「amorphous layer」を含む例文一覧(1824)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 36 37 次へ＞- To provide a nonvolatile memory device containing an amorphous alloy oxide layer.
非晶質合金酸化層を含む不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁 - The method includes a process of closing an opening of the narrow first trench 52a with an amorphous silicon layer 70 by forming the amorphous silicon layer 70.
アモルファスシリコン層７０を形成することで、幅狭第１トレンチ５２ａの開口部をアモルファスシリコン層により閉塞する工程を備える。 - 特許庁 - The gamma rays are incident on an amorphous selenium layer 1 and converted into charges.
このγ線は、アモルファスセレン層１に入射し、電荷に代えられる。 - 特許庁 - The amorphous oxide layer is formed by means of a pulse laser deposition method.
非晶質酸化物層の作製にはパルスレーザ蒸着法を用いた。 - 特許庁 - Alternatively, the inorganic pigment contained in the protecting layer is amorphous silica.
または、該保護層に含有される無機顔料が非晶質シリカである。 - 特許庁 - FIELD EFFECT TRANSISTOR USING AMORPHOUS OXIDE FILM AS GATE INSULATING LAYER
アモルファス酸化物膜をゲート絶縁層に用いた電界効果型トランジスタ - 特許庁 - Thus, the amorphous silicon layer 10 is crystallized and its volume contracts.
これによりアモルファスシリコン層１０は結晶化し、体積が収縮する。 - 特許庁 - An amorphous silicon layer and an amorphous silicon germanium layer are then formed in order on the silicon pillar by repeating selective epitaxial growth method two times.
次に、２度の選択エピタキシャル成長法により、シリコンピラー上に順に非晶質シリコン層、及び非晶質シリコンゲルマニウム層を形成する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF POLYCIDE GATE WITH CAP LAYER CONSISTING OF AMORPHOUS SILICON
非晶質シリコンよりなるキャップ層を有したポリサイドゲートの製造方法 - 特許庁 - Of the composite seed layer 15, the soft magnetic layer 3, the amorphous layer 4 and the soft magnetic layer 5 form an effective shield structure 14, together with the lower shielding layer 2.
複合シード層１５のうち、軟磁性層３、アモルファス層４および軟磁性層５は、下部シールド層２と共に実効シールド構造１４を形成している。 - 特許庁 - A magnetic recording medium 1 is provided with an amorphous magnetic layer 4 being a recording layer on a substrate 2.
磁気記録媒体１は、基板２上に記録層となる非晶質磁性層４を備えている。 - 特許庁 - A second heat-resistance reinforcing layer 142 is formed on a first amorphous photoconductive layer 141.
また、第１の非晶質光導電層１４１上に第２の耐熱強化層１４２を設ける。 - 特許庁 - The first base layer 14 is a Co containing amorphous nonmagnetic layer, and the vertical magnetic recording layer 16 is a Co containing ferromagnetic layer.
第１下地層１４はＣｏ含有の非晶質の非磁性層であり、垂直磁気記録層１６はＣｏ含有の強磁性層である。 - 特許庁 - Drain wiring 31 has the four layer structure of an intrinsic amorphous silicon layer 31a, an n-type amorphous silicon layer 31b, a lower metal layer 31c constituted of Cr and an Al metal layer 31d in order from the bottom.
ドレイン配線３１は、下から順に、真性アモルファスシリコン層３１ａ、ｎ型アモルファスシリコン層３１ｂ、Ｃｒからなる下層金属層３１ｃおよびＡｌ系金属層３１ｄの４層構造となっている。 - 特許庁 - An amorphous semiconductor layer 122A is formed on a first single-crystal semiconductor layer 120 formed on a substrate through an insulating layer.
絶縁層を介して基板に設けられた第１単結晶半導体層上に、非晶質半導体層を形成する。 - 特許庁 - A functional layer 14 is formed, by crystallizing an amorphous silicon layer as a precursor layer through irradiation with a laser beam.
機能層１４は、前駆体層である非晶質シリコン層をレーザビームの照射により結晶化して形成される。 - 特許庁 - This releasing layer for press-molding the oxynitride glass comprises a vapor deposited film of amorphous carbon and/or amorphous carbon nitride.
アモルファス炭素および／またはアモルファス窒化炭素の蒸着膜からなるオキシナイトライドガラスのプレス成形用離型層である。 - 特許庁 - A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4.
μc-Siのｐ層６と非晶質シリコンゲルマニウム（a-SiGe）のｉ層４との間に、ｐ層６よりバンドギャップが広く、ｐ型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン（a-Si）のｐ／ｉ界面層５を挟む。 - 特許庁 - By this holding, the barrier layer changes from the amorphous structure to the crystal one.
この保持により、バリア層が非結晶質から結晶構造に変化する。 - 特許庁 - A metallic glass layer 2 is disposed on a substrate 11A in the amorphous state.
基板１１Ａ上に、非晶質の状態で金属ガラス層２を設ける。 - 特許庁 - The CrTiAl pre-seed layer 31 presents an amorphous or a nanocrystalline structure.
このCrTiAlプレシード層３１は、アモルファス構造またはナノ結晶構造を示す。 - 特許庁 - A collector region is formed preferably by an intrinsic layer of amorphous silicon.
また、コレクタ領域は、好ましくはアモルファスシリコンの真性層で形成される。 - 特許庁 - The magnetic-recording layer 4 consists of a rare-earth- elements-transition-metals alloy amorphous film.
磁気記録層４は、希土類−遷移金属合金非晶質膜からなる。 - 特許庁 - THIN BELT OF AMORPHOUS ALLOY WITH RESIN LAYER FORMED AND ITS PRODUCTION METHOD
樹脂層が形成された非晶質合金薄帯およびその製造方法 - 特許庁 - Thereby, irregularities can be formed on the surface (on the amorphous magnetic layer 4 side) of the underlayer 3 and a pinning effect is given to the amorphous magnetic layer 4.
これにより、下地層３の表面（非晶質磁性層４側の面）に凸凹を形成することができ、非晶質磁性層４にピニング効果がもたらされる。 - 特許庁 - An i-type amorphous silicon layer 34, an n-type amorphous silicon layer 35 and an n-side electrode 36 are buried in the groove 42 one by one, and a photosensitive element array is formed.
この溝４２に、ｉ型アモルファスシリコン層３４、ｎ型アモルファスシリコン層３５及びｎ側電極３６を順次埋め込んで、受光素子アレイを形成する。 - 特許庁 - Silicon of the surface layer of a material of which at least the surface is silicon is made amorphous by slide friction with a solid body to form an amorphous silicon layer.
少なくとも表面がシリコンである材料の表層のシリコンを、固体物体との摺動摩擦によりアモルファス化させてアモルファスシリコン層を形成する。 - 特許庁 - The semiconductor device has an amorphous metal glass, and a barrier layer preferably including amorphous tantalum-aluminum between a copper conductive layer and an organic insulator having low dielectric constant.
銅の導電層と低誘電率の有機絶縁体の間に、アモルファス金属ガラス、好ましくはアモルファス・タンタルアルミニウムを含むバリア層を備える半導体デバイス。 - 特許庁 - The intermediate layer (first coated film layer) is formed of amorphous titanium dioxide not having photocatalitic capability, and it may be a mixture with the amorphous titanium dioxide.
かかる中間層（第１塗膜層）は光触媒能を有さないアモルファス型過酸化チタンからなり、アモルファス型酸化チタンとの混合物であってもよい。 - 特許庁 - An i-type amorphous silicon layer 2 and a p-type amorphous silicon layer 3 are formed on a substrate 1 composed of n-type silicon (a), and an nip junction is obtained (b).
ｎ型シリコンからなる基板１上に（ａ）、ｉ型非晶質シリコン層２及びｐ型非晶質シリコン層３を形成してｎｉｐ接合を得る（ｂ）。 - 特許庁 - In the reversely-staggered type TFT, an amorphous semiconductor layer changed into an n-type is formed thinly between a gate insulating film and an amorphous semiconductor layer.
逆スタガ型のＴＦＴにおいて、ゲート絶縁膜と非晶質半導体層の間にｎ型化させた非晶質半導体層を薄く形成する。 - 特許庁 - A pin-junction is formed by laminating an i-type hydrogenated amorphous silicon layer 2 and a p-type hydrogenated amorphous silicon layer 3 on an n-type silicon wafer 1.
ｎ型のシリコンウェハ１に、ｉ型の水素化非晶質シリコン層２及びｐ型の水素化非晶質シリコン層３を積層して．ｐｉｎ接合を構成する。 - 特許庁 - Alternatively, a method comprises a heat treatment process which is performed at temperature higher than film formation temperature of the amorphous oxide layer after forming the amorphous oxide layer on the substrate.
または、基板上に、非晶質酸化物層を形成する後に、非晶質酸化物層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。 - 特許庁 - A spacer layer 3 has a thickness (0.3 nm to 3 nm, for example) which forms an anti-parallel magnetic bond between a lower layer composed of an amorphous ferromagnetic layer 2 and an upper layer composed of the amorphous ferromagnetic layer 4 and the polycrystalline ferromagnetic layer 5.
スペーサ層３の厚さは、アモルファス強磁性層２からなる下層と、アモルファス強磁性層４及び多結晶強磁性層５からなる上層との間で反平行の磁気結合が形成される厚さ（例えば０．３ｎｍ〜３ｎｍ）となっている。 - 特許庁 - A DFB laser element 45 comprises a 3-layer low reflection film that comprises a first layer of alumina, a second layer of amorphous silicon, and a third layer of alumina.
ＤＦＢレーザ素子４５は、第１層の材質はアルミナ、第２層はアモルファスシリコン、第３層はアルミナからなる３層低反射膜を有する。 - 特許庁 - In the first ferromagnetic layer, Co-based amorphous metal layer is formed between a main ferromagnetic layer and the CoxFe(0≤x≤15) boundary layer.
第１強磁性層において、主強磁性層とＣｏｘＦｅ（０≦ｘ≦１５）界面層との間に、Ｃｏ系アモルファス金属層を形成する。 - 特許庁 - A carrier generation/multiplication layer made of amorphous silicon has a function for generating and multiplying carrier and is held between an electron injection preventive layer of p-type amorphous silicon carbide and a positive hole injection preventive layer of n-type amorphous silicon nitride.
非晶質シリコンより成り、キャリアを生成しかつ増倍する機能を有するキャリア生成増倍層を、ｐ型非晶質シリコンカーバイドの電子注入阻止層と、ｎ型非晶質シリコンナイトライドの正孔注入阻止層とで挟む。 - 特許庁 - Under an atmosphere containing an extremely small amount of phosphine gas, a substrate formed at the gate insulating film is exposed before the amorphous semiconductor layer is film-formed, thus forming an amorphous semiconductor layer containing phosphorus in an early stage of the film formation of the amorphous semiconductor layer.
ホスフィンガスを微量に含む雰囲気下に、ゲート絶縁膜まで形成した基板を曝した後、非晶質半導体層を成膜することで、非晶質半導体層の成膜初期にリンを含む非晶質半導体層を形成する。 - 特許庁 - This manufacturing method includes an amorphous layer forming step of forming amorphous layers 20B, 20C of the oxide containing Ba and Ti on a metal layer 14, and a crystallizing step of crystallizing the amorphous layer 20C of the oxide containing Ba and Ti.
Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｂ，２０Ｃを金属層１４上に形成するアモルファス層形成工程と、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｃを結晶化する結晶化工程と、を備える。 - 特許庁 - The metallized polyester film is provided by preparing a layer (M layer) which contains metal oxide in one side of polyester film layer (F layer), wherein the M layer has a crystal layer (Ma layer) having microcrystals of metal components and an amorphous layer (Mb layer).
ポリエステルフィルム層（Ｆ層）の片面に金属酸化物を含む層（Ｍ層）が設けられ、このＭ層が金属成分の微結晶を有する結晶層（Ｍａ層）と、非晶層（Ｍｂ層）を持つ金属蒸着ポリエステルフィルムとする。 - 特許庁 - A hydrogenated amorphous silicon is produced by conducting or repeating at least twice the following steps (1) and (2): the step (1) of forming the amorphous silicon layer by the above method; and the step (2) of irradiating the amorphous silicon layer with hydrogen atoms or hydrogen ions to form a hydrogenated amorphous silicon layer.
下記工程（１） と（２） を１回または複数回繰り返すことにより、水素化アモルファスシリコンも製造できる：（１） 上記方法でアモルファスシリコン層を形成する工程、及び （２）このアモルファスシリコン層に水素原子または水素イオンを照射して水素化アモルファスシリコン層を形成する工程。 - 特許庁 - In a recording medium for ink jet having an ink receiving layer on a base, the ink receiving layer contains at least an amorphous titanium oxide.
インク受容層が少なくともアモルファス酸化チタンを含有するインクジェット用被記録媒体。 - 特許庁 - Then the polycrystalline silicon layer 10 is produced by irradiating the amorphous silicon layer 4 with laser light.
そして、この非晶質シリコン層にレーザを照射することで、多結晶シリコン層１０を生成する。 - 特許庁 - Simultaneously, the amorphous silicon layer 103 is converted into a polycrystalline silicon layer 104 having (111) orientation.
同時に非晶質シリコン層１０３は（１１１）配向を有する多結晶シリコン層１０４に変換される。 - 特許庁 - Furthermore, the amorphous silicon layer 104 is specified in thickness to the polycrystalline silicon layer 105.
さらに、アモルフアスシリコン層１０４の層厚を、多結晶シリコン層１０５に対し規定された厚みとする。 - 特許庁 - It is a TFT having a microcrystal film, and a channel is formed of a microcrystal silicon layer and an amorphous silicon layer.
微結晶膜を有するＴＦＴで、チャネルは微結晶シリコン層とアモルファスシリコン層から構成される。 - 特許庁 - The amorphous silicon layer absorbs incident light of short wavelength, and the non-silicon layer absorbs visible light.
アモルファスシリコンによって短波長の入射光を吸収し、非シリコン層によって可視光を吸収する。 - 特許庁 - The absorption layer 150 is preferably an absorption barrier layer having p-type doped amorphous silicon.
吸光層１５０は、ｐ型不純物添加アモルファスシリコンを有する吸光バリア層であることが望ましい。 - 特許庁 - A polysilicon layer (amorphous silicon layer) 17 is formed all over on a p-type silicon substrate 11 in a CVD method.
ＣＶＤ法により、ポリシリコン層（アモルファスシリコン層）１７を、ｐ型シリコン基板１１全面に形成する。 - 特許庁 - A solid electrolyte layer 16 is intervened between the electrode 15 and the amorphous semiconductor layer 13.
電極１５と非晶質半導体層１３との間には固体電解質層１６が介在している。 - 特許庁
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