「In memory」を含む例文一覧(50000)
＜前へ 1 2 .... 31 32 33 34 35 36 37 38 39 .... 999 1000 次へ＞- This memory system is provided with a management table group stored in a NAND memory 20 in which management information including the storage positions of data stored in a DRAM 20 and a NAND memory 10 is stored.
ＤＲＡＭ２０およびＮＡＮＤメモリ１０に記憶されたデータの格納位置を含む管理情報が保持され、ＮＡＮＤメモリ２０に記憶される管理テーブル群が具備される。 - 特許庁 - To reduce power consumption by a volatile memory in a power saving mode in an electronic device having the volatile memory consisting of a plurality of memory regions in which electric supply can be individually performed.
個別に電源供給が可能な複数のメモリ領域からなる揮発性メモリを有する電子機器において、省電力モード時の揮発性メモリによる消費電力を低減する。 - 特許庁 - If the sector is not entered, the flash memory 2 is directly accessed in the case of read, and the sector is entered in the cache memory 1 and is written on the cache memory 1 in the case of write.
セクタがエントリされていなければ、読み出しはフラッシュメモリ２に対して直接に行い、書き込みは、このセクタをキャッシュメモリ１にエントリした上で、該キャッシュメモリ１上に行う。 - 特許庁 - Write voltage pulses necessary for the memory cells 10 are applied for a plurality of times in a data write operation period in which data are written in the selected memory cell out of the plurality of memory cells 10.
前記複数のメモリセル１０のいずれかの選択メモリセルにデータを書き込むデータ書き込み動作期間内に、前記メモリセル１０に必要な書き込み電圧パルスが複数回印加される。 - 特許庁 - Codes in the floating memory locations at addresses stored in a memory element of the printer and security codes in the memory element of the printer are periodically (S1) read (S2, S3) and compared with each other (S4).
周期的に（Ｓ１）、装置のメモリ素子内に格納されたアドレスにおけるフローティングメモリロケーション内のコードと、装置のメモリ素子内のセキュリティコードとが読み出され（Ｓ２，Ｓ３）、比較される（Ｓ４）。 - 特許庁 - In the case of the upside down image mode, the memory control circuit 20 instructs a memory address where data written in one preceding frame is read in the opposite sequence to the memory circuit 19.
上下反転画像モードの場合、メモリ制御回路２０は、１フレーム前に書込んだフィールドのデータを書込みとは逆の順番で読み出せる様なメモリ・アドレスをメモリ回路１９に指示する。 - 特許庁 - To improve the effect of a cache memory by storing the command and the data needing high-speed access in the cache memory in advance, and controlling the replacement operation in the cache memory by CPU access thereafter.
高速アクセスを必要とする命令やデータを予めキャッシュメモリ内に格納し、その後のＣＰＵアクセスによるキャッシュメモリ内の置換動作を制御し、キャッシュメモリの効果をあげる。 - 特許庁 - A memory area in which rewritten data are to be written is determined while referring to the empty information flag in the erasing table (20) and data rewriting is inhibited from being performed in the same memory area as a memory area used before data rewriting.
書き換えデータを書き込むメモリ領域は消去テーブルの空き情報フラグを参照して決定し、書き換え前のメモリ領域と同じメモリ領域で書き換えを行わない。 - 特許庁 - Data of an introduction part in audio data of a music instructed to be played back are stored in a memory 20b by a memory controller 21, and the data of the introduction part is compared with the data of the introduction part stored in the memory 20b.
メモリコントローラ２１は、再生指示された曲のオーディオデータのイントロ部データをメモリ２０ｂに記憶し、このイントロ部のデータと、メモリ２０ｂに記憶されたイントロ部のデータと、を比較する。 - 特許庁 - The image processor stores the program in an involatile memory in a hard disk and automatically writes it in an involatile rewritable memory such as a flash memory by turn-off/on of a power supply.
画像処理装置はプログラムをハードディスクなどの不揮発性記憶装置に記憶し、電源のＯＦＦ／ＯＮにより自動的にフラッシュメモリ等の不揮発性の書き換え可能なメモリに書き込まれる。 - 特許庁 - In order to reduce the memory capacity, image data are stored in a display memory 16 after reducing the image data by using resolution conversion resulting in reducing the memory capacity.
メモリ容量を削減するために、解像度変換を用いて画像を縮小してから表示メモリ１６にデータを蓄積することにより、メモリ容量を削減することができる。 - 特許庁 - To take in a signal of an address or the like at high speed and surely in take-in technology of an address signal in especially a semiconductor memory having a memory cell, in a semiconductor memory.
本発明は、半導体記憶装置に関し、特に、メモリセルを有する半導体記憶装置におけるアドレス信号の取り込み技術に関し、アドレス等の信号を高速かつ確実に取り込むことを目的とする。 - 特許庁 - The recognition result in the data memory 16 and the image in an image memory 12 are embedded in the screen components stored in the layout memory 20, and a display screen is generated in a display control part 22 and displayed on a display part 23.
表示制御部２２では、配置メモリ２０に格納された画面部品に、データメモリ１６中の認識結果や画像メモリ１２中の画像イメージが埋込まれて表示画面が生成され、表示部２３に表示される。 - 特許庁 - The corresponding relationship between the attaching position and the inclining angle is decided in advance, and stored in a memory in the transmitting unit 10 or a memory in a receiving unit 20 in advance.
この取り付け位置−傾斜角の対応関係は、予め決められており、予め送信ユニット１０内のメモリ又は受信ユニット２０内のメモリに記憶されている。 - 特許庁 - Whether or not an instruction code before rewrite is stored in an instruction cache memory is checked (S22), and when it is stored in the instruction cache memory (YES in S22), the instruction code after rewrite which is written in the data cache memory is directly written in the instruction cache memory (S24).
書換前の命令コードが命令キャッシュメモリに記憶されているか否かが調べられ（Ｓ２２）、命令キャッシュメモリに記憶されている場合には（Ｓ２２でＹＥＳ）、データキャッシュメモリに書込まれている書換後の命令コードが、命令キャッシュメモリに直接書込まれる（Ｓ２４）。 - 特許庁 - The method of operating the nonvolatile memory device included in a memory card can be provided by re-mapping addresses of bad blocks in a first nonvolatile MAT in the memory card and re-mapping addresses of bad blocks in a second nonvolatile MAT in the memory card.
メモリカードに備えられた不揮発性メモリ装置の動作方法は、メモリカードの第１不揮発性マット内の不良ブロックのアドレスを再マッピングし、メモリカード内で第２不揮発性マットの不良ブロックのアドレスを再マッピングすることによって提供することができる。 - 特許庁 - A physical memory block 102Z in which "0" values for simulatively clearing 0s in the array spaces of arrays 101A and 101B are stored is prepared in a physical memory 102 in advance, and a physical memory page 103Z showing the physical memory block 102Z is prepared in a table 103 in advance.
配列１０１Ａ、１０１Ｂの配列空間を擬似的に０クリアするための“０”値が格納された物理メモリブロック１０２Ｚが物理メモリ１０２に予め用意されており、テーブル１０３には物理メモリブロック１０２Ｚを示す物理メモリページ１０３Ｚが予め用意されている。 - 特許庁 - The liquid crystal projector for which a writable non-volatile memory is being used as program memory is provided with non-volatile memory, and a means for storing an alteration history of the program in the non-volatile memory when the program in the program memory is altered.
書き換え可能な不揮発性メモリがプログラムメモリとして使用されている液晶プロジェクタにおいて、不揮発性メモリ、およびプログラムメモリ内のプログラムを変更した際、プログラムの変更履歴を不揮発性メモリに記憶する手段を備えている。 - 特許庁 - In the semiconductor integrated circuit device incorporating a flash memory 2 and a RAM 3, when a defective memory exists, relieving information stored in a mat 2e for preserving relieving information of the flash memory 2 is transferred to the flash memory 2, a memory block 3_1, 3_2.
フラッシュメモリ２、ＲＡＭ３が内蔵された半導体集積回路装置であって、不良ビットが存在する場合、フラッシュメモリ２の救済情報保存用マット２ｅに格納された救済情報をフラッシュメモリ２、メモリブロック３_1 ，３__2 に転送する。 - 特許庁 - The memory device includes a first memory including a nonvolatile memory element and a second memory (data buffer) for temporarily storing data in verifying operation in which whether or not the data are correctly written into the first memory is verified.
不揮発性の記憶素子を有する第１の記憶部と、上記第１の記憶部へのデータの書き込みが正確に行われたかどうかを検証するベリファイ動作において、上記データを一時的に保存するための第２の記憶部（データバッファ）とを有する。 - 特許庁 - In addition, the first and second memory cell arrays are arranged facing each other in a column direction, the second memory cell 102 has a larger area than the first memory cell 101, and the area of the first memory cell array 201 is two or more times the area of the second memory cell array 202.
また、第１及び第２のメモリセルアレイは、互いに列方向に対向配置され、第２のメモリセル１０２は第１のメモリセル１０１よりも面積が大きく、第１のメモリセルアレイ２０１は第２のメモリセルアレイ２０２の２倍以上の面積である。 - 特許庁 - To properly read and write a data signal from/in remaining memory cells when a defective memory cell causing a short circuit exists across a row line and a column line, in an integrated memory provided with memory cells having a magnetic resistance memory effect.
磁気抵抗メモリ効果をもつメモリセルを備えた集積メモリにおいて、行ラインと列ラインとの間で短絡を引き起こす欠陥メモリセルが存在するときに、残りのメモリセルにおけるデータ信号の適正な読み書きを十分可能にする。 - 特許庁 - A non-volatile semiconductor memory has memory cells 100 having first and second MONOS memory cells controlled by a word gate and a control gate, and a memory cell array region in which a plurality of memory cells are arranged in the direction of A and B.
不揮発性半導体記憶装置は、ワードゲートと、コントロールゲートにより制御される第１，第２のＭＯＮＯＳメモリセルとを有するメモリセルを１００、第１及び第２の方向Ａ，Ｂにそれぞれ複数配列してなるメモリセルアレイ領域を有する。 - 特許庁 - A memory allocating part 23 allocates a memory area in a first memory bank to the data determined to have to be refreshed and allocates a memory area in a second memory bank to data determined to have no need for refreshing.
次に、メモリ割当部２３は、リフレッシュの必要があると判定されたデータに対しては第１のメモリバンク中のメモリ領域を割り当て、リフレッシュの必要がないと判定されたデータに対しては第２のメモリバンク中のメモリ領域を割り当てる。 - 特許庁 - The memory device is equipped with a reference circuit 1 in which a reference memory element 50 having the same property as that of a memory element 51 is used and a memory energizing circuit 2 which sets the read current of the memory element referring to the amount of a current which is made to flow in the reference circuit 1.
メモリ素子５１と同じ特性の参照メモリ素子５０を用いた参照回路１と、この参照回路１に流れる電流量を参照してメモリ素子の読み出し電流を設定するメモリ通電回路２とを備えた。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory strengthening resistance due to the coupling noise of a memory bus without producing area penalty by a holding circuit in the capacity development of the memory so as to connect a plurality of memory blocks in the same memory bus, and without producing bus collision by the multiple selection of the two or more memory blocks in an initial state.
同一のメモリバスに複数のメモリブロックを接続するようなメモリの容量展開においてホールド回路によるエリアペナルティを発生させず、かつメモリバスのカップリングノイズによる耐性を強くし、また初期状態においても二つ以上のメモリブロックの多重選択によるバス衝突を起こさない半導体メモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a memory device, a memory device control method and a data processing system which realize reduction in the number of times of erasure of a flash memory without largely reducing the memory capacity of the flash memory, then, efficient update of the data of the flash memory, and consequently realize reduction in a deterioration in a storage element and quickening of data access.
フラッシュメモリのメモリ容量を大きく減少させることなく、フラッシュメモリの消去回数を減らし、フラッシュメモリのデータの更新を効率的に行い、記憶素子の劣化を低減するとともに、データのアクセスを高速に行なうことができるメモリ装置、メモリ装置の制御方法およびデータ処理システムを提供する。 - 特許庁 - To repair a defective memory cell in a randomly accessible non-volatile memory, and to reduce the access time.
ランダムアクセス可能な不揮発性メモリにおける不良メモリセルを救済し、かつアクセス時間を低減する。 - 特許庁 - When the memory card is detected, determination is made on whether an update program is stored in the memory card.
メモリカードが検出されると、メモリカードにアップデートプログラムが記憶されているか否かの判定が行われる。 - 特許庁 - Access is performed to a buffer memory 12 and it is confirmed whether a selected music exists in the buffer memory 12 or not.
バッファメモリ１２にアクセスし、バッファメモリ１２に選択された楽曲があるかどうかを確認する。 - 特許庁 - A memory row under a twist part in the sub-block is selected and the memory cells are inspected at P4.
Ｐ４ではメモリサブブロック中のツイスト部の下側のメモリ行が選択されてメモリセルが検査される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory which has a small sense amplifier and can write data in memory cells without fail.
センスアンプが小さく、かつデータをメモリセルへ確実に書き込める半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To improve performance of a plurality of memory operations with order in a processor having one weak memory order model.
１つの弱いメモリ順序モデルを有するプロセサにおける複数の順序付きメモリ操作の性能改善。 - 特許庁 - To provide a method for managing data stored in a non-volatile memory having a plurality of memory blocks.
複数のメモリブロックを有する不揮発性メモリに貯蔵されたデータを管理する方法を提供する。 - 特許庁 - Moreover, a nonvolatile memory 14 is provided in a disk cartridge to record the address of the AV management information on the memory 14.
また、ディスクカートリッジ内に不揮発メモリ１４を設け、これにＡＶ管理情報のアドレスを記録する。 - 特許庁 - The contents of a memory of the virtual machine, i.e., data of the instruction, etc., are stored in a pseudo memory storage part 4.
擬似メモリ格納部４は、仮想マシンのメモリの内容、すなわち命令のデータ等が記憶される。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device which is excellent in characteristics of a memory cell.
メモリセルの特性が良好な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for reducing power consumption of the magnetic memory element in a magnetic random access memory (MRAM).
磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）の磁気メモリ素子の消費電力を小さくする方法を提供する。 - 特許庁 - To solve a problem that drain-disturb may occur in a memory cell on the same bit line at the time of writing to a flash memory.
フラッシュメモリの書き込み時、同一ビット線上のメモリセルに対して、ドレインディスターブが発生する。 - 特許庁 - The memory controller 23 writes plural pieces of inputted data in a common memory 24 while performing arbitration.
メモリコントローラ２３は入力された複数のデータを調停を行いながら共通メモリ２４に書き込む。 - 特許庁 - A map is generated, which shows the locations where memory faults have occurred in the memory mixed loaded arrays (110-113).
本発明は、メモリ障害が各メモリ混載アレー（110〜113）の何処に生じているかを示すマップを生成する。 - 特許庁 - A wireless transceiver capability in the USB memory key allows the memory key to be used to control external equipment.
ＵＳＢメモリキーのワイヤレストランシーバ機能は、メモリキーを用いて外付けの機器を制御するために使用する。 - 特許庁 - The phase memory cell consists of a phase change memory elements 21-23 connected in series and a diode.
相変化メモリセルは、直列に接続された相変化メモリ素子２１〜２３とダイオードとから構成される。 - 特許庁 - To suppress lowering in performance of memory access by suppressing generation of page miss penalty of a memory module with long latency.
レイテンシが大きいメモリモジュールのページミスペナルティの発生を抑止し、メモリアクセスの性能低下を抑える。 - 特許庁 - To provide a memory card connector enabling further reduction in a space required for packaging a memory card.
メモリカードを実装するために必要とするスペースをより一層低減するメモリカードコネクタを提供する。 - 特許庁 - WRITE-IN METHOD AND READ-OUT METHOD FOR FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE
強誘電体メモリ装置の書き込み方法および読み出し方法ならびに強誘電体メモリ装置 - 特許庁 - Then, the memory interface 5 reads the tile image written in the external memory and transmits it to a scaling block 6.
そして、メモリインタフェース５は、外部メモリに書き込まれたタイル画像を読み出し変倍ブロック６に送る。 - 特許庁 - To simply detect a memory transistor of a non-volatile semiconductor memory being in an over-erasure state.
過剰消去状態になった不揮発性半導体メモリのメモリセルトランジスタを簡単に検出する。 - 特許庁 - To provide a high integration nonvolatile semiconductor memory in which one memory cell has two trap sites.
１メモリセルが２トラップサイトを有しながらも、高集積な不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁 - After this charging processing, the piece of music recorded in the temporary memory is copied to a storing memory card.
課金処理が実行されると、テンポラリメモリに記録していた楽曲を保存用のメモリカードにコピーする。 - 特許庁
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