「amorphous layer」を含む例文一覧(1824)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 36 37 次へ＞- The layer is amorphous.
これらの層は、非晶質である。 - 特許庁 - METHOD OF DEPOSITING AMORPHOUS CARBON LAYER
アモルファスカーボン層の堆積方法 - 特許庁 - The surface layer is preferably an amorphous polyester resin layer.
表面層が非晶質ポリエステル樹脂層であると好ましい。 - 特許庁 - In each layer, the impurity concentration is formed by satisfying the relationship of the second amorphous silicon layer 3≤the third amorphous silicon layer 4<the first amorphous silicon layer 2.
各層は、その不純物濃度が、第２のアモルファスシリコン層３≦第３のアモルファスシリコン層４＜第１のアモルファスシリコン層２、の関係を満たして形成される。 - 特許庁 - THIN-FILM TRANSISTOR USING AMORPHOUS OXIDE LAYER
アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ - 特許庁 - First, an amorphous Cr alloy layer containing CrTi as a first amorphous base layer 2a and an amorphous Cr alloy layer containing CrNb as a second amorphous base layer 2b are deposited to form an amorphous base layer 2.
まず、第１の非晶質下地層２ａとしてＣｒＴｉを含む非晶質Ｃｒ合金層、次に第２の非晶質下地層２ｂとして、ＣｒＮｂを含む非晶質Ｃｒ合金層を成膜し、非晶質下地層２とした。 - 特許庁 - The trap layer reduces hydrogen diffusion from the intrinsic amorphous silicon layer to the p-type amorphous silicon layer.
このトラップ層により、真性な非晶質シリコン層からｐ型非晶質シリコン層への水素拡散を抑制する。 - 特許庁 - The photosensitive layer 11 consists of amorphous silicon.
感光層１１は、アモルファスシリコンで構成される。 - 特許庁 - A substrate to be processed is formed by laminating an amorphous silicon oxide layer on an amorphous silicon layer.
アモルファスシリコン層上にアモルファス酸化シリコン層が積層された被処理基板を形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR HIGH TEMPERATURE DEPOSITION OF AMORPHOUS CARBON LAYER
アモルファスカーボン層の高温堆積のための方法 - 特許庁 - AMORPHOUS SILICON LAYER SENSOR AND METHOD OF FORMING SENSOR
アモルファス・シリコン層センサ及びセンサの形成方法 - 特許庁 - A support 2 includes an amorphous carbon (a-C) layer 23.
支持体２は非晶質炭素層２３を含む。 - 特許庁 - The second step includes a step for forming an amorphous auxiliary layer on the amorphous aluminum oxide layer and a step for crystallizing the amorphous auxiliary layer.
前記第２ステップは、非晶質アルミニウム酸化物層上に非晶質補助層を形成するステップと、非晶質補助層を結晶化するステップと、を含む。 - 特許庁 - The control gate 28 is provided with an amorphous silicon layer at least and the amorphous silicon layer contacts the intermediate insulating layer 26.
コントロールゲート２８は、少なくともアモルファスシリコン層を含み、アモルファスシリコン層は、中間絶縁層２６と接触している。 - 特許庁 - The floating gate 26 contains the amorphous silicon layer at least and the amorphous silicon layer is in contact with the second insulating layer 26.
フローティングゲート２６は、少なくともアモルファスシリコン層を含み、アモルファスシリコン層は、第２の絶縁層２６と接触している。 - 特許庁 - Amorphous etching is applied on the upper layer side of one part of the insulation layer.
前記絶縁層の一部の上層側を異方性エッチングする。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR FORMING AMORPHOUS SILICON LAYER
アモルファスシリコン層の形成方法及び形成装置 - 特許庁 - The amorphous metal layer 22 reduces the possibility that contaminants permeate through the amorphous metal layer 22.
アモルファス金属層２２はアモルファス金属層２２を通って汚染物が浸透する可能性を低減する。 - 特許庁 - THIN BELT OF AMORPHOUS ALLOY WITH RESIN LAYER FORMED
樹脂層が形成された非晶質合金薄帯 - 特許庁 - The amorphous polysilicon layer 18 formed on the surface layer 20 is thermally oxidized.
表層２０をアモルファス化したポリシリコン層１８を熱酸化処理する。 - 特許庁 - Texture is provided on the glass substrate, and a non-magnetic amorphous adhesion layer, a non-magnetic amorphous seed layer, a non-magnetic base layer, and a magnetic layer are successively formed thereon.
ガラス基板上にテクスチャーを設け、非磁性アモルファスの密着層、非磁性アモルファスのシード層、非磁性下地層、磁性層を順次形成する。 - 特許庁 - The TiOX layer 143 which is thinner than the TiN layer 142 is formed as an amorphous layer.
ＴｉＮ層１４２よりもさらに薄いＴｉＯ_X層１４３はアモルファス層となっている。 - 特許庁 - A step of forming an amorphous silicon layer 70 is included.
アモルファスシリコン層７０を形成する工程を備える。 - 特許庁 - The magnesium compound film 2 includes an amorphous layer 3.
マグネシウム化合物被膜２は、非晶質層３を含む。 - 特許庁 - NONVOLATILE MEMORY DEVICE CONTAINING AMORPHOUS ALLOY OXIDE LAYER
非晶質合金酸化層を含む不揮発性メモリ素子 - 特許庁 - The buffer layer 30 is constituted of a metal of amorphous status.
バッファ層３０はアモルファス状態の金属からなる。 - 特許庁 - The semiconductor layer furhter includes an amorphous semiconductor.
さらに、半導体層において、非晶質半導体を含む。 - 特許庁 - An amorphous silicon layer is formed on the buffer film 12.
バッファ膜１２上には、アモルファスシリコン層が形成される。 - 特許庁 - The amorphous layer is then changed into a crystal layer by forming a layer above a p type cladding layer 309 at a temperature higher than an amorphous layer forming temperature.
その後、非結晶層形成温度よりも高い温度でｐ型クラッド層３０９より上部の層を形成することにより、非結晶層を結晶層に変換する。 - 特許庁 - The amorphous silicon layer 4x changes into a second polycrystalline silicon layer 4y.
非結晶シリコン層４ｘは、第２多結晶シリコン層４ｙに変化する。 - 特許庁 - The tunnel barrier layer 14 is formed out of amorphous SiO2.
トンネル障壁層１４は、非晶質ＳｉＯ_2で構成される。 - 特許庁 - Furthermore, the interface layer 4 is formed of amorphous carbon.
また、界面層4は、非晶質の炭素で形成されている。 - 特許庁 - The length L is not related to film thickness of the amorphous silicon layer 25.
長さＬはアモルファスシリコン層25の膜厚と関係ない。 - 特許庁 - Then, an amorphous ribbon is preferable for the ribbon-like magnetic body layer.
なら、リボン状磁性体層にはアモルファスリボンが好ましい。 - 特許庁 - Fe-BASE AMORPHOUS ALLOY RIBBON WITH EXTRA THIN OXIDE LAYER
極薄酸化層を有するＦｅ基非晶質合金薄帯 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AMORPHOUS BARRIER LAYER FOR COPPER WIRING
銅配線用のアモルファス・バリア層を有する半導体デバイス - 特許庁 - An amorphous silicon film is formed on the undercoat layer 4.
このアンダーコート層４上にアモルファスシリコン膜を形成する。 - 特許庁 - Photocurrent of the amorphous silicon layer 25 becomes 1nA or more.
アモルファスシリコン層25の光電流が１ｎＡ以上となる。 - 特許庁 - An n-type amorphous silicon layer 33 is formed on the upper face of an intrinsic amorphous silicon layer 31 including a channel protection film 5.
チャネル保護膜５を含む真性アモルファスシリコン層３１の上面にｎ型アモルファスシリコン層３３を成膜する。 - 特許庁 - A polysilicon layer (amorphous silicon layer) 17a is separated from the polysilicon layer 19 through the sidewall insulating layer 25a.
ポリシリコン層（アモルファスシリコン層）１７ａは、サイドウォール絶縁層２５ａにより、ポリシリコン層１９と分離される。 - 特許庁 - In addition, a polysilicon layer 17b (amorphous silicon layer) is separated from the polysilicon layer 19 through the sidewall insulating layer 25b.
また、ポリシリコン層（アモルファスシリコン層）１７ｂは、サイドウォール絶縁層２５ｂにより、ポリシリコン層１９と分離される。 - 特許庁 - The first intermediate layer 151b is formed of amorphous semiconductor such as amorphous silicon or the like.
第１中間層１５１ｂは、アモルファスシリコン等の非晶質半導体から構成されている。 - 特許庁 - MAGNETIC TUNNEL JUNCTION COMPRISING AMORPHOUS CoFeSiB OR AMORPHOUS NiFeSiB FREE LAYER
非晶質ＣｏＦｅＳｉＢ又は非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ自由層を備える磁気トンネル接合 - 特許庁 - TWO-LAYER STRUCTURE PROVIDED BY DIRECTLY DEPOSITING MANGANESE OXIDE ON AMORPHOUS SUBSTRATE OR AMORPHOUS FILM
アモルファス基板またはアモルファス膜の上にマンガン酸化物を直に堆積させた２層構造物。 - 特許庁 - Subsequently, an amorphous medium layer is formed on the first unpreferable growth layer.
次に、アモルファス媒体層を第１の好適でない成長層上に形成する。 - 特許庁 - The barrier layer is formed from the amorphous boron phosphide (BP) semiconductor layer.
障壁層を非晶質のリン化硼素（ＢＰ）系半導体層から構成する。 - 特許庁 - The disclosed method includes: the steps of forming an amorphous silicide layer or an amorphous TiSiN layer on a semiconductor substrate in which given structures are formed; and forming a line conductive layer on the amorphous silicide layer or amorphous TiSiN layer.
所定の構造物が形成された半導体基板上に非晶質シリサイド膜または非晶質ＴｉＳｉＮ膜を形成する段階と、上記非晶質シリサイド膜または非晶質ＴｉＳｉＮ膜の上に配線用導電膜を形成する段階を含む。 - 特許庁 - After an amorphous silicon layer is formed on a substrate, or after light is applied to the formed amorphous silicon layer, cyan treatment for introducing a cyano ion CN- to the amorphous silicon layer is made.
基板にアモルファスシリコン層を形成した後に、あるいは形成されたアモルファスシリコン層に光を照射した後に、アモルファスシリコン層にシアノイオンＣＮ^- を導入するシアン処理を行なう。 - 特許庁 - The solar cell includes a p-type layer 30, a buffer layer 31, an i-type layer 32 and an n-type layer 34, wherein the p-type layer 30 has a high-concentration amorphous silicon carbide layer 30a and a low-concentration amorphous silicon carbide layer 30b which has a lower dopant concentration of a p-type dopant than the high-concentration amorphous silicon carbide silicon layer 30a.
ｐ型層３０と、バッファ層３１と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａよりｐ型ドーパントのドーパント濃度が低い低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂを設ける。 - 特許庁 - A heat treatment is carried out to replace the amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8 with each other through interdiffusion between the amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8.
そして、熱処理を行い、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを相互拡散させ、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
