「compound pattern」を含む例文一覧(916)
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ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに高分子化合物 - 特許庁 - RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, NEW COMPOUND AND ACID GENERATOR
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤 - 特許庁 - RESIST COMPOSITION, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, NOVEL COMPOUND, AND ACID GENERATOR
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、および酸発生剤 - 特許庁 - COMPOUND FOR RESIST, RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
レジスト用化合物、感放射線性組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁 - PHOTOACTIVE COMPOUND, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING PATTERN
光活性化合物及び感光性樹脂組成物並びにパターン形成方法 - 特許庁 - RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR FORMING PATTERN, POLYMER, AND COMPOUND
感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、重合体及び化合物 - 特許庁 - POLYMERIZABLE ESTER COMPOUND, POLYMER, RESIST MATERIAL, AND PATTERN FORMATION METHOD
重合性エステル化合物、重合体、レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁 - RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, POLYMER AND COMPOUND
感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、重合体及び化合物 - 特許庁 - RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN-FORMING METHOD, NEW COMPOUND AND ACID-GENERATING AGENT
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤 - 特許庁 - RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, NEW COMPOUND, AND ACID GENERATOR
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤 - 特許庁 - RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, NEW COMPOUND, AND ACID GENERATOR
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、および酸発生剤 - 特許庁 - RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMING METHOD, NEW COMPOUND AND ACID GENERATOR
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤 - 特許庁 - OPTICALLY ACTIVE COMPOUND, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND PATTERN-FORMING METHOD
光活性化合物及び感光性樹脂組成物並びにパターン形成方法 - 特許庁 - POSITIVE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, POLYMERIZABLE COMPOUND, RESIN AND PATTERN FORMING METHOD
ポジ型感光性組成物、重合性化合物、樹脂及びパターン形成方法 - 特許庁 - SULFONIUM SALT-CONTAINING POLYMER COMPOUND, RESIST MATERIAL, AND PATTERN FORMING PROCESS
スルホニウム塩を含む高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁 - POLYMERIC COMPOUND, RESIST MATERIAL, AND METHOD OF PATTERN FORMATION USING THE RESIST MATERIAL
高分子化合物、レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁 - COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, LOW-MOLECULAR COMPOUND, POSITIVE-TYPE RESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
化合物およびその製造方法、低分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁 - PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, COMPOUND AND POLYMER FOR USE IN THE SAME, AND PATTERN FORMING METHOD AND PATTERN USING THE SAME
感光性組成物、それに用いる化合物および重合体、およびそれを用いたパターン形成方法とパターン - 特許庁 - The objective pattern forming material has a base resin containing a siloxane compound of formula (1) (where plural symbols R1 are the same or different and are each an alkyl compound, an ester compound, an ether compound, a sulfone compound, a sulfonyl compound or an aromatic compound).
パターン形成材料は、［化１］の一般式で表わされるシロキサン化合物（但し、Ｒ_1 は、同種又は異種であって、アルキル化合物、エステル化合物、エーテル化合物、スルフォン化合物、スルフォニル化合物又は芳香族化合物である。）を含むベース樹脂を有している。 - 特許庁 - Then a mixed compound 5 comprising a pattern compound 4 existing in a linear state in a base compound 3 for a pattern layer is discharged from a discharge opening 7 of a hopper 6 while moving the hopper 6 and flown into the compound 1 for gel coating.
その後ゲルコート用コンパウンド１の上に、模様層用ベースコンパウンド３中に模様コンパウンド４が線状態で存在する混合コンパウンド５をホッパ６を移動しながらホッパ６の吐出口７から吐出して流し込む。 - 特許庁 - POLYMER COMPOUND, CHEMICALLY AMPLIFIED NEGATIVE RESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING PATTERN
高分子化合物、化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 - 特許庁 - FLUORINE-CONTAINING COMPOUND, RESIST COMPOSITION FOR IMMERSION EXPOSURE, AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN
含フッ素化合物、液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁 - PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, POLYMER COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING PATTERN, AND ELECTRONIC DEVICE
感光性樹脂組成物、高分子化合物、パターンの製造法および電子デバイス - 特許庁 - PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, POLYMER COMPOUND, METHOD OF MANUFACTURING PATTERN, AND ELECTRONIC DEVICE
感光性樹脂組成物、高分子化合物、パターンの製造法、および電子デバイス - 特許庁 - PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, POLYMER COMPOUND, METHOD FOR MANUFACTURING PATTERN AND ELECTRONIC DEVICE
感光性樹脂組成物、高分子化合物、パターンの製造法および電子デバイス - 特許庁 - COMPOUND, POLYMER, POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
化合物、高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法 - 特許庁 - POLYMERIC COMPOUND, CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE-TYPE RESIST MATERIAL, AND METHOD FOR PATTERN FORMATION
高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁 - NEW COMPOUND, ACID-GENERATING AGENT, RESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
新規な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁 - RESIST COMPOSITION, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, AND NOVEL COMPOUND AND ACID GENERATOR
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤 - 特許庁 - RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, NEW COMPOUND AND ACID-GENERATING AGENT
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、および酸発生剤 - 特許庁 - POLYMERIC COMPOUND, RESIST MATERIAL AND METHOD FOR FORMING PATTERN BY USING THE SAME
高分子化合物並びにレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁 - RESIST COMPOSITION, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, NEW COMPOUND, AND ACID GENERATING AGENT
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤 - 特許庁 - NITROGEN-CONTAINING ORGANIC COMPOUND, CHEMICAL AMPLIFICATION-TYPE RESIST MATERIAL AND METHOD FOR FORMING PATTERN
含窒素有機化合物、化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁 - SULFONIC ACID ESTER COMPOUND, POLYMER, RESIST MATERIAL AND METHOD FOR FORMING PATTERN
スルホン酸エステル化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁 - FLUORINE-CONTAINING COMPOUND, POLYMERIZABLE FLUORINE-CONTAINING MONOMER, FLUORINE-CONTAINING POLYMER COMPOUND, RESIST MATERIAL USING THEM, PATTERN FORMATION METHOD, AND PRODUCTION METHOD FOR FLUORINE-CONTAINING COMPOUND
含フッ素化合物、含フッ素重合性単量体、含フッ素高分子化合物、それらを用いたレジスト材料とパターン形成方法、及び含フッ素化合物の製造方法 - 特許庁 - Subsequently, the compound film 17 is stripped from the rib pattern 12 to leave the metal foil 14 only on the rib pattern 12 thus forming a conductive pattern 18.
その後、複合フィルム１７をリブパターン１７から引き剥がし、リブパターン１２上にのみ金属箔１４を残留させ、導電性パターン１８を形成する。 - 特許庁 - To provide a compound capable of producing a resist pattern having an excellent resolution, and a resist composition containing the compound.
優れた解像度のレジストパターンを製造することができる化合物および該化合物を含むレジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - NEW SULFONIUM COMPOUND, PHOTOSENSITIVE COMPOSITION CONTAINING THE COMPOUND AND PATTERN-FORMING METHOD USING THE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION
新規なスルホニウム化合物、該化合物を含有する感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁 - A resin compound having a color different from that of the pattern forming gel coat is laminated on the region containing this pattern and cured.
そして、この模様を含む領域に、模様形成用のゲルコートと異なる色の樹脂コンパウンドを積層して硬化させる。 - 特許庁 - PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, METHOD FOR FORMING PATTERN USING THE SAME, AND CHEMICAL COMPOUND
感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び化合物 - 特許庁 - RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, POLYMER AND COMPOUND
感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物 - 特許庁 - RESIST COMPOSITION FOR LIQUID IMMERSION LITHOGRAPHY, RESIST PATTERN FORMING METHOD, AND FLUORINE-CONTAINING POLYMER COMPOUND
液浸露光用レジスト組成物、レジストパターン形成方法、含フッ素高分子化合物 - 特許庁 - RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN, AND NOVEL COMPOUND AND RESIN
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに新規化合物及び樹脂 - 特許庁 - POLYMERIC COMPOUND, ACID GENERATOR, POSITIVE TYPE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN-FORMING METHOD
高分子化合物、酸発生剤、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法 - 特許庁 - To provide a photosensitive compound capable of forming a resist pattern with a low line edge roughness (LER), to provide a photosensitive composition containing the photosensitive compound, and to provide a resist pattern forming method.
低ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）なレジストパターンを形成可能な感光性化合物、該感光性化合物を含む感光性組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, NEW COMPOUND, AND PHOTOBASE GENERATOR
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および光塩基発生剤 - 特許庁 - Using a compound liquid containing acetic acid, inorganic acid, a fluorine compound, and deionized water, the metal film pattern is cleaned to remove etching by-product layers around the metal film pattern.
酢酸、無機酸、フッ素化合物及び純水を含む混合液を使用して金属膜パターンを洗浄して、金属膜パターン周囲のエッチング副産物層を除去する。 - 特許庁 - SULFONIUM SALT COMPOUND, RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING THE SAME
スルホニウム塩化合物及びレジスト組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁 - FLUORINE-CONTAINING MONOMER, FLUORINE-CONTAINING POLYMER COMPOUND, RESIST MATERIAL AND METHOD FOR FORMING PATTERN
含フッ素単量体、含フッ素高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁 - COMPOUND, RADICAL POLYMERIZATION INITIATOR, POLYMER, RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
化合物、ラジカル重合開始剤、重合体、レジスト組成物、レジストパターン形成方法 - 特許庁
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