「diffusion layer」を含む例文一覧(5831)

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  • The pressure-sensitive adhesive sheets have at least a pressure-sensitive adhesive layer made by a water-dispersion type acrylic pressure-sensitive adhesive including a water-dispersion type acrylic polymer and an emulsion including a tackifying resin wherein the diffusion of formaldehyde is less than 3 μg/m^3 and that of toluene is less 10 μg/g.
    粘着シート類は、水分散型アクリル系重合体と、粘着付与樹脂を含有するエマルジョンとを含有する水分散型アクリル系粘着剤による粘着剤層を、少なくとも有しており、ホルムアルデヒドの放散量が3μg/m^3未満であり、且つトルエンの放散量が10μg/g以下であることを特徴とする。 - 特許庁
  • A PN junction diode 22 which comprises an N type impurity diffusion region 21 and a P type semiconductor support substrate 11 by which padding formation is carried out after this embedded insulating film 12 has dissociated electrically SOI layer 13 is formed at a portion which is in the P type semiconductor support substrate 11, and touches the embedded insulating film 12.
    P型の半導体支持基板11にあって埋込絶縁膜12に接する部位に、該埋込絶縁膜12によってSOI層13とは電気的に分離された状態で埋め込み形成されるN型の不純物拡散領域21とP型の半導体支持基板11とからなるPN接合ダイオード22を形成した。 - 特許庁
  • To provide a solid high polymer molecule fuel cell, a liquid fuel cell, and an electrode which have high discharging performances at low cost and small amount of covering variations and poor coverings in its manufacturing process, by optimizing a molecular weight, melting viscosity, molecular structure, or the like, of a water repellent material in a gas diffusion layer.
    ガス拡散層における撥水材の分子量や溶融粘度、分子構造などを最適化することによって、製造工程での塗着量バラツキや塗着不良が少なく、低コストで高い放電性能を持つ固体高分子型燃料電池、液体燃料電池および電極を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • To provide a semitransmissive liquid crystal display and a reflective liquid crystal display, which are liquid crystal display devices comprising a light diffusion reflection film provided between a pair of substrates placed opposite to each other and have improved optical characteristics such as contrast ratios caused by improvement of layer thickness uniformity of liquid crystal layers in reflective display regions.
    対向する一対の基板間に光拡散反射膜を備えた液晶表示装置であって、反射表示領域における液晶層の層厚の均一性を向上させることによってコントラスト比等の光学特性を向上させた半透過型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
  • The gas diffusion layer of an electrode for a fuel cell is made of textile fabrics into which a first fiber including a fiber with high stiffness made of a continuous fiber and a second fiber including a fiber with low stiffness are woven, where the fiber with low stiffness is arranged orthogonal to the fiber with high stiffness made of the continuous fiber.
    燃料電池用電極のガス拡散層が、長繊維からなる高剛性繊維を含む第1の繊維束と該長繊維からなる高剛性繊維に鉛直に配置された低剛性繊維を含む第2の繊維束とが織り込まれた織布からなることを特徴とする燃料電池用ガス拡散層。 - 特許庁
  • The fuel cell has a fuel cell stack formed by stacking a plurality of unit cells each having an anode 33 and a cathode 43, and the cathode has a stiffness supporting member 42 and an elastic member (a cathode diffusion layer) 4 on the surface in the direction crossing at right angles to the stacking direction of the unit cells.
    アノード33とカソード43を有する燃料電池セル3を複数積層した燃料電池スタック2を備える燃料電池であって、 前記カソードが、前記燃料電池セルの積層方向と直交する方向の面上に、剛性支持部材42と弾性部材(カソード拡散層)41を有する構成とする。 - 特許庁
  • The liquid crystal display device 100 has: a backlight unit 10; the liquid crystal display panel 20a having an arrangement pattern 22a of pixels (dots) arranged in a matrix shape having rows and columns; and the light diffusion layer 30a disposed on the viewer side of the liquid crystal display panel and having the stripe structure extending in the vertical direction.
    本発明の液晶表示装置100は、バックライトユニット10と、行および列を有するマトリクス状に配列された絵素(ドット)の配列パターン22aを有する液晶表示パネル20aと、液晶表示パネルの観察者側に配置され、垂直方向に延びるストライプ構造を有する光拡散層30aとを有する。 - 特許庁
  • In the boundary region of the memory cell region and the contact region, a dummy word line 12 extending in parallel with the word line 5, a second charge holding film 4b, a second diffusion layer bit line 2b and a second embedded insulating film 3b in contact with the dummy word line 12 and the side face of the second charge holding film 4b are provided.
    メモリセル領域とコンタクト領域の境界領域では、ワード線5と平行に延伸するダミーワード線12と、第2の電荷保持膜4bと、第2の拡散層ビット線2bと、ダミーワード線12及び第2の電荷保持膜4bの側面に接する第2の埋め込み絶縁膜3bとが備えられている。 - 特許庁
  • The ultraviolet light 12 conflicts air bubbles 4 generated by air diffusion to cause irregular reflection 12', and at the same time the air bubbles are retained on the water surface, and the generated air bubble layer prevents radiation of the ultraviolet light from the water surface, which increases irradiation efficiency of the ultraviolet light in a tank S, and performs smooth disinfection/sterilization of the water to be treated, with the ultraviolet light.
    紫外線12は、散気による気泡4に当たって乱反射12’するとともに、気泡を水面に滞留させ、その気泡層によって、紫外線の水面からの放射を防止するため、紫外線の槽S内での照射効率が高く、円滑な被処理水の紫外線による消毒・殺菌が行われる。 - 特許庁
  • Then, an opening 71a for the N+ diffusion layer 62b and an opening 71b for the polycrystalline Si film 66b are simultaneously formed on an SiO2 film 68, and SiN films 72a and 72b that are the capacitance dielectric films of the MIS capacitor 88 and the MIM capacitor 89 are simultaneously formed on the openings 71a and 71b.
    そして、N^+ 拡散層62bに対する開口71aと多結晶Si膜66bに対する開口71bとをSiO_2 膜68に同時に形成し、MIS容量素子88及びMIM容量素子89の夫々の容量誘電膜であるSiN膜72a、72bを開口71a、71b上に同時に形成する。 - 特許庁
  • The method for plating the surface of a recessed space with a metal comprises immersing a workpiece 2 such as a printed wiring board having a recessed space in a plating liquid, and performing the plating while generating an MHD flow 4 by the Lorentz force and a micro-MHD flow 5 at the boundary area 3 of a diffusion layer by applying a magnetic filed 1 with an arbitrary intensity.
    凹部空間を有するべきプリント基板などの被めっき対象物2をめっき液中に浸漬させ、任意の強さの磁場1を印加し、ローレンツ力によりMHD流れ4と拡散層慮域3におけるマイクロMHD流れ5を生じさせてめっきを行う凹部空間内表面に金属をめっきする方法。 - 特許庁
  • On the other hand, when supply of hydrogen to the fuel gas passage 417 is stopped, the seal member 415 and the conductive elastic member 416 are deformed by the pressing force of the pressing mechanism, and the distance between the anode side gas diffusion layer 413a and the separator 42 is reduced to reduce the passage cross-sectional area of the fuel gas passage 417.
    一方、燃料ガス流路417への水素の供給が停止されたときには、押圧機構による押圧力によって、シール部材415、導電性弾性部材416が変形して、アノード側ガス拡散層413aとセパレータ42との間の距離が減少し、燃料ガス流路417の流路断面積が減少する。 - 特許庁
  • A gate oxide film 107 of the lateral high-dielectric-strength MOSFET100 of a 1st conductivity type is formed to such a thickness that an electric field value to the maximum operating voltage between the source and drain is ≤4 MV/cm and a drain diffusion layer 114 is so formed that its impurity total amount is ≥2×10^12/cm^2.
    第1導電型の横型高耐圧MOSFET100のゲート酸化膜107の膜厚を、ソース・ドレイン間の最大動作電圧に対する電界値が4MV/cm以下となる厚さに形成し、前記ドレイン拡散層114をその不純物総量が2×10^12/cm^2以上となるよう形成する - 特許庁
  • Such stray light rays SL1, SL2 are scattered by the diffusion layer 7, therefore, can be prevented from being emitted as it is from the emission side of the polarization conversion device 1 through the prism body 10, and emission light EL emitted from the polarization conversion device 1 can be maintained in the state of a high degree of polarization containing S-polarization only.
    このような迷光SL1,SL2は、拡散層7によって散乱されるので、プリズム体10を経て偏光変換装置1の射出側からそのまま射出されることを回避でき、偏光変換装置1から射出される射出光ELをS偏光だけを含む高い偏光度の状態に維持することができる。 - 特許庁
  • A general peripheral circuit such as a sense amplifier using inner voltage having an absolute value smaller than external supply voltage as a main operating power supply is constituted of a (p) channel and (n) channel MOSFETs having a p+ gate and an n+ gate having the same conductivity type as the diffusion layer of the general peripheral circuit respectively and having comparatively thin oxide films.
    また、外部電源電圧より絶対値の小さな内部電圧を主たる動作電源とするセンスアンプ等の一般周辺回路を、その拡散層と同じ導電型のp^+ ゲート及びn^+ ゲートをそれぞれ有し、かつ比較的薄い酸化膜を有するPチャネル及びNチャネルMOSFETにより構成する。 - 特許庁
  • An optical sheet 3 is constituted by joining a light shielding sheet 14 in which apertures 12 and light shading parts 13 are alternately arranged to a diffusion board 11 via an adhesive layer 15 and further joining a lens sheet 16 constituted of a lens part 18 where array-shaped lenses 18A are arranged on one surface and a lens sheet base material 17 to the light shielding sheet 14.
    光学シート3は、拡散板11に接着層15を介して開口部12と遮光部13を交互に配列した遮光シート14を接合し、さらに遮光シート14には、アレイ状のレンズ18Aが一方の面に配列されたレンズ部18及びレンズシート基材17からなるレンズシート16を接合する。 - 特許庁
  • A carbon layer (22) is offset to depart from a gate electrode (15), relative to the tip of a source/drain extension region (18) of a field effect transistor formed in a semiconductor substrate (11); and is positioned to enclose a source/drain impurity diffusion region, in sectional profile.
    半導体基板(11)に形成される電界効果型トランジスタのソース・ドレインエクステンション領域(18)の先端に対してゲート電極(15)から離れる方向にオフセットし、かつ、断面プロファイルでソース・ドレイン不純物拡散領域を取り囲んで位置する炭素層(22)を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁
  • It is presumed that the magnesium is brought into reaction with nickel oxide in the surface of the nickel powder and is present as multiple oxide, and the multiple oxide of the magnesium oxide and nickel oxide is made dense compared to the surface layer of the nickel oxide only to prevent the diffusion of oxygen into the nickel powder and to suppress the oxidation of the nickel powder.
    本マグネシウムは、ニッケル粉表面で酸化ニッケルと反応し複合酸化物として存在していると推測され、この酸化マグネシウムと酸化ニッケルの複合酸化物は、酸化ニッケル単独の表面層にくらべ緻密になり、酸素のニッケル粉中への拡散を防止し、ニッケル粉の酸化を抑制する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing the mutual diffusion of impurities in a polysilicon layer and reducing the resistance of an n-type polymetallic gate electrode and a p-type polymetallic gate electrode in the semiconductor device having a gate electrode in a polymetallic gate structure and a dural gate structure.
    ポリメタルゲート構造及びデュアルゲート構造のゲート電極を有する半導体装置において、ポリシリコン層中の不純物の相互拡散を防止すると共に、N型ポリメタルゲート電極とP型ポリメタルゲート電極の抵抗を共に低くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an elastic member for electrophotography which has the electrostatic capacity and the electric resistance most suitably controlled by preventing diffusion of isocyanate due to an organic solvent or to heating and by centralizing an isocyanate treatment layer near a surface, and also to provide a manufacturing method thereof, and a process cartridge and an electrophotographic device provided with the elastic member.
    有機溶剤や、加熱によるイソシアネートの拡散を防止し、イソシアネート処理層を表面近傍に集中させ、静電容量や電気抵抗を最適に制御した電子写真用弾性部材、その製造方法、該弾性部材を具備するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することである。 - 特許庁
  • To provide a construction method for enclosing a contaminated soil and/or ground water isolating from the surrounding by constructing an impervious wall at a low cost and efficiently even when an impermeable or aquiclude layer is under the considerable depth whereby preventing the diffusion of the contaminant from the contaminated zone to the neighboring non-contaminated zone.
    不透水性または難透水性の地層が相当な深さに存在する場合でも、低コストで効率よく遮水壁を構築して、汚染土壌および/または汚染地下水を周囲から隔離して封じ込めることができ、これにより汚染区域から周辺の非汚染区域へ汚染物質の拡散を防止する。 - 特許庁
  • Further, it comprises a gate insulating film consisting of the laminated insulating film 2 formed on the silicon substrate 1 for discretely storing the charges, a gate electrode 4, and a pair of diffusion regions 5 for functioning as a source or a drain formed in the surface layer of the substrate 1 such that they seem to hold the gate electrode 4 between them.
    また、シリコン基板1上に形成された離散的に電荷を蓄積する積層絶縁膜2よりなるゲート絶縁膜と、ゲート電極4と、基板1の表面層にゲート電極4を挟持するように形成されたソース又はドレインとして機能する一対の拡散領域5とを有する。 - 特許庁
  • The second concept prevents anti-phase domains from growing due to the growth of a polar material on a non-polar material using an off-cut corner Si substrate, this solving the problem of the diffusion between dissimilar atoms during growing a usual ZnSe layer on the Si substrate.
    第2のコンセプトは、オフカット角Si基板を用いた非極性材料上に極性材料を成長させることに起因する反位相領域が生じないようにすることであり、それによってSi基板上に一般的なZnSe層を成長している間に異種原子間の拡散の問題が解決される。 - 特許庁
  • The Nb_3Sn superconductive wire is fabricated by a bronze process, this is the Nb_3Sn superconductive wire in which an Nb barrier 3 for Sn diffusion prevention is provided around an Nb/bronze 1 and in which a stabilized copper part 4 is provided further in its outer periphery, and a Cu layer 2 is interposed between the Nb/bronze 1 and the Nb barrier 3.
    本発明に係るNb_3Sn超電導線は、ブロンズ法により作製され、Nb/ブロンズ1の周りにSn拡散防止用のNbバリア3を、さらにその外周に安定化銅部4を備えたNb_3Sn超電導線であり、Nb/ブロンズ1とNbバリア3との間にCu層2を介在させたものである。 - 特許庁
  • A sealing main body part 62 inserted between a solid polymer electrolyte film 36 and the first metal separator 14, and a flow channel forming part 64 inserted between the gas diffusion layer 42b and the first metal separator 14, forming a part of an oxidizing gas flow channel 46, are integrally arranged in the sealing member 60.
    このシール部材60は、固体高分子電解質膜36と第1金属セパレータ14との間に挿入されるシール本体部62と、ガス拡散層42bと前記第1金属セパレータ14との間に挿入され、かつ酸化剤ガス流路46の一部を形成する流路形成部64とを一体的に設けている。 - 特許庁
  • If second conductor powder for a wiring pattern layer 6 laminated and formed in a ceramic green sheet 5 is constituted of only a metallic powder particle MP, it rapidly contracts at a baking temperature suitable for ceramic by the diffusion of metallic particles and melting of the particles, thus causing warp or the like.
    セラミックグリーンシート5に積層形成する配線パターン層6用の第二導電体粉末は、金属粉末粒子MPのみから構成されていると、セラミックに適合した焼成温度では、金属粒子間における拡散や粒子の溶融により収縮が急激に進行し、反り等を招くことにつながる。 - 特許庁
  • Upper surface portion and right and left side face portions of the semiconductor region 12 along the end of the gate electrode 15 on the drain region side is covered with a selective insulating film 171 thicker than the gate insulating film 14, and a lightly doped n^--type impurity diffusion layer 172 is formed beneath the selective insulating film 171 (offset structure 17).
    ドレイン領域側のゲート電極15の端部近傍に沿う半導体領域12の上面及び左右側面の部分はゲート絶縁膜14よりも厚い選択的絶縁膜171で覆われ、選択的絶縁膜171下には、低濃度N^−型不純物拡散層172が形成される(オフセット構造17)。 - 特許庁
  • The inspection system is specifically intended and designed for second optical wafer inspection for such defects as metallization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad region defects.
    この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁
  • In addition, the deterioration of a gate insulating film or the retreat of a diffusion layer is suppressed by improving the uniformity of gate resistance by improving the uniformity of characteristics of p- and n-type MOSs by equally controlling silicide reactions of the MOSs and in addition, suppressing the abnormal growth of a gate electrode or the Ni silicide film at the end of the source/drain region.
    また、P−MOSとN−MOSのシリサイド反応を同等に制御することにより特性の均一性を高め、更にゲート電極やソース/ドレイン領域端部のNiシリサイド膜の異常成長を抑制することにより、ゲート抵抗の均一性を高めゲート絶縁膜の劣化や拡散層の後退を抑制する。 - 特許庁
  • Furthermore, this is provided with a gas diffusion electrode layer 5 to generate electricity, by using the cathode gas supplied from the cathode gas flow passage 12, a drainage course to communicate the down stream end 16d neighborhood of the supply gas flow passage 16 and the fuel cell 1 outside, and a porous body 10 arranged so as to block a course cross-section of the drainage course.
    また、カソードガス流路12から供給されたカソードガスを用いて発電を行うガス拡散電極層5と、供給ガス流路16の下流端16d近傍と、燃料電池1外部とを連通する排水経路と、排水経路の経路断面を閉塞するように配置した多孔質体10と、を備える。 - 特許庁
  • The input stage and output stage or the like of a data input-output circuit IO using the external supply voltage as the main operating power supply are configured of (p) channel and (n) channel MOSFETs having the p+ gate and the n+ gate having the same conductivity type as the diffusion layer of the data input-outp'ut circuit IO respectively and the comparatively thick oxide film.
    さらに、外部電源電圧を主たる動作電源とするデータ入出力回路IOの入力段及び出力段等を、その拡散層と同じ導電型のp^+ ゲート及びn^+ ゲートをそれぞれ有し、かつ比較的厚い酸化膜を有するPチャネル及びNチャネルMOSFETにより構成する。 - 特許庁
  • A video display device has a display section having a diffusion layer and a half-mirror stacked, has a means of projecting an image on the display section and detecting movements and states of the user through a sensor, a camera, a microphone, an IC card reader, etc., and has a means of presenting information of video etc., in the display section based upon the detected information.
    拡散層とハーフミラーが重ねられた表示部を有し、その表示部に対しプロジェクタで投射し、センサ,カメラ,マイク,ICカードリーダなどから、ユーザの動作,状態を検出する手段を有し、検出した情報に基づき、映像などの情報を表示部に提示する手段を有する映像表示装置。 - 特許庁
  • The graphite-hexagonal boron nitride composite sintered compact is formed by integrating a graphite sintered compact and a hexagonal boron nitride sintered compact having 1.0-1.9 g/cm^3 density, ≤0.5 mass% oxygen content and ≥5 MPa bending strength with a diffusion layer of the graphite and the hexagonal boron nitride interposed.
    具体的には、黒鉛焼結体と、密度が1.0〜1.9g/cm^3、酸素含有量が0.5質量%以下で、且つ曲げ強度が5Mpa以上を有する六方晶窒化ほう素焼結体とを、該黒鉛及び該六方晶窒化ほう素の拡散層を介在させ、一体化してなる黒鉛—六方晶窒化ほう素複合焼結体である。 - 特許庁
  • To provide a fuel cell stack in which, even if phthalic aster is included in a resin member of a fuel battery cell as a plasticizer, phthalic ester does not deteriorate power generation performance by eluting from the resin member and adhering to a diffusion layer constituting an electrode, and which can suppress deterioration of the power generation performance, and a fuel battery cell.
    燃料電池セルの樹脂部材に可塑剤としてフタル酸エステルを含んでも、フタル酸エステルが樹脂部材から溶出して、電極を構成する拡散層に付着して発電性能を低下させることなく、発電性能の低下を抑制することができる燃料電池積層体及び燃料電池セルを提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of depositing a SiC-based film of low dielectric constant having excellent characteristic as a barrier film or the like for preventing diffusion of metal of a wiring layer into an interlayer dielectric, and also to provide a manufacturing method of semiconductor device using the SiC deposited with the method as a barrier film.
    配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のSiC膜を成膜することができるSiC系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるSiC膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The method for developing a planographic printing plate having physical developing nuclei between an anodically oxidized aluminum support and a silver halide emulsion layer and applying a silver complex salt diffusion transfer process, is characterized in that the plate surface of the planographic printing plate is coated with an amino acid-containing developing solution.
    陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の現像処理方法において、アミノ酸を含有する現像液を前記平版印刷版の版面上に塗布する事を特徴とする平版印刷版の現像処理方法。 - 特許庁
  • Diffusion transmissivity of film substrate used for a metal deposited film which has a metal deposited layer on its inner surface and covers an outer surface of a resin keytop structure which has an external shape of the keytop of the push-button switch excluding its bottom surface, is 5% or more, and total light transmissivity of the film substrate is 50% or more.
    押釦スイッチのキートップの外形形状を有する樹脂製キートップ本体の底面を除く外表面に、金属蒸着層を内面に有する金属蒸着フィルムを被覆したキートップ構造体の金属蒸着フィルムのフィルム基材の拡散透過率が5%以上、かつ全光線透過率が50%以上とした。 - 特許庁
  • To provide an antiglare hard coat film, which has a hard coat layer capable of controlling internal light diffusion and surface irregularities by a simple means, and can effectively reduce glaring and obscure moire in a high-definition image display device provided with a color filter, such as a liquid crystal display device.
    内部の光拡散性と表面の凹凸を簡単な手段で自在に制御し得るハードコート層を有し、特に液晶表示装置などのカラーフィルターを備えた高精細タイプの画像表示装置のぎらつきを効果的に抑えることができ、かつモアレを目立たなくすることが可能な防眩性ハードコートフィルムを提供する。 - 特許庁
  • In synthetic resin shoes 10 where a sole 12 of the shoe made of a synthetic rubber is bonded to the body 11 of the shoe being formed in one piece by a soft synthetic resin containing a large amount of a plasticiser, a resin layer 13 for preventing the diffusion migration of the plasticiser is provided between the body 11 and sole 12 of the shoe for bonding.
    可塑剤が含まれた軟質合成樹脂により一体成形された靴本体部11に合成ゴム製の靴底部12を接着する合成樹脂靴10において、靴本体部11と靴底部12との間に可塑剤の拡散移行を防止する樹脂層13を介装して接着するようにする。 - 特許庁
  • One cell of the fuel cell is comprised of a membrane-electrode assembly (MEA) 20 formed by arranging catalyst electrode layers on both sides of an electrolyte layer of a solid polymer membrane, gas diffusion layers (GDLs) 21, 22, and reaction gas supply separators 23, 24 arranged on the outside of each of the GDLs 21, 22.
    燃料電池の1セルは、固体高分子膜の電解質層の両面に触媒電極層を配置してなる膜・電極接合体(MEA)20と、このMEA20の両面に配置したガス拡散層(GDL)21、22と、各GDL21、22の外側に配置した反応ガス供給セパレータ23、24とから構成される。 - 特許庁
  • To provide a method for forming a conductor structure and the conductor structure, and a method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device, capable of selectively forming a barrier layer on a copper wiring without requiring preprocessings for catalytic effect so as to prevent diffusion of copper from the copper wiring embedded in connection holes and/or wiring grooves of the semiconductor device.
    半導体装置の接続孔や配線溝へ埋め込む銅配線の銅の拡散防止のために、触媒化のための前処理なしで、銅配線上に選択的にバリア層の形成が可能な導体構造の形成方法及び導体構造、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁
  • In the processing method in which a planographic printing plate having at least a silver halide emulsion layer on an anodically oxidized aluminum substrate and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process is subjected to at least development after exposure, a developing solution used contains an alkaline earth metal and glycerol or polyglycerol.
    陽極酸化されたアルミニウム支持体に少なくともハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版を露光後少なくとも現像処理する方法において、該現像液がアルカリ土類金属と、グリセリンまたはポリグリセロールを含有することを特徴とする平版印刷版の現像処理方法。 - 特許庁
  • To provide a fuel cell in which when a gap flow passage to short circuit the manifold inlet and outlet is closed by seals, reaction gas is made hard to flow in the closed gap flow passage, a gap is made hard to occur between the seals and a gas diffusion layer, which is superior in sealing effect, and in which power generation efficiency is effectively improved.
    マニホールド入口と出口とを短絡する隙間流路をシールで閉塞するに際し、閉塞した隙間流路を反応ガスが流れにくく、シールとガス拡散層との間に隙間が発生しにくく、シール効果に優れ、もって発電効率を効果的に向上させる燃料電池を提供する。 - 特許庁
  • The diffusion layer 7 is located in a region defined by a straight line L extending from an intersection point of the boundary line B of the drift region 2 and a base region part 5A of the base region 5 with the side of a trench 15 to the bottom of the drift region 2 immediately beneath the base region part 5A of the base region 5 and the boundary line B.
    拡散層7は、ドリフト領域2およびベース領域5のベース領域部5Aの境界線Bと溝15の側面との交点から、ベース領域5のベース領域部5Aの直下のドリフト領域2の底面に向かって延びる直線Lと、境界線Bとで区画される領域内に形成されている。 - 特許庁
  • In a direct methanol fuel cell 10 having a membrane electrode joint body 18, wherein a fuel electrode 14 and an air electrode 16 is bonded on the both sides of a solid polymer electrolytic membrane 12, a methanol permeability coefficient of a diffusion layer 14b of the fuel electrode 14 side increases as it goes to the downstream side of fuel.
    固体高分子電解質膜12の両面に燃料極14及び空気極16を接合した膜電極接合体18を備えた直接メタノール型燃料電池10において、燃料極14側の拡散層14bのメタノール透過係数を、燃料の下流側に行くほど、大きくする。 - 特許庁
  • To provide an electrode for a fuel cell exerting stable, high performance for a long time by removing an effect of condensed water in a slit of a cathode end plate by humidity control and keeping wetting of a catalyst layer or a gas diffusion layer in a suitable state; to provide a polymer electrolyte fuel cell and a liquid fuel cell using the electrode; and to provide information electronic equipment mounting these fuel cells.
    本発明の目的は、調湿によってカソード端板のスリット内に溜まる結露水の影響を除くと共に、触媒層やガス拡散層の濡れを適した状態に維持することによって、長期間安定して高い性能を発揮する燃料電池用電極、その電極を用いた高分子電解質型燃料電池および液体燃料電池と、それら燃料電池を組み込んだ情報電子機器を提供することにある。 - 特許庁
  • To provide a silicon wafer and a production method thereof capable of effectively inhibiting diffusion of heavy metal from a back face of the silicon wafer to a device active region while keeping a good deflective strength by applying predetermined surface treatment during a subsequent process of a semiconductor device process for forming a device structure to provide a gettering sink layer.
    デバイス構造を形成した半導体デバイスプロセスの後工程において、所定の表面処理を施して、ゲッタリングシンク層を設けることにより、良好な抗折強度を維持しつつ、シリコンウェーハ裏面からデバイス活性領域への重金属の拡散を有効に抑制することができる、シリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
  • The thin film piezoelectric element comprises a lower electrode formed on a substrate, a piezoelectric thin film containing lead formed on the lower electrode and an upper electrode arranged on the piezoelectric thin film wherein a material principally comprising iron is employed in the substrate and one or more diffusion preventive layer is arranged between the lower electrode and the substrate.
    基板上に下部電極を形成し、該下部電極上に鉛を含有する圧電薄膜を形成し、該圧電薄膜の上に更に上部電極を配した薄膜圧電素子において、該基板として鉄を主成分とする材料を用い、かつ該下部電極と基板との間に1層以上の拡散防止層を配することを特徴とする薄膜圧電素子。 - 特許庁
  • In the luminance-uniformiazing sheet 1, a white diffusion layer 12 containing at least one kind of an ultraviolet absorbent from among cyanoacrylate base, oxalic acid anilide base, malonic ester base is formed in a pattern adjusted so as to equalize and emit an incident light having nonuniformized luminance distribution, on at least one surface of a translucent substrate 11.
    透光性基材11の少なくとも片面に、不均一な輝度分布を有する入射光を均斉化して出射できるよう調整されたパターン状に、シアノアクリレート系、蓚酸アニリド系、マロン酸エステル系の内、少なくとも1種の紫外線吸収剤を含む白色拡散層12が形成されていることを特徴とする輝度均斉化シート1である。 - 特許庁
  • The method of manufacturing a solar cell device of semiconductor comprises the steps of: doping a semiconductor wafer before a diffusion process with a group IV element on the periodic table, its compound or a mixture containing any of them from the surface layer becoming the light receiving surface side; and repairing crystal damage by annealing.
    また半導体の太陽電池デバイスの製造方法において、拡散工程前の半導体ウエハに対し、元素周期律表の第IV族元素又はその化合物或いはその何れかを含む混合物を受光面側となる表層からドーピングし、アニーリングにより結晶ダメージを修復することを特徴とする太陽電池デバイスの製造方法の構成とした。 - 特許庁
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