「MASK pattern」を含む例文一覧(5189)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 .... 103 104 次へ＞- METHOD OF MANUFACTURING STENCIL MASK AND PATTERN TRANSFER METHOD THEREOF
ステンシルマスクの製造方法及びそのパターン転写方法 - 特許庁 - PHASE SHIFT MASK AND PATTERN EXPOSING METHOD USING SAME
位相シフトマスクおよび、これを用いたパターン露光方法 - 特許庁 - Light from the pattern of a mask 3 forms a primary image I of a mask pattern via a first image-forming optical system K1.
マスク３のパターンからの光が、第１結像光学系Ｋ１を介して、マスクパターンの一次像Ｉを形成する。 - 特許庁 - The size of the second mask pattern is reduced by removing a surface part of the second mask pattern by etching.
第２のマスクパターンの表層部をエッチング除去することにより、第２のマスクパターンの寸法を縮小させる。 - 特許庁 - To improve the exposure position accuracy of a mask pattern of a photomask.
フォトマスクのマスクパターンの露光位置精度を向上する。 - 特許庁 - A third mask pattern is formed between the first patterns.
第１のパターン間に第３のマスクパターンを形成する。 - 特許庁 - MASK PATTERN VERIFYING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
半導体集積回路装置のマスクパターン検証装置 - 特許庁 - HALF-TONE TYPE PHASE SHIFT MASK AND HOLE PATTERN FORMING METHOD
ハーフトーン型位相シフトマスク及びホールパターン形成方法 - 特許庁 - PATTERN INSPECTION METHOD AND DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR MASK
パターン検査方法及びその装置、マスクの製造方法 - 特許庁 - Then an exposure mask having the correction pattern is produced (S9).
補正パターンを備えた露光マスクを作製する（Ｓ９）。 - 特許庁 - A photoresist material is developed according to a mask pattern.
マスク・パターンに従ってフォトレジスト材料が現像される。 - 特許庁 - EXPOSURE MASK AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME
露光用マスクおよびそれを用いるパターン形成方法 - 特許庁 - MASK PATTERN WITH HALFTONE PHASE DIFFERENCE AND ITS PRODUCTION
ハーフトーン位相差マスクのマスクパターン及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR AUTOMATICALLY MEASURING ROUNDNESS AND MEASUREMENT APPARATUS FOR MASK PATTERN QUALITY
丸み自動計測方法、マスクパターン品質測定装置 - 特許庁 - PHASE SHIFT MASK AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME
位相シフトマスクおよびそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING METALLIC PATTERN USING SACRIFICE HARD MASK
犠牲ハードマスクを用いて金属パターンを形成する方法 - 特許庁 - PATTERN FORMING METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR GRAY TONE MASK
パターン形成方法及びグレートーンマスクの製造方法 - 特許庁 - MASK PATTERN CORRECTING METHOD, PHOTOMASK, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM STORED WITH MASK PATTERN CORRECTING PROGRAM
マスクパターン補正方法、フォトマスク及びマスクパターン補正方法プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁 - METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, PROGRAM FOR CORRECTING MASK PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
マスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラム、フォトマスクの作製方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF AND MASK PATTERN
半導体装置およびその製造方法並びにマスクパターン - 特許庁 - PRINTED WIRING BOARD MASK PATTERN ASSEMBLY PICTURE PREPARING DEVICE AND PRINTED WIRING BOARD MASK PATTERN ASSEMBLY PICTURE DISPLAY METHOD
プリント配線板マスクパターン面付図面作成装置およびプリント配線板マスクパターン面付図面の表示方法 - 特許庁 - MASK FOR ELECTRON BEAM EXPOSURE AND METHOD OF DESIGNING PATTERN THEREOF
電子線露光用マスク及びそのパターン設計方法 - 特許庁 - DESIGN METHOD OF MASK PATTERN, PHOTOMASK, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
マスクパターンの設計方法、フォトマスク及び半導体装置 - 特許庁 - METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, PHOTOMASK AND SEMICONDUCTOR DEVICE
マスクパタ−ン補正方法、フォトマスク及び半導体装置 - 特許庁 - A first photoresist pattern is formed on the hard mask layer.
ハードマスク層上に第１フォトレジストパターンを形成する。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MASK PATTERN FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置、及び半導体装置製造用マスクパターン - 特許庁 - In this process, the pattern face 90a of the mask faces upward.
このとき、マスクのパターン面９０ａは上向きになる。 - 特許庁 - The mask pattern of a phase shift mask has a light shielding pattern and first and second transmitting patterns which transmit exposure light.
位相シフトマスクのマスクパターンを、遮光パターンと、露光光を透過する第１、第２の透過パターンとから構成する。 - 特許庁 - The second region is covered with the mask pattern and the sidewall spacer on the sidewall of the first gate mask pattern is removed.
第２の領域を、マスクパターンで覆い、第１のゲートマスクパターンの側壁上のサイドウォールスペーサを除去する。 - 特許庁 - METHOD FOR INSPECTING PATTERN SHAPE OF TRANSFER MASK FOR ELECTRON BEAM
電子線用転写マスクのパターン形状の検査方法 - 特許庁 - APPARATUS OF FORMING MASK PATTERN, APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING HIGH-RESOLUTION MASK AS WELL AS METHOD OF FORMING RESIST PATTERN
マスクパターンの作成装置、高解像度マスクの作製装置及び作製方法、並びにレジストパターン形成方法 - 特許庁 - Etching is carried out so that the first mask pattern is left in a region where the first pattern and first mask pattern cross each other and the second pattern is left in a region where the first pattern and second pattern cross each other.
第１のパターンと第１のマスクパターンが交差する領域に第１のマスクパターンが残留し、第１のパターンと第２のパターンが交差する領域に第２のパターンが残留するようにエッチングを行う。 - 特許庁 - MASK FOR PATTERN TRANSFER, PATTERN TRANSFER METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
パターン転写用マスク、パターン転写方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To provide a gray tone mask capable of improving a pattern shape and pattern accuracy.
パターン形状やパターン精度を高めることができるグレートーンマスクを提供する。 - 特許庁 - AUXILIARY PATTERN FORMING METHOD AND AUTOMATIC FORMING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MASK LAYOUT PATTERN
補助パターン生成方法および半導体マスクレイアウトパターンの自動生成方法 - 特許庁 - EXPOSURE MASK, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN AND METHOD FOR FORMING THIN FILM PATTERN
露光用マスク、レジストパターンの形成方法および薄膜パターンの形成方法 - 特許庁 - A pattern facing the pattern of the solder pad is formed in a mask 96.
マスク９６には、半田パッドのパターンと相対するパターンが形成されている。 - 特許庁 - To provide a gray tone mask capable of improving a pattern feature and pattern accuracy.
パターン形状やパターン精度を高めることができるグレートーンマスクを提供する。 - 特許庁 - COLOR PIXEL ARRAY PATTERN AS WELL AS ELECTRODE PATTERN AND ELECTRODE MASK USING THE SAME
色画素配列パターン並びに電極パターン及びそれを用いた電極マスク - 特許庁 - METHOD FOR CORRECTING DEFECT IN GRAY TONE MASK, METHOD FOR MANUFACTURING GRAY TONE MASK AND GRAY TONE MASK, AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN
グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 - 特許庁 - GRAY TONE MASK BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, METHOD FOR MANUFACTURING GRAY TONE MASK AND GRAY TONE MASK, AND PATTERN TRANSFER METHOD
グレートーンマスクブランクとその製造方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 - 特許庁 - While the position reference mark 8 is used to detect the position of the mask layer 4, a mask pattern is drawn on the mask layer 4.
位置基準マーク８をマスク層４の位置検出に用いながら、マスク層４にマスクパターンを描画する。 - 特許庁 - METHOD FOR CORRECTING DEFECT IN GRAY TONE MASK, METHOD FOR MANUFACTURING GRAY TONE MASK, GRAY TONE MASK, AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN
グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 - 特許庁 - To provide a mask for charged particle exposure in which inner stress generating in a mask pattern formation region can be decreased and a mask pattern can be formed with high accuracy.
マスクパターン形成領域に生じる内部応力を減少させ、マスクパターンを高精度にできる荷電粒子露光用マスクを提供する。 - 特許庁 - The mask 1 has a first mask layer 13, and a second mask layer 16 having a printing pattern opening corresponding to a printing pattern, laminated together.
マスク１は、第１のマスク層１３と、印刷パターンに対応した印刷パターン開口を有する第２のマスク層１６とが積層されている。 - 特許庁 - In the periphery of a mask pattern 13 or a mask pattern region 14 of the membrane layer 12 which constitutes the mask, a membrane support layer 15 is formed.
マスクを構成するメンブレン層１２のマスクパターン１３又はマスクパターン領域１４の周辺部に、メンブレン支持層１５が形成されて成る。 - 特許庁 - With the mask pattern as a mask, ion is injected to a part which is not covered with the mask pattern in the insulating film to damage the insulating film.
マスクパターンをマスクとして、絶縁膜のうちマスクパターンで覆われていない部分にイオンを注入することにより、絶縁膜にダメージを与える。 - 特許庁 - METHOD FOR CORRECTING PATTERN, PATTERN CORRECTING SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING MASK, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, PATTERN CORRECTING PROGRAM AND DESIGN PATTERN
パターン補正方法、パターン補正システム、マスク製造方法、半導体装置製造方法、パターン補正プログラム、及び設計パターン - 特許庁 - In the method of forming a pattern, a two-layer mask composed of a first mask and a second mask is formed on a film to be worked, and the pattern is formed by etching the film to be worked using the two-layer mask for the mask.
パターン形成方法において、被加工膜上に、第１のマスクと第２のマスクとからなる２層のマスクを形成し、この２層のマスクをマスクとして被加工膜をエッチングしてパターンを形成する。 - 特許庁 - The charged particle beam exposure mask is a mask composed of a mask board and a pattern formed on it with openings, and the beam exposure mask is equipped with pattern regions 23 and 24 which are complementarily divided and a pattern region 22 which is not complementarily divided on the same mask 21.
マスク基板に開口によってパターンが形成されている荷電粒子線露光用マスクであって、同一マスク２１内に相補分割されたパターン領域２３，２４と相補分割されていないパターン領域２２を有する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
