「diffusion layer」を含む例文一覧(5831)
＜前へ 1 2 .... 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 次へ＞- The sheet-like connector is formed of two or more penetration electrical conduction parts, which penetrate and are extended in the thickness direction, in a mutually insulated state; a barrier layer which consists of a diffusion-resistant metal is prepared in the surface of the penetration electrical conduction part which makes contacts oppositely with a metal electrode of an electric equipment which should be connected.
シート状コネクターは、その厚み方向に貫通して伸びる複数の貫通導電部が相互に絶縁された状態で形成され、接続されるべき電気装置の金属電極と対接される貫通導電部の表面に、耐拡散性金属よりなるバリア層が設けられている。 - 特許庁 - To provide a fuel battery in which an approximately linear gas inflow channel and an approximately linear gas outflow channel are formed on the surface of a cathode-side separator to be almost parallel with each other, and a decline in power generation performance, which results from the formation involving an area involving no oxidizer gas flow in a cathode-side gas diffusion layer, is prevented.
カソード側のセパレータの表面に、略直線形状のガス流入流路およびガス流出流路が略平行に形成された燃料電池において、カソード側のガス拡散層に酸化剤ガスが流れない領域が生じることによる発電性能の低下を防止する。 - 特許庁 - To enable the cut-off property of a joint between precast members to be sufficiently secured and enable the precast members to be easily joined and integrated together, when a low-diffusion layer of tunnel-type radioactive waste burial disposal equipment and a cement-based member etc. for the other structures are constructed from the precast members.
トンネル型放射性廃棄物埋設処分設備の低拡散層やその他の構造物のセメント系部材等をプレキャスト部材で構築する場合、プレキャスト部材同士の接合部の止水性を十分に確保でき、プレキャスト部材同士を簡単に接合一体化できるようにする。 - 特許庁 - Prior to joining between a titanium material 1 of a base metal and an aluminum material 2, surface defatting and a blast treatment is done on a joining face of a titanium material side, a thermal spray film layer 3 of aluminum base is formed thereon, further subjected to a fusion diffusion treatment with TIG welding.
母材となるチタン系材料１とアルミニウム系材料２との接合に先立って、チタン系材料１側の接合面１ａに表面脱脂とブラスト処理を施した上、アルミニウム系の溶射皮膜層３を形成するとともに、ＴＩＧ溶接法にて溶融拡散処理を施す。 - 特許庁 - Further, the MO_xN_y metal compound is an extremely efficient oxygen diffusion barrier at 1,000°C, and achieves, in a p-type metal oxide semiconductor (pMOS) device, an extremely aggressive equivalent oxide film thickness (EOT) and an inversion layer thickness of 14 Å or less.
さらに、本発明のＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物は、１０００℃において非常に効率的な酸素拡散障壁であり、ｐ金属酸化物半導体（ｐＭＯＳ）デバイスにおいて、非常に攻撃的な等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および１４Å未満の反転層厚を可能にする。 - 特許庁 - A He ion is irradiated on the whole of a chip and a lifetime killer is introduced from a position d2 shallower than a position d1 of a PN junction surface 31 including the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion region 23 to a position d3 deeper than the position d1 to form a low lifetime region 32 on the whole of the chip.
チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁 - A p^+-type diffusion layer 15 is not formed just under the n^+-type source 17E unlike an n^+-type source region 17 in a region A and a sheet resistor R1 in the n^+-type source region 17E is larger than a sheet resistor R2 in the n^+-type source 17 (R1>R2).
ｎ＋型ソース領域１７Ｅの直下には、領域Ａのｎ＋型ソース領域１７と異なり、ｐ＋型拡散層１５は形成されておらず、ｎ＋型ソース領域１７Ｅのシート抵抗Ｒ１は、ｎ＋型ソース領域１７のシート抵抗Ｒ２よりも大きい（Ｒ１＞Ｒ２）。 - 特許庁 - When an electrostatic surge with a positive polarity based upon a ground terminal GND is applied to an input/output pad I/O, a breakdown current Itrig of an n channel MOS transistor NMOS flows from the input/output pad I/O through a p^+ diffusion layer PD1 and a forward diode of an n-well NW1.
入出力パッドＩ／Ｏに接地端子ＧＮＤに対して正極性の静電サージが印加されると、入出力パッドＩ／ＯからＰ^＋拡散層ＰＤ１−ＮウェルＮＷ１の順方向ダイオードを経由してＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭＯＳのブレークダウン電流Ｉｔｒｉｇが流れる。 - 特許庁 - To improve the suitability of an emulsion layer (gelatin) washing off at washing in the production of an aluminum planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process and to produce an aluminum planographic printing plate excellent in ink receptivity and printing durability while preventing the sticking of a deposit on a roller in a processing apparatus.
銀錯塩拡散転写法を利用したアルミニウム平版印刷版の製版処理において、水洗処理時の乳剤層（ゼラチン）のウォッシュ・オフ性を向上させ、インキ受理性及び耐刷力に優れたアルミニウム平版印刷版の製版方法を提供することにある。 - 特許庁 - The anisotropic diffusion layer 18 consists of convex- or concave-shaped micro lenses 18L with different cross-section curvatures in X and Y directions, with a major diameter direction (the Y direction) of its bottom face elliptical shape arranged vertical to the prism grooves 12a, 12b, and parallel with a linear light source 2 of a backlight unit 4.
異方性拡散層１８は、Ｘ方向とＹ方向とで断面の曲率の異なる凸又は凹形状の微小レンズ１８Ｌの群でなり、その底面楕円形状の長径方向（Ｙ方向）は、プリズム溝１２ａ，１２ｂに垂直で、バックライトユニット４の線状光源２と平行に配列する。 - 特許庁 - The first coat of slurry is applied on a basic layer of carbon 6 and dried to form a first underlayer 7 and the second coat of slurry is applied on the underlayer 7 and dried to form a second underlayer 8 of which surface roughness is 40μm or less at maximum height Rmax, which provides a diffusion electrode 5.
第１のスラリーを炭素基材層６上に塗布、乾燥し、第１の下地層７を形成し、第２のスラリーを下地層７上に塗布、乾燥して、表面粗さの最大高さＲmaxが４０μｍ以下の第２の下地層８を形成し、拡散電極５を形成する。 - 特許庁 - Thus, at the portion lying between the NMOS forming region Rnm and the PMOS forming region Rpm in an oxide film 2 for an element isolation, the N/P-type well diffusion layer 12 is hardly formed, and the CMOS device that has a small element isolation width and a high isolation function is provided.
したがって、素子分離用酸化膜２のうちＮＭＯＳ形成領域ＲnmとＰＭＯＳ形成領域Ｒpmとの間に位置する部分には、Ｎ／Ｐ型ウェル拡散層１２がほとんど形成されず、素子分離幅が小さく分離機能の高いＣＭＯＳデバイスが得られる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor laser device capable of suppressing a diffusion of Au, without making the flatness of the interface between a semiconductor layer and an electrode and capable of acting a low electric power consumption with a high oscillation efficiency, by reducing an internal light scattering and an absorption loss, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser device.
半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The opening part and the groove part on the positive electrode side of the separator are partially disposed in the vertical direction parallel with the gravity; the size of the separator is not smaller than 10 cm square; and the ratio of the ridge width to the groove width of a part where the separator contacts a gas diffusion layer on the positive electrode side is in the range of 1:1 to 1:2.
セパレータの正極側開口部および溝部の一部が重力と平行な上下方向に配されており、セパレータの大きさが１０ｃｍ角以上で、セパレータが正極側のガス拡散層と接している部分の畝幅と溝幅の比を１：１〜１：２の範囲とする。 - 特許庁 - An N type region is formed which is contacted with part of a gate oxide film and a field oxide film formed between source and drain electrodes, and which has an impurity concentration higher than an N type impurity concentration of an SOI substrate until the N type region is brought into contact with an N type diffusion layer contacted with the drain electrode.
ゲート酸化膜の一部及びソース電極とドレイン電極間に構成されたフィールド酸化膜に接触し、ドレイン電極に接するＮ型拡散層に接触するまで、ＳＯＩ基板のＮ型の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有するＮ型の領域を形成する。 - 特許庁 - As compared with the case where the opening area of the first flow passage 13 and the opening area of the second flow passage 15 are equal to each other, the supply of liquid fuel from the first flow passage 13 to the diffusion layer 17 is suppressed, so that the liquid fuel is more easily filled in the first flow passage 13.
この構造によれば、第１の流路１３の開口面積と第２の流路１５の開口面積とが等しい場合に比べて、第１の流路１３から拡散層１７への液体燃料の供給が抑制されて第１の流路１３において液体燃料が充満し易くなる。 - 特許庁 - Crack resistance is improved in the first and the second interlayer insulating films 13 and 14 because of the adhesiveness of the PSG films 13a and 14a, and the thermal diffusion of phosphorus out of the PSG films 13a and 14a into the semiconductor layer 1a is prevented by the NSG films 13b and 14b.
これにより、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａの粘性によって第１，第２層間絶縁膜１３，１４のクラック耐性を向上させるとともに、ＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂによってＰＳＧ膜１３ａ，１４ａ中のリンが半導体層１ａに熱拡散されることを防止する。 - 特許庁 - The optical scanner includes: a glass substrate (10) on which a metallic wire wiring region is etched to a predetermined depth; a metallic wiring formed in the metallic wire wiring region; a diffusion blocking layer (112) so formed as to cover the metallic wire on the glass substrate; and an optical scanner structure connected to the glass substrate (10).
金属配線領域が所定の深さにエッチングされたガラス基板（１０）と、金属配線領域に形成された金属配線と、ガラス基板上で金属配線をカバーするように形成された拡散障壁層（１１２）と、ガラス基板（１０）と結合された光スキャナ構造物と、を備える。 - 特許庁 - The woven fabric or the nonwoven fabric made mainly of a flame resistant yarn or thread is passed through a thermo-compression roll, and after making the surface smooth and thin, a final heat treatment of 800-3,000°C is applied, thereby, the carbon fiber woven fabric or nonwoven fabric for fuel cell gas diffusion layer is manufactured.
炭素繊維用耐炎化糸を主成分とする織布または不織布を熱圧ロールに通過させて、表面を平滑かつ厚みを薄くした後、８００〜３０００℃の最終熱処理をすることからなる燃料電池ガス拡散層用の炭素繊維織布または不織布の製造方法。 - 特許庁 - To provide such a gate insulation film for semiconductor device that has a high dielectric constant and less deterioration and can be made smaller in film thickness, and in which an reactive (diffusion) layer is difficult to be formed between the Si base on a substrate and itself and a stable characteristic with less leak current is given.
誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することが可能であり、基板上のＳｉ下地との間に反応（拡散）層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜を得ることを課題とする。 - 特許庁 - In this case, since luminance distribution of the first display image 105 can be uniformalized by the diffusion layer 4, an image 121 of B in the second display image 110 can be blurred and thus, the occurrence of a duplicated image in the second display image 110 can be suppressed.
この場合、拡散層４により第１の表示像１０５の輝度分布を均一化することができるため、第２の表示像１１０におけるＢの像１２１をぼかすことができ、よって、第２の表示像１１０における２重像の発生を抑制することができる。 - 特許庁 - The p-type contact layer 6 sequentially laminates an optical reflective metal film 7 consisting of Ag having a thickness of 150 nm, a diffusion preventing metal film 8 consisting of W having a thickness of 100 nm, and a cover metal film 9 consisting of Au having a thickness of 150 nm to from a p-type electrode 12.
ｐ型コンタクト層６の上には厚さが１５０ｎｍのＡｇからなる光学反射金属膜７と、厚さが１００ｎｍのＷからなる拡散防止金属膜８と、厚さが１５０ｎｍのＡｕからなるカバー金属膜９とが順次積層されたｐ型電極１２が形成されている。 - 特許庁 - Then, an impurity diffusion step is performed to dispose a heating device 920 such as a laser annealing device, a heat gas annealing device, or a lamp annealing device on the one surface 10s side and heat the semiconductor layer 1a with the temperature on the one surface 10s side being higher than that on the other surface 10t side.
その後、不純物拡散工程において、一方面１０ｓ側にレーザーアニール装置、ヒートガスアニール装置、ランプアニール装置等の加熱装置９２０を配置し、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で半導体層１ａを加熱する。 - 特許庁 - The adjustment of the water retaining performance of the gas diffusion layer 24 is conducted by setting the content of water repellent material per unit area of the channel confronting part 24A so that it is smaller than the content of the water repellent material per unit area of the rib confronting part 24B.
このガス拡散層２４における保水性の調整は、チャネル対向部２４Ａにおける単位面積当たりの撥水性材料の含有量を、リブ対向部２４Ｂにおける単位面積当たりの撥水性材料の含有量より小さく設定することによって行う。 - 特許庁 - The second adhesion part 22 has an inner peripheral end 221 exposed to the hollow part 169, with a sharp adhesion angle α formed between an exposed surface 222 of the inner peripheral end 221 and a second surface 172 of the diffusion resistance layer 17 in a cross section in a lamination direction.
第２接着部２２は、その内周端部２２１を中空部１６９に露出させていると共に、内周端部２２１の露出面２２２と拡散抵抗層１７の第２表面１７２との間に形成される接着角αが積層方向の断面において鋭角である。 - 特許庁 - In this PN-type electron beam detector 100, a PN junction is composed of a P+-type diffusion layer 102 formed on the front face (on the lower side in Figure) of an N--type semiconductor substrate 101, while the rear face of the N--type semiconductor substrate 101 is an incident surface of the electron beam or the reflected electrons.
Ｎ^-型半導体基板１０１の表面（図１中、下側）に形成されたＰ^+型拡散層１０２にてＰＮ型電子線検出器１００のＰＮ接合が構成され、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面が電子線又は反射電子の入射面となる。 - 特許庁 - A distance image pick-up area 120 for reading measuring light emitted to the measured objective body 4, and a usual image pick-up area 130 for reading an image of the measured objective body 4 are formed each other in the respective optimum diffusion layer depths a picture element by a picture element in response to wavelength sensitivity characteristics.
画素ごとに、測定対象物体４に照射した測定光を取り込む距離画像撮像領域１２０と、測定対象物体４の画像を取り込む通常画像撮像領域１３０とを、波長感度特性に応じて、互いに最適な拡散層深さに形成する。 - 特許庁 - In the transmission type screen 40 using a light guide plate 41 provided with end surfaces of a plurality of optical fibers 41b which is planarly arranged, a diffusion layer 42 containing diffusing particles 42a and a polarizing plate 43 are disposed on a surface of the incident side of light of the light guide plate 41.
平板状に配列された複数の光ファイバー４１ｂの端面を備えた導光プレート４１を用いた透過型スクリーン４０において、導光プレート４１の光の入射側の面上に、拡散粒子４２ａを含有する拡散層４２と、偏光層４３とを配置するようにした。 - 特許庁 - To provide a flexible wiring board in which an ingredient of a plating does not penetrate and a plated layer does not disappear by diffusion into wiring, and which is excellent in low warpage, flexibility, adhesion with sealant, solvent resistance and chemical resistance, thermal resistance, electrical property, humidity resistance, workability and economical efficiency.
メッキ成分の浸透が無くかつ配線へメッキ層が拡散して無くなることなく、低反り性、柔軟性、封止材との密着性、耐溶剤性及び耐薬品性、耐熱性、電気特性、耐湿性、作業性及び経済性に優れるフレキシブル配線板を提供する。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor integrated circuit device which can increase the access speed to the memory cell of the memory cell section of a DRAM by reducing the resistance of the bit line or capacity connection of the memory cell section by siliciding the diffusion layer of a logic circuit section in a chip in which the memory cell section and the logic section of a peripheral circuit integrally coexist.
ＤＲＡＭのメモリセル部と、周辺回路のロジック部とを一体化した混載チップで、論理回路部の拡散層を珪化物化して高速化、高集積化しつつ、メモリセル部のビット線接続や容量接続の抵抗を低減して該セルへのアクセスの高速化を可能にする装置を提供する。 - 特許庁 - Since a conventional high-cost metallic porous member to serve as the gas diffusion layer and the current collector is not used and, in place of this, the fluid passage layers 16, 17 which do not require conductivity and the metallic cooling plate (separator) 12 having corrosion resistance are used, low cost and high power generation efficiency are attained.
従来のガス拡散層及び集電体兼用の高価な金属製多孔質部材を用いず、これに代えて導電性が無用の流体流路層１６，１７と耐蝕性を有する金属製冷却板（セパレータ）１２とを用いて、低コスト化と高発電効率化を図った。 - 特許庁 - Also, an incident light to be incident toward the top of the specific texture structure is reflected from a mirror surface 19A of a quadrangular reflection mirror 19 toward a diffusion layer 12 as a light receiving surface, and thus, as an increase in reflection rate of an incident light is suppressed, more amount of incident light increases.
また、特定のテクスチャ構造の頂部に向けて入射される入射光は、四角錐状の反射鏡１９の鏡面１９Ａから受光面である拡散層１２に向けて反射されるため、入射光の反射率の増加が抑制され、その分、入射光量が増大する。 - 特許庁 - A water-repellent material as a fixing material is impregnated into a substrate 44 forming a gas diffusion layer 42, the substrate 44 is brought into contact with the surface on a reaction gas passage 35 (36) side of the separator 20, and the substrate 44 and the separator 20 are integrated with each other by drying them up at an existing state.
ガス拡散層４２を形成する基材４４に固着材として撥水材料を含浸させ、当該基材４４をセパレータ２０の反応ガス流路３５（３６）側の面に接触させ、その状態で乾燥させて該基材４４とセパレータ２０とを一体化させる。 - 特許庁 - A select gate 6 and a floating gate 7 are formed on a silicon substrate 1 through gate oxide films 5 and 4, a drain region 2 is formed on the side of the floating gate 7, a source region 3 is formed on the side of the select gate 6, and a diffusion layer 11 is formed in the silicon substrate 1 located between the gates 6 and 7.
シリコン基板１上に、ゲート酸化膜５，４を介して選択ゲート６，浮遊ゲート７が形成され、浮遊ゲート７の側方にドレイン領域２が、選択ゲート６の側方にソース領域３が、各ゲート６，７間に位置するシリコン基板１内に拡散層１１がそれぞれ形成されている。 - 特許庁 - To provide a BRS laser and a method for manufacturing the BRS laser, in which, an active layer is protected from diffusion of P-type impurities which come from not only a wall face on both sides of a ribbon, namely upper and bottom wall faces of the ribbon, but also a sideward wall face connected to the upper and bottom wall faces.
リボンの両側の壁面、すなわちリボンの上部および底部壁面だけでなく、上部および底部壁面に接続する側方壁面からも来るｐ型不純物の拡散から、活性層がさらに保護されるＢＲＳレーザ、および、ＢＲＳレーザの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a compound magnetic component having higher permeability by forming an interface layer generated by the mutual diffusion of atoms in a boundary between a metallic magnetic particles and a ferrite film to reduce air gaps, and improving chemical unity to facilitate the formation of a magnetic path.
金属磁性粒子とフェライト被膜の境界に、原子の相互拡散による界面層を形成して空隙を少なくし、化学的結合性を向上させて、磁路の形成を容易にすることにより、より高い透磁率の複合磁気部品の製造方法を提供する - 特許庁 - There is provided an oxygen-consuming electrode including a support in the form of a sheet-like structure and a coating which includes a gas diffusion layer and a catalytically active component, wherein the support is based on a material which can be at least partly removed by dissolution, decomposition, melting and/or vaporization.
シート様構造物状の支持体、並びにガス拡散層および触媒活性成分を含んでなる被膜を含んでなる酸素消費電極であって、支持体が溶解、分解、溶融および／または蒸発によって少なくとも部分的に除去できる材料に基づく酸素消費電極。 - 特許庁 - The dielectric layer 11a contains a large number of the dielectric grains G1 having a non-core shell structure using a dielectric as a chief material, and each dielectric grain G1 is formed in a shape surrounded by a plurality of diffusion-phase grains G2 having the non-core shell structure in which one kind or more of metallic elements are diffused to the dielectric.
誘電体層１１ａは、誘電体を主成分とする非コアシェル構造の多数の誘電体グレインＧ１を含み、各誘電体グレインＧ１は、誘電体に１種以上の金属元素が拡散した非コアシェル構造の複数の拡散相グレインＧ２によって囲まれた形態にある。 - 特許庁 - In this bearing 10 formed by joining a bearing member 4 made of a Cu-Pb bearing alloy to a surface of a base material 2, the bearing member 4 is joined to the base material 2 by soldering, and a surface opposite to the base material 2 of the bearing member 4 is provided with a soldering material anti-diffusion layer 8.
基材２の表面に、Ｃｕ−Ｐｂ系軸受合金から成る軸受部材４を接合して成る軸受１０であって、軸受部材４は基材２にろう付接合され、かつ、軸受部材４のうち基材２に対向する面には、ろう材の拡散防止層８が形成されている。 - 特許庁 - By using the LCD driver IC 14 in this configuration, an insulation breakdown voltage can be secured since the resistive element 34 is formed on the diffusion region 43 without being affected by defects even if the defects are generated in the STI separation layer 32 in a manufacturing process.
このような構成のＬＣＤドライバＩＣ１４を用いることにより、製造過程においてＳＴＩ分離層３２に欠陥が生じた場合であっても、欠陥の影響を受けない拡散領域４３上に抵抗素子３４が形成されているので、絶縁耐圧を確保することができる。 - 特許庁 - He ions are directed onto the entire surface of a chip, and a life time killer is introduced from a shallower position d2 than the position d1 of a pn junction surface 31 formed of the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion area 23, to a deeper position d3, thus forming a low life time area 32 on the entire surface of the chip.
チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁 - To preclude an electrolyte membrane 11 from being deformed or damaged by molding pressure of a gasket 4, and to prevent a deviation with respect to a gas diffusion layer 2 caused by expansion/shrinkage of the electrolyte membrane 11, in a fuel battery cell seal provided integrally with the gasket 4 in a membrane electrode assembly 1.
膜電極複合体１にガスケット４が一体的に設けられた燃料電池セルシールにおいて、ガスケット４の成形圧力による電解質膜１１の変形や破損がなく、電解質膜１１の膨張・収縮によるガス拡散層２とのずれを防止する。 - 特許庁 - The structure of the fuel cell gas diffusion layer diffusing reaction gas flowing through a reaction gas passage and supplying it to an electrode is equipped with a filament bundle 123 arranged adjacently on one plane, and a joining means 124 joining the filament bundle 123 arranged adjacently in a plurality of portions.
反応ガス流路を流れる反応ガスを拡散して電極に供給する燃料電池ガス拡散層の構造であって、一平面に隣り合って並べられたフィラメント束１２３と、その隣り合って並べられたフィラメント束１２３を複数箇所で接合する接合手段１２４と、を備える。 - 特許庁 - An anti-glare layer (diffusion means ) 10 is provided in a 1st polarization plate (polarization means) 9 provided on the reflective plate 8 and the liquid crystal element 2 is illuminated through the light outgoing means 6 by diffusing the light reflected to the light outgoing means 6 side by the reflective plate 8.
さらに、反射板８上に設けた第１偏光板（偏光手段）９にアンチグレア層（拡散手段）１０を設けて、反射板８によって光出射手段６側に反射された光を拡散して当該光出射手段６を介して液晶表示素子２を照明する。 - 特許庁 - To provide a high sensitivity thermal negative type planographic printing plate original capable of ensuring both high adhesion of an image recording layer to a support and high stain resistance of a non-image area and capable of efficiently using energy by exposure in image formation, that is, excellent in thermal diffusion inhibiting effect.
画像記録層と支持体との密着性および非画像部の耐汚れ性を高い水準で両立し、かつ、露光によるエネルギーを効率的に画像形成に用いることができ、即ち、熱拡散抑制効果に優れる、高感度のサーマルネガタイプの平版印刷版原版の提供。 - 特許庁 - To provide a method for forming a light diffusion layer which has excellent film property (film uniformity and flexure resistance) and superior light diffusivity.
本発明の目的は、膜物性（膜均一性、屈曲耐性）が良好で、光拡散性に優れた光拡散層の形成方法、特に液晶表示装置等のバックライト用として好適な光拡散フィルムとその製造方法及び光拡散層形成用のインクジェット装置を提供することにある。 - 特許庁 - A gate electrode 15 is formed via a gate oxidized film 14 on a prescribed channel region 13 on a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation oxide film 12, and a source/drain diffusion layer 16 is formed on the both-side substrates, and the gate electrode 15 is coated with dielectric 17.
素子分離酸化膜１２に囲まれた半導体基板１１上における所定のチャネル領域１３上にゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５、その両側の基板上にはソース／ドレイン拡散層１６が形成されゲート電極１５は絶縁膜１７で覆われている。 - 特許庁 - The fuel cell includes a fuel electrode to which fuel is supplied, the air electrode to which an oxidant is supplied, and a polymer solid electrolyte membrane sandwiched between the fuel electrode and the air electrode, and the air electrode has the gas diffusion layer.
また、燃料が供給される燃料極と、酸化剤が供給される空気極と、前記燃料極と前記空気極とに挟まれるようにして設けられた高分子固体電解質膜と、を備え、前記空気極は、上記のガス拡散層を有すること、を特徴とする燃料電池が提供される。 - 特許庁 - The P base layer 2 for each IGBT cell has a flat region 2FR, through a bottom 2BF of which a main trench 6 passes and which has an emitter region 3; and also has first and second side diffusion regions 2SDR1 and 2SDR2 having the flat region 2FR disposed therebetween.
各ＩＧＢＴセルのＰベース層２は、１）主トレンチ６によってその底部２ＢＦが貫通され且つエミッタ領域３を有する平坦領域２ＦＲと、２）平坦領域２ＦＲを挟み込む第１及び第２サイド拡散領域２ＳＤＲ１，２ＳＤＲ２を有している。 - 特許庁 - By adopting this process, bonding of the impurities contained in the atmospheric air to the surface of the semiconductor film is prevented, and contamination (diffusion) of the impurities into the semiconductor layer during the crystallization by light irradiation, which is a fourth step that follows the third step, is also prevented.
本プロセスによれば、大気中等に含まれる不純物が半導体膜表面に結合することを防ぐことができるとともに、上記第３工程に続く第４工程としての光照射による結晶化において、半導体層中に不純物が混入（拡散）することを防げる。 - 特許庁
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