「diffusion layer」を含む例文一覧(5831)
＜前へ 1 2 .... 104 105 106 107 108 109 110 111 112 .... 116 117 次へ＞- A transfer facilitation region 140 is formed in the lower layer region of a transfer gate 130 while being self-aligned by performing extra ion implantation to the entire region beneath a floating diffusion part 120, a photodiode 110 and the transfer gate 130 constituting an imaging element.
撮像画素を構成するフローティングデフュージョン部１２０、フォトダイオード１１０、転送ゲート部１３０下の全領域に対して追加のイオン注入を行うことにより、自己整合的に転送容易化領域１４０を転送ゲート部１３０の下層領域に形成する。 - 特許庁 - To form a diffusion preventing layer properly on the surface part of semiconductor substrate each corresponding to at least the edge of the CB side of a gate electrode part in a DRAM having the CB of a SAC structure provided between two gate electrode parts.
本発明は、２つのゲート電極部間に設けられるＳＡＣ構造のＣＢを有するＤＲＡＭにおいて、少なくともゲート電極部のＣＢ側のエッヂにそれぞれ対応する半導体基板の表面部に拡散防止層を的確に形成できるようにする。 - 特許庁 - To provide a membrane-electrode assembly 1, which can effectively prevent short-circuit due to piercing of a fibrous material forming a diffusion layer 5 into an electrolyte film 2, and can be manufactured with high productivity.
拡散層５を形成する繊維状物質が電解質膜２に突き刺さって短絡が生じるのを効果的に阻止することのできる膜電極接合体１であって、高い生産性のもとで製造することのできる膜電極接合体を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a ceramic dielectric film 3 on a lower electrode 2 formed of an impurity diffusion layer of a ceramic substrate 1; and forming an upper electrode 4a on the ceramic dielectric film 3.
本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の不純物拡散層からなる下部電極２上にセラミック誘電体膜３を形成する工程と、セラミック誘電体膜３上に上部電極４ａを形成する工程と、を具備する。 - 特許庁 - The invention offers the thermal transfer image receiving sheet 10 which has the base material 11, and a receiving layer 12 formed on the base materal and containing an acetal resin with the specific structure, coloring matter of thermal diffusion property and metal ion content compound which can be chelated.
基材１１と、該基材１１上に形成され、特定の構造を有したアセタール系樹脂と、熱拡散性の色素とキレート化が可能な金属イオン含有化合物とを含む受容層１２とを有する熱転写受像シート１０を提供するものである。 - 特許庁 - To provide a resin composition excellent in thermal conductivity between metals and ceramics, excellent in durability, elongation and moisture resistance of adhesive layer between the metals and the ceramics and free from fear of penetration or diffusion of phosphorus compound, etc., into the ceramics.
金属とセラミックスとの間の熱伝導性に優れることはもちろんのこと、金属とセラミックスとの間の接着剤層の耐久性、伸び性及び耐湿性に優れ、しかもリン化合物等がセラミックス中へ浸透・拡散する虞のない樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - On an Si substrate 1, a Cr-Ta film 2 as a diffusion preventive layer, a lower electrode composed of a Pt film 3, a ferroelectric film 4 composed of PZT and an upper electrode composed of a Pt film 5 are laminated in this order to compose a ferroelectric capacitor 10.
Ｓｉ基板１上に拡散防止層としてＣｒ−Ｔａ膜２と、Ｐｔ膜３からなる下部電極と、ＰＺＴからなる強誘電体膜４と、Ｐｔ膜５からなる上部電極とをこの順に積層して強誘電体キャパシタ１０を構成する。 - 特許庁 - When the focal length of the first lens array 11 or the second lens array 15 is defied as T, a diffusion layer 21 is provided at a position apart with respect to the exit side by T to <2T than the focal positions of the first lens array and the second lens array.
また、第１のレンズ列１１又は第２のレンズ列１５の焦点距離をＴとしたとき、当該第１のレンズ列及び当該第２のレンズ列の焦点位置よりＴ以上２Ｔ未満だけ出射側に離れた位置に拡散層２１を設けている。 - 特許庁 - The emitter region 6 and the collector region are arranged separately in the width direction of the side wall and the depth direction of the semiconductor substrate 1 through the second conductive type impurity diffusion layer 5, and they are arranged in the closest position in width direction of the side wall.
前記エミッタ領域６と前記コレクタ領域とは前記第２導電型の不純物拡散層５を介してサイドウオールの幅方向及び半導体基板１の深さ方向に離間して配置され、かつサイドウオールの幅方向において最近接して配置されている。 - 特許庁 - Holes are bored in the resin base material 8 through chemical processing, and electrodes 5 which are electrically connected to silicon substrates 2 of the respective photovoltaic cell elements 1 and electrodes 6 which are electrically connected to the diffusion layer 4 are formed and arrayed at respective hole positions while spaced from one another.
樹脂基材８に化学的処理により穴開け加工を施し、該穴位置に各光電池セル素子１のシリコン基板２に電気的に導通する電極５と、拡散層４に電気的に導通する電極６を形成して互いに間隔を介して配列する。 - 特許庁 - To solve the problem that when a finer dielectric memory is manufactured, the aspect ratio in the structure for leading out the electric potential of an upper electrode to a diffusion layer becomes large, so that the coverage of the upper electrode is deteriorated and the upper electrode is disconnected upon the heat treatment for crystallizing the dielectric.
誘電体メモリの微細化が進むと、上部電極の電位を拡散層へ引き出す構造におけるアスペクト比が大きくなるため、上部電極のカバレッジが悪化し、誘電体を結晶化させる熱処理時に上部電極が断線してしまう。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit for which wiring or a diffusion layer is formed using a high accuracy mask even while the performance of a high speed circuit part is not lowered or is equivalent and using the low accuracy mask of accuracy lower than that, and to provide a manufacturing method thereof.
高速回路部分の性能は下げないか同等でありながら高精度マスクを用いると共にこれより精度の低い低精度マスクを用いて配線もしくは拡散層を形成した半導体集積回路及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide water repellent paste for gas diffusion layer with an excellent binding capacity, water repellency, proper permeability to a base material, and plane uniformity by not fiberizing fluororesin by a comparatively low shear force, but by fiberizing on a base material when coating by a high shear force.
比較的低い剪断力ではフッ素樹脂は繊維化せずに、高剪断力で塗工するときに基材上で繊維化することによって、結着力、撥水性、基材への適度の浸透性、平面均一性に優れたガス拡散層用撥水ペーストを提供すること。 - 特許庁 - To restrain generation of a moire without damaging display quality, in a direct-view type liquid crystal display device in which a light diffusion layer having a stripe structure extending in either the vertical or horizontal direction is provided on an observer side of a liquid crystal display panel.
垂直方向または水平方向のいずれか一方に延びるストライプ構造を有する光拡散層を液晶表示パネルの観察者側に備えた直視型の液晶表示装置におけるモアレの発生を、表示品位を損なうことなく抑制する。 - 特許庁 - Then, a photoresist film is formed on at least one of the plurality of diffusion layer regions; and while a ground potential is supplied to the back side of the semiconductor substrate, plasma ashing processing is applied to the photoresist film so that the photoresist film can be removed.
次いで、当該複数の拡散層領域のうちの少なくとも１つの拡散層領域上にフォトレジスト膜を形成し、半導体基板の裏面側に接地電位を供給しつつ、プラズマアッシング処理を当該フォトレジスト膜に施すことによってこれを除去する。 - 特許庁 - To provide a practically durable thin film piezoelectric element inexpensively by forming a diffusion preventive layer between a substrate and an electrode material formed thereon thereby forming a piezoelectric thin film having high piezoelectric characteristics on an iron based general purpose substrate.
基板と基板上に形成した電極材料との間に拡散防止層を形成することによって、鉄系の汎用基板上で高い圧電特性を有する圧電薄膜を形成することを実現し、実用に耐えうる薄膜圧電素子を安価に提供する。 - 特許庁 - A barrier film 5 having a copper diffusion preventing function is formed on a metallic wiring layer 4 by activating or electroless plating a catalytic metal and performing cleaning after the metal is activated or electroless-plated.
金属配線層４上に、触媒金属による活性化処理及び無電解メッキ処理により銅拡散防止機能を有するバリア膜５を形成するとともに、活性化処理、無電解メッキ処理の少なくともいずれか一方の後に洗浄処理が行われる。 - 特許庁 - The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.
分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁 - A delay determined by a time constant depending on an output resistance and a diffusion layer capacitance of a MOS transistor(TR) single body connected to each input terminal and being a component of the multi-input logic gate circuit is used for a minimum unit of the variable delay time.
多入力論理ゲート回路を構成するＭＯＳトランジスタであって、各入力端子に接続されるＭＯＳトランジスタ単体の拡散層容量と出力抵抗で決まる時定数による遅延を、可変遅延時間の最小単位として用いる。 - 特許庁 - If an impurity is added to reduce the influence of this interface charge, the impurity absorbs light, the active layer deteriorates for impurity diffusion and consequently the life of the semiconductor light emitting device shortens.
本発明は前記課題を解決するため、発光特性を維持しつつ、互いに組成の異なる二の半導体層が隣接する界面における界面電荷の影響を低減して電気特性を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a diffusion layer for a fuel cell, whereby a lowering of output resulting from contamination of water in the fuel cell is not easily caused, no wiring in a water system becomes complicated, and the fuel cell can be made inexpensive, and to provide its manufacturing method, and the fuel cell.
燃料電池内の水の汚染による出力の低下が起こりにくく、水系統の配管も複雑とならず、燃料電池の低廉化が可能な燃料電池用拡散層、燃料電池用拡散層の製造方法及び燃料電池を提供する。 - 特許庁 - At an end part of a first common gate which included in a second CMOS inverter 20, a first contact part 20c is formed which is electrically connected to a p-type drain diffusion layer 21d of a p-type MOSFET 21p of the second CMOS inverter 20.
第１共有ゲート１０Ｇの第２のＣＭＯＳインバータ２０に含まれる端部には、第２のＣＭＯＳインバータ２０におけるｐ型ＭＯＳＦＥＴ２１ｐのｐ型ドレイン拡散層２１ｄと電気的に接続される第１コンタクト部１０ｃが形成されている。 - 特許庁 - The diffusion layer 12 is divided into a plurality of regions 12a, 12b, 12c, and 12d in an inplane direction for forming the pn junction in respective regions 12a, 12b, 12c, and 12d in the vertical direction.
埋込層１２を複数の領域に分割形成することにより、エピタキシャル層１３や埋込層１２で発生する電子・正孔対の拡散が規制され、例えば、埋込層１２と基板１１間のｐｎ接合にて形成した空乏層端まで達するまでの距離が短くなる。 - 特許庁 - This device comprises a memory cell unit including a memory cell transistor, comprising a layered structure of floating gates (5, 11) and control gates (14), and the selective gate transistor where one side (23) of a source/ drain diffusion layer region is connected to a bit line or a source line and the other side (24) is connected to the memory cell unit.
浮遊ゲート(5,11)と制御ゲート(14)との積層構造を有するメモリセルトランジスタを含むメモリセルユニットと、ソース／ドレイン拡散層領域の一方(23)がビット線またはソース線に接続され、他方(24)がメモリセルユニットに接続された選択ゲートトランジスタとを具備する。 - 特許庁 - In the optical plate including a transparent substrate, provided with a light emission surface and a light-incidence surface formed on the side opposite to the light-emitting surface, a plurality of spot-shaped depressions are formed on the light-incidence surface of the transparent substrate, and a diffusion layer is filled in the plurality of spot-shaped depressions.
光出射面と反対側に形成された光入射面とを具備する透明基板を含む光学板において、前記透明基板の光入射面に複数の点状凹部が形成され、前記複数の点状凹部に拡散層が充填されている。 - 特許庁 - The oxygen-consuming electrode includes a support in the form of a sheet-like structure and a coating including a gas diffusion layer and a catalytically active component, wherein the support is based on a material having a conductivity at 20°C of less than 1,000 S/cm.
シート様構造物状の支持体、並びにガス拡散層および触媒活性成分を含んでなる被膜を含んでなる酸素消費電極であって、支持体が２０℃で１０００Ｓ／ｃｍ未満の導電率を有する材料に基づく酸素消費電極。 - 特許庁 - To provide a membrane electrode assembly, capable of suppressing degradation of power generation efficiency by suppression of soaking of a resin material from an outer edge part to a central part of a gas diffusion layer, when a frame body is formed by resin molding adjacent to the outer edge part of the membrane electrode assembly.
膜電極接合体の外縁部に隣接して枠体を樹脂成形する際に、ガス拡散層の外縁部から中心部への樹脂材料の染み込みを抑えて、発電効率の低下を抑えることができる膜電極接合体を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell which does not improperly affect a transistor characteristic and contact opening and is equipped with a structure capable of keeping excellently a dielectric breakdown strength of a diffusion-layer making electrode and gate electrode even with a process variance.
トランジスタ特性やコンタクト開口性に不都合な影響がなく、かつプロセスばらつきが生じても、拡散層取り出し電極とゲート電極の絶縁耐圧を良好に確保できる構成を備えたＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - Successively, a surface protecting film 7 is formed on the oxidized silicon film 3 including the inside of the opening 4, an opening 8 to the p-type diffusion layer 6 is then formed on the surface protecting film 7 and at the same time, the surface protecting film 7 in the outer periphery of a chip is removed.
続いて開口部４の内部を含む酸化シリコン膜３上に表面保護膜７を形成した後、表面保護膜７にｐ型拡散層６に達する開口部８を形成し、同時にチップの外周部の表面保護膜７を除去する。 - 特許庁 - At this time, the diffusion width of the protective layer forming material is narrowest at the first jet gun tips 44a and successively made large in the order of the first-third interposed jet gun tips 44c, 44d and 44e and the second jet gun tips 44b.
この際、保護層形成材の拡散幅は、第１噴出ガンチップ４４ａで最も狭く、第１介在噴出ガンチップ４４ｃ、第２介在噴出ガンチップ４４ｄ、第３介在噴出ガンチップ４４ｅおよび第２噴出ガンチップ４４ｂの順に大きくなる。 - 特許庁 - Since when the material of the positive injecting layer 15 and the material of luminescent layers 17R, 17G, 17B are applied and left as they are, the two liquid materials are diffused and entangled each other, first diffusion areas 16R, 16G, 16B, the inclined composition areas, can be formed.
正孔注入層１５の材料と発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの材料とを塗布し、放置すると、２液の材料が拡散し絡み合うので、傾斜組成領域である第１の拡散領域１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成することができる。 - 特許庁 - To provide a method for forming a silica film which prevents excessive diffusion of source and drain layers and has a high crack limit, in place of a chemical vapor deposition method which has been so far used when it is desired to provide a flattened film or an insulating film on a wiring layer having a high heat resistance.
これまで高耐熱性配線層上に、平坦化膜又は絶縁膜を設ける際に用いられていた化学蒸着法に代わる、ソース層及びドレイン層の過度の拡散を生じない、かつクラック限界の高いシリカ被膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - A PTFE content in the first region 251 is controlled to 5% by weight of the anode gas diffusion layer 25 and a PTFE content in the second region 252 is to 30% by weight, thus providing the water permeability of the first region 251 more than that of the second region 252.
そして第一領域251中のＰＴＦＥ含有量をアノードガス拡散層25の5ｗｔ％、第二領域252のＰＴＦＥ含有量を30ｗｔ％にそれぞれ調整することによって、第一領域251の水分透過性を第二領域252よりも向上させる。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the gas diffusion layer electrode base material for the polymer electrolyte fuel cell, a paper-shaped body including carbon short fiber is impregnated with carbon precursor resin to harden it, through-holes with different densities and/or pore sizes in the plane direction are opened on it, and later, it is carbonized.
炭素短繊維を含む紙状体に炭素前駆体樹脂を含浸して硬化し、密度及び／又は孔径が面方向に異なる貫通孔を開け、その後に炭素化する高分子電解質型燃料電池用ガス拡散層電極基材の製造方法。 - 特許庁 - A method of manufacturing a solar cell is characterized in that an insulating film is formed on the surface of a silicon substrate, a plurality of holes are formed in the surface of the insulating film by a wet etching and then, a diffusion layer is formed in the surface of the silicon substrate via these holes.
シリコン基板の表面に絶縁膜を形成し、ウェットエッチングにより絶縁膜の表面に複数の穴を形成し、次いで、それらの穴を介してシリコン基板の表面に拡散層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 特許庁 - On the side opposite the electrolyte layer 13 of the positive electrode 12 an aeration structure 15 is provided so as to prevent any foreign matter from straightly reaching the positive electrode 12 directly while the external air is supplied to the positive electrode 12 by natural diffusion through the gap.
正極１２の電解質層１３と反対側には通気構造体１５が設けられており、間隙を介して外気を自然拡散により正極１２供給しつつ、異物が直線的に直接正極１２に達することを防止できるようになっている。 - 特許庁 - When viewed from a lamination direction, an electrolyte-electrode assembly and a separator are joined so that a site B in which the gas diffusion layer 14b is not crushed is coincident with a convex part 20bS of the separator 20, and so that a crushed site A is coincident with a recessed part 20bR of the separator 20.
電解質−電極接合体とセパレータとを、積層方向から見たとき、ガス拡散層１４ｂのつぶれていない部位Ｂがセパレータ２０の凸部２０ｂＳと一致し、つぶれた部位Ａがセパレータ２０の凹部２０ｂＲと一致するように接合する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for forming a high-quality, stable, and low-resistance (high concentration) p-type semiconductor layer, having a sheet resistance of 25 Ω/(square) or lower, by conducting a thermal diffusion of arsenic which is consistent in a silicon wafer or in a lot, using a high purity BBr_3 liquid source.
高純度のBBr_3液体ソースを用い、シリコン基板内やロット内でのバラツキを抑制した硼素の熱拡散を行い高品質且つ安定で、シート抵抗が25Ω/□を下回る低抵抗(高濃度)のp型半導体層を形成する方法および装置を提供する。 - 特許庁 - The first photodetector 4 is aligned to receive light made incident through the light exit opening into the hollow body at both the positions, and the second photodetector 5 is aligned to receive light scattered by the diffusion/scatter layer at both the positions.
第１光検出器４は両位置において光出口開口部を通って中空体の中に入射する光を受信するよう整列され、第２光検出器５は両位置において拡散散乱層による散乱光を受信するよう整列される。 - 特許庁 - In the fuel cell which has a separator 1 in which a reaction gas guide flow passage 4 and a level difference 5 are installed, and in which the gap flow passage 8 is formed between the level difference 5 and the gas diffusion layer 3 in assembling a stack, weir like seals 9 to close the gap flow passage 8 are installed.
反応ガス誘導流路４および段差５を設けたセパレータ１を有し、スタック組立時に段差５とガス拡散層３との間に隙間流路８が形成される燃料電池において、隙間流路８を閉塞する堰状シール９を設ける。 - 特許庁 - An extension part 18a of the gate electrode covers a part of gate insulating film 17b on the second element region 15, and is connected to the n+ diffusion layer 16 on the second element region 15 through an opening 17c provided to the gate insulating film 17b.
ゲート電極の延出部１８ａは、第２の素子領域１５上のゲート絶縁膜１７ｂの一部を被覆しており、ゲート絶縁膜１７ｂに備えられた開口部１７ｃを通じて、第２の素子領域１５上のｎ＋拡散層１６に接続されている。 - 特許庁 - The surface cloth as a diffusion reflection layer is woven in the thickness of 150-200μm, for instance, by the density of about 100 threads/inch by using a thread where titanium oxide, a white pigment or a fluorescent dye are mixed, and surface roughness (SMD) by a KES method is set, for instance, 0.4-0.5 micron.
拡散反射層としての表地は、酸化チタン、白色顔料または蛍光染料を練り込んだ糸を用い、例えば、約１００本／インチの密度で１５０〜２００μｍの厚みに製織したものであり、KES法による表面粗さ(SMD)が例えば０．４〜０．５micronである。 - 特許庁 - The method for making a planographic printing plate is carried out by exposing a photographic material having a silver halide emulsion layer, developing (without including a process of silver complex salt diffusion transfer development), and then treating with a treating liquid containing a pyridine-N-oxide compound having a mercapto group in the molecule.
ハロゲン化銀乳剤層を有する写真材料を露光し、現像処理（銀錯塩拡散転写現像を含まない）後、分子中にメルカプト基を有するピリジン−Ｎ−オキシド化合物を含有する処理液で処理する平版印刷版の作成方法。 - 特許庁 - A barrier layer is formed by flowing the indoor air flow parallel with the air-conditioning air flow between the air-conditioning air flow blown to the local areas and the indoor atmosphere to obstruct the diffusion of the air-conditioning air flow by the indoor atmosphere.
局所に向かって吹出された空調空気流と室内雰囲気との間に，空調空気流と平行な室内空気流を流すことにより，一種のバリア層を形成し，空調空気流が室内雰囲気によって拡散されるのを妨げることができる。 - 特許庁 - The contact holes 36 and 38 are respectively formed into a thin contact hole forming region A and a thick contact hole forming region B, both of which are provided on the lower diffusion layer 24 through dry etching by using a resist 34 as a mask.
レジスト３４をマスクとしてドライエッチングを行い、下部配線層２６上の薄い膜厚のコンタクトホール形成領域Ａにコンタクトホール３６を形成するとともに、下部拡散層２４上の厚い膜厚のコンタクトホール形成領域Ｂにコンタクトホール３８を形成する。 - 特許庁 - In this case, conditions of the film formation of the metal film or the like are changed, and a diffusion layer in which metal or a metal compound included in the metal film or the metal compound film is diffused to the insulating film is formed between the metal film or the metal compound, and the insulating film.
この際、金属膜等の成膜の条件を変化させて、金属膜又は金属化合物膜と、絶縁膜との間に、金属膜又は金属化合物膜に含まれる金属又は金属化合物を、絶縁膜に拡散させた拡散層を形成する。 - 特許庁 - The element isolation region is a deep trench 15, consisting of a forward taper profile 13 and a bowing profile connecting to a lower part, and a boundary surface between the forward taper profile 13, and the bowing profile is arranged in the high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1.
素子分離領域は、順テーパ形状部１３及び下部に繋がるボーイング形状部からなるディープトレンチ１５であり、前記順テーパ形状部と前記ボーイング形状部との境界面は高濃度不純物拡散半導体層１内に配置されている。 - 特許庁 - A p-n joint part between a p-type diffusion layer 2 and an n-type silicon substrate 1 is formed in an element formation area divided by an element isolation area 5 on the surface of a semiconductor substrate 1, and a radiation sensitive area is formed by the p-n joint part.
半導体基板１の表面の素子分離領域５により区画された素子形成領域に、ｐ型拡散層２とｎ型シリコン基板１とのｐｎ接合部が形成されており、このｐｎ接合部により放射線有感領域が構成されている。 - 特許庁 - By performing high-temperature heat treatment of about 1,100°C or above, an n-type impurity solid phase diffusion region 11 is formed by diffusing Si, and the window region 12 is selectively formed in the active layer 4 of the vicinity region of a planned part 14 for forming a laser end surface.
約１１００℃以上の高温熱処理を実施してｎ型不純物固相拡散領域１１をＳｉの拡散により形成し、レーザ端面形成予定部１４近傍領域の活性層４内に選択的に窓領域１２を形成する。 - 特許庁 - A protective film is deposited before high temperature annealing on the surface where a mask and oxide film 3, etc., are removed after impurity ions 5 are implanted in the surface layer, so that a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed form being desorbed from surface due to out-diffusion.
表面層に不純物イオンを注入し、マスク、酸化膜等を除去した表面に、保護膜を堆積して高温アニールをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁
- 特許庁
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