「MASK pattern」を含む例文一覧(5189)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 103 104 次へ＞- METHOD FOR MANUFACTURING GRAY TONE MASK, THE GRAY TONE MASK, METHOD FOR INSPECTING THE GRAY TONE MASK, AND PATTERN TRANSFER METHOD
グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、グレートーンマスクの検査方法、並びにパターン転写方法 - 特許庁 - METHOD FOR MAKING EXPOSURE MASK PATTERN, EXPOSURE MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE MASK
露光用マスクパターンの作成方法および露光用マスクと、それを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - MEMBRANE MASK, PATTERN PROCESSING METHOD USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING MEMBRANE MASK
メンブレンマスク、これを用いたパターン処理方法、およびメンブレンマスクの製造方法 - 特許庁 - MATERIAL FOR MASK, METHOD FOR FORMING MASK, METHOD FOR FORMING PATTERN, AND ETCHING PROTECTION FILM
マスク用材料、マスクの形成方法、パターン形成方法、及びエッチング保護膜 - 特許庁 - MASK GENERATION METHOD, MASK FORMATION METHOD, PATTERN FORMATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
マスク生成方法、マスク形成方法、パターン形成方法および半導体装置 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN
位相シフトマスクの製造方法及び位相シフトマスク並びにパターン転写方法 - 特許庁 - MASK FORMING METHOD, MATERIAL FOR MASK, AND PATTERN FILM FORMING SYSTEM USING THE SAME
マスク形成方法と、マスク用材料と、これを用いたパターン膜形成システム - 特許庁 - To provide a mask for forming a fine pattern and a method for forming the mask.
微細パターンを形成するためのマスク及びその形成方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR GENERATING MASK PATTERN DATA/MASK INSPECTION DATA, AND METHOD FOR MANUFACTURING/INSPECTING PHOTOMASK
マスクパターンデータ・マスク検査データ作成方法、及びフォトマスクの製造・検査方法 - 特許庁 - To remarkably reduce processing time of a mask pattern data in producing a stencil mask.
ステンシルマスクの作製においてマスクパターンデータ処理時間を大幅に低減させる。 - 特許庁 - The hard mask is etched using the resist pattern and the antireflection film as a mask.
このレジストパターン及び反射防止膜をマスクとして、ハードマスク膜をエッチングする。 - 特許庁 - The mask processing by the assigned transparent toner image, and the mask pattern is performed thereafter.
その後、指定した透明トナー画像とマスクパターンによるマスク処理が行われる。 - 特許庁 - To provide a method of forming a mask pattern, which prevents pattern collapse of the mask pattern by omitting an etching process of an antireflection film when forming the mask pattern by a Side Wall Patterning (SWP) method.
ＳＷＰによりマスクパターンを形成する場合に、反射防止膜のエッチング工程を省略し、マスクパターンのパターン倒れを防止することができるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - The method for processing mask pattern data includes analyzing the mask pattern data (SF) and specifying a pattern region (BD) having a predetermined shape and a predetermined dimension from the mask pattern.
マスクパターンのデータを処理する方法は、マスクパターンのデータ（ＳＦ）を解析し、マスクパターン内から所定の形状で且つ所定の大きさを有するパターン領域（ＢＤ）を特定する。 - 特許庁 - The etching mask patterns of the first mask structure and the second mask structure are etched isotropically to remove the etching mask pattern from the first mask structure.
第１マスク構造物及び第２マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングし、第１マスク構造物からエッチングマスクパターンを除去する。 - 特許庁 - The transfer mask consists of a mask body, having a mask pattern and a mask holder 70 for holding this mask body and is to be used for the electron beam exposure system.
マスクパターンを有するマスク本体と、このマスク本体を保持するマスクホルダ７０とから構成され、電子ビーム露光装置に使用される転写用マスクである。 - 特許庁 - To form a mask pattern of high dimensional precision by preventing the change of width of a mask pattern line after plasma dry etching to a resist pattern turning to an etching mask, in a forming method of a mask pattern for an EUV lithography.
ＥＵＶリソグラフィ用のマスクパターン形成方法において、エッチング・マスクとなるレジストパターンに対するプラズマ・ドライエッチング後のマスクパターン線幅変動を防止し、高寸法精度なマスクパターンを形成することを目的とする。 - 特許庁 - After that, width of the mask pattern is reduced by etching.
その後、エッチングによりこのマスクパターンの幅を狭める。 - 特許庁 - Further, an inorganic layer 105 is selectively etched by using a resist pattern (second resist pattern) 106 as a mask to make an inorganic mask pattern 107, and a resin layer 104 is selectively etched by using the inorganic mask pattern 107 as a mask.
また、レジストパターン（第２レジストパターン）１０６をマスクとして無機層１０５を選択的にエッチングして無機マスクパターン１０７が形成された状態とし、これをマスクとして樹脂層１０４を選択的にエッチングする。 - 特許庁 - INK-JET PRINTING APPARATUS AND METHOD FOR FORMING MASK PATTERN
インクジェット印刷装置およびマスクパターン作成方法 - 特許庁 - PATTERN INSPECTION METHOD AND DEVICE, AND MASK- MANUFACTURING METHOD
パターン検査方法と装置およびマスク製造方法 - 特許庁 - MASK PATTERN EVALUATION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTOMASK
マスクパターン評価装置及びフォトマスクの製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR PREDICTING PATTERN LINE WIDTH AND METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN USING THE METHOD
パターン線幅予測方法及びそれを用いたマスクパターン修正方法 - 特許庁 - PATTERN FORMING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING GRAY TONE MASK, AND PATTERN TRANSFER METHOD
パターン形成方法、グレートーンマスクの製造方法、及びパターンの転写方法 - 特許庁 - To form a mask pattern having a fine pattern excellent in etching resistance.
耐エッチング性に優れた微細なパターンを有するマスクパターンを形成すること。 - 特許庁 - PATTERN FORMING MATERIAL, PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING MASK FOR EXPOSURE
パターン形成材料、パターン形成方法、及び露光用マスクの製造方法 - 特許庁 - PATTERN DATA CREATING METHOD, PATTERN DATA CREATING PROGRAM, MANUFACTURING METHOD FOR EXPOSURE MASK, AND PATTERN FORMING METHOD
パターンデータ生成方法、パターンデータ生成プログラム、露光マスク製造方法およびパターン形成方法 - 特許庁 - MASK, METHOD FOR MANUFACTURING MASK, METHOD FOR FORMING PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
マスク、マスクの製造方法、パターンの形成方法、及び電子デバイスの製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, MASK, EXPOSURE METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
マスクパターンの補正方法、マスク、露光方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - MASK FOR EXPOSURE, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE FOR THE MASK
露光用マスク、レジストパターン形成方法及び露光マスク用基板の製造方法 - 特許庁 - The mask pattern is formed into a two-layer mask suitable for liftoff in the succeeding processes.
このマスクパターンを、後工程でのリフトオフに適した２層マスクとして形成する。 - 特許庁 - To provide a mask having a mask pattern for transferring a prescribed circuit pattern; and to provide a method for manufacturing the mask and a method for manufacturing a semiconductor device using the mask.
所望の回路パターンを転写するためのマスクパターンを有するマスクと、そのマスクの製造方法と、そのマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR, METHOD FOR FORMING MASK PATTERN, AND LEVENSON TYPE PHASE SHIFT MASK
半導体製造方法、マスクパターンの形成方法及びレベンソン型位相シフトマスク。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR TRANSFERRING MASK PATTERN, MANUFACTURE OF DEVICE, AND TRANSFER MASK
マスクパタ—ン転写方法、マスクパタ—ン転写装置、デバイス製造方法及び転写マスク - 特許庁 - HALFTONE PHASE SHIFTING MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK AND PATTERN TRANSFER METHOD
ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク及びパターン転写方法 - 特許庁 - HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK AND PATTERN TRANSFER METHOD
ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク及びパターン転写方法 - 特許庁 - BLANK FOR PHASE SHIFT MASK, PHASE SHIFT MASK, AND PATTERN TRANSFER METHOD USING THE SAME
位相シフトマスク用ブランク及び位相シフトマスク及びそれを用いたパターン転写法 - 特許庁 - To provide a mask inspecting method capable of inspecting a mask without deteriorating the inspection sensitivity of a pattern part other than the corrected fine pattern in a mask pattern inspection by which a proximity effect is corrected.
近接効果補正したマスクパターン検査において、修正した微細パターン以外のパターン部分の検査感度を落とさずに検査可能なマスクの検査方法を提供する。 - 特許庁 - Finally, the thin film 3 is formed into a second thin film pattern 7 using the first mask pattern 4 and the second mask pattern 5, and the two mask patterns 4 and 5 are removed sequentially.
最後に、薄膜３を第１マスクパターン４及び第２マスクパターン５を用いて第２の薄膜パターン７に成形し、続いて２つのマスクパターン４，５を除去する。 - 特許庁 - To provide a mask pattern determining method that properly determines whether a pattern of a desired size can be formed on a substrate by using a mask pattern formed on a mask.
マスク上に形成されたマスクパターンによって所望寸法のパターンを基板上に形成できるか否かを正確に判定できるマスクパターン判定方法を提供すること。 - 特許庁 - This mask pattern correction method forms an evaluation pattern (S1), produces an evaluation mask having the evaluation patterns (S2), and forms a wafer pattern by using this evaluation mask (S3).
マスクパターン補正方法では、評価パターンを生成し（Ｓ１）、評価パターンを配置した評価用マスクを作成し（Ｓ２）、評価用マスクを用いて、ウエハパターンを形成する（Ｓ３）。 - 特許庁 - A mask pattern 1a having a plurality of pattern forming parts 2 and light-shielding parts 3 arranged into a mosaic is formed in one edge part of an exposure mask, and a mask pattern 1b having the pattern forming parts 2 and the light-shielding parts 3 arranged in the complementary relation with the mask pattern 1a is formed on the other edge of the mask.
露光マスクの一方の縁部に、パターン形成部２と遮光部３を複数モザイク状に配置したマスクパターン１ａを形成し、その他方の縁部には、パターン形成部２と遮光部３をマスクパターン１ａと相補関係となるように配置したマスクパターン１ｂを形成する。 - 特許庁 - METHOD OF DRAWING PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING MASK FOR EXPOSURE
パターン描画方法と露光用マスクの製造方法 - 特許庁 - Thus, an interconnection pitch L1, which is half the mask pattern pitch can be obtained.
マスクパターンピッチの１／２の配線ピッチＬ１を得る。 - 特許庁 - EXPOSURE MASK, FOCUS MEASURING METHOD, AND PATTERN FORMING METHOD
露光マスク、フォーカス測定方法及びパターン形成方法 - 特許庁 - The photosensitive film pattern is used as an etching mask to perform etching.
感光膜パターンをエッチングマスクとしてエッチングを行う。 - 特許庁 - The three-dimensional image on the wafer surface of the mask pattern is obtained.
マスクパターンの、ウエハ表面における空間像を得る。 - 特許庁 - GENERATING METHOD OF MASK PATTERN DATA, MANUFACTURING METHOD OF MASK, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PATTERN DATA GENERATING PROGRAM
マスクパターンデータ生成方法、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法及びパターンデータ生成プログラム - 特許庁 - HARD MASK PATTERN OF SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD OF FORMING THE SAME
半導体素子のハードマスクパターン及びその形成方法 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK
パターン形成方法及び位相シフトマスクの製造方法 - 特許庁
- 特許庁
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