「In Isolation」を含む例文一覧(3114)
＜前へ 1 2 .... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 .... 62 63 次へ＞- To provide the wall structure of a vibration-isolated building in which the seismic isolators in an earthquake are not deformed in the vibration-isolation building in which a wall is installed adjacent to columns, on which the seismic isolators mounted.
免震装置が設けられた柱に隣接して壁が設けられている免震建物において、地震時における免震装置の変形が阻害されることのない、免震建物の壁構造を提供する。 - 特許庁 - To improve excitation control accuracy of a movable member by air pressure to improve vibration isolation effect in a pneumatic excitation type active vibration isolation device whose vibration isolation characteristics are adjusted by controlling fluid flowage or internal pressure in a fluid chamber by excitation of the movable member constituting a part of a wall part of the fluid chamber by an air pressure fluctuation applied to an action air chamber.
作用空気室に及ぼされる空気圧変動によって、流体室の壁部の一部を構成する可動部材を加振することにより、流体室における内圧や流体流動を制御せしめて防振特性を調節するようにした空気圧加振式の能動型防振装置において、空気圧による可動部材の加振制御精度を向上させて、防振効果を向上させること。 - 特許庁 - To provide a mounting structure of an interior finish board carrying out wall work excellent in sound isolation efficiency while restraining the rising of the costs.
コストの上昇を抑えつつ遮音性能に優れた壁施工を行なえる内装系ボードの取り付け構造を提供すること。 - 特許庁 - The substrate 3 is installed with the predetermined isolation distance kept from the internal surface of the bottom plate 21 of chassis 2 in parallel to the bottom plate 21.
基板３は、シャーシ２の底板２１の内面から所定距離離間し、かつ、底板２１と平行となるように設置されている。 - 特許庁 - Application of any excessive seismic force to a base isolation object is prevented after ensuring the stability of the base isolation object in a normal state so that the initial rigidity of high restoration force is ensured in a range of small displacement when the base isolation object is displaced from the reference position in an arbitrary direction, and the magnitude of the restoration force is substantially constant when the displacement exceeds the small displacement.
免震対象物が基準位置から任意の方向に変位した時に、変位が微小な範囲では復元力が高い初期剛性を有し、変位が微小な範囲を超える場合には復元力の大きさがほぼ一定になるように構成することで、通常状態における免震対象物の安定性を確保した上で、免震対象物に過大な地震力が作用するのを防止するようにした。 - 特許庁 - To prevent a generation of a bird's beak on a surface of an element formation region due to a thick element isolation film formed in an element isolation region, to prevent an occurrence of a crystal defect in a semiconductor layer near an end of the element isolation film, and to reduce a stress received by the semiconductor layer, in a semiconductor device having a plurality of element formation regions and a method of manufacturing the same.
複数の素子分離領域で分離された複数の素子形成領域を有する半導体装置及びその製造方法において、素子分離領域に形成される膜厚の厚い素子分離膜による素子形成領域の表面のバーズビークの発生を防ぐこと、並びに素子分離膜の端部近傍の半導体層に結晶欠陥が発生することを防止し、且つ該半導体層が受けるストレスの低減を図る。 - 特許庁 - An oxide film 101 for element isolation is formed on a semiconductor substrate 100, and the gates 120 are formed in the element region with the predetermined interval.
半導体基板１００上に素子分離用酸化膜１０１を形成し、素子領域に所定間隔でゲート１２０を形成する。 - 特許庁 - To restrain bump of a semiconductor element without making a thermal oxidation film thick which is formed in the side wall of a trench where an element isolation film is embedded.
素子分離膜が埋め込まれる溝の側壁に形成される熱酸化膜を厚くすることなく、半導体素子のハンプを抑制する。 - 特許庁 - To provide a low-cost semiconductor integrated circuit device in which a chip area is reduced by using p-n junction isolation for isolating side faces.
側面の分離にｐｎ接合分離を用い、チップ面積を縮小化し、低コストの半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁 - To provide polynucleotide which belongs to new isolation antigenic polypeptide and core B2/D genome, and is not present in commensalism Escherichia coli.
新規単離抗原性ポリペプチド、およびコアＢ２／Ｄゲノムに属し、偏共性大腸菌には存在しないポリヌクレオチドを提供する。 - 特許庁 - Cathepsin C (dipeptidyl peptidase)-like enzyme has been found from a microorganism in Pyrococcus to provide the process for production, isolation and purification of the enzyme.
パイロコッカス属に属する微生物からカテプシンＣ（ジペプチジルペプチダーゼ）様酵素を見出し、その生産、単離精製法を提供した。 - 特許庁 - To provide a structure for maintaining high isolation between individual terminals of a duplexer, in a high frequency module formed by a multilayer substrate.
積層基板で形成された高周波モジュールにおいて、デュプレクサの個別端子間のアイソレーションを高く維持する構造を実現する。 - 特許庁 - The cathode plate is disposed in an insulating manner to have intervals with the electron extraction electrode by one first insulation isolation layer.
前記陰極板は、一つの第一絶縁隔離層によって前記電子引き出し電極と間隔をおいて絶縁的に配置される。 - 特許庁 - To provide a circuit module for a high frequency that is enhanced in isolation for an unnecessary radiation wave leaking out of a semiconductor circuit chip.
半導体回路チップから漏洩した不要放射波に対するアイソレーションを向上させた高周波用の回路モジュールを提供する。 - 特許庁 - A single-sided sidewall gate electrode 12b is disposed on a vertical sidewall of the active fin structure opposite to the trench isolation structure in the active fin structure.
片面サイドウォールゲート電極１２ｂが、アクティブフィン構造における、溝分離構造とは反対側の垂直なサイドウォールに配置される。 - 特許庁 - Since the isolation part is integrally formed with either one of the transmitting end filter and the receiving end filter, the duplexer is manufactured in a small size.
また、アイソレーション部は、送信端フィルタおよび受信端フィルタのいずれか１つと一体に形成されるため、小型化が可能である。 - 特許庁 - To provide a high frequency module capable of compensating deterioration in the isolation caused by downsizing and to provide a wireless communication apparatus.
小型化によるアイソレーションの劣化を補うことのできる高周波モジュールおよび無線通信装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To suppress the separation of water from an isolation film to a capacitor as compared with a prior art in a method for manufacturing a semiconductor device having the capacitor.
キャパシタを有する半導体装置の製造方法に関し、絶縁膜からキャパシタへの水分の離脱を従来より低減すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which reduces a parasitic capacitance developed in an isolation part and has a photodiode having a high input sensitivity.
分離部分に発生する寄生容量が低減されるとともに、入力感度の高いホトダイオードを有する半導体装置を得る。 - 特許庁 - In the isolator 13A, a pass frequency band is fitted to the first frequency and an isolation frequency is fitted to the second frequency.
アイソレータ１３Ａは、通過周波数帯を第１の周波数に合わされ、アイソレーション周波数を第２の周波数に合わせられている。 - 特許庁 - The base isolation device comprises a lid body for covering the trench formed in the ground and a supporting device for supporting the lid body on both side edge sections of the trench.
地面に形成された溝を覆蓋する蓋体と、前記溝の両側縁部で前記蓋体を支持する支持装置とからなる。 - 特許庁 - A polysilicon film 80 for a resistor element 8 contacts a substrate 2 through the silicide film in the opening of an insulation film 3 for isolation.
抵抗素子８用の多結晶シリコン膜８０は素子分離絶縁膜３の開口内のシリサイド膜を介して基板２に接している。 - 特許庁 - An elevator landing detection device uses a reflection-type photoelectric sensor 24 and an isolation-type photoelectric sensor 25 in combination.
本発明のエレベータの着床検出装置は、反射型光電センサ２４と遮断型光電センサ２５とを組み合わせて用いるものである。 - 特許庁 - Thus, the vibration is absorbed by the adhesive 30 for vibration isolation to prevent the vibration from transferring to a gyro sensor 21 in the case 10.
これにより、防振用接着剤３０にて振動を吸収し、ケース１０内のジャイロセンサ２１に振動が伝わらないようにする。 - 特許庁 - To ensure isolation by preventing interference between filters, even when a surface acoustic wave (SAW) device that includes a plurality of SAW filters is reduced in size.
複数のＳＡＷフィルタを含むＳＡＷ装置を小型化した場合でもフィルタ間の干渉を防ぎアイソレーションを確保する。 - 特許庁 - To provide a vibration isolation control circuit capable of coping with imaging devices different each other in angles between a lens driving element and a vibration detecting element.
レンズ駆動素子と振動検出素子との相互の角度が異なる撮像装置に対応可能な防振制御回路を実現する。 - 特許庁 - The first side 31A and the second side 31B of the trench isolation film 31 intersect at about 45° in the longitudinal direction of the pillar layers 13, 14.
トレンチ絶縁膜３１の第１辺３１Ａ、及び第２辺３１Ｂとは、ピラー層１３、１４の長手方向と略４５°で交わる。 - 特許庁 - In the formation of an element isolation insulating film 6, first, a silicon oxide film 6a of the thickness of about 5 nm is formed by thermal oxidation.
素子分離絶縁膜６の形成に当たり、先ず、熱酸化法により、厚さが５ｎｍ程度のシリコン酸化膜６ａを形成する。 - 特許庁 - In the substrate 6 and the epitaxial layer 7, isolation regions 1, 2, 3 are formed to divide the substrate 6 and the epitaxial layer 7 into a plurality of element formation regions.
基板６及びエピタキシャル層７には、分離領域１、２、３が形成され、複数の素子形成領域に区分されている。 - 特許庁 - To provide a rigidity imparting device easy in resetting after starting with a simple mechanism, and a base isolation structure having this rigidity imparting device.
機構が簡単で起動後の再設定が容易な剛性付与装置、及びこの剛性付与装置を備えた免震構造物を提供する。 - 特許庁 - To secure sufficient isolation in a directional coupler while a high-frequency switch and the directional coupler can be unified.
高周波スイッチと方向性結合器を一体化でき、且つ方向性結合器において十分なアイソレーションを確保できるようにする。 - 特許庁 - To provide a cylindrical alkaline battery with a separator fixed inside a positive electrode can by using a suitable-hardness isolation material, and excellent in shock resistance.
適切な硬度の隔離材を用いてセパレータを正極缶内に固定し、耐衝撃性に優れた筒型アルカリ電池を提供すること。 - 特許庁 - A body contact region 155a is provided in a region, located near the outside of the partial isolation region and on the extension line of the gate electrode.
部分分離領域の外部近傍で、しかもゲート電極の延長上に位置する領域にボディコンタクト領域１５５ａを設ける。 - 特許庁 - To provide a pile head base isolation device, lowering frictional resistance and achieving smooth operation in turning the response displacement direction.
応答変位方向を転換する際の摩擦抵抗が小さく、円滑な動作を行うことができる杭頭免震装置を提供する。 - 特許庁 - To manufacture a high-frequency non-reciprocal circuit element which has high isolation characteristics and is excellent in uniformity of the characteristics, with high mass productivity.
アイソレーション特性が高く、かつ特性の均一性に優れた高周波非可逆回路素子を量産性よく製造できるようにする。 - 特許庁 - This dual-gate field-effect transistor reduces the parasitic capacity in the DGFET structure by being provided with a self-aligned isolation region 44.
本発明では、自己整合分離領域４４を備えることにより、ＤＧＦＥＴ構造体における寄生容量を低減している。 - 特許庁 - To provide an installing method in which the horizontal states, heights or the like of various type base isolation devices are adjusted easily when they are to be installed.
各種形式の免震装置を設置するにあたり、その水平状態や高さ等の調整が容易な設置方法を提供する。 - 特許庁 - A chamber 4 with an opening in its bottom is provided on the upper structure 1 side of the base isolation building and is filled with a number of steel balls 7.
免震建物の上部構造体１側に下部開口のチャンバ４を設け、チャンバ４内には鋼球７を多数充填する。 - 特許庁 - This makes it possible to insert an isolation cell only into such a part as to be effective in reducing power consumption and noise.
したがって、消費電力およびノイズの削減に効果的な箇所にのみｉｓｏｌａｔｉｏｎセルを挿入することが可能となる。 - 特許庁 - A first recessed region partially exposing the first sacrificial patterns is formed in the isolation region using a photolithography and etching process.
フォトリソグラフィ及びエッチング工程を用いて素子分離膜に第１犠牲パターンの一部分を露出させる第１リセス領域を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a wearing article, capable of preventing an isolation sheet from being contracted indiscriminately in the lateral direction especially.
特に離隔シートがその横方向へ妄りに収縮するのを防止することができる着用物品の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In an isolation transformer 18A, a coaxial cable is used, a core wire is a secondary-coil 18a, and a sheath line is used as a primary-coil 18b.
絶縁トランス１８は、同軸ケーブルが用いられ、芯線を二次コイル１８ａとし、シース線を一次コイル１８ｂとして用いている。 - 特許庁 - Consequently, electrons generated by absorbing light in each region are prevented from migrating to an adjacent section thus achieving isolation.
これにより、各区画にて光の吸収で発生した電子が隣接する区画へ移動することが防止され、素子分離が実現される。 - 特許庁 - After entering a new era with the Meiji Restoration, Japan ended its national isolation and began the era of opening the country to the world, in which Japan began relations with foreign countries positively.
明治維新によって新時代を迎えると、それまでの鎖国を取りやめ、海外と積極的に関わる「開国」の時代に入る。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - After the death of Ieyasu in 1616 Hidetada TOKUGAWA began an isolation policy and the policy was completed 25 years afterwards by Iemitsu TOKUGAWA, the successor of Hidetada.
家康の死後、1616年に徳川秀忠は鎖国政策を開始し、25年後に秀忠の後継の徳川家光により鎖国が完了した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - To provide a broad-band wavelength multiplexing and demultiplexing filter which is excellent in both of broad-band wavelength multiplexing and demultiplexing characteristic and high isolation characteristic.
広帯域の波長の合分波特性と高アイソレーション特性とが共に良好な広帯域波長合分波フィルタを提供する。 - 特許庁 - To form a channel stop region in a semiconductor substrate under an element isolation insulating film with good controllability.
本発明は、チャネルストップ領域を素子分離絶縁膜の下の半導体基板中に制御性良く形成することを目的としている。 - 特許庁 - In this semiconductor device, an n-type epitaxial layer 3 is divided into a plurality of element formation areas by isolation areas 4 and 5.
本発明の半導体装置では、Ｎ型のエピタキシャル層３は分離領域４、５により複数の素子形成領域に区画されている。 - 特許庁 - In the memory cell area 70, element isolation trenches 21 each for isolating an active area 30 are formed on a surface layer part of the silicon substrate 2.
メモリセル領域７０には、シリコン基板２の表層部に、アクティブ領域３０を分離する素子分離トレンチ２１が形成されている。 - 特許庁 - To provide a small antenna device and a radio equipment which improve isolation characteristics between antennas and suppresses the degradation in antenna radiation characteristics.
アンテナ間のアイソレーション特性を改善し、アンテナの放射特性の劣化を抑制する小型のアンテナ装置及び無線機を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
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