「amorphous layer」を含む例文一覧(1824)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 36 37 次へ＞- A spectacle lens 1 as an optical element has a fluorine-containing amorphous carbon layer 14 as an outermost surface layer.
光学素子としての眼鏡レンズ１は、最表層にフッ素含有非晶質炭素層１４を備える。 - 特許庁 - In one embodiment, the semiconductor device comprises an amorphous metal layer 22 and a crystal metal layer 42.
一実施形態では、半導体装置はアモルファス金属層２２および結晶金属層４２を含む。 - 特許庁 - The i-type amorphous silicon film 6 has a two layer structure of an i-layer 61 on the n-type single crystal silicon substrate 1 side and an i-layer 62 on the n-type amorphous silicon film 7 side.
ｉ型非晶質シリコン膜６は、ｎ型単結晶シリコン基板１側のｉ層６１およびｎ型非晶質シリコン膜７側のｉ層６２からなる２層構造を有する。 - 特許庁 - After a gate insulating film 4 is formed, an amorphous silicon layer 10 is formed in a range containing an interior of the trench 2, and continuously a polysilicon layer 12 is formed on a surface 10a of the amorphous silicon layer 10.
ゲート絶縁膜４を形成後、トレンチ２内部を含む範囲にアモルファスシリコン層１０を形成し、続いてアモルファスシリコン層１０の表面１０ａにポリシリコン層１２を形成する。 - 特許庁 - This decorative sheet is composed of an amorphous titanium oxide layer 3 and an amorphous titanium oxide layer 4 containing an anatase titanium oxide, laminated on a base material 1 formed of a backing paper 11 with an expanded synthetic resin layer 12.
裏打紙１１に発泡合成樹脂層１２を設けた基材１上に、アモルファス型酸化チタン層３と、アナターゼ型酸化チタン含有アモルファス型酸化チタン層４を積層してなる。 - 特許庁 - A crystallized medium layer is formed by annealing the amorphous medium layer, such that the growth of nuclei in crystal phase is induced over the entire amorphous medium layer.
アモルファス媒体層の結晶相の核生成がアモルファス媒体層全体に伝搬するように、アモルファス媒体層を焼きなまし処理することによって結晶化媒体層を形成する。 - 特許庁 - An amorphous semiconductor layer 13 is provided on an electrode 11 while putting an insulating layer 12 therebetween, and an electrode 14 and an electrode 15 are provided on the amorphous semiconductor layer 13 surface.
電極１１上に絶縁層１２を間にして非晶質半導体層１３が設けられ、非晶質半導体層１３表面には電極１４および電極１５が設けられる。 - 特許庁 - The amorphous magnetic layer 4 is the recording layer formed on the substrate 2 and the underlayer 3 is formed between the substrate 2 and the amorphous magnetic layer 4 and consists of Zn.
非晶質磁性層４は基板２上に形成されている記録層であり、下地層３は基板２と非晶質磁性層４との間に形成されていると共に亜鉛からなる。 - 特許庁 - The AP1 layer in the SyAF pinned layer 27 includes a two-layer structure of an amorphous CoFeB layer and a crystalline CoFe layer laminated in order from the side of the antiferromagnetic layer 26.
ＳｙＡＦピンド層２７におけるＡＰ１層は、反強磁性層２６の側から順に積層された非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む。 - 特許庁 - A method of producing the silicon-based material layer comprises: a process of forming an amorphous layer having a specified thickness on a silicon-based substrate; a process of doping the amorphous layer with a specified metal ion; and a process of annealing the amorphous layer doped with the metal ion.
また、Ｓｉベースの基板に所定厚さの非晶質層を形成する工程と、非晶質層に所定の金属イオンをドーピングする工程と、金属イオンがドーピングされた非晶質層をアニーリングする工程とを含むＳｉベースの物質層の製造方法である。 - 特許庁 - The manufacturing of a channel layer comprises following steps of forming a first amorphous silicon layer by using a low deposing rate(LDR)(chemistry vapor deposition(CVD)), and forming a second amorphous silicon layer by using a high deposing rate(HDR) to form an N + mixed amorphous silicon layer.
チャンネル層の製作は次のステップを含む：低蒸着率（ＬＤＲ）を用いて第一のアモルファス・シリコン層を形成し（化学蒸着、ＣＶＤ）；高蒸着率（ＨＤＲ）を用いて第二のアモルファス・シリコン層を形成し；Ｎ＋ミクスト・アモルファス・シリコン層を形成する。 - 特許庁 - The magnetic recording medium 1 is provided with a substrate 2 and an amorphous magnetic layer 4 for magnetically recording information which is made of an amorphous magnetic material and a substrate layer 3 having ≤10 nm average layer thickness and consisting of a nonmagnetic metal element is provided between the substrate 2 and the amorphous magnetic layer 4 so as to be in contact with the amorphous magnetic layer 4.
基板２と、情報を磁気的に記録するための非晶質磁性体からなる非晶質磁性層４とを備える磁気記録媒体１において、基板２と非晶質磁性層４との間に、平均層厚が１０ｎｍ以下の非磁性金属元素からなる下地層３を非晶質磁性層４に接するように設ける。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor device further comprises the steps of irradiating micro waves to form a first conductive type crystal layer by crystallization of the first amorphous film, to form a second conductive type crystal layer by crystallization of the second amorphous film, and to form a third conductive type crystal layer by crystallization of the third amorphous lower layer film and the third amorphous upper layer film.
さらに、マイクロ波を照射することにより、第１の非晶質膜を結晶化して、第１導電型結晶層を形成し、第２の非晶質膜を結晶化して、第２導電型結晶層を形成し、第３の非晶質下層膜と第３の非晶質上層膜とを結晶化して、第３導電型結晶層を形成する。 - 特許庁 - Next, after forming a polysilicon semiconductor layer as a semiconductor layer, an amorphous silicon semiconductor layer is continuously formed without breaking the vacuum.
次に半導体層としてポリシリコン半導体層を成膜後アモルファスシリコン半導体層を真空をやぶらずに連続成膜する。 - 特許庁 - An amorphous Heusler alloy layer 4 is arranged on an opposite surface side to the MgO layer 3 of the Heusler alloy layer 1.
ホイスラー合金層１のＭｇＯ層３に対して反対の面側には、非晶質のホイスラー合金層４が配置されている。 - 特許庁 - When an amorphous silicon layer of a photodiode device 18 on the etching stopper layer 35 is etched, the circuit board 17 is protected by the etching stopper layer 35.
エッチングストッパ層35上でフォトダイオード素子18のアモルファスシリコン層をエッチングする際、エッチングストッパ層35で回路基板17を保護する。 - 特許庁 - On the silicon oxide layer 4, an amorphous silicon layer which becomes a polycrystalline silicon layer 10 constituting a transistor DTFT is formed.
この酸化シリコン層４上にトランジスタＤＴＦＴを構成する多結晶シリコン層４となる非晶質シリコン層を形成する。 - 特許庁 - In a method of manufacturing a semiconductor device, the amorphous silicon layer 103 is deposited on an aluminum layer 102, then is subjected to anneal thereby undergoing layer conversion.
アルミニウム層１０２上に非晶質シリコン層１０３を堆積した後、アニールを行うことで層転換を行わせる。 - 特許庁 - Also, a photoreceptor possesses a charge injection layer or consists of an amorphous silicon drum.
また、感光体は電荷注入層を有する、あるいはアモルファスシリコンドラムである。 - 特許庁 - The buffer layer is composed of non-magnetic and amorphous materials.
前記バッファ層が、非磁性かつ非晶質の材料からなることを特徴とする。 - 特許庁 - As shown in (c), the amorphous aluminum layer 14 is subjected to reflow treatment.
（ｃ）に示すように、非晶質のアルミニウム層１４に対しリフロー処理を行なう。 - 特許庁 - The inorganic pigment contained in the protective layer is preferably amorphous silica.
好ましくは、該保護層中に含有される無機顔料が非晶質シリカである。 - 特許庁 - The surface layer section of a semiconductor substrate is made into an amorphous form by implanting ions into the section.
半導体基板の表層部にイオンを注入してアモルファス化させる。 - 特許庁 - The thickness of the amorphous silica layer is preferably formed at least 0.1 μm.
非晶質シリカ層を少なくとも０．１μｍ形成であることが好ましい。 - 特許庁 - Preferably, the ink accepting layer includes an amorphous silica.
好ましくはインク受容層中に不定形シリカを含有するインクジェット記録用紙。 - 特許庁 - The amorphous carbon mask is selectively removed as far as the spacer to expose the substrate layer.
アモルファス炭素マスクを選択的にスペーサまで除去して、基板層をさらす。 - 特許庁 - A transparent conducting film 4 is formed on the p-type amorphous silicon layer 3 (c).
ｐ型非晶質シリコン層３上に、透明導電膜４を形成する（ｃ）。 - 特許庁 - FILM COMPOSED OF AMORPHOUS METAL FOILS AND INSULATING RESIN LAYER, AND COIL OR TRANSFORMER
非晶質金属箔及び絶縁性樹脂層からなるフィルム、コイル又はトランス - 特許庁 - The manufacturing method of a semiconductor includes a step of providing a substrate, a step of forming a dielectric layer on the substrate, a step of growing an amorphous semiconductor layer on the dielectric layer, a step of doping impurity in the amorphous semiconductor layer, and a step of forming a crystallized layer from the amorphous semiconductor by performing a high-temperature process on the amorphous layer.
本発明による半導体の製造方法は、基板を設ける工程と、誘電体層を基板の上に形成する工程と、アモルファス半導体層を誘電体層の上に成長させる工程と、アモルファス半導体層に不純物をドープする工程と、そして高温処理工程をアモルファス層に施して前記アモルファス半導体から結晶化層を形成する工程とを備える。 - 特許庁 - On an inner face side 6, a covering layer made of at least one substance chosen out of amorphous carbon, amorphous silicon and silicon oxide is provided.
内面側６にアモルファス炭素、アモルファス珪素または珪素酸化物の少なくとも１種からなる被覆層を備える。 - 特許庁 - When the crystallized silicon layer is formed, a metal catalyst layer 8 and a first amorphous silicon layer 4x are formed on a substrate body 10d and heat-treated to replace the first amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8 with each other through interdiffusion between the first amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8.
結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に金属触媒層８および第１非結晶シリコン層４ｘを形成した後、熱処理を行ない、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８との間での相互拡散により、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。 - 特許庁 - The method comprises a step for preparing an insulating substrate, a step for forming an amorphous silicon layer on the substrate, a step for forming a capping layer of a refractive index 1.78-1.90 on the amorphous silicon layer, a step for forming a metal catalyst layer on the capping layer, and a step for heat-treating the substrate to crystallize the amorphous silicon layer into a polycrystalline silicon layer.
絶縁基板を準備する段階と、基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、非晶質シリコン層上に屈折率が１．７８から１．９０のキャッピング層を形成する段階と、キャッピング層上に金属触媒層を形成する段階と、基板を熱処理して非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する段階を含む。 - 特許庁 - The method of forming a single-crystal silicon-on-insulator (SOI) structure on a silicon substrate comprises a process in which an amorphous silicon layer is formed on an insulating layer and a process in which the amorphous silicon layer is brought into contact with the substrate via the insulating layer.
シリコン基板の上に単結晶シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造を形成する方法が、絶縁層の上にアモルファス・シリコン層を形成すること、および絶縁層を介して基板に接触させることを含む。 - 特許庁 - The first polysilicon layer and the second polysilicon layer having different crystal properties has been converted from an amorphous silicon layer of the first region and an amorphous silicon layer of the second region by a single crystallization process.
違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層は、単一結晶化工程により、第１領域の非晶質シリコン層と第２領域の非晶質シリコン層から転化された。 - 特許庁 - A plurality of linear Ni layer 3 laid at predetermined intervals on an amorphous silicon layer 2 are heat treated to crystallize the amorphous silicon layer 2, thereby growing a polycrystalline silicon layer 4.
非晶質シリコン層２上に線状のＮｉ層３を所定の間隔を置いて複数配列した状態で熱処理を施し、これにより非晶質シリコン層２を結晶化させて多結晶シリコン層４を生成させる。 - 特許庁 - A manufacturing method of a semiconductor device includes a step of forming an amorphous silicon layer on an insulating layer 2, a step of introducing oxygen to the amorphous silicon layer, and a step of forming a silicon oxynitride layer 3.
絶縁層２上にアモルファスシリコン層を形成するステップと、アモルファスシリコン層に酸素を導入するステップと、酸素が導入されたアモルファスシリコン層を窒化し、シリコン酸窒化層３を形成するステップと、を備えている。 - 特許庁 - For a ferroelectric layer of the magnetoresistive device, an exchange coupling type ferrimagnetic layer or an amorphous layer and interface magnetic layer is used to reduce a diamagnetic field.
磁気抵抗効果素子の強磁性層に交換結合型フェリ磁性層あるいは非晶質層と界面磁性層を用いることにより、反磁界を小さくする。 - 特許庁 - A polyethylene terephthalate resin layer is laminated on at least one side of an amorphous polyester resin layer, and a conductive layer is provided on the surface of the polyethylene terephthalate resin layer.
非晶性ポリエステル樹脂層の少なくとも片面にポリエチレンテレフタレート樹脂層を積層し、該ポリエチレンテレフタレート樹脂層の表面に導電層を設ける。 - 特許庁 - When a photoelectric conversion layer 4 contains amorphous silicon, a light absorption layer 3 is provided between the photoelectric conversion layer 4 and a reflecting electrode layer 2.
光電変換層４が非晶質シリコンを含んでいる場合に、その光電変換層４と反射電極層２との間に光吸収層３を設ける。 - 特許庁 - In the solar cell 10, an i-type amorphous semiconductor layer 12 includes an exposed portion 12A which is exposed in plan view and a coating portion 12B covered with a p-type amorphous semiconductor layer 13 and an n-type amorphous semiconductor layer 14.
太陽電池１０において、ｉ型非晶質半導体層１２は、平面視において露出する露出部１２Ａと、ｐ型非晶質半導体層１３及びｎ型非晶質半導体層１４によって覆われる被覆部１２Ｂとを含む。 - 特許庁 - The amorphous silicon layer 3 is irradiated with laser line beams, and polysilicon is grown from the section of the amorphous silicon layer corresponding to the end of laser line beams to the section of the amorphous silicon layer corresponding to the center of laser line beams, thus obtaining a polysilicon layer 3' in which crystal grains are elongated in the cross direction of laser line beams.
アモルファスシリコン層３にレーザラインビームを照射し、ポリシリコンをレーザラインビームの端に対応するアモルファスシリコン層の部分からレーザラインビームの中央に対応するアモルファスシリコン層の部分へ成長させ、これにより、結晶粒がレーザラインビームの幅方向に伸長したポリシリコン層３’を得る。 - 特許庁 - The mold 10 is composed of an amorphous alloy layer 12 forming a cavity surface and a second layer 14 comprising a sintered body of a powder of the same amorphous alloy.
金型１０を、キャビティ表面を形成する非晶質合金層１２と、同じ非晶質合金の粉末の焼結体からなる第２層１４とから構成する。 - 特許庁 - For example, a low dielectric constant insulating film or an amorphous carbon is used as the porus layer.
ポーラス層として、例えば、低誘電率絶縁膜、又はアモルファスカーボンを用いる。 - 特許庁 - Good crystalline MgO can be formed on an amorphous Co-Fe-B alloy layer.
アモルファスCo-Fe-B合金層上に結晶性の良いＭｇＯを形成することができる。 - 特許庁 - The contact angle of the hydrophilic amorphous titanium oxide layer with water is not more than 10°.
前記親水性アモルファス酸化チタン層は、水との接触角が１０°以下である。 - 特許庁 - The light receiving layer 151c can improve light receiving sensitivity of an infrared ray when compared with a case when an amorphous semiconductor layer such as amorphous silicon or the like is used.
このような受光層１５１ｃは、アモルファスシリコン等の非晶質半導体層を用いる場合に比べて、赤外光の受光感度を向上させることが可能である。 - 特許庁 - To provide an improvement method for depositing an intrinsic amorphous silicon layer and a doped amorphous silicon layer sequentially on a substrate in the same CVD chamber without raising a contamination problem.
汚染の問題を生じずに、同じＣＶＤチャンバ内で、真性アモルファスシリコン層とドープアモルファスシリコン層とを連続して基板上へ堆積する改良方法を提供する。 - 特許庁 - On a substrate 20, a gate electrode 21, a gate insulation film 22, an intrinsic amorphous silicon layer 23 for working as an active region and an impurity containing amorphous silicon layer 24 are formed.
基板２０上にゲート電極２１、ゲート絶縁膜２２、活性領域として働く真性非晶質シリコン層２３、不純物含有非晶質シリコン層２４を形成する。 - 特許庁 - The shielding layer 103 is formed of high-resistance polysilicon, single crystal silicon or amorphous silicon.
このシールド層は、高抵抗ポリシリコン、単結晶シリコン又はアモルファスシリコンからなる。 - 特許庁 - LIGHT EMITTING DIODE HAVING MULTI-LAYER STRUCTURE MADE OF AMORPHOUS CARBON ON ELECTRODE AT ONE SIDE
一方電極に非晶質炭素から成る多層構造を有する発光ダイオード - 特許庁
- 特許庁
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