「MASK pattern」を含む例文一覧(5189)

＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 103 104 次へ＞
  • METHOD OF CORRECTING MASK PATTERN AND PHOTOMASK
    マスクパターン補正方法及びフォトマスク - 特許庁
  • MASK, MANUFACTURING METHOD OF THE MASK, PATTERN FORMING METHOD AND WIRING PATTERN FORMING METHOD
    マスク、マスクの製造方法、パターン形成方法、配線パターン形成方法 - 特許庁
  • METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND MASK
    レジストパターン形成方法およびマスク - 特許庁
  • Then, mask patterns after correcting are created for every mask pattern by performing pattern correction to the mask patterns using the amount of the pattern correction for every mask pattern.
    そして、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成する。 - 特許庁
  • MASK PATTERN DESIGNING METHOD AND PHOTOMASK
    マスクパターン設計方法及びフォトマスク - 特許庁
  • The first pattern is transferred to a mask layer by etching the mask layer making the first pattern as the mask.
    第１のパターンをマスクとしてマスク層をエッチングしてマスク層に第１のパターンを転写する。 - 特許庁
  • MASK PATTERN DIVIDING METHOD, MASK PATTERN DIVIDING PROGRAM, AND METHOD OF MANUFACTURING EXPOSURE MASK AND SEMICONDUCTOR DEVICE
    マスクパターン分割方法、マスクパターン分割プログラム、露光用マスクおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁
  • PATTERN FORMING METHOD AND MASK USED FOR PATTERN FORMATION
    パターン形成方法及びパターン形成に用いるマスク - 特許庁
  • PATTERN DRAWING DEVICE, PATTERN DRAWING METHOD AND MASK FOR PATTERN DRAWING
    パターン描画装置、パターン描画方法及びパターン描画用のマスク - 特許庁
  • The exposure device 10 exposes a wafer 7 to light, by using a mask pattern 30 having a metal wiring mask pattern 31 and an identification mask pattern 32, and a mask pattern 40 having a metal wiring mask pattern 41 and an identification mask pattern 42.
    露光装置１０は、金属配線マスクパターン３１及び識別マスクパターン３２を有するマスクパターン３０と、金属配線マスクパターン４１及び識別マスクパターン４２を有するマスクパターン４０とを用いてウエハ７を露光する。 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING MASK HAVING AUXILIARY PATTERN
    補助パターン付きマスクの製造方法 - 特許庁
  • METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN AND PHOTOMASK
    マスクパターン補正方法およびフォトマスク - 特許庁
  • GRAY TONE MASK AND PATTERN TRANSFER METHOD
    グレートーンマスク及びパターン転写方法 - 特許庁
  • MASK PATTERN VERIFICATION METHOD AND PROGRAM
    マスクパターン検証方法およびプログラム - 特許庁
  • MASK PATTERN GENERATION METHOD AND PHOTOMASK
    マスクパターン生成方法およびフォトマスク - 特許庁
  • FINE PATTERN MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR FORMING FINE PATTERN USING FINE PATTERN MASK
    微細パターンマスクおよびその製造方法、ならびにそれを用いた微細パターンの形成方法 - 特許庁
  • PHASE SHIFT MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN
    位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法 - 特許庁
  • TRANSFER MASK BLANK, TRANSFER MASK AND PATTERN EXPOSURE METHOD
    転写マスクブランク及び転写マスク並びにパターン露光方法 - 特許庁
  • MASK SET, METHOD FOR CREATING MASK DATA AND METHOD FOR FORMING PATTERN
    マスクのセット、マスクデータ作成方法及びパターン形成方法 - 特許庁
  • METHOD FOR FORMING MASK PATTERN, METHOD AND PROGRAM FOR MANUFACTURING MASK
    マスクパターンの作成方法、マスクの製造方法およびプログラム - 特許庁
  • PATTERN TRANSFER MASK, METHOD FOR MANUFACTURING MASK AND EXPOSURE METHOD
    パターン転写用マスク、マスク作製方法及び露光方法 - 特許庁
  • HALFTONE MASK AND METHOD OF MANUFACTURING PATTERN SUBSTRATE USING THE MASK
    ハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法 - 特許庁
  • EXPOSURE MASK AND METHOD FOR DESIGNING PATTERN OF WIRING LAYER MASK
    露光用マスク及び配線層マスクのパターン設計方法 - 特許庁
  • MASK PATTERN CREATING METHOD, CREATING APPARATUS, AND MASK FOR EXPOSURE
    マスクパターンの作成方法、作成装置及び露光用マスク - 特許庁
  • The third layer is etched using the mask pattern as an etching mask.
    マスクパターンをエッチングマスクとして第３の層をエッチングする。 - 特許庁
  • METHOD FOR CREATING MASK PATTERN OF MASK FOR EXPOSURE FOR FORMING DIFFUSION LAYER
    拡散層形成用露光マスクのマスクパターン作製方法 - 特許庁
  • METHOD OF CREATING MASK PATTERN DATA AND METHOD FOR MANUFACTURING MASK
    マスクパターンデータの生成方法およびマスクの製造方法 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR MULTIPLYING MASK PATTERN PARTIALLY AND MASK STRUCTURE
    マスクパターン偏倍方法、偏倍装置及びマスク構造体 - 特許庁
  • PHASE SHIFT MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK AND PATTERN TRANSFER METHOD
    位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法 - 特許庁
  • METHOD FOR DIVIDING MASK PATTERN AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
    マスクパターン分割方法およびレジストパターン形成方法 - 特許庁
  • PATTERN INSPECTION METHOD, EXPOSURE MASK, AND PATTERN INSPECTION PROGRAM
    パターン検査方法、露光用マスク、およびパターン検査プログラム - 特許庁
  • MASK, RESIST PATTERN, AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN
    マスク及びレジストパターン並びにレジストパターンの形成方法 - 特許庁
  • EXPOSURE MASK, PATTERN FORMING DEVICE AND PATTERN FORMING METHOD
    露光用マスク、パターン形成装置及びパターン形成方法 - 特許庁
  • METHOD FOR FORMING PATTERN, PATTERN PROCESSOR AND EXPOSURE MASK
    パターン形成方法、パターン処理装置および露光マスク - 特許庁
  • EXPOSURE MASK AND PATTERN FORMING METHOD THEREFOR
    露光用マスク及びパターン形成方法 - 特許庁
  • METHOD FOR CORRECTING PROXIMITY EFFECT OF MASK PATTERN
    マスクパターンの近接効果補正方法 - 特許庁
  • EXPOSING MASK AND PATTERN FORMING METHOD
    露光用マスク及びパターン形成方法 - 特許庁
  • PLASMA ETCHING METHOD ACCOMPANIED WITH PATTERN MASK
    パターンマスクを伴うプラズマエッチングの方法 - 特許庁
  • PROBING PAD, MASK PATTERN, AND ELECTRONIC DEVICE
    プロービングパッド、マスクパターン、及び電子デバイス - 特許庁
  • PHASE SHIFT MASK AND PATTERN FORMING METHOD
    位相シフトマスク及びパターン形成方法 - 特許庁
  • PATTERN FORMING METHOD AND PHASE SHIFT MASK
    パターン形成方法及び位相シフトマスク - 特許庁
  • MASK PATTERN FOR FINE STRUCTURE FORMATION EXPERIMENT
    微細構造形成実験用マスクパターン - 特許庁
  • MASK TRANSFER LASER PATTERN MACHINING METHOD
    マスク転写式レーザ形状加工方法 - 特許庁
  • EXPOSURE MASK AND PATTERN FORMING METHOD
    露光用マスク及びパターン形成方法 - 特許庁
  • MASK PATTERN FORMATION METHOD AND PHOTOMASK
    マスクパタンの形成方法、およびフォトマスク - 特許庁
  • PREPARING METHOD OF MASK PATTERN AND PHOTOMASK
    マスクパターンの作製方法及びフォトマスク - 特許庁
  • MASK PATTERN CORRECTION METHOD AND CORRECTION DEVICE
    マスクパターン補正方法及び補正装置 - 特許庁
  • COATING METHOD, AND MASK FOR PATTERN FORMATION
    塗布方法およびパターン形成用マスク - 特許庁
  • MASK PATTERN FOR FINE STRUCTURE FORMING EXPERIMENT
    微細構造形成実験用マスクパターン - 特許庁
  • MASK PATTERN APPEARANCE INSPECTION METHOD, PROGRAM THEREFOR, AND MASK PATTERN APPEARANCE INSPECTION APPARATUS
    マスクパターン外観検査方法及びそのプログラム及びマスクパターン外観検査装置 - 特許庁
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 103 104 次へ＞

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.