇所において、地震等により傾斜しても正常に昇降動作するエレベーターかごを得る。 - 特許庁
  • In a seismic isolation building comprising a foundation structure 1, a superstructure 2 and a seismic isolation layer 3 provided between them, a collar-shaped weight (counterweight 3a) resisting against the overturning moment received by the superstructure 2 is provided at a portion related to the outer periphery of the superstructure 2 near the seismic isolation layer 3.
    基礎構造１と、上部構造２と、これらの間に設けられる免震層３とからなる免震建物において、免震層３の近傍であって上部構造２の外周に係る部分において上部構造２が受ける転倒モーメントに対して抵抗する鍔状のおもし（カウンターウエイト３ａ）を備える免震建物である。 - 特許庁
  • A permanent magnet, a rupture plate, a coil spring, a rubber tube and an electromagnet are interposed as a deformation absorbing part between a base isolation part and a non-base isolation part, and are formed into a structure for deforming or separating an upper part and a lower part of the shutter in the earthquake, so as not to hinder the deforming capacity of the base isolation device.
    免震部分と非免震部分の間に変形吸収部として永久磁石や破断プレート、コイルバネ又はゴムチューブ、電磁石を介装し、地震時にはシャッターの上部と下部が変形又は分離する構造とすることで、免震装置の変形能力を阻害しないことが可能となる。 - 特許庁
  • The second isolation region 132 includes a trench 132a and a caulk 132b embedded in the trench 132a, and the structure caulk 132b is formed with an insulating film, thereby reducing an occupied area of the isolation region (second isolation region 132) on a surface of the n-type semiconductor layer where an element region is formed.
    第２分離領域１３２は、トレンチ１３２ａとトレンチ１３２ａに埋め込まれた充填材１３２ｂを有し、構造充填材１３２ｂを絶縁膜とすることで、素子領域が形成されるｎ−型半導体層表面の分離領域（第２分離領域１３２）の占有面積を縮小できる。 - 特許庁
  • To provide a vibration isolation structure of a damper and a mechanical chassis which can support further thinning of entire equipment without losing a vibration isolation characteristic, and more specifically, to provide a vibration isolation structure of a damper and a mechanical chassis which can restrain relative displacement in the vertical direction of the mechanical chassis against an exterior member.
    防振特性を損なうことなく機器全体の更なる薄型化に対応することができるようなダンパーとメカニカルシャーシの防振構造の提供、より具体的には外装部材に対するメカニカルシャーシの上下方向における相対変位を抑制できるダンパーとメカニカルシャーシの防振構造の提供。 - 特許庁
  • The LCD driver chip includes a first conductivity well formed in a substrate, a second conductivity drift region formed in the first conductivity well, a first element isolation film formed in the second conductivity drift region, a gate formed at a first side of the first element isolation film, and a second conductivity first ion implantation region formed in the second conductivity drift region between the first element isolation film and the gate.
    基板に形成された第１導電型ウェルと、前記第１導電型ウェルに形成された第２導電型ドリフト領域と、前記第２導電型ドリフト領域内に形成された第１素子分離膜と、前記第１素子分離膜の一側に形成されたゲートと、前記第１素子分離膜と前記ゲートの間の第２導電型ドリフト領域内に形成された第２導電型第１イオン注入領域を含む。 - 特許庁
  • To provide a reinforcing frame making the most of the constitution of building units being a minimum unit in production and execution work, being easy and inexpensive in design and production and increasing no construction cost of a base isolation building in the base isolation building by the unit buildings by a box rigid-frame structure.
    ボックスラーメン構造等によるユニット建物による免震建物において、生産・施工上の最小単位である建物ユニットの構成を生かし、設計・生産が容易で、安価で、免震建物の建築費を高騰させることがない補強架台を提供すること。 - 特許庁
  • For example, in base isolation work for providing an existing building 4 with a base isolation layer, in the case of supporting (temporarily bearing) the upper building frame structure 1 of the existing building 4 by the concrete support member 2, the release work for the support state can be executed simply, in a short time, efficiently and inexpensively.
    そして、例えば、既存建物４に免震層を設ける免震化工事等において、既存建物４の上部躯体構造物１をコンクリート製支持材２で支持（仮受け）する場合に、その支持状態の解除作業を簡単に単時間で効率良く安価に実施できるようにする。 - 特許庁
  • In chemical decontamination performing chemical decontamination of piping and components of reactor facility, a primary isolation valve 5 is provided in the decontamination object system and non-decontamination system to isolate, and back pressure is added from a water filling system 25 placed in the non-decontamination object side of the primary isolation valve 5.
    原子炉施設の配管および機器を対象とした化学除染を行う化学除染時に、除染対象系統と非除染対象系統に一次隔離弁５を設けて隔離し、この一次隔離弁５の非除染対象側に設けた水張り系統25から背圧を加える。 - 特許庁
  • In the vibration isolation support structure of the equipment 4 in which the equipment 4 generating vibration is mounted on the base 3 arranged on a structure body 1 via a vibration isolation member 2, the two kinds of the dynamic vibration absorber 5 without a damper and the dynamic vibration absorber 6 with a damper are installed in combination at the predetermined positions.
    構造体１上に防振材２を介して設けた架台３に振動を発する機器４を搭載して成る機器４の防振支持構造において、前記架台３に、ダンパー無し動吸振器５とダンパー付き動吸振器６の２種類の動吸振器５、６が所定位置に組み合わせて設置されている。 - 特許庁
  • In a NAND flash memory, the sides of an element isolation region 107 and the ends of an element region and floating gates 103 and 104 are formed in a self-aligned manner, and a part of the top of the element isolation region 107 is recessed to serve as a recess 111 in the mutual region of the adjacent floating gates.
    NAND型フラッシュメモリにおいて、素子分離領域107 の一対の側面部と素子領域および浮遊ゲート103,104 の各端部が自己整合状態で形成されており、隣接する浮遊ゲート相互間領域の素子分離領域の上面の一部が窪んで凹部111 となっている。 - 特許庁
  • The element isolation insulating film 132 is formed thicker than the element isolation insulating film 134, and in the n-type source side diffusion region 114, the peak concentration section having a highest impurity concentration is formed in a deeper position than in the n-type drain side diffusion region 112.
    ここで、素子分離絶縁膜１３２が素子分離絶縁膜１３４よりも膜厚が厚く形成され、ｎ型ソース側拡散領域１１４において、ｎ型ドレイン側拡散領域１１２よりも、不純物の濃度が最も高いピーク濃度部分が深い位置に形成されている。 - 特許庁
  • This base isolation device includes an isolator, which is interposed in a clearance δ in the vertical direction between an upper structure 3 and a lower structure 1, for base isolation and support of the upper structure 3, and the friction damper 20 which is interposed in parallel with the isolator, and damps horizontal vibration between the structures.
    上部構造体３と下部構造体１との間の上下方向隙間δに介装され、上部構造体３を免震支持するアイソレータと、前記アイソレータと並列に介装され前記構造体間の水平振動を減衰する摩擦ダンパー２０とを備えた免震装置である。 - 特許庁
  • To provide an elevator device for base isolation building in which a guide rail is elastically deformed in a section where both of a basic part building body and a base isolation building body oppose and relative positions of mutual guide rails are maintained when both of them are relatively displaced in the horizontal direction due to earthquake.
    基部建築体及び免震建築体の両者が地震等によって水平方向に相対変位したときに上記両者の対向箇所において案内レールが弾性変形すると共に、案内レール相互の相対位置が維持される免震建築用エレベーター装置を得る。 - 特許庁
  • To measure a delay time in the inside and outside of the device and facilitate problem isolation of the arrival and the delay state of a network.
    装置内部と外部の遅延時間が測定でき、ネットワークの到達性や遅延状況の問題切り分けを容易にする。 - 特許庁
  • The protective film is provided to the part where a gate electrode and a boundary region between the element isolation film and an element region are overlapped in plane.
    ゲート電極と、素子分離膜と素子領域との境界領域とが平面的に重なる部分に保護膜を設ける。 - 特許庁
  • A second insulating film 106 constituted of isolation films 106a, 106b is buried in an inside of the trench groove 105.
    トレンチ溝１０５の内部には、絶縁膜１０６ａ、１０６ｂとから構成される第２の絶縁膜１０６が埋め込まれている。 - 特許庁
  • In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.
    ｐ^+ 型シリコン基板１の上に、ｎ^- 型シリコン層２、ｎ^+ 型シリコン層３、ｎ^- 型シリコン層４が形成されている。 - 特許庁
  • To provide a process for fabricating a semiconductor device in which crystal defect to occur from an isolation region is reduced.
    素子分離領域から発生する結晶欠陥等の発生を低減するための半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Consequently, a depletion layer 20 spreading in the N-type region 4 is opposed to the resistance element 7 with the element isolation film 6 interposed.
    これにより、Ｎ型領域４内に広がる空乏層２０を、素子分離膜６を介して抵抗素子７と対向させる。 - 特許庁
  • There is provided a base isolation device 10 interposed in a vertical gap between the upper structure 1 and a lower structure 3 below the same.
    上部構造体１とその下方の下部構造体３との間の上下方向隙間に介装される免振装置１０である。 - 特許庁
  • To provide a nonvolatile semiconductor memory having stable element characteristics, and also a method of forming an STI (Shallow Trench Isolation) insulating film in the memory.
    安定した素子特性を有する不揮発性半導体メモリとそのＳＴＩ絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a control which operates multi inputs and multi outputs, enables non-vibratory vibration isolation control, and is tough in system fluctuation.
    多入力多出力を扱え、かつ非振動的な除振制御が可能であり、システム変動に頑強な制御を実現する。 - 特許庁
  • In the device, the sidewall surfaces of the element isolation insulating film are covered with the first and second semiconductor regions.
    更に、前記装置では前記素子分離絶縁膜は、前記第１及び第２半導体領域により側壁面が覆われている。 - 特許庁
  • An isolation layer for suppressing a leakage current is provided at least between a channel layer and a buffer layer formed under the channel layer in the buffer layer.
    チャネル層の下部に形成するバッファ層の少なくともチャネル層との間にリーク電流を抑制する分離層を設ける。 - 特許庁
  • Since the cascode amplifiers as unit amplifiers are connected in multi-stage, the isolation characteristic can be improved.
    このとき、単位増幅器としてのカスコード型増幅器が多段に設けられているので、アイソレーション特性を向上させることができる。 - 特許庁
  • To provide an antenna switching circuit device with an excellent isolation characteristic while suppressing an increase in the layout area to the utmost extent.
    レイアウト面積の増大を極力抑えつつ、良好なアイソレーション特性を有するアンテナスイッチ回路装置を提供する。 - 特許庁
  • The S/D sidewall 10 is provided while laying the circumferential edge thereof on the circumferential edge of the opening in an isolation region 3.
    Ｓ／Ｄサイドウォール１０は、その周縁を素子分離領域３の開口周縁上に重ねた状態で設けられている。 - 特許庁
  • Both edges of the detection part 14 in the direction extension of the gate electrode 15 are apart from the element isolation region 12.
    ゲート電極１５が延びる方向における検出部１４の２つの縁部は、共に、素子分離領域１２から離れている。 - 特許庁
  • To make a trench being filled easily with an isolation insulating material by etching in STI process.
    ＳＴＩ工程におけるＳｉのエッチング処理において素子分離のための絶縁物を埋込み易い形状の溝を形成する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a semiconductor optical integrated device, wherein variations in the element isolation resistance among individual elements can be reduced.
    個体間での素子分離抵抗のばらつきを抑えることができる半導体光集積素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • In this way, the prediction section 500 can predict an isolation point or the like for which prediction is difficult, and can efficiently code the data.
    これにより、位置依存予測部５００では予測が困難な孤立点などを予測し効率的に符号化することができる。 - 特許庁
  • To provide a method of forming alignment key in a method of forming well structure and a forming method of element isolation using it.
    ウェル構造の形成工程での整列キーの形成方法、及びそれを利用した素子分離形成方法を提供する。 - 特許庁
  • To lower reduction of film in a grooved element isolation region due to erosion within the regions, where area coefficients of active regions are different.
    活性領域の面積率の異なる領域におけるエロージョンによる溝型素子分離領域の膜減りを低減する。 - 特許庁
  • On a surface of the element isolation insulating film 2a, a plurality of groove-like recesses 2b are formed in a direction perpendicular to the word line WL.
    素子分離絶縁膜２ａの表面に、ワード線ＷＬと直交する方向に溝状の凹部２ｂを複数本形成する。 - 特許庁
  • The pulverized admixture is sorted out into a small amount of test sample for evaluation and a remaining admixture before concentration adjustment in the isolation step.
    分離工程で、粉砕した混合物から少量の評価用試料と残りの濃度調整前混合物とに分類する。 - 特許庁
  • To provide a selective peptide isolation method for identifying and determining quantitatively a protein in a complex mixture.
    本発明は、複合体混合物中のタンパク質の同定および定量的分析のための選択的ペプチド単離法を記載する。 - 特許庁
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