「In Parallel」を含む例文一覧(34792)

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  • This method for producing an N- or P-type single crystal with a resistivity of 1-50 Ω.cm comprises the following practice: a silicon single crystal seed 1 containing germanium at a concentration of 1018 to 1020 atoms/cm3 is used and a neck part 2 comparable in diameter to the seed is parallel-grown.
    チョクラルスキー法により抵抗値１〜５０Ω・ｃｍのＮ型又はＰ型のシリコン単結晶を製造するに際し、１０^18〜１０^20 atoms／ｃｍ^3 のゲルマニウムを含むシリコン単結晶のシード１を使用し、シードと同程度の直径のネック部２をパラレル成長させる。 - 特許庁
  • Each joint (solid circle mark) of a plurality of resistors Rdu11 and Rdu12-Rdx21 and Rdx22 connected in parallel with voltage driven semiconductor devices Qu1-Qx2 is connected with a cooling body Fu1-Fx2 for cooling the Qu1-Qx2.
    電圧駆動型半導体素子Ｑｕ１〜Ｑｘ２と並列に接続される複数の抵抗Ｒｄｕ１１とＲｄｕ１２〜Ｒｄｘ２１とＲｄｘ２２の各接続点（黒丸印）を、Ｑｕ１〜Ｑｘ２を冷却する冷却体Ｆｕ１〜Ｆｘ２に接続する。 - 特許庁
  • The piezoelectric plates 71 and 72 are composed of piezoelectric ceramic or piezoelectric polymer of the same material, and a first piezoelectric plate 71 whose surface side a shot ball B1 collides on and a second piezoelectric plate 72 whose surface side a shot ball B2 collides on are connected in parallel to each other.
    圧電板７１，７２は、同一材質の圧電セラミックス又は圧電性高分子で構成され、発射球Ｂ１が表面側に衝突する第１圧電板７１と、反射球Ｂ２が表面側に衝突する第２圧電板７２とが並列に接続されている。 - 特許庁
  • Each conductor wiring line 2 is provided with a plurality of projection electrodes 6, which are arranged on a plurality of parallel lines crossing the bonding wiring lines 4 in the pitch variation region 5 to constitute a plurality of bonding projection electrode arrangements 6a, 6b and 6c.
    各々の導体配線２に複数の突起電極６が設けられ、ピッチ変化領域５内で接合用配線列４を横切る複数の平行線上に突起電極６が配置されて、複数の接合用突起電極列６ａ、６ｂ、６ｃが構成されている。 - 特許庁
  • Thereby, for example, when the substrate 7a is disposed such that a longitudinal direction thereof is directed to a direction orthogonal to a conveyance direction of the plurality of RFID tags adjacently disposed on a sheet in parallel, the information can be properly written into the plurality of RFID tags.
    これにより、例えばシート上に平行に隣接して配置された複数のＲＦＩＤタグの搬送方向と直交する方向に基板７ａの長手方向を向けて配置すれば、複数のＲＦＩＤタグに情報を適切に書き込むことができる。 - 特許庁
  • This optical device adjustment method has been devised to adjust positional relationships of an optical beam light-emitting element LD102 retained in a cabinet 103, and a collimate lens 101 which serves as a light condensing optical device for condensing divergent rays from this LD102 as parallel rays.
    筐体１０３に保持される光ビーム発光素子であるＬＤ１０２とこのＬＤ１０２からの発散光を平行光とする集光光学素子であるコリメートレンズ１０１との相互の位置関係を調整する光学装置の調整方法である。 - 特許庁
  • A rocking member 121 which is installed at the latch 12 to constitute the locking part of the circuit breaker 1 and locks the tip 13a of the lever 13 of an open-close mechanism is swingably retained on the surface of the latch 12 by a pin 121 in parallel with the latch 12.
    回路遮断器１の係止部を構成するラッチ１２に設けた、開閉機構部のレバー１３の先端部１３ａを係止する揺動部材１２１は、ラッチ１２と平行に揺動可能となるよう、ラッチ１２の表面上にピン１２１で保持されている。 - 特許庁
  • The circuit device 10A comprises a circuit element 11 having an electrode 14 formed on the periphery, a joint 15 for connection with the surface of the electrode 14, and rewiring 16 extending in parallel with the major surface of the circuit element continuously to the joint 15.
    本発明の回路装置１０Ａは、周辺部に電極１４が形成された回路素子１１と、電極１４の表面に接続する接続部１５と、接続部１５に連続して回路素子の主面に対して平行に延在する再配線１６とを具備する。 - 特許庁
  • A serial-parallel converter 12 divides signals of transmission code rows into an in-phase-side signal and a quadrature-side signal, and mapping circuits 13-1 and 13-2 perform mapping and oversampling circuits 14-1 and 14-2 insert zeros into the signal after mapping for oversampling.
    シリアル−パラレル変換器１２は、送信符号列の信号を同相側信号及び直交側信号に分け、マッピング回路１３−１，１３−２はマッピングを行い、オーバーサンプリング回路１４−１，１４−２は、マッピング後の信号に０を内挿し、オーバーサンプリングを行う。 - 特許庁
  • The floor system panel constituting the composite floor system is composed of an upper steel plate, a plurality of shape steel arranged on a lower face of the upper steel plate at the required interval in parallel, and a bottom steel plate connecting the shape steel to cope with traffic load by a steel shell only.
    複合床版を構成する床版パネルを、上鋼板と、上鋼板の下面に所要間隔をおいて並列配置された複数本の形鋼と、形鋼間をつなぐ底鋼板とで構成し、鋼殻のみで短期的な交通荷重に対処できるようにする。 - 特許庁
  • Each silicone adhesive 10 comprises a silicone adhesive composition 11 which is formed in a belt-like form and has 100-500 degree of plasticity at 25°C by a parallel plate plastometer and a film 12 peelably applied to one side of the silicone adhesive composition 11.
    そして、各シリコーン接着剤１０を、帯状に形成されて平行板可塑度計による２５℃の可塑度が１００〜５００の範囲のシリコーン接着性組成物１１と、シリコーン接着性組成物１１の一面に剥離可能に貼着されるフィルム１２とから構成する。 - 特許庁
  • When an expressway and a general road exist vertically in parallel at a returning place, an average speed when traveling on a new road is compared with that when traveling on an existing road to determine to which existing road the new road has been connected.
    復帰地点に、高速道路と一般道路とが上下に平行して存在する場合、新規道路を走行した際の平均速度と、既存道路を走行した際の平均速度とを比較することにより、新規道路がどちらの既存道路に接続したかを判定する。 - 特許庁
  • A target surface of this target has a prescribed angle of inclination in such a manner that the target surface facing the substrate attached to a substrate holder does not parallel to the substrate surface when the target attains a positional relation to face the substrate.
    本発明によるターゲットは、基板ホルダーに取り付けられる基板と対向する位置関係になったときに、前記基板に対面するターゲット面が基板面に対して平行とならないように前記ターゲット面が所定の傾斜角度を有していることを特徴とする。 - 特許庁
  • The cylinder 40 in the compressor case has a major axis direction L set at 66° to a mounting surface S for the mounting bracket, and a maximum vibration line MAX passing on the cylinder center and near the discharge openings, set substantially parallel to the mounting surface S.
    そして、シリンダ４０は、コンプレッサケース内において、その長径方向Ｌを取付ブラケットへの取り付け面Ｓに対して６６°に設定して、シリンダ中心と吐出口の近傍を通る最大振動ラインＭＡＸが取り付け面Ｓに対して略平行となっている。 - 特許庁
  • A voltage conversion cell C is provided with a capacitance element and a switch circuit SW connects is parallel a plurality of voltage conversion cells C for voltage conversion of an input voltage Vcc or connects in series the cells C for voltage conversion of an input voltage Vcc.
    電圧変換セルＣは、容量素子を備え、スイッチ回路ＳＷは複数の電圧変換セルＣを並列に接続して入力電圧Ｖccを電圧変換するかあるいは直列に接続して入力電圧Ｖccを電圧変換するかを選択する。 - 特許庁
  • Ultrasonic wave vibration emitted from the horn 8 is transmitted to a connection part between the electrode 5 of the semiconductor element and a metal thin wire guided by a capillary 7 via the capillary 7 in the direction parallel to the direction of wiring 6 formed below the electrode 5 of the semiconductor element.
    半導体素子の電極５の下層に形成された配線６の方向と平行な方向に、ホーン８から発信する超音波振動をキャピラリ７を介して、半導体素子の電極５とキャピラリ７に導かれた金属細線との接続部に伝達させる。 - 特許庁
  • The server side electronic music device 30 independently executes processing corresponding to the operation signal on the plurality of the client side electronic devices 10 in parallel by using ID to generate music sound data and display data to add ID on the data so as to be transmitted.
    サーバ側電子音楽装置３０は、ＩＤを用いて複数のクライアント側電子音楽装置１０に対する前記操作信号に応じた処理を独立かつ並列に実行して楽音データおよび表示データを生成し、これらのデータにＩＤを付加して送信する。 - 特許庁
  • The number of selective current generation circuits connected in parallel to the basic current generation circuit 12 is controlled, thereby varying the dynamic range and the inclination of a current I3 flowing to the NMOS transistor MP6 and a current I4 flowing to the PMOS transistor MP7.
    基本電流生成回路１２に並列接続させる選択電流生成回路の数を制御することにより、ＮＭＯＳトランジスタＭＰ６に流れる電流Ｉ３及びＰＭＯＳトランジスタＭＰ７に流れる電流Ｉ４のダイナミックレンジ及びその傾きを変化させる。 - 特許庁
  • A member 10 for mounting the board is formed of a bracket 11 in which a horizontal plate part 11B parallel with a single-board computer is formed and of a fixing bracket 21 fitted to the plate part 11B to fix a battery 32 with an insulation lock 31.
    基板取付け用部材１０は、シングルボードコンピュータと平行な水平板部１１Ｂが形成されているブラケット１１と、水平板部１１Ｂに取り付けられ、乾電池３２がインシュロック３１により固定される固定用ブラケット２１から形成されている。 - 特許庁
  • When the excessive shearing force acts on the main body 61 so that the metallic plates are relatively displaced in parallel with each other, the breakdown prevention body 63 can be prevented from breaking down via the protection edges 63H and 63L by receiving the shearing force.
    金属板同士が互いに平行に相対変位しようとして前記本体６１に過大な剪断力が作用した場合、前記破損防止体６３が前記防護縁６３Ｈ、６３Ｌを介してその剪断力を受けることにより本体６１の破損を予防し得る。 - 特許庁
  • This air bag for a side part is formed by hollow weave from a primary yarn, a contour part of a hollow part of the hollow weave and its inner side intermediate connection part are formed by making a shape drawn by combination of straight lines in parallel to warp or weft of fabrics.
    原糸より袋織により形成した側部用エアバッグであって、袋織の中空部の輪郭部およびその内側の中間連結部を織物の経糸もしくは緯糸に平行な直線の組み合わせにより描かれる形状をなして形成した。 - 特許庁
  • In a micro chemical device of the present invention, an adsorbent film is bonded on an upper plate, using two circular parallel flat plates having thin layer adsorbent film and a reaction catalyst film, and a shearing flow of an eluent is generated along a circumferential direction by rotating the plate.
    本発明のマイクロ化学装置は、薄層吸着剤膜や反応触媒膜を持つ２枚の円形型平行平板を用いて、上板に吸着剤膜を貼り、その板を回転させることにより円周方向に溶離剤のせん断流れを発生させる。 - 特許庁
  • Two parallel trenches TR are formed between adjacent element forming regions AR1 in a p-type semiconductor layer 103 including a plurality of arranged element forming regions AR1, and a recess 120 formed between two trenches TR is cut at dicing.
    配列された複数の素子形成領域ＡＲ１を含むｐ型半導体層１０３における隣り合う素子形成領域ＡＲ１間に平行な２つの溝ＴＲを形成し、個片化時には２つの溝ＴＲの間に形成された凸部１２０を切断する。 - 特許庁
  • To perform high-precision movement detection at a high speed by performing three processes of the movement detection of integral precision, the movement detection of decimal precision, and the preliminary transfer of image data of a reference microblock used for the movement detection of a next object microblock in parallel.
    整数精度の動き検出と、小数精度の動き検出と、次対象マクロブロックについての動き検出に使用する参照マクロブロックの画像データの予備転送との三者を並列に行って、高速度で且つ高精度な動き検出を可能にする。 - 特許庁
  • The power supply device comprises voltage limiting means Z1 coupled in parallel with the motor and connected to switch means Q1, so that the motor is connected on a first part of a sine half-wave, but is disconnected when the voltage determined for the voltage limiter is reached.
    この電源装置は、モータと並列に結合され、かつ、正弦半波の第１部分でモータが接続されるが電圧リミッタに対して決定された電圧に達したときに切断されるように、スイッチ手段Ｑ１に接続された電圧制限手段Ｚ１を含む。 - 特許庁
  • The workpiece 12 is ground by a grinding tool 18 driven so as to be rotated around a grinding mandrel shaft 20 extending in parallel to the rotation shaft 16 of the workpiece, and the grinding tool 18 is vertically fed to the grinding mandrel shaft 20.
    前記工作物１２は、工作物の回転軸１６に平行に延びる研削心棒軸２０の周りに回転するように駆動される研削工具１８によって研削され、前記研削工具１８は前記研削心棒軸２０に垂直に送り込まれる。 - 特許庁
  • The mover 2 of an electrostatic actuator 100 is arranged above the two or more linear electrodes 1a-1d of a stator 1 which has a substrate 1 and the two or more linear electrodes 1a-1d being arranged in parallel with one another each independently on this substrate 1.
    静電アクチュエータ１００の移動子２は、基板１とこの基板１上に各々独立して設けられ互いに平行に配置された複数の線状電極１ａ〜１ｄとを有する固定子１の複数の線状電極１ａ〜１ｄ上に、配置される。 - 特許庁
  • The first light control structure 5 is provided with a plurality of convex first cylindrical lenses 61 aligned nearly parallel at a given pitch, and a plurality of convex second cylindrical lenses 62 aligned in a direction nearly orthogonal to the first cylindrical lenses 61.
    第１の光制御構造５は、所定のピッチで互いに略平行に複数配列された凸状の第１のシリンドリカルレンズ６１と、該第１のシリンドリカルレンズ６１と略直交する方向に複数配列された凸状の第２のシリンドリカルレンズ６２を有している。 - 特許庁
  • To provide a peening device and a peening method which quickly and surely move an external peening device temporarily installed at an outside face of a workpiece to an outside face peening position when applying peening simultaneously to outer and inner face sides of the workpiece in parallel.
    ワークの外内面側を並行して同時にピーニング施工を行うとき、ワークの外側面に仮設置された外側ピーニング装置を外側面ピーニング施工位置に的確にして、より早く移動させるピーニング施工装置およびピーニング施工方法を提供する。 - 特許庁
  • The objective lens drive unit is provided with an objective lens 1 for converging light having an optical axis in one direction, a lens holder 2 for holding an objective lens 1, and a focus coil group 40 wound so that a winding center axis becomes parallel to one direction.
    対物レンズ駆動装置は、一の方向に光軸を有する光を集束させるための対物レンズ１と、対物レンズ１を保持するレンズホルダ２と、一の方向と巻き中心軸とが平行になるように巻回されたフォーカスコイル群４０とを備える。 - 特許庁
  • In a method for manufacturing the optical element by heating, softening and molding a thermoplastic material 2 mounted on the molding die 1, the temperature of the molding die 1 is controlled while rotating the molding die 1 around an axis parallel to the pressing direction of the molding die 1.
    成形用型１に実装された熱可塑性素材２を加熱軟化して成形する光学素子の製造方法において、上記成形用型１を上記成形用型１のプレス方向を軸として回転させながら、上記成形用型１を温度制御する。 - 特許庁
  • To provide a planar lipid-bilayer array that uses a microfluid which has advantages in portability, shortening the analysis periods, reducing the sought reagents sought, enhancing repeatability and realizing parallel automation, and to provide an analysis method tat employs the planar lipid-bilayer.
    携帯性、分析時間の短縮、求められる試薬の少量化、及び高い再現性をもつ並行自動化といった利点を有するマイクロ流体による平面脂質二重膜アレイ及びその平面脂質二重膜を用いた分析方法を提供する。 - 特許庁
  • This method is performed by a plurality of switchable fluidized beds which are connected to each other in parallel and the fluidized beds are switched when the height of the fluidized bed reaches a scheduled level by the reaction of the metallic particles with the fluorine.
    この方法は並行に接続された複数の切り替え流動床で行うことができ、ここに上記流動床は上記金属粒子の上記フッ素との反応による流動床高さの予定された高さに達することに基づいて切り替えられる。 - 特許庁
  • To obtain an orthogonal excitation type laser oscillator capable of holding the arrangement positions of a pair of optical bases at a fixed state by an optical resonator consisting of the pair of optical bases arranged in parallel and supporting rods independently of vibration force applied to an oscillator casing.
    平行に配置された一対の光学基台と支持棒とからなる光共振器が、発振器筐体が受ける振動による力にかかわらず、一対の光学基台の配置位置を一定に保つことが可能な直交励起型レーザ発振器を得ること。 - 特許庁
  • A second cyclonic separating unit 76 includes a plurality of second cyclones arranged in parallel, and a second dust collector located beneath the dust outlets of the second cyclones and having an upper extremity lying 10 mm beneath the lowest extremity of the plurality of second cyclones.
    第２のサイクロン分離ユニット７６は並列に配置される複数の第２のサイクロンと、第２のサイクロンのほこり出口の下方に配置されて複数の第２のサイクロンの最下端の１０ｍｍ下方に位置する最上端を有する第２のほこりコレクタとを備える。 - 特許庁
  • A third cyclonic separating unit 78 includes a plurality of third cyclones arranged in parallel, and a third dust collector located beneath the dust outlets of the third cyclones and having an upper extremity lying 10 mm beneath the lowest extremity of the plurality of third cyclones.
    第３のサイクロン分離ユニット７８は、並列に配置される複数の第３のサイクロンと、第３のサイクロンのほこり出口の下方に配置されて複数の第３のサイクロンの最下端の１０ｍｍ下方に位置する最上端を有する第３のほこりコレクタとを備える。 - 特許庁
  • The capacitance temperature sensor performs the temperature measurement by detecting the capacitance of the parallel flat plate capacitor having the dielectric consisting of the strontium titanate single crystal in which the prescribed weight percent of the oxygen 16 is replaced with the isotope oxygen 18.
    酸素１６のうち所定重量％を同位体酸素１８で置換したチタン酸ストロンチウ単結晶からなる誘電体を有する平行平板コンデンサのキャパシタンスを検出して温度測定を行うことを特徴とするキャパシタンス温度センサである。 - 特許庁
  • A grouping processing part 21 groups inter-circuit block wiring having wiring sections extended in parallel wherein a difference between the X-directional coordinates or Y-axial coordinates of the start point coordinates is within a prescribed distance, of repeater insertion object inter-circuit block wiring.
    グループ化処理部２１は、リピータ挿入対象の回路ブロック間配線のうちで、始点座標のＸ方向の座標又はＹ方向の座標の差が所定距離以内で、かつ、互いに並行して延びる配線部分を有する回路ブロック間配線をグループ化する。 - 特許庁
  • At least a part of magnetic vector moment, which is formed around each of the lower electrodes by current flowing along the each lower electrode, is directed in parallel with current flowing along each of the upper electrodes corresponding to the each lower electrode.
    上記各々の下部電極に流れる電流により上記下部電極の周囲に形成される少なくとも一部の磁気ベクトルモーメントの方向は、上記各々の下部電極に対応する上部電極に流れる電流の方向と平行するよう形成される。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device wherein a specific diode is prevented without using any expensive diodes exceeding a specification limit from generating heat excessively owing to to the cause of the flowing-current unbalances of respective diodes, in a semiconductor device comprising a parallel connection of diodes.
    ダイオードを並列に接続した半導体装置において、オーバースペックとなる高価なダイオードを使用せずに、各ダイオードを流れる電流の不均衡に起因して特定のダイオードが過剰に発熱することを防止可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁
  • A semiconductor light emitting element 51 is opposed to the second external electrodes 7 and 8 of the multilayer chip varistor V1 on a plurality of the second external electrodes 7 and 8 and connected in parallel to the varistor V1 with them.
    半導体発光素子５１が、積層型チップバリスタＶ１における第２の外部電極７，８に対向するように複数の第２の外部電極７，８上に配され、積層型チップバリスタＶ１に並列接続されるように第２の外部電極７，８に接続されている。 - 特許庁
  • A rutile-structure crystalline substrate or a conductive or semiconductive spinel-structure crystalline substrate is employed, and a perovskite-containing laminar compound is epitaxially grown on the substrate as the direction of lamination of the laminar compound is oriented in parallel with the surface of the substrate.
    ルチル構造の結晶質基板、又は導電性または半導電性のスピネル構造結晶質基板を用いて、その基板上にペロブスカイト含有層状化合物がその化合物の層状の積層方向が基板面と平行になる方位でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁
  • To provide an ion implanter capable of carrying out the implantation of a plurality of ion types in parallel, setting desired conditions to each different ion type, and performing a plurality of ion implantations with excellent processing efficiency and low cost.
    複数の異なるイオン種の注入を並行して実行でき、異なるイオン種に対しそれぞれ独自に所望のイオン注入条件を設定でき、良好な処理効率で低コストの複数種のイオン注入を行うことの可能なイオン注入装置を提供する。 - 特許庁
  • In the rectangular synthetic resin pallet 100 having a plurality of linear skid elastomer pieces 20 at least on one face, the linear skid elastomer pieces 20 are disposed parallel with one another and oblique to the side faces of the synthetic resin pallet.
    少なくとも一方面に線状の滑り止め用エラストマー２０を複数有している矩形の合成樹脂製パレット１００において、 前記滑り止め用エラストマー２０を、互いに平行に設けるとともに合成樹脂製パレットの側面に対して斜めに設けた。 - 特許庁
  • Sosuibunsen Canal branches out to the north from Keage, runs through Suirokaku (a high-rise waterway structure) over the precinct of Nanzen-ji Temple, goes north along the west side of Honen-in and Jisho-ji Temple (Ginkaku-ji Temple), runs 700 m parallel to Imadegawa-dori, and goes north again to Matsugasaki Purification Plant.
    蹴上からは北に向かう疏水分線が別れており、南禅寺の境内を水路閣でまたぎ、法然院・慈照寺（銀閣寺）西方を通り北進し、その後700mほど今出川通と並走したのち、再び北進し、松ヶ崎浄水場へと流れていく。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • In azimuth angles, a range comprising the light source center, and 10 degrees each leftward and rightward from a vertical plane comprising the runway centerline or from a vertical plane parallel to the runway centerline, and another range of 11 degrees upward from a horizontal plane comprising the light source center
    方位角において、光源の中心を含み、かつ、滑走路中心線を含み鉛直面又は滑走路中心線に平行な鉛直面から左右それぞれ十度までの範囲及び光源の中心を含む水平面から上方十一度までの範囲 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • In azimuth angles, a range comprising the light source center, and 9 degrees from a vertical plane parallel to the runway centerline toward the runway centerline and 5 degrees toward the other side, and another range of 0.5 to 10.5 degrees upward from a horizontal plane comprising the light source center
    方位角において、光源の中心を含み、かつ、滑走路中心線に平行な鉛直面から滑走路中心線側へ九度まで及びその反対側へ五度までの範囲並びに光源の中心を含む水平面の上方〇・五度から十・五度までの範囲 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • In azimuth angles, a range comprising the light source center, and 9 degrees from a vertical plane parallel toward the runway centerline and 5 degrees toward the other side, and another range of 1 to 11 degrees upward from a horizontal plane comprising the light source center
    方位角において、光源の中心を含み、かつ、滑走路中心線に平行な鉛直面から滑走路中心線側へ九度まで及びその反対側へ五度までの範囲並びに光源の中心を含む水平面の上方一度から十一度までの範囲 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • A resistance heating element 5 is connected to the series circuit of a secondary cell 1 and a PTC element 3 in parallel, at the same time, the secondary cell 1 thermally comes into contact with the PTC element 3, and, furthermore, the PTC element 3 thermally comes into contact with the resistance heating element 5.
    ２次電池１とＰＴＣ素子３の直列回路に抵抗加熱素子５が並列接続されると共に、２次電池１とＰＴＣ素子３が熱的に接触し、さらにＰＴＣ素子３と抵抗加熱素子５が熱的に接触するように配置されている。 - 特許庁
  • The dummy layer 70 for the second CMP includes: dummy first to the fourth word line conductive layers 72a to 72d which are parallel to the semiconductor substrate Ba and are laminated, and are formed in the same manner that the first to fourth word line conductive layers 32a to 32d are formed; and a dummy memory protection insulating layer 74.
    第２ＣＭＰ用ダミー層７０は、半導体基板Ｂａに平行で且つ積層されて第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄと同層に形成されたダミー第１〜第４ワード線導電層７２ａ〜７２ｄ、ダミーメモリ保護絶縁層７４を備える。 - 特許庁
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