「amorphous layer」を含む例文一覧(1824)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 36 37 次へ＞- After a getter layer 12 is formed on a substrate 10, the getter layer 12 is caused to absorb gas, and a gas barrier layer 13 and an amorphous semiconductor layer 15 are successively formed on the getter layer 12 in this order.
基板１０上にゲッター層１２を形成した後、このゲッター層にガスを吸着させ、更にこのゲッター層１２の上に、ガスバリア層１３，非晶質半導体層１５を順に形成する。 - 特許庁 - The content of the element P in the main layer 2a is more than that of the element P in the surface layer 2b, the main surface 2a is an amorphous layer and the surface layer 2b is a crystal layer.
前記主層２ａに含まれる元素Ｐの含有量は、前記表面層２ｂに含まれる元素Ｐの含有量に比べて多く、主層２ａはアモルファス層であり、表面層２ｂは結晶層である。 - 特許庁 - The lower layer 7 has a first layer 73a made of an amorphous, and a second layer 73b formed so that both side interfaces each contact the first layer 73a and the tunnel barrier layer 8, made of any one cobalt, iron and nickel or a combination thereof, and substantially made of an amorphous.
下部層７は、アモルファスからなる第１の層７３ａと、両側界面が各々、第１の層７３ａとトンネルバリア層８とに接するように形成され、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかまたはその組み合わせからなり、実質的にアモルファスからなる第２の層７３ｂとを有している。 - 特許庁 - The spin torque oscillator is provided with: an amorphous soft magnetic layer; a non-magnetic layer having a close-packed crystal structure while being arranged on the amorphous soft magnetic layer; and a hard magnetic layer having the close-packed crystal structure and a perpendicular magnetic anisotropy while being arranged on the non-magnetic layer.
非晶質軟磁性層と、該非晶質軟磁性層上に設けられ、最密結晶構造を有する非磁性層と、該非磁性層上に設けられ、最密結晶構造を有し、垂直磁気異方性を有する硬磁性層と、を備えたことを特徴とするスピントルク発振子が提供される。 - 特許庁 - The amorphous silicon films 30, 31 are etched as far as the thickness of the N-hill layer 11 exposed from the amorphous silicon films 30, 31 to be used as an electrode.
アモルファスシリコン膜３０、３１を、Ｎ−ｈｉｌｌ層１１がアモルファスシリコン膜３０、３１から露出する厚みにまでエッチングして電極とする。 - 特許庁 - A first heat-resistance reinforcing layer 152 is formed at a part abutting on a first amorphous photoconductive film 14 in a second amorphous photoconductive film 15.
第２の非晶質光導電膜１５内の第１の非晶質光導電膜１４に接する部分に第１の耐熱強化層１５２を設ける。 - 特許庁 - Further, the laminate is characterized in that the base material includes denatured amorphous polyethylene terephthalate to make the surface on the hard coat layer side into amorphous polyethylene terephthalate.
さらに上記基材が、変性ポリエチレンテレフタレートを含むことにより、ハードコート層側の面をアモルファスポリエチレンテレフタレートとすることを特徴とするものである。 - 特許庁 - In a preferable embodiment, the roll is a cylindrical roll made of an amorphous alloy or a cylindrical roll (2) having an amorphous alloy layer (3) on the surface.
好適な態様においては、前記ロールは、非晶質合金からなる円筒状ロール又は表面に非晶質合金層（３）を有する円筒状ロール（２）である。 - 特許庁 - On the front and rear surfaces of the conductive circuit 3, amorphous layers 3a and 3b are formed, and a crystal layer 3c is sandwiched between the amorphous layers.
導体回路３の表面及び裏面には、夫々アモルファス層３ａ及び３ｂが形成されており、その間に結晶層３ｃが設けられている。 - 特許庁 - In the pre-amorphous implanting step, impact is applied to a silicon surface of the substrate 200 using BF2+ ions, and an amorphous layer 22 is formed thereon.
プレアモルファス打ち込みプロセスは、ＢＦ__２^＋イオンを用いて基板２００のシリコン表面に衝撃を与え、その上にアモルファス層２２２が形成されるようにする。 - 特許庁 - Or, the c-BP film is formed as a buffer layer on the Si substrate, and a film of amorphous SiC or amorphous GaN is formed on the c-BP film.
また、Ｓｉ基板の上にｃ−ＢＰの膜をバッファー層として成形し、そのｃ−ＢＰの膜の上にアモルファスＳｉＣ又はＧａＮの膜を形成する。 - 特許庁 - The magnetic recording medium 1 is provided with a substrate 2, an amorphous magnetic layer 4, and an underlayer 3.
磁気記録媒体１は、基板２と非晶質磁性層４と下地層３とを備えている。 - 特許庁 - The method includes a process of modifying the amorphous silicon layer 70 into a thermal oxide film 71 through thermal oxidation.
アモルファスシリコン層７０を、熱酸化により熱酸化膜７１へ変質させる工程を備える。 - 特許庁 - A laser beam absorbed into an amorphous silicon layer 106a is converted to heat in laser-annealing.
レーザアニール時に、非晶質シリコン層１０６ａに吸収されたレーザ光は熱に変換される。 - 特許庁 - The first photodetector PD1 is covered with a silicon thin film 15 formed of an amorphous silicon layer.
第１の受光素子ＰＤ１は、アモルファスシリコン層からなるシリコン薄膜１５に覆われている。 - 特許庁 - STORAGE PHOSPHOR SCREEN USING NO BONDING AGENT EQUIPPED WITH SUPPORT CONTAINING AMORPHOUS CARBON LAYER
非晶質（ａ−Ｃ）炭素層を含む支持体を備えた結合剤のない貯蔵燐光体スクリーン - 特許庁 - An amorphous carbon layer 46 is formed on a substrate on which layers 43 and 44 to be etched are formed.
パターニングすべき膜４３，４４が形成された基板の上にアモルファスカーボン膜４６を形成する。 - 特許庁 - The amorphous silicon oxide layer is subjected to dehydrogenation process within the vacuum atmosphere to isolate hydrogen molecule.
アモルファス酸化シリコン層を真空雰囲気中で脱水素処理して水素分子を遊離させる。 - 特許庁 - An SiO2 film 2 is formed on the surface of a glass substrate 1, and an amorphous silicon layer 3 is formed on the film 2.
下地基板の表面上に多結晶シリコンからなる第１の層を形成する。 - 特許庁 - The anode active substance layer 13 has an amorphous phase containing Si as a component element.
負極活物質層１３は、構成元素としてＳｉを含む非晶質相を有している。 - 特許庁 - In order to prevent the substrate from warping, an amorphous silicon layer is provided on the opposite sides of the flexible substrate.
基板の反りを防止するために、アモルファスシリコン層をフレキシブル基板の両面に設ける。 - 特許庁 - The Cu sacrifice layer 20 is removed by etching to make the amorphous Ni-P film 8 into a beam structure.
Ｃｕ犠牲層２０をエッチングにより除去してアモルファスＮｉ−Ｐ膜８を梁構造にする。 - 特許庁 - An amorphous silicon thin-film 12a is deposited on an insulating layer 11 formed on a substrate 10.
基板１０上に形成された絶縁層１１の上に、アモルファスシリコン薄膜１２ａを堆積する。 - 特許庁 - It is also preferable that the mixing ratio of the amorphous nylon contained in the surface layer is 5 to 40wt.%.
又、好ましくは、表面層のアモルファスナイロンの混合割合を５乃至４０ｗｔ％とする。 - 特許庁 - For the sealing layer 21a, a crystalline glass paste 2A and an amorphous glass paste 2B are employed.
封着層２１ａには、結晶化ガラスペースト２Ａおよび非晶質ガラスペースト２Ｂを採用する。 - 特許庁 - In addition, a pigment used in the ink receiving layer is preferably amorphous, silica.
また、該インク受理層に用いられる顔料が非晶質シリカからなることが好ましい態様である。 - 特許庁 - The (i) layer 4 consists of a plurality of amorphous thin films 41 and a plurality of crystal thin films 42.
ｉ層４は、複数の非晶質薄膜４１と複数の結晶薄膜４２とからなる。 - 特許庁 - A magnetic shield sheet member 22 such as an amorphous sheet is provided as an inner layer of a light shield hood 20.
遮光用のフード２０の内層として、アモルファスシート等のシート状防磁部材２２を設ける。 - 特許庁 - The negative-electrode active material layer 21b contains amorphous region containing graphite particles and mesocarbon microbeads.
負極活物質層２１ｂは、非晶質領域含有黒鉛粒子と、メソカーボンマイクロビーズとを含む。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for crystallizing an amorphous semiconductor layer by a melting line.
融解線によって非晶質半導体層を結晶化する為の方法と装置を提供する。 - 特許庁 - The amorphous silicon layer 3 contains catalytic metal particles 5 for generating the carbon fiber film 4.
アモルファス珪素層３は、炭素繊維膜４の生成のための触媒金属粒子５を含む。 - 特許庁 - The content of fluorine atoms in the fluorine-containing amorphous carbon layer 14 is 5 to 35 atomic%.
フッ素含有非晶質炭素層１４のフッ素原子の含有率は、５atomic%以上、３５atomic%以下である。 - 特許庁 - ENHANCEMENT OF SHORT-CIRCUIT CURRENT BY USE OF WIDE BAND GAP N LAYER IN PIN AMORPHOUS SILICON PHOTOCELL
ｐｉｎアモルファスシリコン光電池に於ける広帯域ギャップｎ層を使用した短絡電流の強化 - 特許庁 - CONDUCTIVE OXIDE LAYER CRYSTAL-ORIENTED ON AMORPHOUS BASE MATERIAL AND FORMATION METHOD OF THE SAME
非晶質基材上に結晶配向した導電性酸化物層およびその形成方法 - 特許庁 - The organic electroluminescent display device is partially covered with a protection layer 4 made of amorphous carbon.
有機エレクトロルミネッセント表示装置は、アモルファスカーボンの保護層４によって部分的に被覆される。 - 特許庁 - The ink accepting layer is made by including an amorphous silica, a binder resin and a cationic substance.
インク受容層は、非晶質シリカとバインダー樹脂とカチオン性物質とを含有した構成とする。 - 特許庁 - Further, the thickness of the fluorine-containing amorphous carbon layer 14 is 10 to 700 nm.
また、このフッ素含有非晶質炭素層１４の厚みは、１０ｎｍ以上、７００ｎｍ以下である。 - 特許庁 - A transparent electrode 32 and a p-type amorphous silicon layer 33 are formed in a transparent substrate 31.
透明基板３１に透明電極３２及びｐ型アモルファスシリコン層３３を形成する。 - 特許庁 - A seed is formed in a surface of a substrate before an amorphous silicon layer is formed in the substrate.
基板に非晶質シリコン層を形成する前、該基板の表面に種晶(Seed)を形成する。 - 特許庁 - The grain part 5 is formed of amorphous plating layer containing the grains by electroless plating method.
この砥粒部５は、無電解メッキ法による、砥粒を含む非晶質メッキ層で形成されている。 - 特許庁 - The transfer layer includes the polymerizable, amorphous matrix with the light emitting material disposed in the matrix.
前記転写層が、発光材料が内部に配置された重合性非晶質母材を含む。 - 特許庁 - In this case, the semiconductor layer may consist of crystal silicon, amorphous silicon, or fine crystal silicon.
ここで、半導体層は、結晶シリコン、アモルファスシリコンまたは微結晶シリコンからなっていてもよい。 - 特許庁 - The i layer 4 consists of a plurality of amorphous thin films 41 and a plurality of crystal thin films 42.
ｉ層４は、複数の非晶質薄膜４１と複数の結晶薄膜４２とからなる。 - 特許庁 - Furthermore, at least the layer 43 of the lower part of the layers to be patterned is etched selectively by using the amorphous carbon layer 46 as a mask.
さらに、アモルファスカーボン膜４６をマスクとして、パターニングすべき膜の少なくとも下層部分４３を選択的にエッチングする。 - 特許庁 - Lastly, an electronic beam is projected on the front face of the substrate 91 to form a water-repellent layer 92 of an amorphous layer.
最後に、基板９１の表面に電子ビームを照射することによりアモルファス層である撥水層９２を形成する。 - 特許庁 - An n-type hydrogenated amorphous silicon layer 107 is formed on the reflection electrode side of the n-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer 106.
ｎ型水素化微結晶シリコン層の反射電極側には、さらにｎ型水素化アモルファスシリコン層が形成されている。 - 特許庁 - A rear surface 1b of a semiconductor element 1 is irradiated with laser beam, to form the layer of amorphous structure as a surface reforming layer.
半導体素子１の裏面１ｂにレーザ光を照射し、表面改質層としてアモルファス構造の層を形成する。 - 特許庁 - Then ions are implanted in the semiconductor layer to make amorphous a region of the semiconductor layer to which the dopant impurity is added.
次いで、半導体層にイオン注入を行い、半導体層のドーパント不純物が添加された領域をアモルファス化する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a uniform layer structure, including an ultra-thin layer of amorphous silicon and a thermal oxide thereof.
アモルファス・シリコンおよびその熱酸化物の超薄層を含む均一な層構造を形成するための方法を提供すること。 - 特許庁 - The solid electrolyte material added in the first electrode layer 18 and the second electrode layer 20 is an amorphous polyanion compound.
第１電極層１８及び第２電極層２０に添加される固体電解質材料は非晶質ポリアニオン化合物である。 - 特許庁
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