「Is Using」を含む例文一覧(50000)

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  • This is the usual case of emerge packagename for all the external modules you are used to using with 2.4.
    これは2.4で使い慣れている全ての外部モジュールをインストールするためにemergeパッケージ名を使うよくある状況です。 - Gentoo Linux
  • # dmesg | grep USBdrivers/usb/input/hid-core.c: v2.0:USB HID core driverusb 1-1: new low speed USB device using address 2input: USB HID v1.10 Mouse [Logitech USB-PS/2 Optical Mouse] on usb-0000:00:07.2-1 Another nifty command you can use to see the status of your USB ports is lsusb.
    USBポートの状態を見るために使える素晴らしいコマンドは、他にlsusbがあります。 - Gentoo Linux
  • REDIRECTION Before a command is executed, its input and output may be redirected using a special notation interpreted by the shell.
    リダイレクトシェルが解釈する特別な記法を用いると、コマンドの実行前に入出力をリダイレクトできます。 - JM
  • The new owner can be specified either as a numeric user ID, or as a username (which is converted to a user ID by using getpwnam (3)
    新しい所有者は、数字のユーザ ID かユーザ名のいずれかで指定できる(ユーザ名で指定した場合には、getpwnam (3) - JM
  • function initializes the group access list by reading the group database /etc/group and using all groups of which user is a member.
    関数はグループデータベース /etc/group を読み込んで、user が所属している全てのグループを使って、グループアクセスリストを初期化する。 - JM
  • To be effective, this limit must be set before the program is executed, perhaps using the ulimit -s shell built-in command ( "limit stacksize"
    設定を有効にするためには、プログラムを実行する前にリミット値を設定しておかなければならない。 - JM
  • This routine is useful for users who wish to generate these credentials without using the RPC authentication package.
    このルーティンはRPC 認証パッケージを使用せずにこれらの証明書を作成しようとする場合に便利である。 - JM
  • The kernel doubles this value (to allow space for bookkeeping overhead) when it is set using setsockopt (2),
    setsockopt (2) を使って値が設定されたときに (管理オーバヘッド用の領域を確保するために)カーネルはこの値を 2倍し、getsockopt (2) - JM
  • (Note that using an auto-rewind device for positioning the tape with, for instance, mt does not lead to the desired result: the tape is rewound after the mt command and the next command starts from the beginning of the tape).
    テープは mt コマンドの後で巻き戻され、次のコマンドはテープの先頭から始まってしまう)。 - JM
  • is returned, but root may stop redirection by using this ioctl with fd pointing at /dev/console or /dev/tty0 .
    が返されるが、root は、/dev/consoleまたは/dev/tty0を指すfdに対してこの ioctl を使用することにより、リダイレクトを止めることができる。 - JM
  • Note: If you are using the GlassFish application server, it is recommended that you run GlassFish V2 in order to work with NetBeans IDE 6.0.
    注: GlassFish アプリケーションサーバーを使用する場合は、NetBeans IDE 6.0 と連携させるために GlassFish V2 を実行することをお勧めします。 - NetBeans
  • Note: If you are using the GlassFish application server, it is recommended that you run GlassFish V2 in order to work with NetBeans IDE 6.1.
    注: GlassFish アプリケーションサーバーを使用する場合は、NetBeans IDE 6.1 と連携させるために GlassFish V2 を実行することをお勧めします。 - NetBeans
  • In NetBeans IDE 6.1, creating, deleting, and other database administration is done using the Java DB node in the Services window.
    NetBeans IDE 6.1 では、「サービス」ウィンドウの「Java DB」ノードを使用して、作成、削除、およびその他のデータベースの管理が行われます。 - NetBeans
  • Note: If you are using the GlassFish application server, it is recommended that you run GlassFish V2 in order to work with NetBeans IDE 6.5.
    注: GlassFish アプリケーションサーバーを使用する場合は、NetBeans IDE 6.5 と連携させるために GlassFish V2 を実行することをお勧めします。 - NetBeans
  • This sample is a real-world BPEL process sample constructed using the majority of BPEL elements and several partner web services.
    このサンプルは、BPEL 要素の大部分と、いくつかのパートナー Web サービスを使用して構築された実世界の BPEL プロセスサンプルです。 - NetBeans
  • Specifically, the film 3 is formed using raw gas, which contains fluorine and oxygen and does not contain hydrogen.
    具体的には、フッ素および酸素を含み水素を含まない原料ガスを用いて、ＳｉＯＦ膜３を形成する。 - 特許庁
  • Hydrogen radical treatment without using ion is performed on at least one of first and second semiconductor layers 11, 13.
    第１及び第２の半導体層１１，１３の少なくとも一方に、イオンを用いない水素ラジカル処理を施す。 - 特許庁
  • The raster distortion of an image on a plane screen is effectively reduced without using a magnet having a great volume.
    体積の大きな磁石を用いることなく平面画面における画像のラスター歪みを有効に軽減できる。 - 特許庁
  • EPOXY RESIN COMPOSITION FOR SEALING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE IN WHICH SEMICONDUCTOR ELEMENT IS SEALED USING THE COMPOSITION
    半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び該組成物を用いて半導体素子が封止された半導体装置 - 特許庁
  • Nonlinearity of the transconductance step is compensated advantageously by using two same transconductance amplifiers.
    ２つの同じ相互コンダクタンス増幅器を使用することにより、相互コンダクタンス段の非直線性が有利に相殺される。 - 特許庁
  • A semiconductor device A comprising a semiconductor sensor chip 5 having a diaphragm 5d is manufactured using a lead frame.
    ダイヤフラム５ｄが形成された半導体センサチップ５を備える半導体装置Ａを、リードフレームを用いて製造する。 - 特許庁
  • The standard database is used for managing the server while using the proprietary database through the standard protocol.
    標準プロトコルを介しプロプライエタリ・データベースを使用して、サーバを管理するために標準データベースを使用する。 - 特許庁
  • This is the organic insulation film fabricated by using organic silane having a triple bond of carbon as a material gas.
    炭素の三重結合を有する有機シランを原料ガスとして用いて作られた有機絶縁膜を提案する。 - 特許庁
  • To easily separate a molded article from a die when the molded article is obtained by curing a molding material using a die.
    型を用い成形材料を硬化することで成形品を得るときに、成形品を型から容易に分離する。 - 特許庁
  • The microporous membrane is obtained by wet coagulation of polyurethane-based resin solution using N,N-dimethylformamide as a main solvent.
    微多孔膜は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを主溶媒とするポリウレタン系樹脂溶液を、湿式凝固して得られる。 - 特許庁
  • A fatty acid ester is generated from a waste fat and oil by transesterification using an alcohol and a catalyst.
    アルコールおよび触媒を用いてエステル交換反応させることにより、廃油脂から脂肪酸エステルを生成する。 - 特許庁
  • The vulcanized rubber member 16 is formed with the vulcanized object of a rubber compounded object using nonpolar rubber such as ethylene propylene rubber as a base.
    加硫ゴム部材１６を、エチレンプロピレンゴム等の非極性ゴムをベースとするゴム配合物の加硫物で形成する。 - 特許庁
  • The piston is cast using an aluminum alloy as a base material, while casting a sintered member 8 in the skirt portion of the piston.
    アルミ合金を母材としてピストンを鋳造する際に、ピストンのスカート部に焼結部材８を鋳包む。 - 特許庁
  • The diplexer 11 is constituted by using conductor layers inside the multilayer substrate for integration or on the surface thereof.
    ダイプレクサ１１は集積用多層基板の内部および表面上の導体層を用いて構成されている。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR DEVICE, APPLICATION CIRCUIT USING THE SAME AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WHERE THE APPLICATION CIRCUIT IS FORMED
    半導体装置とそれを用いた適用回路およびその適用回路が形成された半導体集積回路装置 - 特許庁
  • A first plating layer 5 is formed by the electroless plating treatment using the metallic particulates 2 as the catalyst nuclei for plating.
    金属微粒子２をめっき触媒核として無電解めっき処理にて第一のめっき層５を形成する。 - 特許庁
  • The composite oxide is manufactured by the liquid phase synthesis method using Li, Mn, Ni, and the nitrate of a transition metal.
    この複合酸化物は、Li、Mn、Niおよび遷移金属の硝酸塩を用いる液相合成法によって製造する。 - 特許庁
  • A lithium-ion secondary battery using the cathode active material is provided with an anode containing substantially no Li.
    また、この正極活物質を用いたリチウムイオン二次電池は、実質的にＬｉを含まない負極を備える。 - 特許庁
  • Ionospheric delay-corrected pseudo-range data is then generated using the estimated ionospheric delay coefficient.
    次に、前記推定した電離層遅延係数を用いて、電離層遅延補正を行った擬似レンジデータを生成する。 - 特許庁
  • The semiconductor layer is dry-etched by using the mask to form a semiconductor mesa for an optical waveguide structure.
    このマスクを用いて半導体積層をドライエッチングして光導波路構造のための半導体メサを形成する。 - 特許庁
  • A preform 72 is formed of (meth)acrylic ester having an alicyclic hydrocarbon group by using a polymerized polymer.
    脂環式炭化水素基を有する（メタ）アクリ酸エステルから重合されたポリマーを用いてプリフォーム７２を形成する。 - 特許庁
  • The organic film is subjected to selective anisotropic etching by using a mixed gas of nitrogen and CxHy as an etching gas.
    エッチングガスとして窒素とＣｘＨｙとの混合ガスを用い、有機膜を選択的に異方性エッチングする。 - 特許庁
  • This is a method for using ion injection for preparing a normal layer in an SNS Josephson junction 10.
    ＳＮＳジョセフソン接合（１０）中に通常層を作製するためにイオン注入を使用する方法である。 - 特許庁
  • This liner 1 for the high-pressure gas container is manufactured by using a resin composition composed of polyphenylene sulfide resin.
    ポリフェニレンスルフィド樹脂からなる樹脂組成物を用いて作製された高圧ガス容器用ライナー１である。 - 特許庁
  • The copper layer 3 is subjected to surface treatment by using a coupling agent having a vinyl group and a (meta) acrylic compound.
    銅層３は、ビニル基を有するカップリング剤及び（メタ）アクリル化合物を用いて表面処理されている。 - 特許庁
  • The trimming processing for the fuses is executed on the devices considered to be acceptable item in a wafer test by using a laser trimmer.
    ウェハテストで良品とされたデバイスのそれぞれに対して、レーザートリマーを用いて、ヒューズのトリミング処理を行なう。 - 特許庁
  • And, the superconductive film 2 is patterned by ion beam etching by using the hardening positive type photoresist 5 as a mask (Fig.g).
    そして、硬化ポジ型フォトレジスト５をマスクとして、イオンビームエッチングにより、超伝導膜２をパターニングする（図１（ｇ））。 - 特許庁
  • The first layer 2B consists of a copper layer having a porous structure and is formed by using a rare gas and oxygen or nitrogen gas.
    第一層２Ｂはポーラスな構造を有する銅層であり、希ガス＋酸素又窒素ガスで形成する。 - 特許庁
  • The rhodium layer 24 is prepared by forming a film by an electric plating method using a plating solution containing not only rhodium but also ruthenium.
    ロジウム層２４は、ロジウムの他にルテニウムを含むめっき液を用いて電気めっき法により成膜する。 - 特許庁
  • In the electrolytic cell 37, the electrolytic reaction using the electrodes 41, 42 is performed to treat a phosphorus compound.
    電解槽３７では、リン化合物の処理のために、電極４１，４２を用いた電解反応が行なわれる。 - 特許庁
  • The polyurethane resin is produced by using the alkanolamine such as N,N'-bis(2-hydroxypropyl)-N,N'-diethylhexamethylenediamine.
    Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシプロピル）−Ｎ，Ｎ’−ジエチルヘキサメチレンジアミン等のアルカノールアミンを用いて、ポリウレタン樹脂を製造する。 - 特許庁
  • The resin-made optical member 50 is made by injecting a resin using the mold 40a.
    金型４０ａを用いて樹脂を材質として射出成形を行い樹脂製光学部材５０を作製する。 - 特許庁
  • The positive electrode is manufactured, by using a lithium-containing manganese oxide containing potassium as a positive electrode active material.
    カリウムを含むリチウム含有マンガン酸化物を正極活物質として用いることにより正極を作製する。 - 特許庁
  • The reaction method of a cyclic ketone is to react the cyclic ketone using a catalyst comprising a metal cluster carried on molybdenum, niobium, tantalum or tungsten.
    モリブデン、ニオブ、タンタルまたはタングステン担持金属クラスターからなる触媒を用い、環状ケトンを反応させる。 - 特許庁
  • To provide a method where hydrocarbon is modified, so as to produce hydrogen without using a catalyst.
    触媒を用いることなく、炭化水素を改質して水素を製造することができる方法を提供すること。 - 特許庁
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