「MOS」を含む例文一覧(5604)

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  • What was your mos?
    MOSは何でしたか? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • What was your mos?
    mosは何でしたか? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • The MOS transistor 2 is a p-channel type MOS transistor.
    MOSトランジスタ２はｐチャネル型MOSトランジスタである。 - 特許庁
  • MOS DEVICE
    ＭＯＳデバイス - 特許庁
  • MOS THYRISTOR
    ＭＯＳサイリスタ - 特許庁
  • Sources of reset MOS M211 to M233 are connected to the gates of the amplification MOS M311 to M333.
    増幅MOS M311〜M333のゲートには、リセットMOS M211〜M233のソースが接続される。 - 特許庁
  • MOS TRANSISTOR
    ＭＯＳトランジスタ - 特許庁
  • MOS IMAGE SENSOR
    ＭＯＳイメージセンサ - 特許庁
  • MOS CAPACITOR
    ＭＯＳ型キャパシタ - 特許庁
  • MOS IMAGE SENSOR
    ＭＯＳイメージ・センサ - 特許庁
  • MOS MIXER CIRCUIT
    ＭＯＳミキサ回路 - 特許庁
  • MOS TRANSISTOR
    ＭＯＳ型トランジスタ - 特許庁
  • MOS DRIVE CIRCUIT
    ＭＯＳドライブ回路 - 特許庁
  • The light emitting element 1 having MOS structure includes a MOS transistor 2 and a ballistic electron source 3 arranged right under the MOS transistor 2.
    MOS構造の発光素子１は、MOSトランジスタ２と、MOSトランジスタ２の直下に配置された弾道電子源３とを備える。 - 特許庁
  • POWER MOS TRANSISTOR
    パワーＭＯＳトランジスタ - 特許庁
  • MOS DIODE CIRCUIT
    ＭＯＳダイオード回路 - 特許庁
  • MOS IMAGE SENSOR
    ＭＯＳ型イメージセンサ - 特許庁
  • The drain of the MOS transistor MN20 and a power source line SAP are connected and the source of the MOS transistor MN20 and the drain of the MOS transistor MN21 are connected.
    MOSトランジスタMN20のドレインと電源線SAPとが接続されており、MOSトランジスタMN20のソースとMOSトランジスタMN21のドレインとが接続されている。 - 特許庁
  • MOS RECTIFICATION DEVICE
    ＭＯＳ整流装置 - 特許庁
  • MOS-TYPE IMAGE SENSOR
    ＭＯＳ型イメージセンサ - 特許庁
  • MOS RESISTANCE CONTROLLER AND MOS ATTENUATOR
    ＭＯＳ抵抗制御装置、ＭＯＳ減衰器 - 特許庁
  • MOS REGULATOR CIRCUIT
    ＭＯＳレギュレータ回路 - 特許庁
  • MOS MULTIPLICATION CIRCUIT
    ＭＯＳ乗算回路 - 特許庁
  • MOS RECTIFYING DEVICE
    ＭＯＳ整流装置 - 特許庁
  • MOS TYPE IMAGE SENSOR
    ＭＯＳ型イメージセンサ - 特許庁
  • MOS INTEGRATED CIRCUIT
    ＭＯＳ集積回路 - 特許庁
  • MOS TRANSISTOR DEVICE
    ＭＯＳトランジスタ装置 - 特許庁
  • LATERAL MOS THYRISTOR
    横型ＭＯＳサイリスタ - 特許庁
  • MOS TRANSISTOR CIRCUIT
    ＭＯＳトランジスタ回路 - 特許庁
  • Drains of the amplification MOS M311 to M333 are connected to selection MOS M411 to M433 for supplying a power supply voltage.
    増幅MOS M311〜M333のドレインは、電源電圧を供給する選択MOS M411〜M433に接続される。 - 特許庁
  • MOS-SWITCHING CIRCUIT
    ＭＯＳスイッチング回路 - 特許庁
  • Further, the source of an N-channel MOS transistor M5 is connected to the gate of a P-channel MOS transistor M7 in the push-pull circuit 15, and the P-channel MOS transistor M7 is driven by an output from the source of the N-channel MOS transistor M5.
    また、NチャネルMOSトランジスタM5のソースは、プッシュプル回路１５のPチャネルMOSトランジスタM7のゲートと接続され、NチャネルMOSトランジスタM5のソース出力によって、PチャネルMOSトランジスタM7が駆動される。 - 特許庁
  • The first type MOS transistor is mirror-arranged.
    第一の形式のMOSトランジスタをミラー配置する。 - 特許庁
  • VERTICAL MOS TRANSISTOR
    縦形ＭＯＳトランジスタ - 特許庁
  • MOS SEMICONDUCTOR RELAY
    ＭＯＳ半導体リレー - 特許庁
  • The P-channel MOS transistor M4 is connected to the N-channel MOS transistor M5 in series via a current source Q11.
    PチャネルMOSトランジスタM4とNチャネルMOSトランジスタM5は、電流源Q11を介して直列に接続されている。 - 特許庁
  • LATERAL MOS TRANSISTOR
    横タイプＭＯＳトランジスタ - 特許庁
  • MOS IMAGING DEVICE
    ＭＯＳ型撮像装置 - 特許庁
  • A sense amplifier precharging circuit SPD is constituted of n type MOS transistors MN20, MN21, MN30, MN31, MN32 and Mn33 and the circuits are formed respectively in cross areas.
    センスアンププリチャージ回路SPDは、nチャネル型のMOSトランジスタMN20，MOSトランジスタMN21，MOSトランジスタMN30，MOSトランジスタMN31，MOSトランジスタMN32，及びMOSトランジスタMN33で構成されており、各々クロス領域に形成されている。 - 特許庁
  • MOS SEMICONDUCTOR DEVICE
    ＭＯＳ半導体装置 - 特許庁
  • MOS OPERATIONAL AMPLIFIER
    ＭＯＳ演算増幅器 - 特許庁
  • HORIZONTAL TYPE MOS TRANSISTOR
    横型ＭＯＳトランジスタ - 特許庁
  • HIGH FREQUENCY MOS SWITCH
    高周波ＭＯＳスイッチ - 特許庁
  • BALLISTIC MOS TRANSISTOR
    バリスティックＭＯＳトランジスタ - 特許庁
  • MOS GATE DRIVE CIRCUIT
    ＭＯＳゲート駆動回路 - 特許庁
  • MOS-TYPE IMAGE SENSOR
    ＭＯＳ型撮像装置 - 特許庁
  • POWER MOS DRIVE CIRCUIT
    パワーＭＯＳ駆動回路 - 特許庁
  • HIGH VOLTAGE MOS TRANSISTOR
    高耐圧ＭＯＳトランジタ - 特許庁
  • In the bias circuit 12, a MOS transistor NB11, a MOS transistor NB12 and a resistive load RB10 are serially connected in the order and provided.
    バイアス回路12は、MOSトランジスタNB11と、MOSトランジスタNB12と、抵抗性負荷RB10をこの順に直列接続して含む。 - 特許庁
  • MOS SEMICONDUCTOR DEVICE
    ＭＯＳ型半導体素子 - 特許庁
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