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＜前へ 1 2 .... 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 次へ＞- A patterned film having a polymerized liquid crystal (LC) material includes at least two regions with different retardation and at least two regions with different orientation of the LC material, wherein the regions differing in retardation can also differ in retardation, or they can be different regions.
重合液晶（ＬＣ）材料を有するパターニングフィルムであって、ＬＣ材料の異なるリターデーションを有する少なくとも２つの領域および異なる配向を有する少なくとも２つの領域を有し、リターデーションにおいて異なる前記領域が配向においても異なることができるか、あるいはそれらが異なる領域であることができるパターニングフィルム。 - 特許庁 - To provide a coating applicator and a manufacturing method of an organic electronic element using this coating applicator which enables to maintain, in application while supporting and carrying on a back roll a support medium and the support medium on whose surface a film is patterned, their flatness by preventing fluctuate of the support medium in the application, and thereby, capable of performing formation of the coating film with stable uniformity.
支持体及び表面にパターン化された膜を有する支持体をバックロールで支持、搬送しながらの塗布において、塗布時の支持体の揺れを防止し平面性を維持することができ、これにより、安定した均一の塗膜の形成を行うことができる塗布装置、及びこの塗布装置を用いた有機エレクトロニクス素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The transparent sealing structures each having a given structural ratio are obtained by bringing them together in a region between the patterned structure and the light-emitting elements while controlling the amount of glue in the transparent sealing structures, thereby sharply improving the light-emitting efficiency of the photoelectron device.
前記パターン化構造は、前記透明密封構造を前記パターン化構造と前記発光素子との間の領域に結集させると同時に、前記透明密封構造におけるにかわの量を制御することにより、所定の構造比を有する透明密封構造を獲得し、前記光電子素子の発光効率を顕著に向上させることができる。 - 特許庁 - The CSP semiconductor device 1 is patterned in a grid pattern by Cu posts 1h, each serving as a post-electrode connected via connection terminals and bumps formed on the mounting substrate to the bottom surface of a resin seal section 1k in which semiconductor chips are sealed, mounted at each of intersections of sets of equally spaced parallel lines perpendicular to each other.
ＣＳＰの半導体装置１は、半導体チップが封止された樹脂封止部１ｋの底面に、実装基板に形成された接続端子とバンプを介在させて接続されるポスト電極であるＣｕポスト１ｈが、互いに直交する等間隔の平行線の各交点に設けられていることで格子状に配設されている。 - 特許庁 - The lithography equipment used for pattern-forming a substrate comprises a lighting system for supplying a projection beam of radiation, an array of individually controllable elements for imparting the cross-section of the projection beam with a pattern, and a substrate table for supporting the substrate at the time of exposure operation, and a projection system projects the patterned beam to a target part of the substrate.
基板をパターン形成するために使用されるリソグラフィー装置において、放射の投影ビームを供給するための照明系と、投影ビームの断面にパターンを与えるための個別制御可能要素のアレイと、露光動作時に基板を支持するための基板テーブルとを具備し、投影系が、パターン形成されたビームを基板の標的部分の上に投影する。 - 特許庁 - To solve the problem wherein, in a conventional solid-state imaging device in which a single-layer silicon oxide film formed on a semiconductor substrate is patterned into a prescribed shape by wet etching to form a field insulation film, a short circuit between electrodes is easily caused on a side face (etching face) of the field insulation film when forming various electrodes by patterning a conductive film by etching.
半導体基板上に形成した単層のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより所定形状にパターニングしてフィールド絶縁膜を形成する従来の固体撮像素子では、導電膜をエッチングによってパターニングして種々の電極を形成する際に、フィールド絶縁膜の側面（エッチング面）上において電極同士の短絡が生じやすい。 - 特許庁 - This anode substrate of a carbon nanotube (CNT) field emission display used in this application includes: a glass substrate; a plurality of phosphor layers patterned on the glass substrate; a flattened Al film covering the phosphor layers; and a metal sheet having the same potential as that of the Al film, and having a plurality of openings, by covering the Al film, corresponding to the respective phosphor layers.
ガラス基板と、前記ガラス基板上にパターニングされた複数の蛍光体層と、 前記蛍光体層を覆う平坦化されたAl膜と、前記Al膜と同電位を有し、前記Al膜を覆って複数の開口を有し、前記開口が前記蛍光体層にそれぞれ対応する金属シートとを含むカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）フィールドエミッション・ディスプレイのアノード基板を用いた。 - 特許庁 - The substrate of the display filter includes a transparent substrate 11, a conductive pattern part 13 provided on one side surface of the transparent substrate 11 and patterned in a predetermined shape, and a black light shielding part 211 provided between the transparent substrate 11 and the conductive pattern part 13 to shield visible light going from the transparent substrate 11 side to the conductive pattern part 13.
ディスプレイ用フィルタ用の基材は、透明基材１１と、透明基材１１の一方の面側に設けられ、所定の形状にパターニングされた導電パターン部１３と、透明基材１１と、導電パターン部１３との間に透明基材１１側から導電パターン部１３に向かう可視光を遮光する黒色の遮光部２１１を備える。 - 特許庁 - A first region requiring a high driving capacity is irradiated with CW laser light at a low rate under a state where an a-Si film is patterned by lithography and etching into an island pattern 11 (or a ribbon pattern) whereas a second region not requiring a high driving capacity is irradiated with the CW laser light in the form of a solid a-Si film.
高い駆動能力を要する第１の領域には、ａ−Ｓｉ膜をアイランドパターン１１（又はリボンパターン）にリソグラフィー及びエッチングによりパターニングした状態でＣＷレーザ光を低速で照射し、高い駆動能力を要しない第２の領域には、ａ−Ｓｉ膜のベタ膜のままＣＷレーザ光を高速で照射する。 - 特許庁 - The offset printer includes: a printing roller; a coating unit for applying a print substance to the printing roller; a patterning unit for patterning the print substance applied to the printing roller; a printing unit for transferring the patterned print substance to a printing medium; and a cleaning unit for cleaning the print substance remaining on the printing roller by dry cleaning.
オフセット印刷装置は、印刷ロールと、前記印刷ロールに印刷物質を塗布するコーティング部と、前記印刷ロールに塗布されている印刷物質をパターニングするパターン部と、前記印刷物質を被印刷物に印刷する印刷部と、前記印刷ロールに残っている前記印刷物質を乾式洗浄する洗浄部とを備える。 - 特許庁 - By the method for manufacturing an optical element, a liquid composition for the formation of an optical element is stuck to the forming surface of a base material having a patterned surface as the forming surface having regularly arranged regions having high wettability and regions having low wettability, then the composition is hardened to form projections in the regions having high wettability.
濡れ性の大きな区域と濡れ性の小さな区域とが規則的に配列されているパターン表面を成形表面として有する基材の成形表面に光学素子形成用液状組成物を付着させ、次いで前記組成物を硬化して前記濡れ性の大きな区域に凸部を形成させる光学素子の製造方法である。 - 特許庁 - Alternatively, a silicon oxide of having a thickness becoming a gap is formed by thermal oxidation on a silicon wafer where impurities are implanted heavily to the diaphragm substrate 1 on the side being bonded to the electrode substrate 2 and then it is patterned into a desired shape before being bonded to the electrode substrate 2.
第２実施例）振動板基板１に半導体基板の電極基板２の接合面側に高濃度の不純物が注入されたシリコンウエハを用いて、このシリコンウエハに熱酸化によってギャップとなる厚さのシリコン酸化膜を形勢した後、接合面側のシリコン酸化膜を所望の形状にパターニングして電極基板２と接合した。 - 特許庁 - Insulation layers are formed among the patterned pixel electrodes on the substrate, and the hole transport layer is formed by printing hole transport ink prepared by dissolving or stably dispersing a hole transport material in a solvent on the pixel electrodes located among the insulation layers from projecting parts of a relief printing plate by a relief printing method.
基板上のパターニングされた画素電極の間に絶縁層を形成し、凸版印刷法により正孔輸送材料を溶媒に溶解または安定に分散させた正孔輸送インキを凸版の凸部から絶縁層の間にある画素電極に印刷し正孔輸送層を形成することにより、上記課題を解決することができた。 - 特許庁 - In an exposure method in which a resist layer is selectively exposed with UV and patterned in a prescribed shape, a polymeric material having an introduced adamantane group in which two or more hydrogen atoms have been replaced with at least one selected from a fluorine atom, a trifluoromethyl group and a difluoromethylene group is used as a polymeric material forming the resist layer.
レジスト層に選択的に紫外線で露光して所定の形状にパターニングする露光方法において、上記レジスト層を構成する高分子材料として、２以上の水素原子がフッ素原子、トリフロロメチル基、ジフロロメチレン基から選ばれる少なくとも１種により置換されたアダマンタン基が導入された高分子材料を用いる。 - 特許庁 - In an exposure method in which a resist layer is selectively exposed with UV and patterned in a prescribed shape, a polymeric material having an introduced cyclopentane group in which one or more hydrogen atoms have been replaced with at least one selected from a fluorine atom, a trifluoromethyl group and a difluoromethylene group is used as a polymeric material forming the resist layer.
レジスト層に選択的に紫外線で露光して所定の形状にパターニングする露光方法において、上記レジスト層を構成する高分子材料として、１以上の水素原子がフッ素原子、トリフロロメチル基、ジフロロメチレン基から選ばれる少なくとも１種により置換されたシクロペンタン基が導入された高分子材料を用いる。 - 特許庁 - By an imaging method using the lithography system, a desired pattern printed onto a substrate is decomposed into at least two constituting subpatterns that can be decomposed optically by the lithography system, and the piled-up body of two sacrifice hard masks is applied onto the substrate at the upper portion of a target layer patterned by a desired dense line pattern.
リソグラフィ・システムを使用するイメージング方法は、基板上に印刷される所望のパターンを、リソグラフィ・システムによって光学的に分解することが可能な少なくとも２つの構成サブパターンに分解すること、所望の密なライン・パターンでパターニングされる標的層の上部において、２つの犠牲ハード・マスクの積重体を基板にコーティングすることを含む。 - 特許庁 - An upper part photoresist layer 18 which is relatively thin is patterned with an improved resolution and, next, an intermediate metal or a ceramic layer 16 is stipulated by using the upper part photoresist layer 18 as a reactive ion etching(RIE) mask and the lowermost thick photoresist layer 14 is stipulated in a second RIE process by using the intermediate layer as an etching mask.
改良された解像度で比較的薄い上部フォトレジスト層（１８）がパターニングされ、次に上部フォトレジスト層を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）マスクとして利用し中間金属またはセラミック層（１６）が規定され、次に中間層をエッチングマスクとして使用して、最下層の厚いフォトレジスト層（１４）が第２のＲＩＥプロセスにおいて規定される。 - 特許庁 - After a resist film 8 is removed, the second resist film 13 is deposited over the entire surface and is patterned, in correspondence with the channel region of a memory cell transistor regions A to form holes 13a corresponding to the channel regions of the memory cell transistor region A in the second resist film 13, and then the second resist film 13 is cured with heat and ultraviolet rays.
レジスト膜８を除去した後、全面に第２のレジスト膜１３を堆積し、メモリセルトランジスタ領域Ａのチャネル領域に対応させて第２のレジスト膜１３をパターニングし、第２のレジスト膜１３にメモリセルトランジスタ領域Ａのチャネル領域に対応するホール１３ａを形成し、第２のレジスト膜１３を熱及び紫外線により硬化させる。 - 特許庁 - The directional coupler includes: a main line 11 provided on a dielectric substrate; a loop-shaped sub line 12 which is patterned on the dielectric substrate and a part of which is spaced from the main line; and a pair of correction pattern 13 disposed on both ends of a coupled portion of the main line to the sub line.
本実施形態に係る方向性結合器は、誘電体基板に設けられる主線路１１と、前記誘電体基板上にパターン形成され、その一部が前記主線路と一定の空隙をもって配置されるループ形状の副線路１２と、前記主線路と前記副線路との結合部の両端に配置される一対の補正パターン１３とを具備する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a metal photograph includes steps of preparing a substrate, applying a photoresist film thereon, exposing and developing the film by using a patterned film as a mask to pattern the photoresist film to form a photoresist pattern having a pattern corresponding to the film, forming a seed film on the substrate and the photoresist pattern, and producing a metal film on the seed film by LIGA techniques.
金属写真の製作方法は、基板を提供して、それにフォトレジスト膜を塗布し、パターンを有するフィルムをマスクとして露光現像工程を行って、フォトレジスト膜をパターン化して、フィルムに対応するパターンのあるフォトレジストパターンを形成し、基板とフォトレジストパターンにシード膜を形成し、ＬＩＧＡ技術でシード膜に金属膜を形成するステップを含む。 - 特許庁 - Stacked capacitor lower electrodes 7 of the memory cells of a dynamic semiconductor semiconductor memory device(DRAM) are patterned, and an insulating oxide film 9 is filled into a gap between the lower electrodes 7 to be flush with the top surface of the lower electrode 7, and then a rugged polysilicon (HSG-Si) 7a is formed on the top surfaces of the lower electrodes 7.
ダイナミック型半導体記憶装置（ＤＲＡＭ）のメモリセルのスタックキャパシタ下部電極７をパターニング後、隣接するスタックキャパシタ下部電極７間にキャパシタ下部電極７の上面と同一高さに絶縁酸化膜９を埋設し、次いでスタックキャパシタ下部電極７上面にポリシコンからなる凹凸ポリシコン（ＨＳＧ−Ｓｉ７ａ）の形成する。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive composition having high radiation sensitivity and a development margin that achieves formation of a preferable pattern feature even a developing time exceeds the optimum developing time in a developing process, and capable of forming a patterned thin film with excellent adhesiveness, and to provide an interlayer insulating film and a microlens formed from the composition.
高い感放射線感度を有し、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような現像マージンを有し、密着性に優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる感放射線性組成物およびそれから形成された層間絶縁膜およびマイクロレンズを提供することにある。 - 特許庁 - The distance T2 of a pixel electrode 103 from wiring 102 and a lower electrode 107 is designed smaller than the maximum dimensional change quantity T1 of a resin substrate 106 during manufacturing a liquid crystal display device, and the wiring 102, lower electrode 107 and pixel electrode 103 are patterned at a time in one photoetching process based on the design.
配線１０２および下部電極１０７と画素電極１０３との間隔Ｔ２を、液晶表示装置の製造程時における樹脂基板１０６の最大寸法変化量Ｔ１よりも小さく設計し、この設計に基づいて、配線１０２と下部電極１０７と画素電極１０３とを、一回のフォトエッチング工程によって同時にパターン形成する。 - 特許庁 - The semiconductor device has an evaluating element 5ab for inspection which is formed by double exposure by second exposure on a peripheral edge of at least one chip region 1 patterned by first exposure in a wafer-like semiconductor substrate, and electrically measures the alignment shift amount in horizontal and vertical directions in the first and second exposures.
半導体装置は、ウェハ状の半導体基板における、第１の露光でパターニングされる少なくとも１つのチップ領域１の周縁部に、第２の露光によって二重露光されてなり、第１の露光及び第２の露光における縦方向又は横方向の互いの位置の合わせずれ量を電気的に測定する検査用評価素子５ａｂを有している。 - 特許庁 - A liquid crystal composition for a patterned retardation film contains (A) 70-99 pts.wt of polymerizable liquid crystal monomer, (B) 1-30 pts.wt of polymerizable non-liquid crystal monomer, (C) 0.1-10 pts.wt of photopolymerization initiator, and (D)0.01-1 pts.wt of a surfactant including fluorine.
パターン位相差フィルム用液晶組成物に、（Ａ）重合性液晶モノマー７０重量部以上９９重量部以下と、（Ｂ）重合性非液晶モノマー１重量部以上３０重量部以下と、（Ｃ）光重合開始剤０．１重量部以上１０重量部以下と、（Ｄ）フッ素を含む界面活性剤０．０１重量部以上１重量部以下とを含有させる。 - 特許庁 - The transparent conductive film 10 comprises the patterned transparent conductive layer 3 formed on the single face of a transparent film substrate 1, and a colored layer 5 provided on at least one of the transparent conductive layer 3 on the opposite side to the transparent film substrate 1 and the transparent film substrate 1 on the opposite side to the transparent conductive layer 3.
本発明の透明導電性フィルム(10)は、透明フィルム基材(1)の片面にパターン化された透明導電層(3)が形成されており、透明導電層(3)における透明フィルム基材(1)とは反対側、及び透明フィルム基材(1)における透明導電層(3)とは反対側の少なくとも一方に設けられた着色層(5)を含む。 - 特許庁 - The heat control apparatus for wafer treatment has (a) a platform for placing heating objects in various size, (b) at least one shaft extending approximately perpendicular to the platform, and (c) a plurality of resistance heating elements patterned into a plurality of circuits defining at least one zone for independently performing controlled heating to the objects having different sizes on the platform.
ａ）加熱される様々なサイズの対象物を載せるためのプラットフォームと、ｂ）このプラットフォームとほぼ垂直に延びる１以上のシャフトと、ｃ）プラットフォーム上の異なるサイズの対象物を独立に制御加熱するための、１以上のゾーンを画成する複数の回路にパターン化された複数の抵抗加熱素子とを備えるウェハ処理用熱制御装置。 - 特許庁 - A metal base layer 12, that serves as the catalyst of a reduced metal wet process of electroless plating, is formed on a diode chip to be formed with a metal layer or on a predetermined section of a wafer 10, a resist layer 16 for determining a metal layer pattern 18 is provided thereon, and a patterned metal layer 14 is formed by the reduced metal wet process.
金属層を形成しようとするダイオードチップ或いはウエハ１０の所定区域に無電解メッキの還元金属湿式プロセスの触媒となる金属下地層１２を形成し、その上に金属層パターン１８を定めるレジスト層１６を設けて還元金属湿式プロセスにより、パターン化された金属層１４を形成する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of forming an amorphous silicon layer 13 on a substrate such as a plastic substrate 11, a process of patterning the amorphous silicon layer 13 and forming a prescribed pattern to be a thin film transistor, and a process of crystallizing the patterned amorphous silicon layer 13 thereafter, and the semiconductor device provided with the thin film transistor is manufactured.
プラスチック基板１１等の基板上にアモルファスシリコン層１３を形成する工程と、アモルファスシリコン層１３をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層１３を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 - 特許庁 - The patterned magnetic recording medium has a substrate, a ferromagnetic recording layer formed on the substrate and formed in projecting patterns and the non-magnetic embedding layer embedded in recessed parts between the projecting patterns of the ferromagnetic recording layer and composed of an SiOC film containing Si, O and C and having ≤0.05at% C content.
基板と、前記基板上に形成された、凸パターンをなす強磁性記録層と、前記凸パターンをなす強磁性記録層の間の凹部に埋め込まれた、Ｓｉ、Ｏ、およびＣを含有し、Ｃの含有量が０．０５ａｔ％以下であるＳｉＯＣ膜で形成された非磁性埋め込み層とを具備したことを特徴とするパターンド磁気記録媒体。 - 特許庁 - To use traffic prediction information, immediately after allowing a user to get on and starting a navigation system by finding a start prediction time and a destination on the basis of patterned life information of a user and preparing the traffic prediction information, corresponding to the time range including the start prediction time and a geographical range including the destination.
パターン化されたユーザの生活情報に基づいて出発予測時刻及び目的地を求め、前記出発予測時刻を含む時間的範囲及び前記目的地を含む地理的範囲に対応した交通予測情報を作成することによって、ユーザが乗車してナビゲーション装置が起動した後、直ちに交通予測情報を使用することができるようにする。 - 特許庁 - The ombre-patterned plush fabric essentially comprises nonshrinkable fibers and 25-75 wt.% of shrinkable fibers ≥20% in shrinkage dyeable with a dye of a different kind from that for the nonshrinkable fibers, wherein part of the shrinkable fibers is such that the tip thereof differs in color from the foot thereof.
少なくとも非収縮性繊維および該繊維とは異なる種類の染料で染色可能であり且つ収縮率が２０％以上の収縮性繊維２５〜７５重量％で構成される立毛を有する立毛布帛において、該収縮性繊維の一部は繊維の先端部分と根元部分で異なる色を有していることを特徴とするぼかし柄立毛布帛。 - 特許庁 - Afterwards, an upper electrode layer 5 is deposited on the ferrodielectric film 3, and the upper electrode layer 3, the ferrodielectric film 3 and the lower electrode layer 2 are successively patterned, and a capacitor 10a having the thick ferrodielectric film 3a is formed in the region formed into a thin film and a capacitor 10b having a thick ferrodielectric film 3b is formed in a region whose etching is not carried out.
その後、強誘電体膜３の上に上部電極層５を堆積し、上部電極層３、強誘電体膜３及び下部電極層２を順次パターニングして、薄膜化した領域に厚い強誘電体膜３ａを有するキャパシタ１０ａを、エッチングされない領域に厚い強誘電体膜３ｂを有するキャパシタ１０ｂを形成する。 - 特許庁 - To provide a blank suitable for the manufacture of a halftone type phase shift mask having a halftone type phase shift film which has a refractive index and an extinction coefficient for exposure light satisfying the requirements as a phase shift mask, which has controlled reflectance for the exposure light and controlled transmittance at the inspection wavelength and which is accurately patterned, and to provide a halftone type phase shift mask.
位相シフトマスクとして露光光での屈折率及び消衰係数が満たされ、露光光での反射率や検査波長での透過率が制御され、正確なパターニングがされたハーフトーン型位相シフト膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造に好適なハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス、及びハーフトーン型位相シフトマスクを提供すること。 - 特許庁 - To provide a plastic film on which a metal film used for forming the electrode of an electronic part by transferring is formed or an electronic part metal film transfer film which is equipped with the plastic film that can be easily released from a metal film or a patterned release layer which is much improved in shape transfer accuracy.
電子部品を構成する電極を転写によって形成する金属膜を成膜したプラスチックフィルムを提供することであり、特にプラスチックフィルムと金属膜との離型性、すなわちパターン形状を有する離型層の形状転写精度が著しく向上する特徴を有する電子部品用金属膜転写フィルムを提供する。 - 特許庁 - To provide a composition for forming a layer to be plated which is superior in plating deposition characteristics and achieves high adhesion to a plated layer (metal film) formed thereon, and also on which a polymer layer that may achieve a superior reliability for insulating patterned metal wiring formed on the surface thereof is formed.
本発明の目的は、めっき析出性に優れると共に、その表面上に形成されるめっき膜（金属膜）と高密着性を達成し、さらにその表面に形成されるパターン状の金属配線間の優れた絶縁信頼性を達成しうるポリマー層を形成する被めっき層形成用組成物を提供することにある。 - 特許庁 - The liquid crystal display device, which includes first and second substrates, open portions located on the second substrate and corresponding to pixel regions, a black matrix having holes disposed adjacent to the open portions, color filter layers formed on the black matrix, and patterned spacers located between the first and second substrates so as to correspond to the holes, is provided.
第１基板、第２基板と；前記第２基板上に位置して、画素領域に対応するオープン部と、前記オープン部に近接するように位置するホールがあるブラックマトリックスと；前記ブラックマトリックス上に形成されたカラーフィルター層と；前記第１基板、第２基板間で、前記ホールと対応するように位置するパターン化スペーサーを含む液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - The problem is solved by providing lithographic equipment which comprises a lighting system for supplying a projection beam of radiation, a projection system for projecting a patterned beam on a target position of a substrate, a substrate table for holding the substrate, and a controller for adjusting the spectrum distribution of radiation intensity of the projection beam.
本発明は、放射の投影ビームを提供するための照明システムと、パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、基板を保持するための基板テーブルと、投影ビームの放射強度のスペクトル分布を調整するためのコントローラとを備えたリソグラフィ装置を提供することによってこの問題に対処している。 - 特許庁 - This gradation blow molding container A is a blown container, which is manufactured by an injection blowing system and patterned by shade of color due to partially different wal thicknesses t1, t2 and t3 by blowing a parison of a semitransparent and colored resin and injected in advance so as to have partially different wall thicknesses T1, T2 and T3.
本発明にかかるグラデーションブロー容器Ａは、インジェクションブロー方式で製造されるブロー容器であって、半透明の有色樹脂による射出にパリソン51に予め肉厚差Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３を設け、その後ブローすることにより、部分的に肉厚ｔ１、ｔ２、ｔ３を異ならせて色の濃淡による模様を付けることにより上記課題を解決する。 - 特許庁 - Alternatively, a nitride film is formed in contact with an organic insulating film having an opening, the nitride film is patterned to expose a semiconductor film or a conductive film underlying the nitride film, a first conductive layer having barrier properties is formed in contact with the nitride film, and a second conductive film containing aluminium is formed in contact with the first conductive film.
又は、開口部が形成された有機絶縁膜に接するように窒化膜を形成し、窒化膜の下層の半導体膜又は導電膜が露出するように窒化膜をパターニングし、窒化膜に接するようにバリア性を有する第１の導電膜を形成し、第１の導電膜に接するようにアルミニウムを含む第２の導電膜を形成する。 - 特許庁 - A substrate of an electrooptical device has: a substrate 20 facing a substrate 10 on which switching elements are mounted; a patterned light shading film 23 formed on the above substrate 20; a film 83 with a flattened surface formed on the above substrate 20 which includes the light shading film 23; and the electrodes 21 formed on the above planarized film 83.
スイッチング素子が形成された基板１０に対向する対向基板２０と、前記基板２０上に形成されるパターン化された遮光膜２３と、前記遮光膜２３を含む前記基板２０上に形成されて、表面が平坦化された平坦化膜８３と、前記平坦化膜８３上に形成される電極２１とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁 - In an exposure method in which a resist layer is selectively exposed with UV and patterned in a prescribed shape, a polymeric material having an introduced cyclopentane group in which one or more of hydrogen atoms combining to each of adjacent two carbon atoms have been replaced with fluorine atoms is used as a polymeric material forming the resist layer.
レジスト層を選択的に紫外線で露光して所定の形状にパターニングする露光方法において、上記レジスト層を構成する高分子材料として、隣り合う２つの炭素原子に結合した水素原子のそれぞれ１以上がフッ素原子により置換されたシクロペンタン基が導入された高分子材料を用いることを特徴とする。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the TFT array substrate provided with at least a first conductive film, an insulation layer, a semiconductor layer, a second conductive film and a third conductive film (or a reflector film) on an insulation substrate, the second conductive film, the semiconductor layer and the insulation layer are patterned with one photoengraving step and the second conductive film is over-etched.
絶縁性基板上に少なくとも第１の導電膜、絶縁膜、半導体層、第２の導電膜および第３の導電膜（または反射膜）を有するＴＦＴアレイ基板の製造方法において、第２の導電膜、半導体層および絶縁膜を１回の写真製版工程でパターニングするとともに、第２の導電膜をオーバーエッチする。 - 特許庁 - A method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of forming a resin layer 4a, getting round the electrodes, patterning the conductive layer 5 on the electrodes and on the resin layer 4a in correspondence with the projections 4, and forming the projections 4 by removing the resin layer 4a located between the conductive layers 5, with the patterned conductive layer 5 as a mask.
半導体装置１に電極を避けて樹脂の層４ａを形成する工程と、電極上及び樹脂の層４ａ上に導電層５を突起体４に応じてパターニングする工程と、パターニングされた導電層５をマスクとし、導電層５の間に位置する樹脂の層４ａを除去して突起体４を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - A method includes: forming an insulation film 13 composed of SiO_2 film or SiN film according to a sputtering method on the common electrode 12; and forming the patterned pixel electrode 14 on the insulation film 13, whereby liquid crystal 8 is arranged on the pixel electrode 14 and the alignment of the liquid crystal 8 is changed by parallel electric field formed in the liquid crystal 8 to display letters and images.
共通電極１２上に、スパッタリング法によってＳｉＯ_2膜又はＳｉＮ膜から成る絶縁膜１３を形成し、その絶縁膜１３上にパターニングした画素電極１４を形成し、画素電極１４上に液晶８を配置し、液晶８中に形成する平行電界によって液晶８の配向を変え、文字や画像を表示する。 - 特許庁 - An insulating film 12 is formed on a silicon substrate 11 made of single-crystal silicon, an opening 12a is formed in the insulating film 12, and an amorphous silicon film is formed on the insulating film 12 in contact with the silicon substrate 11 through the opening 12a, and subjected to solid-phase epitaxial growth starting at the silicon substrate 11 as a starting point, and then patterned.
単結晶のシリコンからなるシリコン基板１１上に絶縁膜１２を形成し、絶縁膜１２に開口部１２ａを形成し、絶縁膜１２上に開口部１２ａを介してシリコン基板１１と接触するようにアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜をシリコン基板１１を起点として固相エピタキシャル成長させて、その後パターニングする。 - 特許庁 - While the bumps 21 abut against the 1st metallic film 11, one or both of the 1st metallic film 11 and 2nd metallic film 12 are patterned to partially expose the surface of the 1st resin film 16 In this state, a heat treatment is carried out to emit a solvent and moisture from the exposed part, thereby hardening the 1st resin film 16.
第１の金属膜１１にバンプ２１が当接した状態で、第１の金属膜１１又は第２の金属膜１２のいずれか一方又は両方をパターニングし、第１の樹脂フィルム１６の表面を部分的に露出させた状態で熱処理し、溶剤や水分を露出部分から放出させ、第１の樹脂フィルム１６を硬化させる。 - 特許庁 - A probe 5, a terminal 6, and a ground pattern 7 are patterned severally at one side of a dielectric substrate 2, and also this ground pattern 7 is led conductively through a ground pattern 9 and a plurality of through holes 10 made at the other side of the dielectric substrate 2, and this dielectric substrate 2 is arranged in parallel with its tube axis, within a waveguide conduit 1.
誘電体基板２の片面にプローブ５と終端部６およびアースパターン７をそれぞれパターン形成すると共に、このアースパターン７を誘電体基板２の他面に形成したアースパターン９と複数のスルーホール１０を介して導通し、この誘電体基板２を導波管路１の内部にその管軸と平行に配設した。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the magnetic recording medium, the magnetic film is formed on a substrate, a resist is applied on the magnetic film, a stamper is imprinted to the resist to transfer a rugged pattern and the magnetic film is worked by ion-milling to form a magnetic film pattern while the resist residue is left in the recessed part of the patterned resist after the stamper is removed.
基板上に磁性膜を形成し、前記磁性膜上にレジストを塗布し、前記レジストに対してスタンパをインプリントして凹凸パターンを転写し、前記スタンパを除去した後、パターン化されたレジストの凹部にレジスト残渣を残したままイオンミリングにより前記磁性膜を加工して磁性膜パターンを形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁 - The image recorder comprises the intermediate transfer member where an ink-philic part and ink-phobic part are patterned depending on the resolution of a recording image, a means for ejecting ink to the intermediate transfer member depending on the recording image, and a means for transferring the ink, ejected from the ink ejecting means to the intermediate transfer member, to a recording medium.
親インク部および撥インク部が、記録画像の解像度に応じてパターンニングされた中間転写体と、記録画像に応じて中間転写体にインクを吐出するインク吐出手段と、インク吐出手段から中間転写体に吐出されたインクを、被記録媒体に転写する転写手段とを有することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁
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