「diffusion layer」を含む例文一覧(5831)
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記録層を３層有する光ディスクを対象とする場合、レーザ光は、液晶レンズが平行駆動状態にあるときに真中の第２の記録層に収束され、収束／拡散駆動状態時には、それぞれ第１および第２の記録層に収束される。 - 特許庁 - A liquefied impurity source 3, composed of a mixture of aluminum, boron, and an organic solvent, is coated on the silicon oxide film 2, and this is heated at temperatures lower than the diffusion temperatures of aluminum, and the organic solvent is evaporated to form a layer containing aluminum and boron.
シリコン酸化膜２の上にアルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源３を塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁 - In a p-type semiconductor layer 101, a heavily doped region 109 in which the concentration of p-type impurities different from right and left n-type diffusion regions 106, 107 becomes extremely large is formed by oblique ion implantation in the center of a channel region 108.
ｐ型の半導体層１０１には、チャネル領域１０８の中央部に、左右のｎ型の拡散領域１０６，１０７とは異なるｐ型の不純物の濃度が極大となる高濃度領域１０９が斜めイオン注入により形成されている。 - 特許庁 - To provide a complex plasma surface reforming process by which the surface hardness is enhanced without deteriorating corrosion resistance of austenitic stainless steel and the wear resistance is improved by making a hardened layer deeper; and a process for successively performing the penetration-diffusion of each of carbon and nitrogen by using plasma.
オーステナト系ステンレス鋼の耐食性を損なわずに表面硬さを高くし、かつ硬化層を深くして耐摩耗性を向上させる複合プラズマ表面改質法および連続的にプラズマにより炭素および窒素の浸透拡散を行う方法の提供。 - 特許庁 - The relation between a pressure drop PLf by the air inflow channel 23p (gas inflow channel) and the cathode off-gas outflow channel 24p (gas outflow channel), and a pressure drop PLd by the cathode-side gas diffusion layer 16 is determined to be (PLd/PLf)×100>9(%).
空気流入流路２３ｐ（ガス流入流路）およびカソードオフガス流出流路２４ｐ（ガス流出流路）の圧力損失ＰＬｆと、カソード側のガス拡散層１６の圧力損失ＰＬｄとの関係を、ＰＬｄ／ＰＬｆ×１００＞９（％）とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a power MOSFET which is capable of forming a body layer without performing a thermal diffusion treatment carried out at a high temperature for a long time, and preventing impurities contained in a gate electrode from diffusing into a semiconductor substrate through a gate insulating film.
高温、長時間の熱拡散処理を行わずにボディ層を形成することができ、ゲート電極中に含まれる不純物がゲート絶縁膜を通して半導体基板中に拡散することを防止できるパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this gas diffusion electrode composed of a catalyst layer composed of carbon powder holding a catalyst and a high molecular electrolyte, a porous material composed of a carbon material and supporting the catalyst layer, and a water repellent material applied to the porous board, the quantity of the water repellent material in the porous material is continuously changed from a side abutted on the catalyst layer toward the other side.
触媒を担持した炭素粉末および高分子電解質からなる触媒層と、炭素材料からなり前記触媒層を支持する多孔質基材と、前記多孔質基材に付与された撥水材とからなるガス拡散電極であって、前記多孔質基材内における前記撥水材の量が、前記触媒層と接する側から他方の側に向かって連続的に変化していることを特徴とする燃料電池用ガス拡散電極。 - 特許庁 - In the method for producing the planographic printing plate having at least a silver halide emulsion layer and a physical developing nucleus layer on the base and applying the silver complex salt diffusion transfer process, physical developing nucleus particles contained in the physical developing nucleus layer are formed substantially in the absence of a water-soluble polymer and the formed physical developing nuclei are aged in the presence of a water-soluble polymer.
本発明は、支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層と物理現像核層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版の製造方法に於いて、前記物理現像核層に含有する物理現像核粒子を水溶性ポリマーが実質的に存在しない条件で粒子生成後、水溶性ポリマーの存在下で該物理現像核を熟成することを特徴とする平版印刷版の製造方法。 - 特許庁 - In the method for producing the planographic printing plate applying a silver complex salt diffusion transfer process and having at least a silver halide emulsion layer and a physical developing nucleus layer in this order on a base, an organic solvent having a high boiling point of ≥100°C and/or a donor-like organic solvent is contained in the physical developing nucleus layer.
支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有し、該物理現像核層がハロゲン化銀乳剤層より上層に配置された銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷に於いて、該物理現像核層中に１００℃以上の高沸点有機溶剤又はドナー性有機溶剤もしくは１００℃以上の高沸点有機溶剤及びドナー性有機溶剤を含有することを特徴とする平版印刷版の製造方法。 - 特許庁 - In the color diffusion transfer photographic sensitive material forming an image by spreading an alkaline processing composition between a photosensitive sheet with at least one silver halide emulsion layer on the base and a transparent cover sheet, a high molecular hardening agent is contained in at least one photographic constitutive layer situated farther from the base than the silver halide emulsion layer closest to the base in the photosensitive sheet.
支持体上に少なくとも１つのハロゲン化銀乳剤層を有する感光シートと透明なカバーシートとの間にアルカリ性処理組成物を展開して画像を形成するカラー拡散転写写真感光材料において、該感光シート中の支持体に対して最も近いハロゲン化銀乳剤層よりも遠くに位置する写真構成層の少なくとも１層中に高分子硬膜剤を含むカラー拡散転写写真感光材料。 - 特許庁 - A projection wall having a second side surface opposed to a first side surface is formed on a semiconductor substrate, a single side contact mask having an opening part selectively opening a part of the first side surface of the wall, is formed, then a first impurity layer and a second impurity layer covering the first impurity layer by diffusing impurities having different diffusion degrees into a first side surface exposed to the opening.
半導体基板に第１の側面に反対される第２の側面を有して突出した壁体）を形成し、壁体の第１の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第１の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第１の不純物層及び該第１の不純物層を覆う第２の不純物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁 - This is the method for starting and stopping the fuel cell equipped with an electrolyte membrane, a membrane electrode assembly including a catalyst layer and a gas diffusion layer from the electrolyte membrane side and having a pair of electrodes installed by pinching the electrolyte membrane, and a compression mechanism.
電解質膜、及び、該電解質膜側から触媒層及びガス拡散層を含み、該電解質膜を挟んで設けられた一対の電極を有する膜電極接合体、並びに、圧縮機構を備える燃料電池の起動及び停止方法であって、該ガス拡散層が該電解質膜よりも剛直性の高いガス拡散層であり、以下の工程を含む燃料電池の起動及び停止方法。 - 特許庁 - It is so arrayed that the ion trapping body included in the gas diffusion layer is either divided into a plural parts or endowed with a plurality of lacking parts and the divided ion trapping bodies or the lacking parts electrically conduct a conductive separator plate with a catalyst layer but block a linear movement of ions between them.
ガス拡散層は、複数のガス拡散用材料の層とイオン捕捉体が積層されて構成され、ガス拡散層に含まれるイオン捕捉体が複数に分割されるか複数の欠如部を有し、分割されたイオン捕捉体または前記欠如部が、導電性セパレータ板と触媒層とを電気的に導通するが両者間の直線的なイオンの移動を阻止するように配列されている。 - 特許庁 - By the manufacturing method, the amount of the metal catalyst contributing to crystallization is adjusted using the filtering oxide film that makes the diffusion of the metal catalyst difficult, so that the crystal grains in the polycrystalline silicon layer become larger in size due to the adjusted metal catalyst, the amount of the metal catalyst remaining in the polycrystalline silicon layer is minimized, and thus the thin film transistor having superior characteristics is provided.
金属触媒の拡散が困難なフィルターリング酸化膜を用いて結晶化に寄与する金属触媒の量を調節し、調節された金属触媒によって多結晶シリコン層の結晶粒の大きさを大きく形成し、多結晶シリコン層に残留する金属触媒の量を最小化して特性が優れた薄膜膜トランジスタを製造できる効果がある。 - 特許庁 - Further as the hydrophilic layer 26 is formed on the surfaces of the grooves 24, a liquid layer is formed by adsorbing condensed working fluid, and the power in collision of diffusion of vapor and return of fluid is reduced, a circulating speed of the working fluid in the heat pipe 20 is increased, the heat transferring performance can be improved, and efficient heat radiation can be secured.
また、前記溝２４の表面に親水層２６を形成し、凝縮した作動流体を吸着して液体層を形成し、蒸気の拡散と流体の戻りとが衝突する力を減少させることで、前記ヒートパイプ２０における作動流体の循環スピードを速くし、また伝熱性能を高めて効率的な放熱を保証するようにすることができる。 - 特許庁 - The semiconductor memory is composed of a transistor TRA for selection (A) and a memory cell MCAM composed of a first electrode 21, a capacitor layer 22 and a second electrode 23 (B), the first electrode 21 is connected, via the transistor TRA for selection, to a bit line BLA and a thermal diffusion layer 25 is formed on or above the memory cell MCAM or under or below the memory cell.
半導体メモリは、（Ａ）選択用トランジスタＴＲ_Aと、（Ｂ）第１の電極２１とキャパシタ層２２と第２の電極２３とから成るメモリセルＭＣ_AMから構成され、第１の電極２１は選択用トランジスタＴＲ_Aを介してビット線ＢＬ_Aに接続され、メモリセルＭＣ_AMの上若しくは上方、あるいは又、メモリセルの下若しくは下方には、熱拡散層２５が形成されている。 - 特許庁 - Electrons as minority carriers formed by having light incident on a division part which is a part between the two N-type semiconductors 103 and 104 of the P-type semiconductor layer 101 are suppressed in diffusion in the depth direction of the P-type semiconductor layer 101 by a P-type semiconductor 107 formed on the division part, and quickly introduced to the N-type semiconductors 103 and 104.
Ｐ型半導体層１０１の２つのＮ型半導体部１０３，１０４の間の部分である分割部に光が入射して形成された少数キャリアとしての電子は、この分割部に形成されたＰ型半導体部１０７によってＰ型半導体層１０１の深さ方向への拡散が抑制されて、迅速にＮ型半導体部１０３，１０４に導かれる。 - 特許庁 - The fuel cell stack provides an expand metal 42a or an expand metal 42b, which is laminated on at least one surface of each membrane-electrode assembly 41, as a plurality of passage formation members for forming passages flowing a reaction gas (hydrogen and air) to be supplied to gas diffusion electrodes (anode side catalyst layer 411ac and cathode side catalyst layer 411 cc).
燃料電池スタックは、各膜電極接合体４１の少なくとも一方の表面にそれぞれ積層され、ガス拡散電極（アノード側触媒層４１１ａｃ、および、カソード側触媒層４１１ｃｃ）に供給すべき反応ガス（水素、および、空気）を流すための流路を構成する複数の流路構成部材として、エキスパンドメタル４２ａ、または、エキスパンドメタル４２ｂを備える。 - 特許庁 - To provide a magnetic detecting element capable of making proper a film structure between a laminate and a bias layer formed on opposite sides of the laminate in a direction of track width to improve coercive force of the bias layer and restrain element diffusion into the laminate from regions on the opposite sides of the laminate to stabilize regeneration characteristics.
特に、積層体と、前記積層体のトラック幅方向の両側に形成されるバイアス層との間の膜構造を適正化して、前記バイアス層の保磁力を向上させるとともに、前記積層体の両側の領域から前記積層体内への元素拡散を抑制して、再生特性の安定化を図ることが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁 - The light condensing diffusion sheet to be disposed between a light guide plate and a liquid crystal display element in a transmission type liquid crystal panel is composed of a transparent substrate and a powder monolayer film applied on the substrate with a binding layer by bedding and fixing a transparent power material in a single layer while the transparent powder material is partly made to protrude.
透過型液晶パネルにおける導光板と液晶表示素子との間に配置される集光性光拡散シートであって、前記集光性光拡散シートは、透明基体と、該透明基体の表面上に結着層を介して透明粉体をその一部が突出する状態で単層に敷き詰め固定した粉体単層皮膜とから構成される集光性光拡散シート。 - 特許庁 - The erosion-resistant member is to be used for a melted material of aluminum magnesium, zinc or alloys of these, and comprises a metal coating film and a metal diffusion layer formed on the surface layer of a steel base, the surface to be in contact with a melted material, by applying a metal coating powder containing nickel and boron as essential components and heat-treating in vacuum.
アルミニウム、マグネシウム、亜鉛又はこれらの合金の溶融体に用いられる耐浸食性部材であって、鉄鋼母材の表層面であって溶融体と接触する面に、ニッケル及びホウ素を必須成分とする金属コーテイング粉末を塗布し、真空加熱処理して金属コーティング膜及び金属拡散層を形成してなることを特徴とする耐浸食性部材を用いる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which segregation of impurity in an offset impurity diffusion layer at LOCOS oxidation is suppressed and good element isolation is made with a LOCOS oxide film and the offset impurity diffused layer, so that superior and stable properties of the semiconductor device formed in an element region is obtained.
本発明は、ＬＯＣＯＳ酸化時におけるオフセット不純物拡散層の不純物の偏析を抑制して、ＬＯＣＯＳ酸化膜及びオフセット不純物拡散層によって良好な素子分離を行い、素子領域に形成する半導体装置の特性を良好かつ安定したものにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To obtain a high performance variable capacitor having a maximum capacity variation ratio against an intended absolute capacity by effectively utilizing a capacity component in the horizontal direction of the variable capacitor to regulate a structure of each diffusion layer composing the variable capacitor, and minimizing an increase in the area of the variable capacitor.
バリキャップの水平方向の容量成分を効果的に活用し、バリキャップを構成する各拡散層の構造を規定化することにより、所望の絶対容量に対して最大の容量変化比を有し、なおかつ、バリキャップの面積の増大を最小限に抑えた高性能なバリキャップを得る。 - 特許庁 - The method has a process for selectively forming the cap film with the Cu diffusion prevention function on metal wiring comprising Cu embedded in a groove of an inter- layer insulation film and a process for forming an insulation film comprising an insulation material which does not contain oxygen at least on the cap film.
また、層間絶縁膜の溝部に埋め込まれたＣｕを含む金属配線上に、Ｃｕ拡散防止機能を有するキャップ膜を選択的に形成する工程と、 少なくとも上記キャップ膜上に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - Specifically, when the diffusion layer of the fuel electrode is formed by applying a compound of carbon black and polytetrafluoroethylene to the surface of a base material comprising a carbon paper, the weight ratio of the polytetrafluoroethylene in the compound and/or the applying amount of the compound are changed in accordance with the flow of the fuel.
具体的には、カーボンペーパ等からなる基材の表面に、カーボンブラック＋ポリテトラフルオロエチレン混合物を塗布して燃料極拡散層とする場合において、混合物中に含まれるポリテトラフルオロエチレンの重量比、及び／又は、混合物の塗布量を燃料の流れに沿って変化させる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method, by which a silicide film having low resistance and a stable electrical characteristic can be formed in self-alighing way, without deteriorating the characteristic of a semiconductor device even on a fine gate electrode containing an impurity at a high concentration and a diffusion layer.
低抵抗かつ安定した電気特性を有するシリサイド膜を、微細で不純物濃度が高いゲート電極及び拡散層上においても、デバイス特性に劣化を生じることなく、自己整合的に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To recover a platinum catalyst, and recover and reutilize an electrolyte membrane in no deformation by using milder ethanol aqueous solution of 25% or less for an organic solvent which is an immersion medium, and by carrying out peeling-off of a diffusion layer and peeling-off of PGM by two stages.
浸漬媒体である有機溶剤に、よりマイルドな２５％以下のエタノール水溶液を用いるとともに、拡散層の剥離とＰＧＭの剥離を２段階で実施することにより、白金触媒を回収しつつ電解質膜を変形のない状態で回収し、再利用を可能にする。 - 特許庁 - The npn bipolar transistor 30 is formed on the surface of the semiconductor substrate 11, and among its base area (P-wel 14b), the p-type diffusion layer 16b is formed on a joint to join with a collector area in such manner that the impurity concentration of the above area is locally elevated.
こうした半導体基板１１の表面に、上記ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ３０を形成し、そのベース領域（Ｐウェル１４ｂ）のうち、コレクタ領域と接合する接合部に同領域の不純物濃度を局所的に高く設定するかたちでＰ型拡散層１６ｂを形成する。 - 特許庁 - According to the method for manufacturing the ink jet head, a channel substrate to which movable plates are formed is formed by a single crystal silicon substrate, and a high concentration p type diffusion layer which becomes the movable plate is formed by heating at a time of bonding an electrode substrate having counter electrodes formed and the channel substrate each other.
本発明のインクジェットヘッド製造方法によれば、可動板が形成される流路基板を単結晶シリコン基板で作製し、対向電極が形成された電極基板と流路基板との接合時の加熱によって可動板となる高濃度ｐ型拡散層を形成する。 - 特許庁 - After a sidewall 604 is formed on both side surfaces of the gate electrode 602, an N-type impurity is applied thereto through ion implantation by using the gate electrode 602 and sidewall 604 as a mask, and the entire substrate is heated so as to form an N-type first impurity diffusion layer 605.
ゲート電極６０２の両側面にサイドウォール６０４を形成した後、ゲート電極６０２及びサイドウォール６０４をマスクとしてＮ型の不純物をイオン注入し、その後、熱処理を行なうことによりＮ型の第１の不純物拡散層６０５を形成する。 - 特許庁 - The fuel cell 1 is equipped with a separator 22B having an oxidation gas flow passage 42 demarcated by a concave gas flow passage wall face 61, an electrode 32B having the diffusion layer 36 neighboring the separator 22B, and a water draining part 68 having a cavity to allow flow of the oxidation gas.
本発明の燃料電池１は、凹状のガス流路壁面６１により画定された酸化ガス流路４２を有するセパレータ２２Ｂと、セパレータ２２Ｂに隣接する拡散層３６を有する電極３２Ｂと、酸化ガスの流動を許容する空隙を有する排水部６８と、を備える。 - 特許庁 - In an integrated circuit, a diffusion barrier layer 18 made of a high density material for protecting a copper structure 40 from oxidation in the presence of oxygen or water being apt to bring about defects such as pin-holes is modified on site by oxidation of a material self-restrictively capable of making a protective oxide.
集積回路内で、酸素または水の存在下で酸化から銅構造４０を保護する高密度材料よりなる拡散バリア層１８は、ピンホールのような欠陥を生じやすいが、自己制限的に保護酸化物を形成できる材料の酸化によってその場修正される。 - 特許庁 - This backlight unit 202 comprises: light sources 302 emitting light; a reflecting sheet 320 arranged below the light sources 302 for reflecting the light emitted from the light sources 302; and the heat diffusion layer 322 formed on one surface of the reflecting sheet 320.
本発明に係るバックライトユニット２０２は、光を放出する光源３０２と、上記光源３０２の下方に配置され、該光源３０２から放出された光を反射する反射シート３２０と、上記反射シート３２０の一表面に形成された熱拡散層３２２と、を含んで構成したものである。 - 特許庁 - The light diffusion layer 14 reduces the intensity of the light passed by the first LCD panel 11 from a backlight light source 13 side, thereby alleviating the periodicity of the arrangement of dark areas and bright areas caused by deviation of a position of a pixel when obliquely viewed to alleviate the moire caused by light interference.
この光拡散層１４により、バックライト光源１３側から第１の液晶表示素子１１を透過した光の明暗を弱めることで、斜めから見た際の画素の位置ずれに起因する暗い部分と明るい部分との周期性を緩和し、干渉によるモアレ現象を緩和する。 - 特許庁 - To provide a gas passage forming member used for a power generation cell capable of suppressing biting of the contact part of a gas passage forming member into a gas diffusion layer and enhancing the power generation efficiency of a fuel cell by optimizing the contact state of the gas passage forming member and a separator.
ガス流路形成部材の接触部がガス拡散層に食い込むのを抑制できるとともに、ガス流路形成部材とセパレータの接触状態を適正化して、燃料電池の発電効率を向上できる発電セルに用いるガス流路形成部材を提供する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device includes a plurality of pixels each having a photoelectric conversion part 101, the charge holding part 102, a floating diffusion 114, and a transfer part including a transfer part 103, and also has a holding part lower separation layer 111 and a pixel separation part 117.
本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部１０１、電荷保持部１０２と、フローティングディフージョン１１４と、転送部１０３を含んで構成される転送部と、を有する画素を複数備え、保持部下分離層１１１と、画素分離層１１７とを有している。 - 特許庁 - The gas diffusion layer is formed by filling a conductive agent in a water-repellent fiber porous substrate and has just one peak in a log differential pore volume distribution graph measured by a method of mercury penetration, and the peak exists within a range of a pore diameter of 0.01-1 μm.
本発明のガス拡散層は、撥水性の繊維多孔質基材に導電剤が充填されたガス拡散層であり、水銀圧入法により測定したＬｏｇ微分細孔容積分布グラフにおいて、ピークを１つだけ有し、そのピークが細孔直径０．０１〜１μｍの範囲に存在する。 - 特許庁 - The wire includes a first base material 2 containing Sn, Nb and Cu, a second base material 3 disposed adjacent to the first base material and containing Nb, and an Nb_3Sn compound layer generated between the first and second base materials by diffusion reaction of Nb with Sn.
ＳｎとＮｂとＣｕを含む第１の基材２と、前記第１の基材に隣接して配置されたＮｂを含む第２の基材３と、ＮｂとＳｎとの拡散反応により前記第１の基材と前記第２の基材との間に生成されたNb_3Sn化合物層とを有する。 - 特許庁 - At least a part of low-permeability layers 50, 52 is disposed between an ion conductive membrane 12 and anode-side and cathode-side gas diffusion media 44, 46, and, here, the low-permeability layer is formed of a material that has less permeability than that of the ion conductive member.
イオン伝導性の膜１２とアノード側およびカソード側の気体拡散媒体４４，４６との間に低透過性の層５０，５２の少なくとも一部が配置され、このとき低透過性の層はイオン伝導性の部材の透過性よりも低い透過性を有する材料で形成される。 - 特許庁 - A resulting spin valve sensor exhibits improvement of temperature stability principally attained through increase of GMR coefficient due to induced mirror face scattering of conduction electrons and protection of a fundamental detection layer against intefacial mixture or oxygen diffusion during annealing process.
その結果生じたスピンバルブ・センサは、導通電子の誘起された鏡面散乱によると思われるＧＭＲ係数の増加、及びアニーリング・プロセス時の界面混合及び酸素拡散からの基礎的な検出層の保護によることを主にして得られる温度安定度の改良を示す。 - 特許庁 - The method of manufacturing a semiconductor device eliminates ion implantation of impurities for channel formation on a field oxide film 30, in the method of ion implantation of impurities for channel formation of conductivity type reverse to that of a well diffusion layer after gate electrode formation.
本発明の半導体装置の製造方法は、ゲート電極形成後にウェル拡散層とは逆導電型のチャネル形成用の不純物をイオン注入する製造方法において、フィールド酸化膜３０にチャネル形成用の不純物をイオン注入しない製造方法である。 - 特許庁 - To provide an insulation substrate which allows effective diffusion of heat generated from a semiconductor element and which can prevent cracks in a solder layer placed against the semiconductor element even when loading a cool and heat cycle, and a power module using the insulation substrate.
半導体素子から発生した熱を効率的に放散させることが可能であるとともに、冷熱サイクルを負荷した場合でも半導体素子との間に介装されたはんだ層におけるクラックの発生を抑制できる絶縁基板及びこの絶縁基板を用いたパワーモジュールを提供する。 - 特許庁 - To provide an acid transcription composition capable of forming an acid transcription composition layer excellent in diffusion controllability of acid generated by exposure, forming polysaccharide polymers accurately and with high density on the substrates, and not damaged on molecules, and to provide a production method of producing biochips, using the composition.
露光により発生された酸の拡散制御性に優れた酸転写用組成物層を形成でき、基板上に多糖類の高分子を高密度かつ正確に形成でき、且つ分子がダメージを受けない酸転写用組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Toner particles forming an image on the intermediate transfer belt 70 receive vibrations from from the toner layer diffusion member 10 to be peeled off a surface of the intermediate transfer belt 70 and dispersed in carrier liquid, so that the secondary transfer defect at the secondary transfer unit 80 can be prevented.
中間転写ベルト７０上で画像を形成するトナー粒子は、このトナー層拡散部材１０からの振動を受け中間転写ベルト７０表面から剥がされ、キャリア液中に分散するような状態となり、二次転写ユニット８０での二次転写不良の発生を防止することができる。 - 特許庁 - The ceramic thin-film capacity 30 and a diffusion layer 4 are connected by a plug having a multilayer structure of metal interconnections 7 and 10, and a via 9 which is formed at the same time as the formation of the multilayer metal interconnections.
多層メタル配線の形成と同時に形成されたビア９とメタル配線７、１０を積層した構造からなるプラグによって、セラミック薄膜容量３０と拡散層４とを接続し、多層メタル配線の形成後であって、セラミック薄膜容量３０の形成前に水素アニールを行う。 - 特許庁 - The peripheral transistor is provided with a lower electrode 17 formed on a second channel region between third and fourth diffusion layer through second gate insulating films 16A and 16B, and upper electrodes 3 and 19 formed on the lower electrode 17 through a second inter-electrode dielectric 18.
周辺トランジスタは、第３及び第４拡散層間の第２チャネル領域上に第２ゲート絶縁膜１６Ａ，１６Ｂを介して形成される下部電極１７と、下部電極１７上に第２電極間絶縁膜１８を介して形成される上部電極３，１９とを有する。 - 特許庁 - Since the supply rate of oxygen is controlled by the presence of the atmosphere diffusion rate controlling layer 38c also in a crack detection mode and the flow of large current into an oxygen ion conductive solid electrolyte 34 is suppressed, the oxygen ion conductive solid electrolyte 34 can be prevented from being deteriorated.
クラック検出モード時にも大気用拡散律速層３８ｃの存在により酸素の供給が律速されて酸素イオン導電性固体電解質３４に大量に電流が流れるのが阻止されるので、酸素イオン導電性固体電解質３４の劣化を防止できる。 - 特許庁 - To realize a fuel cell system with high-efficiency power generation performance stably obtained through dissolution of a gas blending condition formed by air remaining in a fuel gas diffusion layer and hydrogen diffused from a fuel gas flow channel, and through restraint of corrosion of a platinum-supported carbon carrier.
燃料ガス拡散層内に残存している空気と燃料ガス流路から拡散してきた水素により形成されるガス混合状態を解消し、白金担持カーボン担体の腐食を抑制して安定して高効率な発電性能が得られる燃料電池システムを実現する。 - 特許庁 - A gas diffusion layer member has terminal tabs 12 projected from sheet like conductive porous bodies 11 and a resin frame 13 extending in face directions by surrounding the porous bodies 11, and the tabs 12 are exposed to the outer face 13a of the resin frame 13.
シート状の導電性多孔質体１１から突出した端子用タブ１２と、導電性多孔質体１１の周囲を囲んで面方向に延びる樹脂枠１３とが設けられ、この樹脂枠１３の外面１３ａに端子用タブ１２が露出している構造のガス拡散層部材。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a NOx occlusion reduction type catalyst uniformly carrying a catalyst noble metal and a NOx holding substance in the whole thickness of a catalyst carrying layer, having diffusion pores for a cleaning object gas and capable of retaining a NOx holding function after being heated.
触媒担体層の全厚に亘って均等に触媒貴金属およびＮＯｘ保持物質を担持し且つ浄化対象ガスの拡散用細孔を備え、同時に、加熱後にもＮＯｘ保持機能を維持できるＮＯｘ吸蔵還元型触媒を製造する方法を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
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