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＜前へ 1 2 .... 933 934 935 936 937 938 939 940 941 .... 999 1000 次へ＞- The organic sludge treatment method comprises a process for mixing the organic sludge with wood waste, a process for fermenting the obtained mixture under an aerobic atmosphere to obtain the mixture of which the mass has been reduced, a process for feeding the obtained fermented mixture 12 into a rotary kiln 6 from the raw material inlet side of the kiln and burning the mixture with raw material 1 of the cement clinker.
有機汚泥と木くずを混合する工程と、得られた混合物を好気性雰囲気下で発酵処理して、質量の減少した混合物を得る工程と、得られた発酵処理済みの混合物１２を、ロータリーキルン６の原料入口側から炉内に投入して、セメントクリンカの原料１と共に燃焼させる工程を含む。 - 特許庁 - When a standard washing course is set, washing is executed in the washing process with the axis of rotation of the rotary drum in the horizontal state, rinsing is executed in the rinsing process with the axis of rotation of the rotary drum in the inclined state, and centrifugal dewatering is executed in the dewatering process with the axis of rotation of the rotary drum in the horizontal state.
また、標準洗いコースが設定されたときには、洗い工程においては回転ドラムの回転軸心が水平状態で洗いを実行し、濯ぎ工程においては回転ドラムの回転軸心が傾斜状態で濯ぎを実行し、脱水工程は回転ドラムの回転軸心が水平状態で遠心脱水を実行するように構成する。 - 特許庁 - A speed command calculating part 52 calculates a speed command based on the speed parameter, transfers the speed command to an accelerating process or a constant speed process when receiving a normal rotation operation signal Sg or an inverse rotation operation signal Sh from an operation command part 48, and transfers the speed command to a decelerating process when receiving a deceleration starting signal Sd from a deceleration command part 47.
速度指令演算部５２は、速度パラメータに基づいて速度指令を演算し、運転指令部４８から正転運転信号Ｓｇまたは逆転運転信号Ｓｈを受信すると速度指令を加速過程、等速過程へと移行させ、減速指令部４７から減速開始信号Ｓｄを受信すると減速過程へ移行させる。 - 特許庁 - The method of manufacturing the fused siliceous refractory includes: a slurry preparing process for preparing slurry containing a raw material solid portion composed of 95 to 99.99 wt.% fused silica powder and 0.01 to 5 wt.% iron oxide powder; a molding process for obtaining a molding from the slurry; and a firing process for firing the molding at 1,050 to 1,250°C.
溶融シリカ粉末９５〜９９．９９重量％及び酸化鉄粉末０．０１〜５重量％からなる原料固形分を含むスラリーを生成するスラリー生成工程、該スラリーから成形体を得る成形工程、及び該成形体を１０５０〜１２５０℃で焼成する焼成工程を含む溶融シリカ質耐火物の製造方法。 - 特許庁 - In the data-dividing processing method including a dividing process for dividing data, a pre-dividing process for conducting processing which use a pre-dividing data size as a processing unit, and a post-dividing process for conducting processing using a post-dividing data size as a processing unit, post-dividing data are processed for a plurality of channels in a sequence following the order of outputs.
データを分割する分割工程と、分割前のデータサイズを処理単位とした処理を行う分割前処理工程と、分割後のデータサイズを処理単位とした処理を行う分割後処理工程とを含むデータ分割処理方法において、複数チャネルの分割後データを、出力順序に合わせた順序で処理する。 - 特許庁 - The repair treatment method for the water-repellent film having a ground surface layer includes (1) a process step of making a water-repellent function vanished by applying a plasma jet to the water-repellent film and (2) a process step of applying a water-repellent treating liquid to a region where the water-repellent function is made vanished by the process step described above.
下地層を有する撥水性皮膜のリペア処理方法において、（１）前記撥水性皮膜にプラズマジェットを施すことにより、撥水機能を消失させる工程、（２）前記工程により撥水機能が消失させられた領域に、撥水処理液を塗布する工程、を含むことを特徴とする下地層を有する撥水性皮膜のリペア処理方法である。 - 特許庁 - The method for manufacturing a board 1 comprises a solder paste printing process for coating a plurality of pads 22 opening to the major surface 2 side with solder paste, a reflow process for forming substantially hemispheric solder bumps by fusing the applied solder paste, and a flattening process for forming flattened solder bumps 25 by pressing the top part of the substantially hemispheric solder bumps with a flat pressing plane.
基板１の製造方法は、主面２側に開口する複数のパッド２２にそれぞれハンダペーストを塗布するハンダペースト印刷工程と、塗布されたハンダペーストを溶解して略半球状のハンダバンプを形成するリフロー工程と、略半球状のハンダバンプの頂部を平坦な押圧面で押圧して平坦化ハンダバンプ２５を形成する平坦化工程とを備える。 - 特許庁 - This method for cleaning and drying the article having the microstructures comprises a process for cleansing the article received in the treating chamber of a washing/drying device with a cleansing liquid, a process for replacing the cleansing liquid by the liquid mixture of a hydrofluoroether with 5% isopropyl alcohol or by a fluorinated alcohol as a replacing liquid, and a process for replacing the replacing liquid by supercritical carbon dioxide.
本方法は、洗浄／乾燥装置の処理室内に収容した、微小構造を有する被処理体を洗浄液で洗浄する工程と、ハイドロフルオロエーテルと５％のイソプロピルアルコールの混合液、又はフッ化アルコール単体を置換液とし、洗浄液を置換液で置換する工程と、置換液を超臨界二酸化炭素で置換する工程とを有する。 - 特許庁 - The material can be manufactured by a method containing a process of forming a removable protruded pattern on the surface of a conductive base substrate, a process of forming an insulating layer made of DLC or inorganic material on the surface of the conductive base substrate on which the removable protruded pattern is formed, and a process of removing the protruded pattern to which the insulating layer is attached.
これは、導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、ＤＬＣ又は無機材料からなる絶縁層を形成する工程及び絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程を含む方法により製造できる。 - 特許庁 - Supply processes Bn and Cn in suppliers B and C are set at the same span as that of an order process An by shifting the span, forward from the order process An, by lead times t1 and t2, with the time required for manufacturing the articles and a storage time for the inputted order process An and an order amount Xn in the orderer A taken into account.
入力された発注元Ａの発注工程Ａｎとその発注量Ｘｎに対して物品を生産するのに要する時間や保管時間などを考慮したリードタイムｔ１、ｔ２だけ発注工程Ａｎより前にズラして発注工程Ａｎと同一のスパンとして供給元Ｂ，Ｃの供給工程Ｂｎ，Ｃｎを設定する。 - 特許庁 - The method for producing the composition includes an α-amylase-treating process for hydrolyzing the crushed product of a β-1,3-1,4-glucan-containing plant with α-amylase, and a β-glucan-hydrolyzing process for hydrolyzing β-1,3-1,4-glucan in the reaction mixture prepared in the α-amylase-treating process with β-glucanase and/or cellulose.
さらには、β−１，３−１，４−グルカンを含有する植物の粉砕物をα−アミラーゼで分解処理するα−アミラーゼ処理工程と、α−アミラーゼ処理工程で得られた反応混合物中のβ−１，３−１，４−グルカンをβ−グルカナーゼ及び／又はセルラーゼで分解するβ−グルカン分解工程とを含む製造方法。 - 特許庁 - A resist film 7 is formed on a ceramic substrate 2, a conductor thin film 4 is formed on the film 7 of the substrate 2 by a vacuum deposition process, a dielectric thin film 5 made of Sm2O3 or the like material is formed on the film 4 by the vacuum deposition process, and then a conductor thin film is formed on the film 5 by the vacuum deposition process.
セラミック基板２の上にレジスト膜７を形成した後、その上から基板２上に真空蒸着によって導体薄膜４を形成し、ついで真空蒸着によって導体薄膜４の上にＳｍ_2Ｏ_3等の誘電体薄膜５を形成し、ついで真空蒸着により誘電体薄膜５の上に導体薄膜６を形成する。 - 特許庁 - The method comprises: a process of forming a photo epoxy buffer layer having a groove pattern on the rear surface of a wafer substrate for marking scribe lines to be diced; a process of etching the substrate along the marking groove in the photo epoxy layer; and a process of cutting the wafer along the etching groove by a mechanical force from the front or rear surface to separate the wafer into singulated IC packages.
ダイシングされるスクライブ線をマーキングするためにウエーハの基板の裏面に溝パターンを有するフォトエポキシバッファ層を形成する工程、フォトエポキシ層中のマーキング溝に沿って基板をエッチングする工程、表面または裏面から機械的な力によりエッチング溝に沿ってウエーハを切断し、個別のＩＣパッケージに分離する工程からなる。 - 特許庁 - The method for utilizing soy sauce lees comprises the following: a heating carbonization process where the soy sauce lees are heated at 400-700°C to be carbonized; and a separation process where the thus-obtained carbonized product is separated into desalted carbonized produced and inorganic salt so as to reuse the inorganic salt in a soy sauce production process and utilize the desalted carbonized product as a soil quality improver or fuel.
本発明の醤油粕の活用方法は、醤油粕を４００〜７００℃で加熱して炭化する加熱炭化工程と、得られた炭化物を、脱塩炭化物と無機塩とに分離する分離工程とを包含し、得られた無機塩を醤油製造プロセスに再利用し、脱塩炭化物を土壌改質剤または燃料として利用する。 - 特許庁 - In the method for which a wire rod is wiredrawn and formed through a die, the wiredrawing method comprises a wetting process which wets a surface of wire rod with water before the wire rod gets through a die, a wiredrawing process which sends the wetted wire rod to the die and forms a prescribed diameter and shape, and a coiling process which coils the drawn wire.
線引抜き方法は、線材を金型にて引抜き成型する線引抜き方法において、該金型に入る前に該線材の表面に水で湿潤させる湿潤工程と、上記湿潤された線材を該金型へ送り所定の線径及び形状にさせる線引抜工程と、線引抜きされた線材を巻き取る巻取り工程とからなる。 - 特許庁 - A protective layer is formed on a wiring part 3 by a procedure, containing a process for electrodepositing electrodeposition resin by covering the wiring part 3, a process for partially forming a resist layer 5 on a substrate 1 which has the wiring part 3 on an insulating layer 2 where an electrodeposition resin layer 4 is formed and a process for etch-processing the substrate, where the resist layer 5 is formed in part.
配線部３を覆って電着樹脂を電着する工程、電着樹脂層４が形成された絶縁層２上の配線部３を有する基板１に部分的にレジスト層５を形成する工程、部分的にレジスト層５が形成された基板をエッチング処理する工程を含む手順により配線部３の上に保護層を形成する。 - 特許庁 - where the specified invention relates to a product, inventions of process of manufacturing the product, inventions of process of using the product, inventions of process used for handling the product, inventions of machines, instruments, equipments or other things used for manufacturing the product, inventions of products solely utilizing the specific properties of the product, or inventions of things used for handling the product;
その特定発明が物の発明である場合において、その物を生産する方法の発明、その物を使用する方法の発明、その物を取り扱う方法の発明、その物を生産する機械、器具、装置その他の物の発明、その物の特定の性質を専ら利用する物の発明又はその物を取り扱う物の発明 - 特許庁 - (4) According to Art. 7 paragraph (2) letter c) of the Law, the inventions relating to a microbiological process as defined in Art. 68 paragraph(3) or another technical process or a product obtained by such a process are patentable, the product being different from the plant variety or animal breed obtained this way.
(4) 本法第 7条第 2段落(c)により，第 68条(3)において定義されている微生物学的方法，又は他の技術的方法，又は当該方法によって取得される物に関する発明は特許を受けることができる。ただし，物については，この方法によって取得される物が，植物品種又は動物品種でないことを条件とする。 - 特許庁 - Provided are an information processing device and a control method thereof having selecting means for determining whether to skip a firmware retreating process when a plurality of programs are updated by the information processing device 100 and skipping means for skipping the retreating process based on the selecting means, and capable of reducing a process time taken for updating a program.
情報処理装置１００が実行する複数のプログラムの更新時のファーム退避手段をスキップするかどうか決定する選択手段と、前記選択手段に従って前記退避処理を行わないスキップ手段を有し、プログラムの更新にかかる処理時間を短縮するようにする情報処理装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁 - In this drying method for the washed quartz substrate, at least a process for heating the quartz substrate by hot water after a process for washing the quartz substrate is applied, and a drying process for executing at least one of spin-drying, hot-air drying, decompression drying, and drying by an infrared lamp, or the like, is applied.
洗浄後の石英基板の乾燥方法であって、少なくとも、石英基板を洗浄する工程の後に、石英基板を温水で加温する工程を施し、その後スピン乾燥、温風乾燥、減圧乾燥、又は赤外線ランプでの乾燥等のうちいずれか一つ以上を行う乾燥工程を施すことを特徴とする石英基板の乾燥方法。 - 特許庁 - This manufacturing method is the manufacturing method of an optical film which includes a process of forming a coating film by coating a polymer solution in which polymers including polyimide are dissolved into a solvent on a substrate and a process of forming a birefringent film by drying the coating film and the manufacturing method is characterized in that the drying process includes at least two stages of drying processing.
ポリイミドを含むポリマーを溶媒に溶解したポリマー溶液を基材に塗工して塗工膜を形成する工程と、前記塗工膜を乾燥して複屈折フィルムを形成する工程とを含む光学フィルムの製造方法であって、前記乾燥工程が、少なくとも２段階の乾燥処理を含むことを特徴とする製造方法である。 - 特許庁 - (1) This inkjet printing method includes a base layer forming process for forming a base layer on the absorptive base material to be printed, using a photopolymerizable aqueous ink emulsion, a polymerization process for polymerizing the photopolymerizable aqueous ink emulsion of the base layer, and an image forming process for forming the image on the base layer, by an inkjet system.
（１）吸収性の被印刷基材の上に、光重合性水性エマルジョンインクを用いて下地層を形成する下地層形成工程と、下地層の光重合性水性エマルジョンインクを重合させる重合工程と、インクジェット方式により、下地層の上に画像を形成する画像形成工程と、を備えたインクジェット印刷方法。 - 特許庁 - In this fine pattern formation method, the process of covering the substrate having the photoresist with a cover molding agent, the process of shrinking the cover molding agent in question by heat treatment and narrowing the intervals between the photoresist patterns by its shrinkage action, and the process of removing the cover molding agent are performed several times.
ホトレジストパターンを有する基板上に、被覆形成剤を被覆する工程、熱処理により該被覆形成剤を収縮させ、その収縮作用によりホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめる工程、および上記被覆形成剤を除去する工程を、複数回に亘って行うことを特徴とする微細パターンの形成方法。 - 特許庁 - To prevent the formation of solid materials in a vacuum pump or a vacuum line of a purification process or recovery process to perform vacuum distillation in a conventional process to produce aziridines or N-vinyl amides from alkanolamines or alkanol amides and composed of a reaction step, a collection step, a purification step and a recovery step.
反応工程、捕集工程、精製工程および回収工程からなる一般に知られている方法により、アルカノールアミンまたはアルカノールアミドから、それぞれ、アジリジン類またはＮ−ビニルアミド類を製造するにあたり、減圧蒸留を行う精製工程および回収工程における真空ポンプや真空ラインなどの内部での固形物の生成を防止する。 - 特許庁 - The hard mask film is partially etched by an etching process using a photoresist pattern formed by performing the exposure process, a damascene trench is formed by progressing the etching process with the hard mask film 104 as an etching mask to sequentially perform a partial etching on the trench oxide film 103, the etching preventive film 102, and the interlayer insulating film 101.
露光工程を実施して形成されるフォトレジストパターンを用いたエッチング工程によって前記ハードマスク膜を部分エッチングし、ハードマスク膜１０４をエッチングマスクとして用いたエッチング工程を進行して、トレンチ酸化膜１０３、エッチング防止膜１０２および間絶縁膜１０１を順次部分エッチングしてダマシントレンチを形成する。 - 特許庁 - This manufacturing method of the information recording medium for forgery prevention has a recording process wherein an image 4 for forgery prevention is recorded on the information recording medium by an inkjet method using photosetting type ink for forgery prevention and a light irradiation process wherein the ink for forgery prevention is irradiated with light after the recording process.
本発明は、偽造防止用の情報記録媒体を製造する情報記録媒体の製造方法であって、光硬化型の偽造防止用インクを用いたインクジェット方式で情報記録媒体に偽造防止用画像４を記録する記録工程と、前記記録工程後に、前記偽造防止用インクに対し光を照射する光照射工程と、を備えている。 - 特許庁 - The evaluation method of a semiconductor substrate includes a process in which a semiconductor substrate is submerged in an etching liquid filled in a vessel, a process in which the semiconductor substrate submerged in the etching liquid is irradiated with light through the etching liquid so that the semiconductor substrate emits photoluminescence light, and a process for observing the photoluminescence light that has been released.
容器に満たされたエッチング液中に半導体基板を浸漬する工程、エッチング液中に浸漬されている半導体基板に対し、エッチング液を介して光を照射して、半導体基板によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、及び放出されたフォトルミネッセンス光を観察する工程を含む、半導体基板の評価方法。 - 特許庁 - The method for producing a solid oxide sintered film having a laminate structure comprises an electrodeposition process for adhering solid oxide particles on the surface of the solid oxide sintered film as a substrate in a film-like shape by a migration electrodeposition method and a burning process for burning the solid oxide sintered film having the solid oxide particle film obtained in the electrodeposition process on the surface.
基材としての固体酸化物焼結膜の表面上に固体酸化物粒子を泳動電着法により膜状に付着させる電着工程と、該電着工程で得られた固体酸化物粒子膜を表面に有する固体酸化物焼結膜を焼成する焼成工程とからなる積層構造の固体酸化物焼結膜の製造方法。 - 特許庁 - The manufacture of this device comprises an electrode process for forming the discharge electrodes 6 on the transparent substrate 1, a coating process for coating the discharge electrodes 6 with a paste containing a transparent dielectric material layered thereon, and a baking process for forming the transparent dielectric layer 5 on the discharge electrodes 6 by baking the applied paste in a vacuum atmosphere.
これを製造するため、透明な基板１の上に放電電極６を形成する電極工程と、放電電極６に重ねて透明な誘電体材料を含むペーストを塗工する塗工工程と、塗工されたペーストを真空雰囲気で焼成して放電電極６上に透明な誘電体層５を形成する焼成工程とを行なう。 - 特許庁 - After printing on ink jet recording medium having a surface layer containing at least a heat plastic resin with an ink jet, the ink jet recording medium is pressure processed by a post process having at least a pressure process, and a film thickness of the surface layer after the post process is compressed to 50-80% to that before printing.
少なくとも熱可塑性樹脂を含有する表層を有するインクジェット記録媒体に、インクジェットにより印字した後、少なくとも加圧工程を有する後工程により該インクジェット記録媒体を加圧処理し、該後工程後の該表層の膜厚を、印字前に対し５０〜８０％に圧縮することを特徴とするインクジェット画像形成方法。 - 特許庁 - The semiconductor film forming method comprises a first lamination process of laminating a transparent electrode layer 2, a semiconductor layer 3, and an oxide layer 4 successively on a support 1; an oxidation process of oxidizing the surface of the oxide layer 4; and a second lamination process of laminating a metal electrode layer 5 on the oxide layer 4 whose surface has been oxidized.
支持体１上に透明電極層２と、半導体層３と、酸化物層４とを順次積層する第一の積層工程と、前記酸化物層４の表面を酸化する酸化工程と、表面を酸化された前記酸化物層４上に金属電極層５を積層する第二の積層工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - The invention relates to the method for changing characteristics of vegetable fibers comprising a process obtaining a transformant by transducing one or a plurality of monomer supplying enzyme genes, and a polymerase gene synthesizing a polymer from the synthesized monomer into a chromosome in a functionable form and a process growing the transformant obtained in the above mentioned process to a plant.
１又は複数のモノマー供給系酵素遺伝子と、合成されたモノマーから高分子化合物を合成する重合酵素遺伝子とを、機能しうるかたちで染色体に導入して形質転換体を得る工程と、 上記工程で得た形質転換体を植物体に成長させる工程とを含む植物繊維の特性を変える方法。 - 特許庁 - This method to exchange transaction information comprises a process to produce a data entity based on an electronic data card format, a process to include information relating to the transaction in the data entity, and a process to carry the data entity between a user device and the person concerned of the transaction through a means of communication.
本発明のトランザクション情報を交換する方法は、電子データカードフォーマットに基づくデータエンティティーを発生する工程、トランザクションに関連する情報を前記データエンティティーに含める工程、および前記データエンティティーを通信手段を介してユーザ装置とトランザクションの他の当事者とのあいだに運搬する工程から構成される。 - 特許庁 - When the process speed in use is lower than a normal process speed, part of one line of image data is output divisionally at timings at which lines from which image is not usually output at this low process speed are scanned.
異なったプロセススピードで印字する手段と、前記プロセススピードに応じて、ライン毎に、出力画像データの出力範囲を制御する制御手段とを有する画像形成装置において、通常のプロセススピードより遅いプロセススピードの場合に、この遅いプロセススピードにおいて通常は画像出力されないラインを走査するタイミングで、１ラインの画像データの一部を分割出力する。 - 特許庁 - In a process sheet 14 in which a process layer 15 is formed on a substrate 13, the process layer is provided with a layer consisting of a polypropylene base resin composition containing a polypropylene base resin and intermolecular unsaturated linkages while the number of the intermolecular unsaturated linkage in the polypropylene base resin composition is specified so as to be 0.5 pieces or more per 103 carbons.
基材１３上に工程層１５が形成された工程シート１４において、工程層は、（Ａ）ポリプロピレン系樹脂と、（Ｂ）分子内不飽和結合を有する化合物とを含むポリプロピレン系樹脂組成物からなる層を有し、該ポリプロピレン系樹脂組成物中における前記分子内不飽和結合の数が１０^3炭素当り０.５個以上である。 - 特許庁 - This continuous method for producing tetracyclododecenes having a specific structure comprises (1) a process of reacting 2-norbornenes, cyclopentadiene or dicyclopentadiene with an olefin, (2) a process of separating and recovering the tetracyclododecenes and (3) a process of discarding at least 1 mass % of residual heavy substance to the out of system and recycling the rest.
（１）２−ノルボルネン類、シクロペンタジエンまたはジシクロペンタジエン、およびオレフィンを反応させる工程、（２）テトラシクロドデセン類を分離回収する工程、（３）残さである重質分の少なくとも１質量％を反応系外に廃棄し、残余を反応器に循環させる工程からなる、特定構造を有するテトラシクロドデセン類の連続的製造方法。 - 特許庁 - A process for discharging polysilane solution on the prescribed pattern of the substrate, using an ink jet device and forming a polysilane thin film pattern, a process for depositing the fine particles of noble metal on the formed polysilane thin pattern, and a process for forming a metal film pattern through electroless plating with the deposited fine particles of noble metal as a catalyst, are installed.
基板上にインクジェット装置を用いてポリシラン溶液を所定のパターンに吐出し、ポリシラン薄膜パターンを形成する工程と、形成されたポリシラン薄膜パターン上に貴金属の微粒子を析出させる工程と、析出された貴金属の微粒子を触媒として無電解メッキにより金属膜パターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁 - An information processor refers to a parameter having data for identifying a subject from an input image to collate the input image and the parameter in multiple stages using a serially connected processing process group and one of plural processing process groups connected to the end of the processing process group through a branch.
情報処理装置は、入力画像から被写体を識別するためのデータを有するパラメータを参照しながら入力画像とパラメータとの照合処理を、直列に接続された処理工程群と、処理工程群の終端の工程と分岐を介して接続された複数の処理工程群のうちのいずれか１つの処理工程群と、により多段階に行う。 - 特許庁 - In the composition of the tin oxide particles by using a conventional inorganic salt chemical process, since the carbon particles are mixed prior to heat-treatment such as a drying process 20 and a calcination process 22 or the like, the formation of coarse secondary particles by binding of tin hydroxide particles each other is occurred, but is suitably restricted by the carbon particles.
そのため、従来の無機塩化学プロセスを用いた酸化錫微粒子の合成において、乾燥工程２０および仮焼工程２２等の加熱処理に先立ってカーボン微粒子が混合されることから、水酸化錫微粒子が相互に結合させられて粗大な二次粒子を構成することがそのカーボン微粒子によって好適に抑制される。 - 特許庁 - This method for preparing the magnesium salt of the enantiomer of omeprazole comprises (i) a process of forming a magnesium alkoxide by performing the reaction of magnesium with a lower alcohol in a solution using the lower alcohol as a solvent, (ii) a process of adding the enantiomer of omeprazole of a neutral form into the solution and (iii) a process of flash evaporating the solvent.
ｉ）マグネシウムと低級アルコールとを反応させて該低級アルコールを溶剤とする溶液においてマグネシウムアルコキシドを生成する工程、ｉｉ）中性形態のオメプラゾールの鏡像異性体をこの溶液に添加する工程、およびｉｉｉ）溶剤をフラッシュ蒸発する工程によってオメプラゾール鏡像異性体のマグネシウム塩を製造する。 - 特許庁 - The crystal growth method includes: a process for growing a ZnO monocrystal buffer layer on the substrate in a condition that zinc (Zn) is rich or oxygen (O) is rich; a process for carrying out the surface flattening of the ZnO monocrystal buffer layer; and a process for growing a monocrystal ZnO layer on the ZnO monocrystal buffer layer carried out with the surface flattening.
基板上に、亜鉛（Ｚｎ）リッチもしくは酸素（Ｏ）リッチの条件にてＺｎＯ単結晶バッファー層を成長する工程と、前記ＺｎＯ単結晶バッファー層の表面平坦化処理を実施する工程と、前記表面平坦化処理を施したＺｎＯ単結晶バッファー層上に単結晶ＺｎＯ層を成長する工程とを含む。 - 特許庁 - In this manufacturing method of a semiconductor device, after a bonding process which bonds a wiring board 1 to a case 6 via adhesive agent 7 is executed, before the adhesive agent 7 is cured, a bonding process for wire- bonding the wiring board 1 to the case 6 is executed, and a curing process for curing the adhesive agent 7 is executed.
本発明の半導体装置の製造方法は、配線基板１をケース６に接着剤７を介して接着する接着工程を実行した後、接着剤７を硬化させる前に、配線基板１とケース６との間をワイヤボンディングするボンディング工程を実行し、そしてこの後、接着剤７を硬化させる硬化工程を実行するように構成されている。 - 特許庁 - The pressurizing body is pressed with a weak force on the upper surface having much moisture in a first process prior to a predetermined dehydrating operation, is raised a little to guide air between the elastic pressurizing surface and the laundry in a second process, and is energized by a predetermined force and speed in a third process.
所定の脱水操作に先立つ第１工程で、水分を多量に含んだ洗濯物の上面に弱い力で加圧体を押圧、次の第２工程で加圧体を少し上昇させることにより弾性加圧面と洗濯物との間に空気を導入し、次の第３工程で所定の力及び速度で加圧体を付勢して洗濯物の脱水を行なう。 - 特許庁 - The method for treating the surface of the substrate includes a cleaning process S1 for keeping the surface of the substrate clean by removing a pollutant present on the substrate a substrate storing process S2 for keeping the substrate in storage by soaking it in a storing fluid and a coating layer forming process S4 for forming the coating layer on the surface of the substrate.
本発明の基板の表面処理方法は、基板上に存在する汚染物質を除去することにより、該基板表面を清浄にする清浄化工程Ｓ１と、前記基板を保管用液体中に浸漬して当該基板を保管する基板保管工程Ｓ２と、前記基板表面に膜を形成する膜形成工程Ｓ４とを含む。 - 特許庁 - To provide an abrasive material which increases the polishing rate of a ruthenium material even under low polishing pressure, enables a chemical mechanical polishing process to be carried out through a single-stage process by the use of a single kind of slurry, reduces defects in an insulating film, and is capable of improving its polishing properties so as to simplify a chemical mechanical polishing process.
低い研磨圧力下においてもルテニウムの研磨速度を向上させることができ、さらに１種類のスラリーを用いて１段階の工程だけで化学機械的研磨工程が進められ絶縁膜上の欠陥を減少させると共に、研磨特性を改善させることができるので化学機械的研磨工程を単純化させる。 - 特許庁 - To enable restraining generation of crystal defects on a semiconductor substrate which is to be caused by execution of an oxide film forming process of the substrate and realize improvement of yield, in a case containing the oxide film forming process for forming a thick oxide film by using thermal oxidation with which film a trench part formed on the semiconductor substrate is filled in a manufacturing process of a semiconductor device.
半導体装置の製造工程中に、半導体基板上に形成された溝部を埋めた状態の厚い酸化膜を熱酸化によって形成する酸化膜形成工程を含む場合であっても、その酸化膜形成工程の実行に伴う半導体基板での結晶欠陥の発生を抑制できて歩留まりの向上を実現すること。 - 特許庁 - The data management device 8 has a function of storing process information on processing conditions of each processing, in a storage device in association with identification codes for specifying products, deleting the whole process information on products determined to be non-defective products as a result of an inspection process performed on the produced products, from the storage device, and holding other information than that.
このデータ管理装置８は、各処理の処理条件に関するプロセス情報を製品を特定する識別符号と対応させて記憶装置に記憶させ、生産された製品について行われた検査工程の結果、良品と判定されたものに関する全プロセス情報を記憶装置から削除し、それ以外を保持させる機能を備えている。 - 特許庁 - This method for distributing information comprises a process for connecting equipment 20 having a function for compressing data to a computer main body 10, a process for connecting the computer main body 10 through a network 13 to a preliminarily decided web 14, and a process for downloading voice text information from the web 13 through the computer main body 10 to the portable telephone 20.
本情報配信方法は、データを圧縮する機能を有する機器２０をコンピュータ本体１０に接続する過程と、コンピュータ本体１０をネットワーク１３を介して予め定められたウェブ１４に接続させる過程と、ウェブ１３からコンピュータ本体１０を介して携帯電話機２０に音声テキスト情報をダウンロードさせる過程と、からなる。 - 特許庁 - A method for preparing a model for carrying out the numerical analysis of a behavior in the conductor of the rack guide 30 comprises a process for defining nodes with predetermined spacing on the central axis of the rack guide; a process for defining spring elements with non-linear characteristics in the nodes; and a process for setting the spring coefficients of an element S for expressing a clearance C.
ラックガイド３０の導管内での挙動を数値解析するためのモデルを作成する方法は、ラックガイドの中心軸上に所定の間隔で節点を定義する工程と、節点に非線形特性のばね要素を定義する工程と、クリアランスＣを表現するためにばね要素Ｓのばね係数を設定する工程からなる。 - 特許庁 - The method for washing a substrate using functional water as washing water consists of a process for dipping a wafer W in the washing water that is accommodated in treatment baths 1A and 1B, a process for supplying the washing water into the treatment baths 1A and 1B for overflowing, and a process for immediately draining the overflowed washing water without using any circulation.
機能水を洗浄水として用いて基板を洗浄する洗浄方法であって、処理槽１Ａ，１Ｂ内に収容された洗浄水中にウエハＷを浸漬させる工程と、洗浄水を処理槽１Ａ，１Ｂ内に供給してオーバーフローさせる工程と、オーバーフローさせた洗浄水を循環使用せず直ちに排水する工程とからなる。 - 特許庁
