「In Isolation」を含む例文一覧(3114)
＜前へ 1 2 .... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 .... 62 63 次へ＞- A heating operation is performed, an exfoliation in the second isolation layer is induced, and the second substrate is detached.
次に加熱することにより、前記第２の分離層における剥離を誘起し、前記第２の基板を脱離させる。 - 特許庁 - In addition, a damage of a source/drain region or an element isolation region due to etching can be minimized.
これに加えて、ソース／ドレイン領域又は素子分離領域に対するエッチング損傷も最小化することができる。 - 特許庁 - An element isolation part is provided between active areas in which the plurality of memory cells and the peripheral circuit part are formed, respectively.
素子分離部は、複数のメモリセルおよび周辺回路部が形成されるアクティブエリア間に設けられている。 - 特許庁 - A semiconductor substrate SUB includes a major surface in which a trench TR for element isolation is provided.
半導体基板ＳＵＢは、主表面を有し、その主表面に素子分離用のトレンチＴＲを有している。 - 特許庁 - An N-well 11 and a P-well 12 in the receiver circuit are partitioned with an element isolation insulating film 13.
受信回路内のＮウェル１１及びＰウェル１２が素子分離絶縁膜１３により区画されている。 - 特許庁 - To provide a fine flash memory with high integration, superior in element isolation capability, and with small parasitic resistors and capacitances.
微細、高集積で、素子分離能力に優れ、寄生抵抗、容量の小さいたフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a rolling bearing type base isolation device excellent in rust prevention function and capable of always smoothly moving.
防錆機能に優れていて、常に円滑に運動が可能な転がり支承型免震装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a locking device for a base isolation building superior in operation reliability and capable of providing a sufficient locked state.
動作信頼性に優れ、充分なロック状態を得ることができる免震建物のロック装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an abrasive which improves the polishing selection ratio of silica and silicon nitride, in a shallow trench isolation process.
シャロートレンチアイソレーションプロセスにおいて、シリカおよび窒化ケイ素の研磨選択比を改善した研磨材を提供する。 - 特許庁 - A temperature sensor 70 is disposed in an isolation wall space surrounded at both sides with the two straight-angle wires 34, 64.
温度センサ７０は、この２つの平角線材３４，６４で両側を囲まれた離間壁空間に配置される。 - 特許庁 - An upper face of the element isolation insulating layer 33 is positioned in a level lower than an upper face of a floating electrode layer 32.
素子分離絶縁層３３の上面は、浮遊電極層３２の上面よりも低い高さに位置する。 - 特許庁 - To achieve a semiconductor device having structure that prevents the generation of voids in an element isolation film of a fin transistor.
フィントランジスタの素子分離膜中にボイドが発生しにくい構造の半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁 - In the toner having the mother particle circularity of ≥0.95, the isolation ratio of additive agent is set to be 3 to 10%.
母粒子円形度が０.９５以上のトナーにおいて、外添剤遊離率が３〜１０％に設定されている。 - 特許庁 - To provide an analog isolation circuit in which an analog signal can be insulated by a simple circuit using general components.
一般部品を使用して簡易な回路でアナログ信号を絶縁できるアナログ・アイソレーション回路を提供する。 - 特許庁 - In one aspect, a mixer for improving isolation between an inputted oscillator and the mixing cell is provided.
１つの態様では、入力される発振器と混合セルとの間の分離を改善するミキサが提供される。 - 特許庁 - To form a device isolation structure having proper semiconductor device characteristics, in a manufacturing method for the semiconductor device.
半導体装置の製造方法に関し、半導体素子の特性が良い素子分離構造の形状を形成する。 - 特許庁 - The element isolation region 141 is formed in a device region A1 to which a first drive voltage is supplied.
素子分離領域１４１は、第１の駆動電圧が与えられるデバイス領域Ａ１に形成されるものである。 - 特許庁 - In this structure, the titanium silicide film 40 is not formed on the entire edge portion of the element isolation insulating film 2.
前述の構成において、素子分離酸化膜２のエッジ部全体にチタンシリサイド膜４０が形成されていない。 - 特許庁 - The slots are alternately arranged, and isolation of the fluid core part and an outer circumferential fluid in commutation is maintained.
このスロットは食い違いに配置されて、転流中の流体芯部と外周流体の隔離を維持する。 - 特許庁 - An element isolation film 14, which partitions a stripe-form element formation area 12, is buried in a silicon substrate 11.
シリコン基板１１にストライブ状の素子形成領域１２を区画する素子分離絶縁膜１４が埋め込まれる。 - 特許庁 - Also, a necking portion is formed in the end portion, at a first element activating region side of the element isolation insulating film 313.
素子分離絶縁膜３１３の前記第１の素子活性領域側の端部にくびれ部が形成されている。 - 特許庁 - To provide a vertical base isolation unit reducible in size and adaptable to a change of mounting load.
小型化が可能で、かつ搭載荷重の変動に対応できる上下免震ユニットを提供することを目的とする。 - 特許庁 - Plate-like parts are respectively defined for each element isolation trench in a position adjacent to the gate groove part.
上記ゲート用溝部に隣り合う位置での素子分離用トレンチ毎にてプレート状部がそれぞれ規定される。 - 特許庁 - An improved leaf spring with a caster for base isolation, which can cope with shakes in any direction, is installed between a foundation and a sill.
あらゆる方向の揺れに対処する耐免震キャスター付改良板バネを基礎と土台の間に設置する。 - 特許庁 - A RESURF (reduced surface field) isolation region is demarcated by a p-impurity region 3 in an n^--semiconductor layer 2.
ｐ不純物領域３によってｎ^−半導体層２内にＲＥＳＵＲＦ分離領域が区分されている。 - 特許庁 - To provide a damper material for a base isolation device which is excellent in damping effect and effective as a substitute damper material for lead.
制振効果に優れ、鉛代替のダンパー材料として有効な免震装置用ダンパー材料を提供する。 - 特許庁 - To provide a thin film solar cell that stably secures insulated breakdown voltage necessary in an insulating isolation region.
絶縁分離領域において必要な絶縁耐電圧を安定して確保できる薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁 - An element isolation insulating film 2 is formed on the semiconductor substrate 1 in Fig.(a), and a gate insulating film 6 is deposited.
図１（ａ）で半導体基板１の上に素子分離絶縁膜２を形成後、ゲート絶縁膜６を堆積する。 - 特許庁 - To constitute the structure of a ceiling section and a wall section in a simple structure while displaying a seismic base isolation function.
免震機能を発揮できながら、天井部や壁部の構造を簡単なものに構成できるようにする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which can be improved in element isolation breakdown voltage, and to provide a method of manufacturing the same.
素子分離耐圧を向上させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Therefore the width of the sheet dedicated to asbestos isolation falls in the range of 2,120 to 2,270 mm that is equal to one Ken (1,820 mm) plus about 300 to 450 mm.
石綿隔離専用シートの幅は、例えば、一間幅に約300mm〜450mmを加えた約2120mm〜2270mmの幅を有する。 - 特許庁 - Afterwards, the national isolation completely ended after the conclusion of "The Treaty of Amity and Commerce between the United States and Japan" in 1858.
その後、1858年の日米修好通商条約の締結によって鎖国は完全に幕を閉じたのである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - When the lid is held closed, the vibration isolation processing in the vertical direction and the horizontal direction are executed (S416 and S418).
蓋が閉じられている場合、縦方向および横方向の防振処理を実行する（Ｓ４１６、Ｓ４１８）。 - 特許庁 - To reduce variations in transistor characteristics of an MOS transistor that is formed on an SOI substrate and has a mesa isolation structure.
ＳＯＩ基板上に形成されたメサ分離構造のＭＯＳトランジスタのトランジスタ特性のバラツキを低減する。 - 特許庁 - An element isolation film 103a is formed in a prescribed region of the semiconductor layer to limit an active region.
半導体層の所定領域には素子分離膜１０３ａが形成されて活性領域を限定する。 - 特許庁 - The rail support beam and the guide rail are mutually connected by a connection member 15 in a section corresponding to the base isolation device 3.
レール支持梁とガイドレールは免震装置３に対応する箇所で連結部材１５により連結されている。 - 特許庁 - In a test mode, the isolation unit isolates the two areas, and a test voltage is supplied from the voltage supply line.
テスト時に、分離部で２つの領域を分離し、電圧供給線からテスト用の電圧を供給する。 - 特許庁 - In one embodiment, the isolation circuitry couples each signal line of the common bus to the connector comprises an inline resistor RD.
一実施例において、分離回路は、共通バスの各信号線をインライン抵抗RDを含むコネクタに接続する。 - 特許庁 - To make easy an element isolation step in a manufacturing method of a semiconductor element formed of a group III nitride semiconductor.
III 族窒化物半導体からなる半導体素子の製造方法において、素子分離工程を容易とすること。 - 特許庁 - To suppress parasitic capacitance in a semiconductor device having a capacitor formed on an element isolation insulating film.
素子分離絶縁膜上に形成されたキャパシタを有する半導体装置において、寄生容量を抑制すること。 - 特許庁 - This periodic structure can prevent resonance in the package to prevent deterioration of the isolation between ports.
この周期構造により、パッケージ内の共振を防止でき、ポート間のアイソレーションの劣化を防止することができる。 - 特許庁 - To provide low dielectric constant insulating materials for electrical isolation in high-density ICs.
高密度集積回路における電気的アイソレーションのための低誘電率を有する絶縁材料を提供する。 - 特許庁 - The vibration isolation device 1 is fitted so that main faces 11 of the bearing plates 10 and 10 may be oriented in right and left directions of the rammer, respectively.
防振装置１は各支持プレート１０の主面１１がランマーの左右方向に向くように取り付ける。 - 特許庁 - To provide an isolation insulator with a low noise used for a current collecting device of a railway vehicle in a high speed traveling.
高速走行する鉄道車両の集電装置に用いられる低騒音の絶縁碍子を提供する。 - 特許庁 - The vibration isolation means (8) is composed of two vibrating parts (30) which are movable in parallel with each other.
本発明では振動絶縁手段（８）を，互いに平行に移動可能な2個の振動部分（３０）で構成する。 - 特許庁 - Element isolation insulating films 4 are buried in a silicon substrate 1 so as to demarcate stripe-like element forming regions 2.
シリコン基板１にストライブ状の素子形成領域２を区画する素子分離絶縁膜４が埋め込まれる。 - 特許庁 - To provide a negative resist composition excellent in isolation (resolution) particularly when an electron beam or X-ray is used.
特に電子線またはＸ線の使用に対して孤立性が優れるネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a base isolation pile requiring no drilling of an insertion hole in the pile and its work execution method.
杭の挿入穴を掘削する必要のない免震杭およびその施工方法の提供を目的とする。 - 特許庁 - To provide a technique by which an insulating film can be buried satisfactorily in the element isolation groove, wiring-to-wiring space, etc., of a substrate.
基板の素子分離溝や配線間スペースなどに絶縁膜を良好に埋め込む技術を提供する。 - 特許庁 - To provide an LNB which is improved in isolation and shield performance and also has cost advantages.
アイソレーションおよびシールド性能を改善すると共に、コストメリットのあるＬＮＢを提供することを目的としている。 - 特許庁
- 特許庁
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