「MOS」を含む例文一覧(5604)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 .... 112 113 次へ＞- A MOS transistor MR discharges unnecessary charge which is stored in parasitic capacitances of the photodiode D and the MOS transistors MC, MR during the OFF period of the MOS transistor MC.
ＭＯＳトランジスタＭＲは、ＭＯＳトランジスタＭＣのＯＦＦ期間にフォトダイオードＤおよびＭＯＳトランジスタＭＣ，ＭＲの寄生容量に蓄積された不要電荷を排出する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device provided with MOS transistors the electric characteristics of which are enhanced, and to provide a manufacturing method thereof.
電気的特性の改善されたMOSトランジスタを備えた半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - After channel is formed in the MOS transistor TR2, a potential of a drain of the MOS transistor TR2 is raised.
ＭＯＳトランジスタＴＲ２にチャネルを形成した後、ＭＯＳトランジスタＴＲ２のドレインの電位を上昇させる。 - 特許庁 - The switching element 11, the diode 16 and the MOS transistors 14, 16 are mounted on a singe semiconductor substrate.
スイッチング素子１１、ダイオード１６、および、MOSトランジスタ１４，１５は、単一の半導体基板１８に作り込まれている。 - 特許庁 - This semiconductor element provided with a MOS transistor having an SOI structure and this signal processing device contain main MOS transistors and assistant MOS transistors.
ＳＯＩ構造を有するＭＯＳトランジスタを備えた本発明による半導体素子及び信号処理装置は、メインＭＯＳトランジスタとアシスタンスＭＯＳトランジスタとを含む。 - 特許庁 - Similarly, a MOS transistor 402 for output is complementarily driven for the MOS transistor 401.
同様にして、出力用のＭＯＳトランジスタ４０２がＭＯＳトランジスタ４０１に対して相補的に駆動される。 - 特許庁 - A cathode of a first Zener diode Z1 is connected between the input power supply Vin and a source of the P-channel MOS transistor MP1.
第1ツェナーダイオードZ1のカソードは、入力電源VinとPチャネルMOSトランジスタMP1のソースとの間に接続されている。 - 特許庁 - MOS TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BUILT-IN MOS TRANSISTOR, AND ELECTRONIC EQUIPMENT USING SEMICONDUCTOR DEVICE
ＭＯＳトランジスタおよび該ＭＯＳトランジスタを内蔵した半導体装置ならびに該半導体装置を用いた電子機器 - 特許庁 - INSPECTION METHOD FOR MOS-TYPE SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND MOS-TYPE SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT USING THE INSPECTION METHOD
ＭＯＳ型固体撮像素子の検査方法およびこの検査方法を使用するＭＯＳ型固体撮像素子 - 特許庁 - To provide a structure of a high drive-capability lateral MOS transistor whose gate width per unit area is increased and whose device characteristic is stable.
高駆動能力横型MOSトランジスタにおいて、単位面積当りのゲート幅を増大させつつ、素子特性の安定した高駆動能力横型MOSトランジスタの構造を提供する。 - 特許庁 - MOS SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
ＭＯＳ型固体撮像装置およびその製造方法 - 特許庁 - HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TRENCH MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
高耐圧トレンチＭＯＳトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - MOS TYPE SOLID STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
ＭＯＳ型固体撮像装置及びその製造方法 - 特許庁 - MOS-TYPE SOLID-STATE IMAGING APPARATUS AND IMAGE PICKUP METHOD THEREFOR
ＭＯＳ型固体撮像装置及びその撮像方法。 - 特許庁 - MOS TYPE SOLID-STATE IMAGING APPARATUS, AND ITS DRIVING METHOD
ＭＯＳ型固体撮像装置及びその駆動方法 - 特許庁 - To enhance operating speed of a p-channel MOS transistor.
ｐチャネルＭＯＳトランジスタの動作速度を向上させる。 - 特許庁 - To constitute an intermediate-withstand voltage MOS transistor etc., in a dual-gate.
中耐圧ＭＯＳトランジスタ等をデュアルゲート化する。 - 特許庁 - MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING CURRENT DETECTING FUNCTION
電流検出機能付ＭＯＳ型電界効果トランジスタ - 特許庁 - MOS-TYPE SOLID-STATE IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
ＭＯＳ型固体撮像装置及びその製造方法 - 特許庁 - MOS TRANSISTOR AND DRIVER CIRCUIT THEREWITH
ＭＯＳトランジスタ及び該ＭＯＳトランジスタを有するドライバ回路 - 特許庁 - HIGH VOLTAGE VERTICAL MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
高耐圧縦型ＭＯＳトランジスタとその製造方法 - 特許庁 - HIGH VOLTAGE MOS TRANSISTOR AND SUITABLE MANUFACTURE
高電圧ＭＯＳトランジスタおよび相応の製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MEASURING CHARACTERISTICS OF MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
ＭＯＳ型電界効果トランジスタの特性測定方法 - 特許庁 - MANUFACTURING PROCESS OF MOS GATE DEVICE WITH REDUCED NUMBER OF MASKS
マスク数を低減したＭＯＳゲートデバイスの製造プロセス - 特許庁 - MOS TYPE VARACTOR AND VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR
ＭＯＳ型可変容量素子及び電圧制御発振器 - 特許庁 - To provide a semiconductor device including a MOS transistor.
ＭＯＳトランジスタを備える半導体素子を提供する。 - 特許庁 - MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＭＯＳ電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - MOS TRANSISTOR HAVING MODIFIED GATE DIELECTRIC BODY
改善されたゲ—ト誘電体を有するＭＯＳトランジスタ - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MOS STRUCTURE
ＭＯＳ構造を有する半導体装置の製造方法 - 特許庁 - VERTICAL MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
縦型ＭＯＳ半導体装置およびその製造方法 - 特許庁 - The other electrode of the MOS structure is a silicon wafer.
ＭＯＳ構造の他方の電極は、シリコン基板である。 - 特許庁 - DRIVING CIRCUIT OF MOS TRANSISTOR FOR PULL-UP RESISTOR INTERRUPTION
プルアップ抵抗遮断用ＭＯＳトランジスタの駆動回路 - 特許庁 - VERTICAL MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
縦型ＭＯＳ半導体装置及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING MULTI-BRIDGE-CHANNEL TYPE MOS TRANSISTOR
マルチ−ブリッジチャンネル型ＭＯＳトランジスタの製造方法 - 特許庁 - MOS TYPE SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ITS DRIVING METHOD
ＭＯＳ型固体撮像装置及びその駆動方法 - 特許庁 - A method of manufacturing the MOS transistor is also provided.
前記ＭＯＳトランジスタの製造方法も提供される。 - 特許庁 - MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
ＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法 - 特許庁 - MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME
ＭＯＳ電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁 - MOS-TYPE SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND MANUFACTURING METHOD
ＭＯＳ型固体撮像装置およびその製造方法 - 特許庁 - Consequently, the ESD resistance of the MOS transistor can be improved.
その結果、ＥＳＤ耐量を向上することができる。 - 特許庁 - Triply arrayed n-type MOS transistors are composed similarly.
Ｎ型の３連のＭＯＳトランジスタも同様に構成する。 - 特許庁 - The MOS transistor has a gate length of ≤1.25 μm.
ＭＯＳトランジスタのゲート長さは１．２５μｍ以下である。 - 特許庁 - MOS-TYPE SOLID-STATE IMAGE SENSING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
ＭＯＳ型固体撮像装置及びその製造方法 - 特許庁 - MOS TYPE IMAGING DEVICE AND CAMERA IN WHICH SAME IS BUILT
ＭＯＳ型撮像装置およびこれを組み込んだカメラ - 特許庁 - OVERHEAT PROTECTOR FOR POWER MOS TRANSISTOR AND RECORDING MEDIUM
パワーＭＯＳトランジスタの過熱保護装置及び記録媒体 - 特許庁 - ISOLATED COMPLEMENTARY MOS DEVICE IN EPI-LESS SUBSTRATE
エピレス基板における分離型の相補型ＭＯＳ装置 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING STRAINED CHANNEL MOS TRANSISTOR
歪チャネルを有するＭＯＳトランジスタを製造する方法 - 特許庁 - STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-BREAKDOWN VOLTAGE MOS TRANSISTOR
高耐圧ＭＯＳトランジスタの構造及び製造方法 - 特許庁 - MOS-TYPE VARIABLE CAPACITANCE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
ＭＯＳ型可変容量および半導体集積回路 - 特許庁 - The gate voltage of the MOS transistor M1 is VPTAT=U_T1n(Ng2/Ng1).
ＭＯＳトランジスタＭ１のゲートの電圧がVPTAT＝U_Tln(Ng2/Ng1)となる。 - 特許庁
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