「In Isolation」を含む例文一覧(3112)

＜前へ 1 2 .... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 .... 62 63 次へ＞
  • A device-isolation insulating region formed in a surface layer of a semiconductor substrate demarcates an active region.
    半導体基板の表層部に形成された素子分離絶縁領域が活性領域を画定する。 - 特許庁
  • To provide an active sound isolation panel excellent in cost and easy controllability and having versatility and high practicality.
    コストや易制御性に優れ、汎用性及び実用性の高い能動型遮音パネルを提供する。 - 特許庁
  • In the element isolation region of an SOI substrate 1, an STI 10 is formed inside the silicon layer 4.
    ＳＯＩ基板１の素子分離領域において、シリコン層４内にはＳＴＩ１０が形成されている。 - 特許庁
  • An isolation region is formed in a substrate including at least an upper side layer of a single crystal semiconductor.
    少なくとも単結晶半導体の上側層を含む基板内に分離領域が形成される。 - 特許庁
  • After the isolation, a cleaning device finally cleans the ITO surface of the substrate G in the treatment vessel PM1.
    遮断後、クリーニング装置は、処理容器ＰＭ１内にて基板ＧのＩＴＯ表面を最終クリーニングする。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device comprising a device isolation structure in place of an STI that is a factor of stress.
    ストレスの原因となるＳＴＩに代わる素子分離構造を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device in which the isolation region has no void nor recess at the upper end of a trench.
    ボイドやトレンチ上端に窪みを持たない素子分離領域を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device in which the depth of an element isolation region is adjusted for each of different element formation regions such as a contact region, selective gate region, and memory cell region, for easy embedding of an insulating film for each element isolation region, resulting in improved reliability in electrical characteristics of element isolation regions.
    コンタクト領域、選択ゲート領域及びメモリセル領域等の異なる素子形成領域毎に素子分離領域の深さを調整して、素子分離領域毎に絶縁膜の埋め込みを容易にし、各素子分離領域の電気的特性の信頼性を向上する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • Moreover, the gel material of the base isolation device interposingly provided in the leg part of the bed is provided with the self-adhesion performance.
    また、ベッドの脚の部分に介装する免震装置のゲル材が自己粘着性能を具備している。 - 特許庁
  • To prevent an active area from deforming when an insulating film is buried in an element isolation groove by a thermal CVD method.
    熱ＣＶＤ法で素子分離溝に絶縁膜を埋め込む際に、アクティブエリアの変形を防止する。 - 特許庁
  • In addition, the method comprises the steps of: forming element isolation film consisting of the silicon oxide film including the nitrogen; introducing the heavy hydrogen to the element isolation film; forming the semiconductor device to element region in the semiconductor substrate divided in zone by the element isolation film; and diffusing the heavy hydrogen by heating the semiconductor substrate.
    また、半導体基板に、窒素を含むシリコン酸化膜による素子分離膜を形成し、前記素子分離膜に、重水素を導入し、前記素子分離膜により区画された、前記半導体基板における素子領域に、半導体素子を形成し、前記半導体基板を加熱して、重水素を拡散する。 - 特許庁
  • SELECTIVE PEPTIDE ISOLATION METHOD FOR IDENTIFYING AND DETERMINING QUANTITATIVELY PROTEIN IN COMPLEX MIXTURE
    複合体混合物中のタンパク質の同定と定量的分析のための選択的ペプチド単離法 - 特許庁
  • An upper face of the element isolation insulating layer 43 is positioned in the same level as an upper face of a floating electrode layer 42.
    素子分離絶縁層４３の上面は、浮遊電極層４２の上面と同じ高さに位置する。 - 特許庁
  • An element isolation film is provided in a predetermined region of the semiconductor substrate to define an active region.
    前記半導体基板の所定領域に素子分離膜が提供されて活性領域を画定する。 - 特許庁
  • To provide an isolation system corresponding to a target device in a simple and inexpensive structure.
    簡明かつ低廉な構成で対象機器に応じた免震装置を供給可能な構成を提供する。 - 特許庁
  • He ordered that ports of call for foreign ships be limited to Hirado-ko Port and Nagasaki-ko Port in preparation for a national isolation policy.
    また鎖国政策の布石として、外国船寄港を平戸港・長崎港に限定させている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • An oxynitride film is formed in the prescribed region of an isolation oxide film by implanting nitrogen ions.
    本発明は、窒素イオンを注入して隔離酸化膜内の所定領域にオキシナイトライド膜を形成する。 - 特許庁
  • A partial-trench element isolation insulating film 5 is selectively formed in the upper surface of a silicon layer 4.
    シリコン層４の上面内には、パーシャルトレンチ型の素子分離絶縁膜５が選択的に形成されている。 - 特許庁
  • Battle of Sekigahara, the Siege of Osaka, the daimyo's alternate-year residence system in Edo (Sankinkotai), Laws Governing Military Households, military government, Shimabara Rebellion, and national isolation
    関ヶ原の戦い、大坂の役、参勤交代、武家諸法度、武断政治、天草の乱、鎖国 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • After contracting "The Treaty of Amity and Commerce between the United States and Japan" with Townsend HARRIS in 1858, Japan marked the end of a long period of isolation.
    安政5年（1858年）タウンゼント・ハリスと日米修好通商条約を締結し、鎖国が終わる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • As a result of the conclusion of the treaty, the Joseon Dynasty opened the country, which in practice led to the end of the national isolation policy.
    条約の締結によって、李氏朝鮮は開国し、海禁政策（鎖国）は事実上終了した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • In the isolation groove 8, a plurality of elliptical patterns 89 are arranged on the surface electrode layer 2.
    分離溝８は、表面電極層２に、複数の楕円状パターン８９が並んだ形状を有する。 - 特許庁
  • To properly correct nonlinearity of a position detecting element in a vibration isolation control circuit.
    防振制御回路において位置検出素子の非直線性を適切に補正することを可能とする。 - 特許庁
  • The gas line (106) is coupled to the isolation strut (104) and in fluid communication with the gas outlet (162).
    ガスライン（１０６）は、絶縁支柱（１０４）に結合され、そのガス出口（１６２）と流体連通する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device that dynamically controls variation in threshold voltage of a trench isolation gate.
    絶縁トレンチゲートの閾値電圧の変動を動的に制御可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁
  • Well, in isolation, a moment can't really speak to motive, intent or aftermath.
    ある瞬間だけを切り離して、動機や意図、 あるいは破滅的な結果について、 本当に語ることはできない。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • To provide an adaptive array antenna which is miniaturized and facilitated in installation and can secure optimal isolation as well.
    小型で、設置が容易であると共に最適なアイソレーションも確保可能なアダプティブアレーアンテナを提供する。 - 特許庁
  • To provide a non-volatile semiconductor memory device which is enhanced in isolation characteristics.
    分離特性が向上した不揮発性半導体記憶装置を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁
  • In each of the element isolation regions 61, a trench 10 of predetermined depth is filled with a silicon oxide film 11.
    素子分離領域６１では、所定の深さのトレンチ１０にシリコン酸化膜１１が充填されている。 - 特許庁
  • Thus if the channel stop doped region is formed by self-alignment only in the lower part of the isolation region, the isolation characteristics between unit cells can be improved and the junction leakage current can be reduced.
    このように自己整列的に分離領域の下部にのみチャンネルストップ不純物領域を形成すれば単位セル間の分離特性を向上させかつ接合漏れ電流を減らせる。 - 特許庁
  • To provide a base isolation building excellent in terms of usability of a site and increasing no cost when constructing the base isolation building for mutually closely adjacently arranging plural upper structures.
    複数の上部構造が互いに近接配置されている免震建物を構築する場合に、敷地利用性の面で優れ、コストが嵩むことの無いような免震建物を提供する。 - 特許庁
  • The vibration isolation member 3 includes at least one of projections 5a, 5b, 5c, 6a, 6b, 6c for positioning the vibration isolation member 3 in relation to the column 2 on an inner surface of the through hole 4.
    防振部材３は、貫通孔４の内面において、支柱２に対する防振部材３の位置決め用の突起５ａ、５ｂ、５ｃ、６ａ、６ｂ、６ｃを少なくとも１つ有している。 - 特許庁
  • To provide a base isolation structure elastically constraining, even in case of an unexpected large earthquake, a significant deformation of a base isolation device without damage to a structure or the like.
    想定外の大地震が発生しても、建造物に損傷等を与えることなく、免震装置の大変形を、弾性的に拘束することができる免震構造を提供する。 - 特許庁
  • To detect failure of a power supply caused by a charge voltage of the primary smoothing capacitor of an isolation transformer, without being provided with a dedicated insulating mechanism in between the primary side of the isolation transformer.
    絶縁トランスの１次側との間に専用の絶縁機構を設けることなく、絶縁トランスの１次側の平滑コンデンサの充電電圧に起因する電源の異常を検出すること。 - 特許庁
  • To provide a base isolation structure that can support a supported body in a vertically base-isolating manner and keep the support height of the supported body low, and to provide a building having the base isolation structure.
    被支持物を上下方向に免震支持し、被支持物の支持高さを低く抑えることが可能な免震構造、及びこの免震構造を有する建築物を提供する。 - 特許庁
  • A first trench for an element isolation region of a memory cell region and a second trench for an element isolation region of a peripheral circuit region of the memory cell are simultaneously formed in the surface of a semiconductor substrate.
    メモリセル領域の素子分離領域用の第１の溝と、メモリセルの周辺回路領域の素子分離領域用の第２の溝を半導体基板上に同時に形成する。 - 特許庁
  • In this case, the ceramic layer is provided as the isolation layer 6 by making the content of the base metallic materials constituting the internal electrode 1 higher than that of ceramic constituting the ceramic layer 2 other than the isolation layer 6.
    遮断層６として、遮断層６以外のセラミック層２を構成するセラミックよりも内部電極１を構成する卑金属材料の含有率を高くしたセラミック層を設ける。 - 特許庁
  • The base isolation system 10 is provided with a sliding member 1 engaged with the pallet support frame 54 slidably along the support frame 54, and conducts base isolation in accompaniment to the slide of the sliding member.
    この免震装置１０は、パレット支持架台５４に沿ってスライド可能に該パレット支持架台に嵌合するスライド部材１１を備え、該スライド部材のスライドに伴い免震を行う。 - 特許庁
  • The base isolation mechanism is suitable by respectively arranging a plurality of base isolation devices above and below a a rocking support structure in an inclined state so as to turn to the virtual rotational center.
    免震機構としては、揺動支持構造体の上下に複数の免震装置をそれぞれ仮想の回転中心を向くように傾斜状態で配置するものが好適である。 - 特許庁
  • Then, the semiconductor board 1 is subjected to heat treatment at a second heat treatment temperature which is lower than the first heat treatment temperature, and thereby an isolation oxide film 9 is formed in an isolation region.
    次に、半導体基板１を前記第１の熱処理温度より低い第２の熱処理温度で熱処理することにより前記素子分離領域に素子分離酸化膜９を形成する。 - 特許庁
  • This semiconductor memory comprises a semiconductor substrate 1, an element isolation insulating film 7 embedded in the semiconductor substrate 1, cell section gate insulating films 2 isolated by the element isolation insulating film 7, and first conductive layers 3.
    半導体基板１と、半導体基板１に埋め込まれた素子分離絶縁膜７と、素子分離絶縁膜７により分離されたセル部ゲート絶縁膜２、第一導電層３を備える。 - 特許庁
  • To provide a trigger device of a base isolation device for a container crane in which the restriction is reliably released at an earthquake above the predetermined level, and the base isolation device is effectively operated.
    所定のレベル以上の地震時において拘束を確実に開放し、免震装置を有効に作動させることができるようにしたコンテナクレーン用免震装置のトリガ装置を提供する。 - 特許庁
  • A cooling speed is slowed down by the temperature rise of the isolation layers 6 in a region (channel forming region 5) pinched by the isolation layers 6 whereby big crystal grains are formed.
    分離層６に挟まれた領域（チャネル形成領域５）では、分離層６の温度上昇によりその冷却速度が遅くなり、大きな結晶粒が形成されるようになる。 - 特許庁
  • An element isolation trench is formed in a semiconductor device via a mask pattern, the element isolation trench is embedded by a dielectric, and subsequently an unneeded dielectric is removed by chemical-mechanical polishing.
    半導体基板中にマスクパターンを介して素子分離溝を形成し、さらに前記素子分離溝を絶縁膜で埋め込んだ後、化学機械研磨して余計な絶縁膜を除去する。 - 特許庁
  • A base isolation device 11 comprises first and second linear bearing mechanisms 14 and 16 to guide a frame 12 in X-and Y-directions; and first and second base isolation mechanism 18 and 20.
    免震装置１１は、架台１２をＸ，Ｙ方向にガイドする第１、第２リニアベアリング機構１４，１６と、架台１２を免震する第１、第２免震機構１８，２０が設けられている。 - 特許庁
  • To provide a seismic isolation device preventing the reduction in performance or damage of a laminated rubber and utilizing the maximum performance of the laminated rubber, and also to provide a building having the seismic isolation device.
    積層ゴムの性能低下又は損傷を防ぐと共に、積層ゴムの性能を最大限に利用することができる免震装置、及びこの免震装置を有する建築物を提供する。 - 特許庁
  • To provide a base isolation device of a mechanism capable of activating the kinetic energy of an earthquake without using the electric power to allow the base isolation to properly function even under a condition of service interruption in the occurrence of the earthquake.
    地震発生時に起こりやすい停電の状態でも、免震が的確に機能するよう電気動力を使わずに、地震の運動エネルギーを活用する機構の免震装置を得る。 - 特許庁
  • The reduction of the on resistance of the FET so far is regarded as secondary by taking notice of the design for eliminating a shunt FET in ≥2.4 GHz high frequency band and securing isolation.
    ２．４ＧＨｚ以上の高周波数帯でシャントＦＥＴを省いてアイソレーション(Isolation)を確保する設計に着目し、今までのＦＥＴのオン抵抗の低減を二義的に考える。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor waveguide element and a semiconductor laser in which the electrode isolation resistance can be increased by suppressing the impact of reflection wave effected by an isolation trench while maintaining the electrode interval.
    電極間隔を維持しつつ、分離溝による反射波の影響を抑え、電極分離抵抗を増大することができる半導体導波路素子および半導体レーザを提供する。 - 特許庁
  • To control ion in a semiconductor device with the SOI structure such that, when implanting ion, it does not penetrate an isolation oxide film to mix into the lower layer of the isolation oxide film.
    ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、イオン注入時にイオンが分離酸化膜を突き抜けて、分離酸化膜下層に混入するのを抑えることができるようにする。 - 特許庁
＜前へ 1 2 .... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 .... 62 63 次へ＞

例文データの著作権について