「MOS」を含む例文一覧(5604)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 112 113 次へ＞- To solve a problem in a conventional level shift circuit that a size of MOS transistors(TRs) employed for the level shift circuit is inevitably increased because the performance of the MOS TRs needs to be enhanced.
従来のレベルシフト回路では、MOSトランジスタの能力差を作るために、レベルシフト回路に用いられるMOSトランジスタのサイズがどうしても大きくなる。 - 特許庁 - A halo diffusion region 4 is provided to an MOS transistor 9 having a large threshold voltage, and halo implantation is omitted with respect to an MOS transistor 16 having a small threshold voltage.
しきい値電圧の大きいMOSトランジスタ９にはハロー拡散領域４を設け、しきい値電圧の小さいMOSトランジスタ１６からはハローインプラを除く。 - 特許庁 - MOS-TYPE IMAGE SENSOR AND DIGITAL CAMERA
ＭＯＳ型イメージセンサ及びデジタルカメラ - 特許庁 - MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING PROCESS OF MOS SEMICONDUCTOR DEVICE
ＭＯＳ型半導体装置およびＭＯＳ型半導体装置の製造方法 - 特許庁 - The second circuit is constituted of a first type second MOS transistor, a second type second MOS transistor, resistor, and a second bipolar junction transistor.
第二の回路を、第一の形式の第二のMOSトランジスタ、第二の形式の第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタから構成する。 - 特許庁 - Between the voltage source and output terminal of the solid-state image pickup element, the junction of a reset switching MOS transistor and a select switching MOS transistor and the gate of a MOS transistor which is connected between the voltage source and a ground, and the source of which is connected to a photodiode, are connected in series.
電圧源と出力端子間に直列にリセットスイッチ用のMOSトランジスタとセレクトスイッチ用のMOSトランジスタの接続点と、電圧源と接地間に接続されてソースがフォトダイオードと接続されたMOSトランジスタのゲートとを接続する。 - 特許庁 - N channel MOS TRs are newly added to the conventional level shift circuit so as to always bring the gate potential for the N channel MOS TRs in cross connection a Vtn or over when it is turned on, independently of the capability of the MOS TRs so as to permit state transition even when P channel MOS TRs with an extremely high capacity are not employed.
レベルシフト回路にNチャネル型MOSトランジスタを新たに追加することにより、たすきがけになるNチャネル型MOSトランジスタがONになる際のゲート電位をMOSトランジスタの能力に関係なく、必ずVtn以上にすることにより、Pチャネル型MOSトランジスタを極端に大きくしなくても、状態を遷移することができる。 - 特許庁 - MOS DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
ＭＯＳデバイス及びその製造方法 - 特許庁 - MOS TYPE REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT
ＭＯＳ型基準電圧発生回路 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING MOS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE
ＭＯＳ型半導体装置の製法 - 特許庁 - MOS DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＭＯＳデバイス、及びその製造方法 - 特許庁 - MOS TYPE SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE, AND CAMERA
ＭＯＳ型固体撮像装置、カメラ - 特許庁 - MOS DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＭＯＳデバイス及びその製造方法 - 特許庁 - SWITCHING MOS-FET DRIVE CIRCUIT
スイッチングＭＯＳ−ＦＥＴドライブ回路 - 特許庁 - MOS DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF
ＭＯＳデバイス、およびその製造方法 - 特許庁 - MOS TYPE REFERENCE VOLTAGE GENERATION CIRCUIT
ＭＯＳ型基準電圧発生回路 - 特許庁 - SILICON CARBIDE MOS SEMICONDUCTOR DEVICE
炭化珪素ＭＯＳ型半導体装置 - 特許庁 - The first MOS capacitor 2 is a depletion type MOS capacitor and the second MOS capacitor 105 is an enhancement type MOS capacitor having the same conductivity type as that of the first MOS capacitor 2.
第１のＭＯＳ容量２はデプリーション型のＭＯＳ容量であり、第２のＭＯＳ容量１０５はエンハンスメント型であって、第１のＭＯＳ容量２と同一導電型のＭＯＳ容量である。 - 特許庁 - METHOD FOR FABRICATING HORIZONTAL MOS TRANSISTORS
横型ＭＯＳトランジスタの製造方法 - 特許庁 - MOS TYPE SENSOR AND DRIVING METHOD
ＭＯＳ型センサおよびその駆動方法 - 特許庁 - CONTROL FOR BODY EFFECT OF MOS TRANSISTOR
ＭＯＳトランジスタのボディ効果の制御 - 特許庁 - MOS TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
ＭＯＳトランジスタ、トランジスタ製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING TRENCH GATE MOS ELEMENT
トレンチゲートＭＯＳ素子の製造方法 - 特許庁 - To make a MOS transistor compact without decreasing an ON current of the MOS transistor.
ＭＯＳトランジスタのオン電流を低下させずにＭＯＳトランジスタを小型化する。 - 特許庁 - MOS TRANSISTOR AND FORMING METHOD THEREFOR
ＭＯＳトランジスタ及びその形成方法 - 特許庁 - PRODUCTION OF SILICON MOS TRANSISTOR
シリコン製ＭＯＳトランジスタの製造方法 - 特許庁 - To provide an LDD(lightly doped drain) MOS transistor for preventing the switching speed of a MOS transistor from decreasing, and a method for manufacturing the LDD MOS transistor.
ＭＯＳトランジスタの切換速度を減少させないＬＤＤＭＯＳトランジスタ及びその製造方法に関する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL MOS TRANSISTOR
縦型ＭＯＳトランジスタの製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING MOS TRANSISTOR, AND MOS TRANSISTOR MANUFACTURED BY THE SAME
ＭＯＳトランジスタの製造方法、および、これにより製造されたＭＯＳトランジスタ - 特許庁 - PROTECTIVE CIRCUIT OF SWITCHING MOS TRANSISTOR
スイッチング用ＭＯＳトランジスタの保護回路 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL MOS TRANSISTOR
縦形ＭＯＳトランジスタの製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING MOS SEMICONDUCTOR DEVICE
ＭＯＳ半導体装置の製造方法 - 特許庁 - MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF
ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - GATE DRIVE CIRCUIT OF MOS GATE TRANSISTOR
ＭＯＳゲートトランジスタのゲート駆動回路 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING LATERAL MOS TRANSISTOR
横型ＭＯＳトランジスタの製造方法 - 特許庁 - MOS STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＭＯＳ構造およびその製造方法 - 特許庁 - MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - OVERVOLTAGE PROTECTION CIRCUIT OF MOS GATE ELEMENT
ＭＯＳゲート素子の過電圧保護回路 - 特許庁 - OVERCURRENT PROTECTION DEVICE FOR MOS TRANSISTOR
ＭＯＳトランジスタの過電流保護装置 - 特許庁 - MOS TRANSISTOR CELL AND SEMICONDUCTOR DEVICE
ＭＯＳトランジスタセル及び半導体装置 - 特許庁 - POWER MOS TRANSISTOR HAVING TRENCH GATE
トレンチゲートを有するパワーＭＯＳトランジスタ - 特許庁 - MOS TYPE SENSOR AND DRIVING METHOD THEREOF
ＭＯＳ型センサ及びその駆動方法 - 特許庁 - To improve the performance of a p-type MOS transistor and an n-type MOS transistor.
Ｐ型ＭＯＳトランジスタ及びＮ型ＭＯＳトランジスタの性能を向上する。 - 特許庁 - (C) Mos Burger’s overseas business development
③ モスバーガーの海外事業展開状況 - 経済産業省 - A power MOS FET Q1, as the high side of a composite power MOS-FET PM which constitutes a DC-DC converter, is composed of a lateral MOS-FET, and a power MOS-FET Q2 as the low side of the composite power MOS-FET PM is composed of a vertical MOS-FET.
ＤＣ−ＤＣコンバータを構成する複合パワーＭＯＳ・ＦＥＴ ＰＭのハイ側のパワーＭＯＳ・ＦＥＴＱ１を横型のＭＯＳ・ＦＥＴで構成し、ロウ側のパワーＭＯＳ・ＦＥＴＱ２を縦型のＭＯＳ・ＦＥＴで構成した。 - 特許庁 - To actualize a deep trench MOS FET which is high in breakdown voltage and is reducible in ON resistance.
耐圧が高く、オン抵抗のより低減化が可能なディープトレンチMOS FETを実現する。 - 特許庁 - MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF
ＭＯＳ型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁 - To improve driving capacity per unit area in a trench gate type MOS transistor.
トレンチゲート型MOSトランジスタにおいて、単位面積あたりの駆動能力を向上させる。 - 特許庁 - MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
ＭＯＳトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁 - POWER MOS DEVICE WITH BURIED GATE
埋め込みゲートを有するパワーＭＯＳデバイス - 特許庁
