「In Isolation」を含む例文一覧(3112)

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  • This is a low frequency vibration base isolation bed in which substantially square metallic plates 1 are laminated and arranged at a plurality of steps and a gel material capable of forming a free shape at a normal temperature and provided with the shape return property is provided between the metallic plates 1 to constitute a base isolation device, and the base isolation device is provided in a leg part.
    略正方形の金属板１を複数段に積層配置し、該金属板１の間に、常温において自由な形状を取ることができ、かつ形状復帰性を具備したゲル材を介装させて免震装置を構成し、該免震装置を脚の部分に介装した低周波数振動免震ベッド。 - 特許庁
  • To provide a base isolation floor capable of preventing both amplification of vibration in a steel framed base and increase of vibration caused by the flexure of struts and capable of securely protecting various vibration- reluctant appliances installed on a floor member from vibration in an earthquake, because a sufficient base isolation effect can be obtained by the base isolation floor.
    鉄骨架台における振動の増幅および束の撓みに起因する振動の増加を共に防止することができ、よって免震装置による充分な免震効果を得ることができる結果、床材上に設置した各種の嫌振機器を地震時の振動から確実に保護することができる免震床を提供する。 - 特許庁
  • By connecting the primary winding of an isolation transformer 15 in parallel to a high-frequency AC voltage developing section, or a series circuit of an inductor 7 and the primary winding of the isolation transformer 8 in Fig. 1, the voltage full-wave rectified via diodes 13, 14 connected to the secondary side of the isolation transformer 15 is generated.
    高周波交流電圧が発生する部位、図１ではインダクタ７と絶縁トランス８の１次巻線との直列回路に、絶縁トランス１５の１次巻線を並列に接続することで、絶縁トランス１５の２次側に接続されたダイオード１３，１４を介して全波整流された電圧を発生させる。 - 特許庁
  • Earthquake load is inputted in the base isolation device 11 through the lower pile 2, the upper pile 3 and the holder 7, energy is absorbed by the base isolation device 11, the reduced earthquake load is inputted in the upper structure 15 from the base isolation device 11 through the foundation beam 16, and the vibration resulting from the earthquake of the upper structure 15 is controlled.
    地震力は下杭２、上杭３及び架台７を介して免震装置１１に入力され、免震装置１１によってエネルギーが吸収され、低減された地震力が免震装置１１から基礎梁１６を介して上部構造１５に入力され、上部構造１５の地震による揺れが抑制される。 - 特許庁
  • When the element isolation structures 2 and 3 are formed on wafers W1 to W4, the element isolation structures 2 and 3 are arranged in a direction deviating from a crystal surface azimuth and when the wafers W1 to W4 are composed of Si atoms respectively, the element isolation structures 2 and 3 are arranged in a direction other than the [100] direction.
    素子分離構造２、３をウェハＷ１〜Ｗ４に形成する場合、結晶面方位からずれた方向に素子分離構造２、３を配置し、ウェハＷ１〜Ｗ４がＳｉ原子からそれぞれ構成される場合、［１００］方向以外の方向に素子分離構造２、３を配置するようにする。 - 特許庁
  • In the process for fabricating a semiconductor device, a semiconductor substrate 101 having an isolation region 103 and a semiconductor region 102 entirely covering the isolation region 103 is prepared, one or a plurality of circuit elements 109 are formed in the semiconductor region 102, and the semiconductor substrate 101 is separated by the isolation region 103.
    半導体装置の製造方法であって、分離領域１０３と分離領域１０３の全体を覆う半導体領域１０２とを有する半導体基板１０１を準備し、半導体領域１０２に１又は複数の回路素子１０９を形成し、半導体基板１０１を分離領域１０３で分離する。 - 特許庁
  • An isolation dot detecting circuit 4 detects isolation dots in image data inputted to an LD control section 2 and a pulse width modulation circuit 6 increases the width of an LD drive pulse at the time of forming an isolation dot as compared with the pulse width per dot at the time of forming continuous dots.
    ＬＤ制御部２に入力する画像データの孤立ドットを孤立ドット検出回路４によって検出し、パルス幅変調回路６がその孤立ドットを形成する場合のＬＤ駆動パルスの幅を、連続ドットを形成させる場合の１ドット当たりのパルス幅より大きくする。 - 特許庁
  • To obtain a device for supporting a seismic isolation ball, which includes, inside the seismic isolation ball, an original position introductive restoring elastic stick for performing restoration to an original position by preventing a seismic isolation ball from rolling in an aseismic condition caused by high wind or the like and preventing a lightweight structure from swinging without employing an elastic force.
    平常時に免震球が強風等により転動することを、弾性力を用いずに防止して軽構造物等の揺動を防止し、免震球内に、原位置に復元させる原位置誘導復元弾性棒状体を備えた免震球支承装置を得る。 - 特許庁
  • To bring about an improvement on simplification of a method for computing base isolation characteristics to be provided for a base isolation device used for a building, improve a design method for the building provided with the base isolation device, and provide a method for standardizing the building in which spent nuclear fuel is temporarily stored.
    建築物に使用される免震装置が有するべき免震特性を算出する方法を簡易化する改良と、免震装置が設けられる建築物の設計方法の改良と、使用済み核燃料を一時的に貯蔵する建築物を標準化する方法の提供である。 - 特許庁
  • The coating liquid for element isolation material which is used to form an element isolation layer having a shallow trench isolation structure of a semiconductor device includes an insulating film forming precursor in which an alkoxysilane compound is hydrolyzed and condensed and a solvent for preparing the concentration of the insulating film forming precursor at a desired concentration.
    半導体装置のシャロートレンチアイソレーション構造の素子分離層の形成に用いられる素子分離材料用塗布液は、アルコキシシラン化合物が加水分解、縮合された絶縁膜形成前駆体と、絶縁膜形成前駆体の濃度を所望の濃度に調製する溶媒と、を備えている。 - 特許庁
  • Thus, at the portion lying between the NMOS forming region Rnm and the PMOS forming region Rpm in an oxide film 2 for an element isolation, the N/P-type well diffusion layer 12 is hardly formed, and the CMOS device that has a small element isolation width and a high isolation function is provided.
    したがって、素子分離用酸化膜２のうちＮＭＯＳ形成領域ＲnmとＰＭＯＳ形成領域Ｒpmとの間に位置する部分には、Ｎ／Ｐ型ウェル拡散層１２がほとんど形成されず、素子分離幅が小さく分離機能の高いＣＭＯＳデバイスが得られる。 - 特許庁
  • The depth of a trench isolation part 5 for isolating a photoelectric conversion element part 3 and a signal scanning circuit part 4 is set equal to 1/8-1/2 of the depth of a trench isolation part 7 for isolating between the elements by a peripheral circuit forming region 7 thus making the depth of the trench isolation part 5 in a pixel forming region 6 shallower.
    光電変換素子部３と信号走査回路部４とを分離するトレンチ分離部５の深さが、周辺回路形成領域７で素子間を分離するトレンチ分離部７ｃの深さの１／８〜１／２として、画素形成領域６のトレンチ分離部５の深さを浅くする。 - 特許庁
  • When constructing the base isolation building formed by interposing the base isolation device 4 between an upper structure 2 and a lower structure 3, the temporary steel column 30a is arranged in the ground, and a precast concrete pedestal block 5 is connected to a head part of the temporary steel column 30a, and the base isolation device 4 is placed on an upper surface of the block 5.
    上部構造２と下部構造３との間に免震装置４が介装されてなる免震建物を構築する際、地盤中に構真柱３０ａを設置し、プレキャストコンクリート製の台座ブロック５を該構真柱３０ａの頭部に接続し、該ブロック５の上面に免震装置４を載置する。 - 特許庁
  • To provide a locking device of a vibration isolation structure capable of protecting a building from an earthquake by fixing the building supported through a base isolation device to a foundation and, at the same time, releasing the fixation of the building and the foundation by automatically unlocking a lock in the case the earthquake occurs and efficiently operating the base isolation device.
    免震装置を介して支持された建物を基礎に対して固定化すると共に、地震発生時にはロックが自動的に外れて建物と基礎の固定を解き、免震装置を有効に作動させることで、地震から建物を保護することができる免震構造物のロック装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a sliding bearing for base isolation having base-isolation performance almost as good as that of sliding bearings for base isolation with pieces of laminated rubber arranged in series, and capable of being manufactured at much lower cost than those kinds of sliding bearings, with its height kept low.
    積層ゴムを直列に付設した免震用滑り支承に迫る良好な免震性能を有する一方で、その種の免震用滑り支承より格段に安価に製造することができ、高さ寸法も小さく抑えることのできる免震用滑り支承を提供する。 - 特許庁
  • To prevent a short-circuit and an increase in junction leakage current in a semiconductor device with a structure in which a part of a contact hole is disposed on an element isolation region.
    コンタクトホールの一部が素子分離領域上に配置された構造の半導体装置において、短絡及び接合漏れ電流の増大を抑制する。 - 特許庁
  • To provide a shunt switch in which isolation can be improved, and provide a semiconductor device, a module and electronic equipment in which that shunt switch is built-in.
    アイソレーションを向上させることの可能なシャントスイッチ、並びにそのシャントスイッチを内蔵した半導体デバイス、モジュールおよび電子機器を提供する。 - 特許庁
  • In this element, an active region 54 is defined by arranging a plurality of isolation films 52 and 53 in parallel at a constant interval in a specified region of a semiconductor substrate.
    この素子は、半導体基板の所定領域に複数の素子分離膜５２，５３が一定間隔に平行に配置されて活性領域５４を画定する。 - 特許庁
  • To enhance the durability of a partition in a vibration isolation device performing vibration damping not only in an axial direction but also in an axis orthogonal direction orthogonal to the axial direction.
    軸方向だけでなく、この軸方向と直交する軸直方向でも振動減衰する防振装置において、仕切隔壁の耐久性を向上させる。 - 特許庁
  • To effectively act a damping device for deformation generated in a base isolation layer in the horizontal direction and in the vertical direction at the same time.
    免震層に生じる水平方向及び上下方向に生じる変形に対し、これら両方向の変形に同時かつ有効に減衰装置を働かせる。 - 特許庁
  • To provide a small-sized high-performance directivity coupler which is excellent in isolation characteristic and directivity and in which insertion loss, the deterioration in the reflectivity, etc., are small.
    アイソレーション特性やダイレクティビティに優れ、挿入損失や反射特性の劣化などが少ない、小型、高性能の方向性結合器を提供する。 - 特許庁
  • To provide an in-line optical isolator in which insertion loss and deterioration in isolation are suppressed, even when amplified spontaneous emission (ASE) is returned from a fiber amplifier.
    ファイバーアンプから増幅自然放出光（ASE）が戻ってきても、挿入損失、アイソレーションの劣化が抑制されるインライン光アイソレータを提供する。 - 特許庁
  • During the period of national isolation few western clothes were available, and in the end of the Edo period, they were not so rare in Dejima island in Nagasaki (the sole trading spot with foreign countries).
    少数ながらも西洋の服飾は流通しており、江戸時代末期には長崎の出島などでは特別珍しいものではなかった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • In the first direction, the width of the element isolation insulating film between (m-1)th and m-th active areas is wider than the width of the element isolation insulating film between m-th and (m+1)th active areas.
    第１方向において、ｍ−１番目とｍ番目のアクティブエリアの間の素子分離絶縁膜の幅は、ｍ番目とｍ＋１番目のアクティブエリアの間の素子分離絶縁膜の幅よりも広い。 - 特許庁
  • To provide a method for forming an element isolation film for preventing a liner insulation film or the like from remaining on the sidewall of a conductive film for a floating gate in an etching process for performing the adjustment of effective field height of the element isolation film.
    素子分離膜の有効高調整を行うためのエッチング工程時、フローティングゲート用導電膜の側壁にライナ絶縁膜などを残留させない素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an elevator device for an intermediate base isolation building with no flexible strut unit required for supporting a guide rail connected between low/high floor part buildings, in the intermediate base isolation building.
    中間免震建屋において、低層部建屋と高層部建屋間に連結されるガイドレール支持用の可撓支柱体を必要としない中間免震建屋用エレベーター装置を提供すること。 - 特許庁
  • To achieve the control over the pressure or temperature of a reactor even in the occurrence of a reactor isolation event by making the amount of heat removed by a reactor isolation cooling system adjustable.
    本発明は、原子炉隔離時冷却設備の除熱量を調整可能とすることにより、原子炉隔離事象発生時にも原子炉の圧力または温度を制御することを目的とする。 - 特許庁
  • To provide a solid-state imaging apparatus that achieves sensitivity improvement and dark current reduction in an element isolation part by enhancing element isolation on a light irradiation surface side and reducing color mixing, and to provide a method of manufacturing the same.
    光照射面側の素子分離を強化して、混色を低減させ、感度向上、素子分離部の暗電流低減できる固体撮像装置、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a vibration-isolation device for a precision machinery having high horizontal and vertical vibration-isolation performance, and capable of obtaining high damping effect and miniaturizing the shape in the height direction.
    本発明は水平方向と垂直方向の防振性能に優れ、高いダンピング効果が得られると共に高さ方向の形状がコンパクトに出来る精密機械用防振装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • To realize a base isolation device capable of securing the safety even to unexpected strong earthquake motion while providing high base isolation effect (response acceleration reducing effect) in earthquake motion within the scope of design.
    設計対象とする地震動には高い免震効果（応答加速度低減効果）を提供しながら、且つ想定以上の強い地震動に対しても安全性を確保できる免震装置を実現する。 - 特許庁
  • The thickness of the protective layer 42 on at least part of the region without the isolation layer 44 is 0 or smaller than that of the protective layer 42 in the region with the isolation layer 44.
    絶縁層４４が存在していない領域の少なくとも一部における保護層４２の厚みは、０であるか、絶縁層４４が存在している領域における保護層４２の厚みよりも小さい。 - 特許庁
  • To provide a method for fabricating a semiconductor device in which isolation can be effected easily and surely by retarding formation of a void even if a trench becoming an isolation region is filled with an insulator.
    素子分離領域となる溝に絶縁物を充填してもボイドが形成されにくくすることで、容易且つ確実に素子分離を行うことを可能とした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Related to a method for manufacturing a flash memory, a low-voltage transistor part constituting a peripheral circuit goes through many etching processes, so an isolation oxide film 101a in that region is eroded for degraded isolation characteristics.
    フラッシュメモリの製造方法では、周辺回路を構成する低電圧トランジスタ部がエッチング工程を多く経るため、その領域の分離酸化膜１０１ａが浸食され、分離特性が悪くなっていた。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method for a semiconductor device which improves the flatness of the upper surface of an element isolation film and that of a conductive film when the conductive film is buried in the element isolation film.
    素子分離膜に導電膜を埋め込む際に、素子分離膜の上面及び導電膜の上面の平坦性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To achieve element isolation more securely while suppressing an increase in plane size of a semiconductor device when an element isolation region is shallower than a part of a low-concentration diffusion region nearby a gate electrode.
    素子分離領域が低濃度拡散領域におけるゲート電極近傍の部分より浅い場合に半導体装置の平面寸法の大型化を抑制しつつ素子分離をより確実に行う。 - 特許庁
  • The semiconductor substrate includes isolation regions, and the removing step includes a step of forming recesses in the isolation regions, and a step of removing at least a portion of the embedded sacrifice layer via these recesses.
    半導体基板は、分離領域を含み、そして除去するステップは、分離領域に凹部を形成するステップ及びこれらの凹部を介して埋め込み犠牲層の少なくとも一部分を除去するステップを含む。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a semiconductor device that suppresses generation of a crystal defect in a semiconductor substrate and forms an element isolation structure sufficiently exhibiting element isolation performance.
    半導体基板に結晶欠陥が発生することを抑制することができ、素子分離性能を十分に発揮する素子分離構造を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The present invention relates to the element isolation film manufacturing method of the semiconductor device; in particular, after removing a liner oxide film of a peripheral circuit region and oxidizing a liner oxynitride film, an element isolation film is formed.
    本発明は半導体素子の素子分離膜製造方法に関するもので、特に周辺回路領域のライナー酸化膜を除去してライナー窒化膜を酸化させたあと素子分離膜を形成した。 - 特許庁
  • In this case, the isolation region 301 is formed by using materials whose permeability is different from that of a pair of regions interposing the isolation region 301 between the first inductor 201 and the second inductor 202.
    ここでは、第１インダクタ２０１と第２インダクタ２０２との間にて、このアイソレーション領域３０１を挟む一対の領域とは、異なる透磁率の材料を用いて、アイソレーション領域３０１を形成する。 - 特許庁
  • An isolation process including separation of crystals or the whole process including the isolation process can be at most shortened and simplified, thus highly pure reduced coenzyme Q_10 can be obtained in a high yield.
    また、結晶分離を含む単離プロセス、あるいは、その単離プロセスを含む全プロセスが最短化、且つ、簡便化でき、高純度の還元型補酵素Ｑ_１０を高収率で得ることができる。 - 特許庁
  • In a capacitor forming region 1B, an active region 7b is formed between element isolation regions 6 and a capacitor 20 is formed on the element isolation region 6 and the active region 7b.
    キャパシタ形成領域１Ｂにおいて、素子分離領域６の間に活性領域７ｂが設けられており、素子分離領域６および活性領域７ｂ上にキャパシタ２０が形成される。 - 特許庁
  • A first isolation layer 140, a sacrifice layer 160 and a second isolation layer 180 are successively provided on the surface, and the shallow trench tank provides a semiconductor substrate formed in the semiconductor board 100.
    表面上に順に第１遮断層１４０、犠牲層１６０及び第２遮断層１８０が備わり、浅溝槽が半導体基板１００中に形成されている半導体基板を供する。 - 特許庁
  • The interconnection film 3 for series connection is formed through an insulating film on the isolation trench provided substantially in flush with the surface of the semiconductor lamination portion while holding the isolation trench therebetween.
    直列接続のための配線膜３を、分離溝を挟んで半導体積層部の表面が実質的に同一面になるように設けられたその分離溝上に、絶縁膜を介して形成する。 - 特許庁
  • The DLL isolation load program execution part 253 executes the code mounted on the encrypted library 105 in the isolation area according to the instruction, and reports the execution result to the DLL using program execution part 251.
    ＤＬＬ隔離ロードプログラム実行部２５３は、指示に従って隔離領域で暗号ライブラリ１０５が実装するコードを実行し、当該実行結果をＤＬＬ利用プログラム実行部２５１に通知する。 - 特許庁
  • P-type collector layers 7 extending from the surface of N-type layers 5b to the inside thereof are formed in each of the N-type layers 5b composed of the N-type epitaxial layer 5 surrounded by the P-type drain isolation layer 6 and a P-type element isolation layer 3.
    Ｐ型ドレイン分離層６とＰ型素子分離層３に囲まれたＮ型エピタキシャル層５からなるＮ型層５ｂにその表面から内部に延在するＰ型コレクタ層７を形成する。 - 特許庁
  • To provide a method of fabricating a flash memory device which facilitates the etching process of a device isolation film to be executed after gate patterning by lowering the height of the device isolation film formed in a peripheral region.
    周辺領域に形成される素子分離膜の高さを下げるように形成して、ゲートパターニング後に実施する素子分離膜のエッチング工程を容易にするフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an oscillation output switching device which suppresses isolation performance requested from a switch lower than in the conventional practice and reduces a cost needed for the switch by enhancing isolation between two VCOs.
    ２つのＶＣＯ間のアイソレーションを高めることにより、スイッチに要求するアイソレーション性能を従来よりも低く抑えて、スイッチにかかるコストを低減する発振出力切替装置を提供する。 - 特許庁
  • A clearance of about 0.2 mm as a diameter is provided between an outside diametric part of the holder main unit 20 and an inside diametric part 53 of the vibration isolation member 50, and a groove 56 is formed in the inside diametric part of the vibration isolation member.
    ホルダ本体２０の外径部と防振部材５０の内径部５３との間には、直径で０．２ｍｍ程度の間隙が設けられ、防振部材の内径部には溝５６が形成される。 - 特許庁
  • This damper for base-isolation for decreasing an earthquake energy at an earthquake, used together with an isolator for base-isolation, is characterized in that a damper body comprises a curved board-state body made of metal.
    免震用アイソレータと併用して地震発生時の地震エネルギーを減少させる免震用ダンパーにおいて、ダンパー本体を金属等よりなる湾曲した板状体で構成したことを特徴とする。 - 特許庁
  • To provide a vibration isolation unit in which an assembled imaging device is detached and reused, a photographing unit equipped with the vibration isolation unit, and a photographing device equipped with the photographing unit.
    組み込まれた撮像素子を取り外して再利用することができるようにした防振ユニット、その防振ユニットを備えた撮影ユニット、およびその撮影ユニットを備えた撮影装置を提供する。 - 特許庁
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