「diffusion-type」を含む例文一覧(1877)

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  • FLOAT TYPE AIR DIFFUSION DEVICE
    浮子型散気装置 - 特許庁
  • FILTER CLOTH TYPE AIR DIFFUSION DEVICE
    濾布型散気装置 - 特許庁
  • MEMBRANE TYPE AIR DIFFUSION DEVICE
    メンブレン式散気装置 - 特許庁
  • MEMBRANE TYPE AIR DIFFUSION APPARATUS
    メンブレン式散気装置 - 特許庁
  • LIGHT DIFFUSION TYPE DISPLAY BODY
    光拡散式表示体 - 特許庁
  • SPRAY TYPE DIFFUSION MIXER
    噴射型拡散混合器 - 特許庁
  • AUTOMATIC DIFFUSION TYPE FIRE EXTINGUISHER
    自動拡散型消火器 - 特許庁
  • LIGHT DIFFUSION TYPE GUIDE LAMP
    光拡散型誘導灯 - 特許庁
  • LIGHT DIFFUSION TYPE DISPLAY DEVICE
    光拡散式表示装置 - 特許庁
  • COATING TYPE DIFFUSION AGENT COMPOSITION
    塗布型拡散剤組成物 - 特許庁
  • FAN TYPE CHEMICAL DIFFUSION EQUIPMENT
    ファン式薬剤拡散装置 - 特許庁
  • ADHESIVE DIFFUSION TYPE REFLECTION PLATE
    粘着拡散型反射板 - 特許庁
  • AROMA DIFFUSION TYPE MANNEQUIN
    芳香放散型マネキン人形 - 特許庁
  • BLOWING TYPE CHEMICAL DIFFUSION APPARATUS
    送風式薬剤放散装置 - 特許庁
  • THERMAL DIFFUSION TYPE LIQUID LEVEL SENSOR
    熱拡散型液面レベルセンサ - 特許庁
  • BLOWING TYPE DRUG DIFFUSION APPARATUS
    送風式薬剤放散装置 - 特許庁
  • DIFFUSION TYPE CHEMICAL AGENT ADDING DEVICE
    拡散式薬剤添加装置 - 特許庁
  • BLAST TYPE CHEMICAL DIFFUSION APPARATUS
    送風式薬剤放散装置 - 特許庁
  • WEARING-TYPE CHEMICAL DIFFUSION APPARATUS
    着用型薬剤拡散装置 - 特許庁
  • DIFFUSION TRANSFER TYPE PHOTOGRAPHIC PRODUCT
    拡散転写型写真製品 - 特許庁
  • HIGH SPEED JET TYPE DIFFUSION COMBUSTION TYPE BURNER
    高速噴流型拡散燃焼式バーナ - 特許庁
  • DIFFUSION SCRUBBER TYPE GAS ANALYZER
    拡散スクラバ式ガス分析装置 - 特許庁
  • DIFFUSION ABSORPTION TYPE REFRIGERATING DEVICE
    拡散吸収式冷凍装置 - 特許庁
  • DIFFUSION PLATE FOR DIRECT TYPE BACKLIGHT
    直下型バックライト用拡散板 - 特許庁
  • IMMERSION TYPE GAS DIFFUSION ELECTRODE
    液浸せき型ガス拡散電極 - 特許庁
  • DIFFUSION FURNACE TYPE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT
    拡散炉半導体製造装置 - 特許庁
  • DIFFUSION SHEET AND TRANSMISSION TYPE SCREEN
    拡散シートおよび透過型スクリーン - 特許庁
  • DIFFUSION TYPE DUST COLLECTION DEVICE OF CLEANER
    掃除機の拡散式集塵装置 - 特許庁
  • A P+ type diffusion layer 105 and an N+ type diffusion layer 107 as a source diffusion layer are formed in the P type diffusion layer 104.
    P型拡散層104内には、P+拡散層105、およびソース拡散層としてのN+拡散層107が形成されている。 - 特許庁
  • GAS CHAMBER INTEGRATED TYPE GAS DIFFUSION ELECTRODE
    ガス室一体型ガス拡散電極 - 特許庁
  • COHESIVE DIFFUSION SEMITRANSMITTING TYPE REFLECTION PLATE
    粘着拡散半透過型反射板 - 特許庁
  • LIGHT DIFFUSION SHEET AND TRANSMISSION TYPE SCREEN
    光拡散シートおよび透過型スクリーン - 特許庁
  • LIGHT DIFFUSION SHEET AND TRANSMISSION TYPE SCREEN
    光拡散シート及び透過型スクリーン - 特許庁
  • An n+-type diffusion layer 16 is formed on the side counterposed to the p-type diffusion layer 14 of the p-type diffusion layer 15.
    p型拡散層15のp型拡散層14に対向する側にはn^+型拡散層16が形成される。 - 特許庁
  • OPTICAL DIFFUSION SHEET AND TRANSMISSION TYPE SCREEN
    光拡散シート及び透過型スクリーン - 特許庁
  • LIGHT DIFFUSION MEMBER AND TRANSLUCENT TYPE SCREEN
    光拡散部材及び透過型スクリーン - 特許庁
  • ANNULAR TYPE SPIRAL DIFFUSION FLAME COMBUSTOR
    アニュラ型渦巻き拡散火炎燃焼器 - 特許庁
  • OPTICAL DIFFUSION LAYER INTEGRATED TYPE LIGHT GUIDE PLATE
    光拡散層一体型導光板 - 特許庁
  • DEEP N-TYPE DIFFUSION FOR TRENCH TYPE IGBT
    トレンチタイプのIGBTのための深度Nタイプの拡散 - 特許庁
  • To expand the range of P-type diffusion condition in a P^+-type embedded diffusion layer.
    P^+型埋め込み拡散層におけるP型拡散条件の範囲を拡大する。 - 特許庁
  • Further, the p^+-type diffusion layer 3p is in contact with the n^+-type diffusion layer 4n.
    また、p^+型拡散層3pがn^+型拡散層4nと接触している。 - 特許庁
  • A P^+-type diffusion layer 7 is formed in the surface of the P^--type diffusion layer 5 adjacently to the N^+-type diffusion layer 6.
    P−型の半導体層5の表面にはN+型の拡散層6に隣接してP+型拡散層7が形成されている。 - 特許庁
  • To arrange p^+ type diffusion layers and n^+ type diffusion layers finely without bringing into contact with each other.
    p^+型拡散層とn^+型拡散層を接触させずに細かく配置する。 - 特許庁
  • An N^+-type diffusion layer 6 is formed in the surface of the P^--type diffusion layer 5.
    P−型の拡散層5の表面にN+型の拡散層6が形成されている。 - 特許庁
  • HIGH-SPEED RESPONSIVE NON-DIFFUSION TYPE HEAT DISSIPATION DEVICE, AND NON-DIFFUSION TYPE HEAT DISSIPATION METHOD FOR THE SAME
    高速応答の非拡散型熱散逸装置及びその非拡散型熱散逸方法 - 特許庁
  • LIGHT DIFFUSION SHEET FOR TRANSMISSION TYPE SCREEN, AND TRANSMISSION TYPE SCREEN
    透過型スクリーン用光拡散シート及び透過型スクリーン - 特許庁
  • An n-type diffusion area 4 and a p-type diffusion area 5 separately from the n-type diffusion area 4 are formed on the surface layer of an n-type semiconductor layer 3.
    n形半導体層3の表面層にn形拡散領域4とこのn形拡散領域4と離してp形拡散領域5を形成する。 - 特許庁
  • N type diffusion layers 7 and 8 are formed on the P type diffusion layer 5, and the N type diffusion layer 8 is used as a drain region.
    P型の拡散層5には、N型の拡散層7、8が形成され、N型の拡散層8はドレイン領域として用いられる。 - 特許庁
  • DIFFUSION COMBUSTION TYPE LOW NOX COMBUSTER
    拡散燃焼方式低NOx燃焼器 - 特許庁
  • Thus, the p-type diffusion layer 11, the n-type collector diffusion layer 14 and the n-type diffusion layer 16 are selectively extracted, and a parasitic npn bipolar transistor 22 consisting of the n-type collector diffusion layer 14, the p-type diffusion layer 11 and the n-type diffusion layer 16 is recognized.
    これにより、マスクレイアウトからP型半導体基板11、N型コレクタ拡散層14及びN型拡散層16が選択的に抽出され、N型コレクタ拡散層14とP型拡散層11とN型拡散層16とからなる寄生NPN型バイポーラトランジスタ22が認識される。 - 特許庁
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