On the outer periphery of isolated semiconductor elements constituting a low potential reference circuit LV and a high potential reference circuit HV, an n-type guard ring 42c, and the like, are formed, and a deep n-type diffusion region 42b having the same conductivity type as that of the n-type guard ring buried layer 42c is formed on the buried insulating film 2b side of an active layer 2c. 低電位基準回路部LVおよび高電位基準回路部HVを構成する絶縁分離された半導体素子の外周に、n型ガードリング42c等を形成すると共に、活性層2cの埋込絶縁膜2b側にn型ガードリング埋込層42c等と同じ導電型の深いn型拡散領域42b等を形成する。 - 特許庁
In this compound light diffuser for a liquid crystal backlight, a functional film having light diffusion property and a thickness of 20-500 μm is stacked on at least one side of a thermoplastic resin plate via an adhesively bonding layer, and the adhesively bonding layer is 10-100 μm thick, and has a porosity of 30-90%. 光拡散性を有する厚さ20〜500μmの機能性フィルムが、熱可塑性樹脂板の少なくとも片側面に、接着層を介して積層される光拡散板であって、該接着層は厚みが10〜100μmであり、30〜90%の空孔率を有していることを特徴とする液晶バックライト用複合光拡散板。 - 特許庁
The hydrogen-permeable membrane selectively permeates hydrogen, includes a metal layer, wherein the theoretical hydrogen permeability defined by the diffusion coefficient of hydrogen and the product of the degree of solid solution is equal to the pure Pd or higher, and forms the hydrogen-permeable membrane having the thickness of a surface oxidized layer of at least one side of two surfaces of the hydrogen-permeable membrane is 100 nm or less. 水素を選択的に透過させる水素透過膜であって、水素の拡散係数と固溶度の積で定義される理論水素透過度が純Pdと同等以上の金属層を含み、前記水素透過膜の2つの面のうち少なくとも一方の表面酸化物層厚が100nm以下である水素透過膜を形成する。 - 特許庁
The lighting device includes the translucent substrate 2 having a first surface and a second surface, a plurality of semiconductor light emitting elements 7 arranged on the first surface and a phosphor layer 18 provided on the first surface so as to cover the plurality of semiconductor light emitting elements, and a light diffusionlayer 50b provided on the other surface. 請求項1の発明は、第1の面及び第2の面を有してなる透光性基板2と;前記第1の面に配設された複数の半導体発光素子7と;前記複数の半導体発光素子を覆うように第1の面に設けられた蛍光体層18と;前記第2の面に設けられた光拡散層50bと;を具備したことを特徴とする。 - 特許庁
Vertical cell transfer transistors Tr1, Tr2 and Tr3 having a channel region consisting of a single crystal silicon layer 18 formed by epitaxial growth, a source-drain region consisting of n-type diffusion regions 14 and 23 formed in upper and lower parts of the single crystal silicon layer 18 and an embedded gate electrode consisting of work line 21 are formed. エピタキシャル成長により形成された単結晶シリコン層18からなるチャネル領域と、単結晶シリコン層18の上部と下部に形成されたn型拡散領域14、23からなるソース・ドレイン領域と、ワード線21からなる埋め込み型のゲート電極とを有する縦型セルトランスファトランジスタTr1、Tr2、Tr3が形成される。 - 特許庁
The method comprises the steps of forming a number of micro grooves 1 having an aspect ratio of one or more, forming and heat treating a polysilicon layer 31 doped in high concentration on an inside wall of the groove 1, forming a diffusionlayer 32 to be becoming a drain region, forming trenches 101, 102 by removing silicon pillars 4, and filling the trenches 101, 102 by an insulating film 33. アスペクト比が1以上の微小な溝1を多数形成し、この溝1内壁に高濃度にドープされたポリシリコン層31を形成して、熱処理し、ドレイン領域となる拡散層32を形成し、シリコン柱4を除去することでトレンチ101、102を形成し、このトレンチ101、102内を絶縁膜33で埋める。 - 特許庁
A selection transistor includes a gate insulating film 12b provided on a semiconductor substrate 11, polysilicon gate electrodes 13b, 19b provided on a gate insulating film 13b, a conductive barrier layer 30 provided on the polysilicon gate electrode 13b as a barrier against metal diffusion, and a silicide gate electrode 25b provided on the conductive barrier layer 30. 選択トランジスタは、半導体基板11上に設けられたゲート絶縁膜12bと、ゲート絶縁膜13b上に設けられたポリシリコンゲート電極13b,19bと、ポリシリコンゲート電極13b上に設けられ、金属の拡散に対してバリアとなる導電性バリア層30と、導電性バリア層30上に設けられたシリサイドゲート電極25bとを備えている。 - 特許庁
This is a water repellent electrode for gas diffusion for the solid polymer fuel cell in which (1) the electrode is a conductive porous body, (2) a water repellent layer is formed at a part or whole of the surface of the porous body, and (3) the water repellent layer contains sulfur and at least one kind of its compound. 固体高分子形燃料電池用のガス拡散用電極であって、1)前記電極が導電性多孔体であり、2)前記多孔体の表面の一部又は全部に撥水層が形成されており、3)前記撥水層が硫黄及びその化合物の少なくとも1種を含むことを特徴とするガス拡散用撥水性電極に係る。 - 特許庁
A hydrogen gas passing through the gas diffusion speed-controlling layer 2 and reaching the first electrode 3 is dissociated into protons by the catalysis operation of Pt contained in the electrode and voltage being applied to the first electrode 3, passes through the proton conduction layer 5, is pumped out to the second electrode 4, becomes a hydrogen gas again, and is diffused to the gas atmosphere to be measured. ガス拡散律速層2を通り第1の電極3に到達した水素ガスは電極に含有されるPtの触媒作用と第1の電極3への印加電圧によりプロトンに解離されてプロトン伝導層5を通り第2の電極4へ汲み出され、再び水素ガスとなって被測定ガス雰囲気に拡散していく。 - 特許庁
The moisture control sheet is an independent moisture control sheet which is used by preparing between a catalyst layer and a gas diffusionlayer of the solid polymer fuel cell, and is constituted by filling up a fluoride resin and/or a conductive agent into a non-carbonized porous base material sheet which is not carbonized after forming the porous base material sheet. 本発明の水分管理シートは、固体高分子形燃料電池の触媒層とガス拡散層との間に配置して使用する、自立した水分管理シートであり、前記水分管理シートは多孔質基材シート形成後に炭化処理をしていない非炭化処理多孔質基材シートに、フッ素系樹脂及び/又は導電剤が充填されたものである。 - 特許庁
The method for manufacturing the semiconductor light-emitting element 1 absorbs in advance Si atoms 41 obtained by thermal decomposition of SiH_4, thereby forming a diffusion protection layer 31 composed of Si-doped InP with high impurity concentration on one surface of a semiconductor substrate 11 and side surfaces of a semiconductor mesa part 12 in the initial growth of a buried layer 13. 半導体レーザ素子1の製造方法では、SiH_4を熱分解して得られるSi原子41を予め吸着させることにより、埋込層13の初期成長において、半導体基板11の一面及び半導体メサ部12の側面に、高不純物濃度のSiドープInPによる拡散防止層31を形成する。 - 特許庁
The light source device is provided with an LED unit having LED chips and phosphors which change wavelengths of a part of light from the LED chips, a lens positioned at the light irradiating side of the LED unit, and a light diffusionlayer positioned on the light irradiating face or the light incident face of the LED unit with an air layer between. LEDチップと、該LEDチップからの光の一部を波長変換する蛍光体と、を備えたLED装置と、前記LED装置の光出射側に配置されるレンズと、前記LED装置の光出射面上又は前記レンズの入光面上に、空気層を介して配置される光拡散層と、を備えてなる光源装置とする。 - 特許庁
A nonvolatile semiconductor memory has a substrate 1 having stripe-like trenches 50, each first electrode 10 buried in the bottom of each trench 50, each second electrode 20 covering the surface of the substrate interposed between the adjacent first electrodes to each other, each diffusionlayer 40 served as each source or each drain, and each trap film 30 served as a charge accumulating layer. 本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、ストライプ状のトレンチ50を有する基板1と、トレンチ50の底部に埋設された第1の電極10と、隣り合う第1の電極間10の基板表面を覆う第2の電極20と、ソース/ドレインとしての拡散層40と、電荷蓄積層としてのトラップ膜30とを備える。 - 特許庁
The anode dead-end type fuel cell 100 is provided with passage constituent members (sheet member 125, anode side metallic porous body 130a, anode side separator 140a) which are installed on the surface side of an anode (anode side catalyst layer 42a, anode side diffusionlayer 120a) in a membrane electrode assembly 10 and constitute a fuel gas passage for flowing hydrogen to be supplied to the anode. アノードデッドエンド型燃料電池100は、膜電極接合体10におけるアノード(アノード側触媒層42a、アノード側拡散層120a)の表面側に設けられ、アノードに供給すべき水素を流すための燃料ガス流路を構成する流路構成部材(シート部材125、アノード側金属多孔体130a、アノード側セパレータ140a)を備える。 - 特許庁
In the method of manufacturing a semiconductor device having a barrier film having a copper diffusion preventing function on a wiring containing copper, the wiring groove TR1 is first formed on a substrate and a barrier metal layer 16 is deposited on the internal wall surface of the wiring groove, and then, a seed layer including a catalyst metal 17a for substitutional plating for forming the upper surface barrier film is formed. 銅を含む配線上に銅拡散防止機能を有するバリア膜を有する半導体装置の製造方法であって、まず、基板に配線溝TR1を形成し、配線溝の内壁面にバリアメタル層16を堆積した後、上面バリア膜形成のための置換めっき用触媒金属17aを含むシード層を形成する。 - 特許庁
To provide a fuel cell capable of achieving miniaturization of a cell of the fuel cell by omitting a gas passage layer while burr and cut pieces generated at a pre-processing stage are canceled without damaging a gas diffusionlayer and lessening a size of the fuel cell where fuel cell cells are laminated, and to provide a method of manufacturing the same. ガス拡散層を傷めることなく、前加工段階で生じ得るバリや切断片等を解消しながら、ガス流路層を省略して燃料電池セルの体格縮小化を実現でき、もって該燃料電池セルが積層された燃料電池の体格の縮小化を図ることのできる燃料電池と、その製造方法を提供する。 - 特許庁
To manufacture a paste for an electrode of a fuel cell, hardly forming an agglomerate of catalyst carrying carbon and a solid polymer electrolyte, intensely orienting a proton exchange group of the solid polymer electrolyte to the hydrophilic layer side, excellent in gas diffusion property and proton conductivity of a catalyst layer, and providing high output even in light humidification or no humidification. 触媒担持カーボンと高分子固体電解質とが大きな凝集塊(アグロメレート)となり難く、高分子固体電解質のプロトン交換基が親水層側へ強く配向しており、触媒層のガス拡散性及びプロトン伝導性に優れ、軽加湿又は無加湿でありながら高出力が得られる燃料電池の電極用ペーストを製造可能にする - 特許庁
To improve electron and hole mobilities in a channel party by employing a distorted Si/SiGe structure (or distorted Si/SiGeC structure), to keep the crystallinity of such a heterostructure in a proper condition, to prevent shortening of an effective channel length and diffusion of a Ge, and to reduce the resistance of the source layer and chain layer. 歪Si/SiGe構造(または歪Si/SiGeC構造)を採用してチャネル部分の電子移動度または正孔移動度の向上を行うと共に、かかるヘテロ構造の結晶性を良好な状態に保ち、実効チャネル長の短縮を防ぎ、Geの拡散を防ぐと共に、ソース層およびドレイン層の抵抗を低くする。 - 特許庁
By providing a TFT substrate 10 provided with a TFT and a reflection display electrode 19 connected to the TFT and its protection layer 33 on the light diffusionlayer 34 mixed with bead particles 37, the occurrence of a projecting part to a counter electrode 35 and an oriented film 36 due to the projected part of the bead particle 37 is prevented, and a flat surface is obtained. TFT及びそのTFTに接続された反射表示電極19を備えたTFT基板10と、ビーズ粒子37を混入させた光拡散層34上にその保護層33を設けることにより、ビーズ粒子37の突出部による対向電極35及び配向膜36への突起部発生を防止し平坦な表面とする。 - 特許庁
To enable to manufacture a paste for an electrode of a fuel cell in which catalyst-carrying carbon and polymer solid electrolyte hardly make up a large agglomerate, a proton exchange group of the polymer electrolyte is strongly oriented toward a side of a hydrophilic layer, the catalyst layer is excellent in gas diffusion properties and proton conductivity, and capable of obtaining a high output despite its being low-humidified or non-humidified. 触媒担持カーボンと高分子固体電解質とが大きな凝集塊(アグロメレート)となり難く、高分子電解質のプロトン交換基が親水層側へ強く配向しており、触媒層のガス拡散性及びプロトン伝導性に優れ、軽加湿又は無加湿でありながら高出力が得られる燃料電池の電極用ペーストを製造可能にする - 特許庁
In a reaction layer or/and a gas supply layer, constituted of at least carbon black and fluororesin fine particles, of a gas diffusion electrode, thin film-shaped metal bodies penetrate from the front side to the back side of the electrode nearly vertically to the electrode surface and the average area ratio of the metal bodies in the cross section of the electrode is ≤10% of the electrode surface area. 少なくともカーボンブラックとフッ素樹脂微粒子から構成されたガス拡散電極の反応層又は/及びガス供給層において、電極面とおおよそ垂直に薄膜状金属体が電極の表裏を貫通し、電極断面における該金属体の平均面積率が電極面面積の10パーセント以下であるガス拡散電極。 - 特許庁
To provide a gallium nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method by which the influence on a transition active layer caused from distortion can be reduce, diffusion of magnesium as a P-type impurity Mg into the active layer by means of transition to be reduced, and the light emission efficiency and reliability be improved. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、歪にて生じた転位の活性層への影響の低減及び転位を介したP型不純物のMg(マグネシウム)の活性層への拡散の低減し、発光効率及び信頼性を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁
The reflection type projection screen 1 is equipped with a linear Fresnel member 4 whose shelf surface 8 turned upward is made a light absorbing surface and whose inclined surface 10 turned downward is made a reflection surface, and an anisotropic diffusionlayer 12 arranged to cover the Fresnel surface of the linear Fresnel member and having anisotropic diffusion characteristic that incident light at a larger incidence angle than a predetermined angle is not diffused. 本発明の反射型プロジェクションスクリーン1は、上方に向けられた棚面8が吸光面とされ、下方に向けられた傾斜面10が反射面とされたリニアフレネル部材4と、リニアフレネル部材のフレネル面を覆って配置され、所定角より大きな入射角の入射光は拡散させない異方性の拡散特性を有する異方性拡散層12とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a water repellent paste for a fuel cell electrode which surely prevents a solid content of the water repellent paste from soaking into a porous body when it is applied on the porous body by coagulating appropriately the solid content and, by preventing clogging, maintains porosity of a gas diffusionlayer largely, thereby, improves gas diffusion performance and removal capacity of generated moisture to improve characteristics of the fuel cell. 燃料電池電極用撥水ペーストにおいて、撥水ペーストの固形分を適度に凝集させることによって、多孔体の上に塗布した場合においても固形分が多孔体に染み込むのを確実に防止して、目詰まりを防いでガス拡散層の気孔率を大きく保ち、もってガス拡散性及び発生水分の除去能力を向上させて燃料電池の特性を向上させること。 - 特許庁
In this manufacturing method for a gas diffusion electrode, a sheet of gas diffusion electrode having a reaction layer whose main components are silver or silver alloy particulates and particulates of polytetrafluoroethylene, is pressed by a press jig having continuous irregularity at a normal temperature and at a pressure of 10 kg/cm2 or more, then is subjected to a heat treatment without being pressurized at a temperature not less than the melting point of polyetrafluoroethylene. 銀微粒子又は銀合金微粒子とボリテトラフルオロエチレン微粒子を主要構成成分とする反応層を有するガス拡散電極シートを、連続的な凹凸を有するプレスジグを用いて常温で10kg/cm^2 以上の圧力でプレスし、その後圧力をかけないでポリテトラフルオロエチレンの融点以上の温度で圧力をかけずに熱処理することを特徴とするガス拡散電極の製造方法。 - 特許庁
The method for manufacturing the light diffusion film having 50-99 pts.mass of a crystal polyester and a light diffusionlayer obtained to biaxially extend a non-extension sheet, consisting of a mixture containing 1-50 pts.mass of inorganic particles performs biaxial extension in vertical and horizontal directions at an extension speed of less than 300%/sec at extension magnification of 2.5 times or higher. 結晶性ポリエステル50〜99質量部と、無機粒子1〜50質量部を含む混合物からなる未延伸シートを二軸延伸して得られる光拡散層を有する光拡散性フィルムの製造方法であって、前記二軸延伸を縦方向及び横方向にそれぞれ、2.5倍以上の延伸倍率で、かつ300%/秒未満の延伸速度で行うことを特徴とする光拡散性フィルムの製造方法。 - 特許庁
To provide an electrode structure for a solid polymer fuel cell capable of suppressing reduction of the power generation property of the fuel cell by suppressing deposition of a ruthenium component at an anode diffusionlayer even in a condition of shortage of fuel and in a high voltage operation. 燃料不足状況および高電位運転においても、Ru成分のアノード拡散層での析出を抑え、燃料電池の発電性能の低下を抑制することができる固体高分子型燃料電池用電極構造体を提供する。 - 特許庁
To provide an adhesive suitable for a solid polymer fuel cell without fear of exfoliation between a solid polymer electrolyte film and a gas diffusionlayer with enough adhesion durability, even if the solid polymer electrolyte film changes in dimension through repetition of wetting and drying. 固体高分子電解質膜が湿潤と乾燥を繰り返し寸法変化しても、固体高分子電解質膜とガス拡散層とが剥離することが無く充分に接着耐久性のある固体高分子型燃料電池に好適な接着剤を提供する。 - 特許庁
The top of an aluminum substrate surface-treated with an acidic aqueous solution of ≤pH 5 at 10-70°C after surface roughening and anodic oxidation is coated with a silver halide-containing emulsion layer to obtain the objective silver salt diffusion transfer type planographic printing plate. 粗面化処理及び陽極酸化処理に続き、その表面を10〜70℃でpH5以下の酸性の水溶液で処理されたアルミニウム支持体上に、ハロゲン化銀を含む乳剤層を塗布してなることを特徴とする銀塩拡散転写型平版印刷版。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device including MOS field effect transistors or the like capable of performing manufacturing by avoiding an inverting layer from being produced beneath a dummy gate even in the case of ion implantation of a conductive impurity with positive electric charges to thereby prevent accelerated diffusion. プラスの電荷を有する導電性不純物をイオン注入してもダミーゲート直下に反転層を生成させず、これにより増速拡散を防止して製造できるMOS型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
Infiltration/diffusion of an atom for constituting a metal phase to/in an Si substrate is prevented, by terminating a dangling bond of the Si existing on a surface of the substrate by an atom-like hydrogen 12, before a metal layer is formed on the substrate contacted with the metal. 金属が接するSi基板に,金属層を形成する前にSi基板表面に存在するSiの未結合手を原子状水素12によって終端することにより金属相を構成する原子がSi基板中へ侵入・拡散することを防止した。 - 特許庁
The titanium material 1, which has the thermal spray film layer after the fusion diffusion treatment as a joining face, and the aluminum material 2 are butted, both are joined with using TIG welding using an aluminum filler material or brazing joing using brazing filler metal. 溶融拡散処理後の溶射皮膜層3を接合面としてチタン系材料1とアルミニウム系材料2とを突き合わせて、アルミニウム系溶加材を用いたTIG溶接もしくはアルミニウム系ろう材を用いたろう付け接合法により両者を接合する。 - 特許庁
Fuel supply efficiency to the fuel electrode 21 can be improved by drop of pressure from the first passage 31 through a diffusionlayer 33 to the second passage 32, and exhaust efficiency of exhaust gas produced in the fuel electrode 21 can be improved. また、第1流路31から拡散層33を介して第2流路32への圧力降下により、燃料極21への燃料供給効率を向上させると共に、燃料極21で生成された排出ガスの排出効率を向上させることができる。 - 特許庁
This oxide superconductive compound multicore wire is characterized in that it has a structure in which plural compound strands formed by embedding an oxide super-conductive material in a metal matrix are bound, and a metal diffusionlayer is formed between the compound strands. 本発明の酸化物超電導複合多芯線材は、金属マトリクス内に酸化物超電導物質が埋め込まれてなる複合素線を複数本束ねた構造を有し、前記複合素線間には金属拡散層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
This semiconductor device is provided with a circuit 6 for phase compensation which uses an MOS capacitance of a structure, having an insulating film between a gate electrode formed on a semiconductor substrate and a diffusionlayer, wherein the circuit for phase compensation consists of first and second MOS capacitances 14, 15. 半導体基板上に形成されたゲート電極と拡散層間に絶縁膜を有する構造のMOS容量を用いた位相補償用回路6を備え、位相補償用回路は第1および第2のMOS容量14、15により構成される。 - 特許庁
With such a structure, an electric line of force generating between the bulk transistor 10 and the SOI transistor 20 can be shut off by the impurity diffusionlayer 91, and a crosstalk noise can be suppressed between the bulk transistor 10 and the SOI transistor 20. このような構成であれば、バルクトランジスタ10と、SOIトランジスタ20との間で生じる電気力線を不純物拡散層91で遮断することができ、バルクトランジスタ10とSOIトランジスタ20との間でのクロストークノイズを抑制することができる。 - 特許庁
To prevent penetration of a coating solution into pores of a gas diffusionlayer laminated on the surface of a membrane-electrode assembly when the coating solution is poured into a gas manifold included in a fuel cell stack for coating the inner wall of the gas manifold. 燃料電池スタックが備えるガスマニホールドの内部にコーティング溶液を注入して、ガスマニホールドの内壁にコーティングを施す際に、膜電極接合体の表面に積層されたガス拡散層が有する細孔へのコーティング溶液の浸入を防止する。 - 特許庁
To provide a fuel battery cell which can further enhance the water-repellent performance while ensuring the deformation performance of a gas diffusionlayer by a compression force during stacking, and can reduce the size of the fuel battery cell while improving the current collecting performance. スタッキング時の圧縮力によるガス拡散層の変形性能を確保しながら、撥水性能をより一層高めることができ、集電性能を向上させながら、燃料電池セルの体格低減を図ることもできる燃料電池セルを提供する。 - 特許庁
An outer peripheral end face of the gas diffusionlayer 28a has a separation face 52a formed by separating a circumference edge 50a, which is used as a positioning part, at a fixed separation section after unification with the solid polymer electrolyte film 18 by hot pressing. ガス拡散層28aの外周端面には、固体高分子電解質膜18にホットプレスにより一体化された後、位置決め部として使用された外周縁部50aが、予め設定された分離部位から切り離されることにより、分離面52aが形成される。 - 特許庁
To restrain degradation of power generation performance by restraining an uneven condition of power generation generated on an electrode surface through restraint of differences generated in flow volumes of gas moving through a gas diffusionlayer from a gas supply groove flow channel to a gas exhaust groove flow channel. ガス供給用溝流路からガス排出用溝流路へガス拡散層を介して移動するガス流量に発生する差異を抑制することにより、電極面内において発生する発電の不均一状態を抑制して、発電性能の低下を抑制する。 - 特許庁
Infrared ray emitted from an external infrared light source is transmitted by the Pyrex cap, absorbed by a boron diffusionlayer 3 formed on a surface of the capillary group 2, and converted to heat to form the temperature gradient between the irradiated surface and the reverse side of the capillary group 2. 外部の赤外光源から照射された赤外光7は、パイレックスガラス製キャップを透過し、キャピラリ群2の表面に形成されたボロン拡散層3に吸収され、熱に変換され、キャピラリ群2の光照射面と裏側の間に温度勾配が形成される。 - 特許庁
Heated steam which is a gas body reaches a membrane electrode assembly precursor 4 after easily passing through a diffusionlayer 3 having water-repellency and locally forms a high-temperature and high-concentration alkaline aqueous solution by being condensed in the membrane electrode assembly precursor 4. 加熱水蒸気はガス体であり、撥水性を持つ拡散層3を容易に通過して膜電極接合体前駆体4に到達し、膜電極接合体前駆体4内で凝縮して局所的に高温高濃度のアルカリ水溶液を生成する。 - 特許庁
After a transistor composed of a gate electrode 10, a heavily doped diffusionlayer 12 and the like is formed on a silicon substrate 1, second wiring 22 electrically connected with the transistor is formed and then a plasma nitride film 23 is formed on the silicon substrate 1. シリコン基板1上に、ゲート電極10及び高濃度不純物拡散層12等から構成されるトランジスタを形成した後、該トランジスタと電気的に接続する第2の配線22を形成し、その後、シリコン基板1の上にプラズマ窒化膜23を形成する。 - 特許庁
After a ferroelectric substance 11 connected to one diffusionlayer of the MOS transistor 4b, the wiring, an electrode 17 and the like are formed, heat treatment is performed about 300-500°C for about 5-60 minutes in nitrogen as second heat treatment. そして、MOSトランジスタ4bの一方の拡散層に接続する強誘電体容量11、配線及び電極17等を形成した後、第2の熱処理として窒素中で300乃至500℃程度の温度で5乃至60分程度の熱処理をする。 - 特許庁
To remove remaining amorphous or polycrystalline silicon through a process, in which amorphous or polysilicon is deposited on a silicon semiconductor substrate, and the amorphous or polysilicon is solid-phase down selectively only on an impurity diffusion region to a single crystal layer, without treatment at a high temperature, through etching. シリコン半導体基板にアモルファス又はポリシリコンを堆積後高温処理を伴わずに選択的にこれを不純物拡散領域上のみ単結晶層に固相成長させる工程を経て残留したアモルファスや多結晶のシリコンをエッチング除去する。 - 特許庁
To provide water-repellent paste for a gas diffusionlayer capable of being manufactured in a simple component composition, securing coating performance without adding a thickener giving rise to calcination residues, and that, with due consideration not involving air at its filling in a coating head or the like. ガス拡散層用撥水ペーストにおいて、簡単な成分組成で製造することができ、焼成残渣を生ずる増粘剤を添加することなく塗工性能を確保することができるとともに、塗工ヘッド等に充填する際にエアーを巻き込むことがないこと。 - 特許庁
Side walls 5 are formed on the gate insulating film 3 and the side faces of the gate electrode 4, and the source electrode 6 and drain electrode 7 of a P^+ type diffusionlayer, to which impurity ions are injected, are formed to the silicon substrate 1 on both sides of the gate electrode 4. ゲート絶縁膜3及びゲート電極4の側面にはサイドウォール5が形成され、ゲート電極4の両側のn型シリコン基板1には、不純物イオンが注入されp+型拡散層のソース電極6とドレイン電極7とが形成される。 - 特許庁
The fuel cell 10 is provided with a catalyst layer 100, with a volume of the platinum 120 of 0.01 to 0.2 mg per surface area of 1 cm^2, and a gas diffusion resistance of ≤40 s/m. 触媒層100を有する燃料電池10であって、前記触媒層100中の白金120の量が前記触媒層の表面積1cm^2当たり0.01〜0.2mgであり、前記触媒層100のガス拡散抵抗が40s/m以下である、燃料電池。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a contact plug for connecting the source-drain of a transistor with an interconnection by polysilicon in which junction leak current can be reduced, especially, by reducing defects remaining in a diffusionlayer. 本発明はトランジスタのソース・ドレイン拡散層と配線を多結晶シリコンによって接続したコンタクトプラグを有する半導体装置に関し、特に拡散層中に残留する欠陥を低減して接合リーク電流を減少できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a membrane electrode junction element for direct methanol type fuel cell (MEA for DMFC) capable of improving diffusion performance of fuel in the catalyst layer of the anode and discharge performance of CO_2 generated, and to provide a DMFC that uses the MEA. アノードの触媒層における燃料の拡散性および生成したCO_2の排出性を向上させることが可能な直接メタノール形燃料電池用膜/電極接合体(DMFC用MEA)およびそのMEAを用いたDMFCを提供する。 - 特許庁