FILTER CLOTH TYPE AIR DIFFUSION DEVICE 濾布型散気装置 - 特許庁
MEMBRANE TYPE AIR DIFFUSION DEVICE メンブレン式散気装置 - 特許庁
MEMBRANE TYPE AIR DIFFUSION APPARATUS メンブレン式散気装置 - 特許庁
LIGHT DIFFUSION TYPE DISPLAY BODY 光拡散式表示体 - 特許庁
SPRAY TYPE DIFFUSION MIXER 噴射型拡散混合器 - 特許庁
AUTOMATIC DIFFUSION TYPE FIRE EXTINGUISHER 自動拡散型消火器 - 特許庁
LIGHT DIFFUSION TYPE GUIDE LAMP 光拡散型誘導灯 - 特許庁
LIGHT DIFFUSION TYPE DISPLAY DEVICE 光拡散式表示装置 - 特許庁
COATING TYPE DIFFUSION AGENT COMPOSITION 塗布型拡散剤組成物 - 特許庁
FAN TYPE CHEMICAL DIFFUSION EQUIPMENT ファン式薬剤拡散装置 - 特許庁
ADHESIVE DIFFUSION TYPE REFLECTION PLATE 粘着拡散型反射板 - 特許庁
AROMA DIFFUSION TYPE MANNEQUIN 芳香放散型マネキン人形 - 特許庁
BLOWING TYPE CHEMICAL DIFFUSION APPARATUS 送風式薬剤放散装置 - 特許庁
THERMAL DIFFUSION TYPE LIQUID LEVEL SENSOR 熱拡散型液面レベルセンサ - 特許庁
BLOWING TYPE DRUG DIFFUSION APPARATUS 送風式薬剤放散装置 - 特許庁
DIFFUSION TYPE CHEMICAL AGENT ADDING DEVICE 拡散式薬剤添加装置 - 特許庁
BLAST TYPE CHEMICAL DIFFUSION APPARATUS 送風式薬剤放散装置 - 特許庁
WEARING-TYPE CHEMICAL DIFFUSION APPARATUS 着用型薬剤拡散装置 - 特許庁
DIFFUSION TRANSFER TYPE PHOTOGRAPHIC PRODUCT 拡散転写型写真製品 - 特許庁
HIGH SPEED JET TYPE DIFFUSION COMBUSTION TYPE BURNER 高速噴流型拡散燃焼式バーナ - 特許庁
DIFFUSION SCRUBBER TYPE GAS ANALYZER 拡散スクラバ式ガス分析装置 - 特許庁
DIFFUSION ABSORPTION TYPE REFRIGERATING DEVICE 拡散吸収式冷凍装置 - 特許庁
DIFFUSION PLATE FOR DIRECT TYPE BACKLIGHT 直下型バックライト用拡散板 - 特許庁
IMMERSION TYPE GAS DIFFUSION ELECTRODE 液浸せき型ガス拡散電極 - 特許庁
DIFFUSION FURNACE TYPE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT 拡散炉半導体製造装置 - 特許庁
DIFFUSION SHEET AND TRANSMISSION TYPE SCREEN 拡散シートおよび透過型スクリーン - 特許庁
DIFFUSION TYPE DUST COLLECTION DEVICE OF CLEANER 掃除機の拡散式集塵装置 - 特許庁
A P+ type diffusion layer 105 and an N+ type diffusion layer 107 as a source diffusion layer are formed in the P type diffusion layer 104. P型拡散層104内には、P+拡散層105、およびソース拡散層としてのN+拡散層107が形成されている。 - 特許庁
GAS CHAMBER INTEGRATED TYPE GAS DIFFUSION ELECTRODE ガス室一体型ガス拡散電極 - 特許庁
COHESIVE DIFFUSION SEMITRANSMITTING TYPE REFLECTION PLATE 粘着拡散半透過型反射板 - 特許庁
LIGHT DIFFUSION SHEET AND TRANSMISSION TYPE SCREEN 光拡散シートおよび透過型スクリーン - 特許庁
LIGHT DIFFUSION SHEET AND TRANSMISSION TYPE SCREEN 光拡散シート及び透過型スクリーン - 特許庁
An n+-type diffusion layer 16 is formed on the side counterposed to the p-type diffusion layer 14 of the p-type diffusion layer 15. p型拡散層15のp型拡散層14に対向する側にはn^+型拡散層16が形成される。 - 特許庁
OPTICAL DIFFUSION SHEET AND TRANSMISSION TYPE SCREEN 光拡散シート及び透過型スクリーン - 特許庁
LIGHT DIFFUSION MEMBER AND TRANSLUCENT TYPE SCREEN 光拡散部材及び透過型スクリーン - 特許庁
ANNULAR TYPE SPIRAL DIFFUSION FLAME COMBUSTOR アニュラ型渦巻き拡散火炎燃焼器 - 特許庁
DEEP N-TYPE DIFFUSION FOR TRENCH TYPE IGBT トレンチタイプのIGBTのための深度Nタイプの拡散 - 特許庁
To expand the range of P-type diffusion condition in a P^+-type embedded diffusion layer. P^+型埋め込み拡散層におけるP型拡散条件の範囲を拡大する。 - 特許庁
Further, the p^+-type diffusion layer 3p is in contact with the n^+-type diffusion layer 4n. また、p^+型拡散層3pがn^+型拡散層4nと接触している。 - 特許庁
A P^+-type diffusion layer 7 is formed in the surface of the P^--type diffusion layer 5 adjacently to the N^+-type diffusion layer 6. P−型の半導体層5の表面にはN+型の拡散層6に隣接してP+型拡散層7が形成されている。 - 特許庁
To arrange p^+ type diffusion layers and n^+ type diffusion layers finely without bringing into contact with each other. p^+型拡散層とn^+型拡散層を接触させずに細かく配置する。 - 特許庁
An N^+-type diffusion layer 6 is formed in the surface of the P^--type diffusion layer 5. P−型の拡散層5の表面にN+型の拡散層6が形成されている。 - 特許庁
HIGH-SPEED RESPONSIVE NON-DIFFUSION TYPE HEAT DISSIPATION DEVICE, AND NON-DIFFUSION TYPE HEAT DISSIPATION METHOD FOR THE SAME 高速応答の非拡散型熱散逸装置及びその非拡散型熱散逸方法 - 特許庁
LIGHT DIFFUSION SHEET FOR TRANSMISSION TYPE SCREEN, AND TRANSMISSION TYPE SCREEN 透過型スクリーン用光拡散シート及び透過型スクリーン - 特許庁
An n-type diffusion area 4 and a p-type diffusion area 5 separately from the n-type diffusion area 4 are formed on the surface layer of an n-type semiconductor layer 3. n形半導体層3の表面層にn形拡散領域4とこのn形拡散領域4と離してp形拡散領域5を形成する。 - 特許庁
N type diffusion layers 7 and 8 are formed on the P type diffusion layer 5, and the N type diffusion layer 8 is used as a drain region. P型の拡散層5には、N型の拡散層7、8が形成され、N型の拡散層8はドレイン領域として用いられる。 - 特許庁
DIFFUSION COMBUSTION TYPE LOW NOX COMBUSTER 拡散燃焼方式低NOx燃焼器 - 特許庁
Thus, the p-type diffusion layer 11, the n-type collector diffusion layer 14 and the n-type diffusion layer 16 are selectively extracted, and a parasitic npn bipolar transistor 22 consisting of the n-type collector diffusion layer 14, the p-type diffusion layer 11 and the n-type diffusion layer 16 is recognized. これにより、マスクレイアウトからP型半導体基板11、N型コレクタ拡散層14及びN型拡散層16が選択的に抽出され、N型コレクタ拡散層14とP型拡散層11とN型拡散層16とからなる寄生NPN型バイポーラトランジスタ22が認識される。 - 特許庁