「MASK pattern」を含む例文一覧(5189)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 103 104 次へ＞- METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, METHOD FOR FORMING MASK PATTERN, AND ION IMPLANTATION METHOD
マスクパターンの補正方法、マスクパターンの形成方法、及びイオン注入方法 - 特許庁 - MASK PATTERN DESIGNING DEVICE, MASK PATTERN DESIGNING METHOD AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM STORING MASK PATTERN DESIGN PROGRAM
マスクパターン設計装置、マスクパターン設計方法およびマスクパターン設計プログラムを格納したコンピュータ読取り可能な記録媒体 - 特許庁 - METHOD FOR DIVIDING MASK PATTERN, PROGRAM FOR DIVIDING MASK PATTERN, EXPOSURE MASK, AND PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
マスクパターン分割方法、マスクパターン分割プログラム、露光用マスクおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁 - A second mask pattern (15) is left by etching the second mask film using the resist pattern as an etching mask.
レジストパターンをエッチングマスクとして、第２のマスク膜をエッチングすることにより、第２のマスクパターン(15)を残す。 - 特許庁 - A second mask pattern 107, which includes a first pattern crossing the first mask pattern and a second pattern disposed between first mask patterns, is formed.
第１のマスクパターンと交差する第１のパターンと、第１のマスクパターン間に位置する第２のパターンを含む第２のマスクパターン１０７を形成する。 - 特許庁 - STENCIL MASK AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN THEREOF
ステンシルマスク及びそのパターン転写方法 - 特許庁 - MASK PATTERN INSPECTING METHOD FOR ELECTRON BEAM EXPOSURE
電子線露光用マスクパターン検査方法 - 特許庁 - PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR FORMING PATTERN
位相シフトマスク及びパターン形成方法 - 特許庁 - PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR FORMING PATTERN
位相シフトマスクおよびパターン形成方法 - 特許庁 - PATTERN OBSERVING DEVICE AND MASK INSPECTION DEVICE
パターン観察装置およびマスク検査装置 - 特許庁 - MASK FOR TRANSFERRING CIRCUIT PATTERN, METHOD FOR FORMING MASK PATTERN, PROGRAM FOR FORMING MASK PATTERN, MASK PATTERN FORMING APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE
回路パターン転写用マスク、マスクパターン作成方法、マスクパターン作成プログラム、マスクパターン作成装置、半導体装置製造方法および半導体装置製造装置 - 特許庁 - MASK PATTERN CORRECTING SYSTEM AND ITS CORRECTING METHOD
マスクパタ—ン補正システムとその補正方法 - 特許庁 - MASK PATTERN EVALUATING SYSTEM AND METHOD FOR THE SAME
マスクパターン評価システム及びその方法 - 特許庁 - INSPECTION DEVICE AND METHOD FOR MASK PATTERN
マスクパターンの検査装置及び検査方法 - 特許庁 - SYSTEM FOR CORRECTING MASK PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置のマスクパターン補正システム - 特許庁 - MASK PATTERN VERIFICATION DEVICE AND METHOD THEREFOR
マスクパターン検証装置およびその方法 - 特許庁 - METHOD FOR VERIFYING RESULT OF MASK PATTERN CORRECTION, AND APPARATUS FOR VERIFYING RESULT OF MASK PATTERN CORRECTION
マスクパターン補正結果検証方法およびマスクパターン補正結果検証装置 - 特許庁 - MASK PATTERN CORRECTION METHOD, MASK PATTERN CORRECTION PROGRAM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
マスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラムおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁 - STENCIL MASK, METHOD OF MANUFACTURING STENCIL MASK, AND PATTERN TRANSFER METHOD
ステンシルマスク、ステンシルマスクの作製方法、及びパターン転写方法 - 特許庁 - A first mask pattern (14) is left by etching the first mask film using the reduced second mask pattern as an etching mask.
縮小された第２のマスクパターンをエッチングマスクとして、第１のマスク膜をエッチングすることにより、第１のマスクパターン(14)を残す。 - 特許庁 - MASK PATTERN AND RESIST PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME
マスクパターンおよびそれを用いたレジストパターンの形成方法 - 特許庁 - MASK, METHOD FOR FORMING PATTERN AND METHOD FOR EVALUATING PATTERN DIMENSION
マスク、パターン形成方法およびパターン寸法評価方法 - 特許庁 - MASK PATTERN CORRECTING METHOD, MASK MANUFACTURING METHOD, MASK, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
マスクパターン補正方法、マスク製造方法、マスクおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁 - DEVICE FOR GENERATING THINNED-OUT MASK PATTERN, RECORDING DEVICE EQUIPPED WITH THIS DEVICE FOR GENERATING THINNED-OUT MASK PATTERN, METHOD FOR GENERATING MASK PATTERN, PROGRAM AND STORAGE MEDIUM
間引きマスクパターン生成装置及び当該生成装置を備えた記録装置、マスクパターンの生成方法、プログラム、記憶媒体 - 特許庁 - METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, DEVICE FOR CORRECTING MASK PATTERN, RECORDING MEDIUM STORING MASK PATTERN CORRECTING PROGRAM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
マスクパターン補正方法、マスクパターン補正装置、マスクパターン補正プログラムを格納した記録媒体、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To easily prepare a mask pattern accurately in a short time, the mask pattern allowing formation of a desired pattern on a substrate.
所望の基板上パターンを形成できるマスクパターンを正確且つ短時間で容易に作成すること。 - 特許庁 - To provide a mask pattern correcting method which can prevent a shift in a pattern position due to mask deformation due to gravity, and to provide a mask pattern manufacturing method and a mask.
重力によるマスクの変形によりパターンの位置がずれるのを防止できるマスクパターン補正方法、マスク製造方法およびマスクを提供する。 - 特許庁 - RESIST PATTERN PREDICTION SYSTEM, METHOD FOR PREDICTING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN
レジストパターン予測システム、レジストパターン予測方法、及びマスクパターン補正方法 - 特許庁 - MESH FOR PRINTING PATTERN APERTURE OF MASK, METHOD OF CREATING MESH PATTERN DATA, MASK, TWO-LAYER STRUCTURED MASK, METHOD OF MANUFACTURING MASK AND METHOD OF MANUFACTURING TWO-LAYER STRUCTURED MASK
マスクの印刷パターン開口用のメッシュ、メッシュパターンデータの作成方法、マスク、２層構造マスク、マスク製造方法及び２層構造マスク製造方法 - 特許庁 - MESH FOR PRINTING PATTERN APERTURE OF MASK, MASK, TWO-LAYER STRUCTURED MASK, METHOD OF CREATING MESH PATTERN DATA, METHOD OF MANUFACTURING MASK AND METHOD OF MANUFACTURING TWO-LAYER STRUCTURED MASK
マスクの印刷パターン開口用のメッシュ、マスク、２層構造マスク、メッシュパターンデータの作成方法、マスク製造方法及び２層構造マスク製造方法 - 特許庁 - PATTERN EXPOSURE MASK, PATTERN EXPOSURE METHOD DEVICE, MASK DESIGN METHOD/DEVICE, AND INFORMATION STORAGE MEDIUM
パターン露光マスク、パターン露光方法／装置、マスク設計方法／装置、情報記憶媒体 - 特許庁 - METHOD FOR DESIGNING MASK PATTERN, DEVICE FOR DESIGNING MASK PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
マスクパターン設計方法、マスクパターン設計装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - MASK PATTERN CREATING DEVICE AND CREATING METHOD
マスクパターン作成装置および作成方法 - 特許庁 - PREPARING METHOD FOR MASK PATTERN, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROGRAM FOR PREPARING MASK PATTERN
マスクパターン作成方法、半導体装置の製造方法およびマスクパターン作成プログラム - 特許庁 - METHOD AND STRUCTURE OF PATTERN MASK FOR DRY ETCHING
ドライエッチング用パターンマスクの方法と構造 - 特許庁 - METHOD OF FORMING MASK PATTERN ON SUBSTRATE
基板上にマスクパターンを形成する方法 - 特許庁 - EVALUATION METHOD FOR MASK PATTERN AND EVALUATION DEVICE
マスクパターン評価方法及び評価装置 - 特許庁 - PHASE SHIFTING MASK, PATTERN FORMING METHOD USING THE MASK, AND SOLID-STATE DEVICE PRODUCED BY THE PATTERN FORMING METHOD
位相シフトマスク、該位相シフトマスクを用いたパタン形成法、該パタン形成法による固体素子 - 特許庁 - MASK LAYOUT PATTERN VERIFICATION DEVICE AND ITS METHOD
マスクレイアウトパターン検証装置及び方法 - 特許庁 - METHOD FOR COMPRESSING MASK PATTERN DATA AND PROGRAM THEREFOR
マスクパターンデータ圧縮方法及びプログラム - 特許庁 - The resist mask width of the check pattern 4 is 2d, while the resist mask width of the check pattern 5 is (2d+l).
チェックパターン４のレジストマスク幅は２ｄ、パターン５のレジストマスク幅は（２ｄ＋ｌ）である。 - 特許庁 - PATTERN TRANSFER MASK, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND COMPUTER PROGRAM FOR FORMING MASK PATTERN
パターン転写マスク、半導体装置の製造方法、及び、マスクパターン作成用コンピュータプログラム - 特許庁 - PATTERN PROCESSOR, PARTIAL/FULL APERTURE MASK, PATTERN PROCESSING METHOD, AND FABRICATING METHOD OF STENCIL MASK
パターン処理装置、部分一括アパーチャマスク、パターン処理方法およびステンシルマスクの作製方法 - 特許庁 - A mask coordinate calculation processing part 11 calculates a start position of the mask pattern to maximize the number of bit ON pixels in a pattern in which the mask operation of a source pattern and the mask pattern is performed, and a mask plotting processing part 12 performs the mask operation of the mask pattern deviated to the start position calculated by the mask coordinate calculation processing part 11 and of the source pattern.
マスク座標計算処理部１１はソースパターンとマスクパターンをマスク演算したパターンにおけるビットＯＮ画素数が最大になるようなマスクパターンの開始位置を計算し、マスク描画処理部１２はマスク座標計算処理部１１により計算された開始位置にずらしたマスクパターンとソースパターンとをマスク演算する。 - 特許庁 - To diminish a mask pattern in pattern width after the mask pattern is formed and also to reduce the cost of plant investment which increases with scaling-down of the mask pattern.
マスクパターンを形成した後にそのパターン幅を縮小化できるようにすると共に、マスクパターンの微細化に伴う設備投資コストを低減できるようにする。 - 特許庁 - A mask pattern is formed on a substrate, and ion is implanted by using the mask pattern as a mask, thereby forming an amorphous layer.
基板にマスクパターンを形成し、このマスクパターンをマスクとして、イオンを注入し、非晶質層を形成する。 - 特許庁 - GRAY TONE MASK BLANK, METHOD FOR MANUFACTURING GRAY TONE MASK AND GRAY TONE MASK, AND PATTERN TRANSFER METHOD
グレートーンマスクブランク、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 - 特許庁 - To suppress pattern failure caused by a mask blank when a mask is fabricated from the mask blank.
マスクブランクからマスクを作製する際、マスクブランク起因によるパターン不良を抑制する。 - 特許庁 - To suppress a pattern failure caused by a mask blank when a mask is fabricated from the mask blank.
マスクブランクからマスクを作製する際、マスクブランク起因によるパターン不良を抑制する。 - 特許庁 - STENCIL MASK BLANK, STENCIL MASK AND PATTERN EXPOSURE METHOD OF CHARGED PARTICLE BEAM USING MASK
ステンシルマスクブランク及びステンシルマスク並びにそれを用いた荷電粒子線のパターン露光方法 - 特許庁
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