「diffusion-type」を含む例文一覧(1877)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 37 38 次へ＞- P^+-Type impurities (such as boron B) are ion-implanted, and a p^+-type buried diffusion layer is formed on an n^+-type buried diffusion layer.
Ｐ^＋型不純物（例えばボロンＢ）をイオン注入し、Ｎ^＋型埋め込み拡散層上にＰ^＋型埋め込み拡散層を形成する。 - 特許庁 - A vertical-type diffusion furnace is used as a diffusion furnace, and vapor-phase diffusion is performed while the semiconductor substrate is heated at 1,150°C or higher.
拡散炉には縦型拡散炉を用い、気相拡散は半導体基板を１１５０℃以上の温度として行う。 - 特許庁 - Then, an N-type epitaxial growth layer 15 is formed on the surface of the P-type substrate, and a P-type diffusion layer 16 is diffused and formed on the P-type first embedded diffusion layer and the P-type second embedded diffusion layer.
次に、Ｐ型基板の表面上にＮ型エピタキシャル成長層１５を形成し、Ｐ型第一埋込み拡散層とＰ型第二埋込み拡散層との上にＰ型拡散層１６を拡散形成する。 - 特許庁 - Clearance (first distance 11) between a P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 10 is set shorter than the clearance (second distance 12) between the P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 9.
さらに、Ｐ型分離拡散層３０と高濃度Ｎ型拡散層１０との離間距離（第１の距離１１）をＰ型分離拡散層３０と高濃度Ｎ型拡散層９との離間距離（第２の距離１２）に比べて短くする。 - 特許庁 - There are included the first diffusion layer of the same conductive type as a semiconductor substrate, and the second diffusion layer of a conductive type opposite to the semiconductor substrate and diffusion depth shallower than that of the first diffusion layer.
半導体基板と同一導電型の第1の拡散層と、半導体基板と反対導電型であり第１の拡散層より拡散深さの浅い第２の拡散層とを有する。 - 特許庁 - The drain of the transistor 19 has a double diffusion construction which is composed of a first P-type drain diffusion layer 5d and a second P-type drain diffusion layer 11d.
トランジスタ１９のドレインは第１Ｐ型ドレイン拡散層５ｄと第２Ｐ型ドレイン拡散層１１ｄからなる二重拡散構造を備えている。 - 特許庁 - To provide a charge coupled device type having a floating diffusion type amplifier.
浮動拡散型増幅器を有する電荷結合素子型イメージセンサを提供する。 - 特許庁 - A collector 3 made of an N-type diffusion layer, a base 5 made of a P-type diffusion layer, and an emitter 7 made of an N-type diffusion layer are formed in a P-type semiconductor layer 1, to form a bipolar transistor.
Ｐ型半導体層１に、Ｎ型拡散層からなるコレクタ３、Ｐ型拡散層からなるベース５、Ｎ電型拡散層からなるエミッタ７が形成されてバイポーラトランジスタが形成されている。 - 特許庁 - COLD/COOL/WARM HEAT DIFFUSION PREVENTIVE BELLOWS-SHAPED TUNNEL TYPE BLOWER
冷涼暖熱拡散防止蛇腹状トンネル式送風器具 - 特許庁 - The isolation region 1 is formed by connecting P type buried diffusion layers 8, 9 with a P type diffusion layer 10.
分離領域１は、Ｐ型の埋込拡散層８、９及びＰ型の拡散層１０が連結し、形成されている。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING DIFFUSION TYPE OPTICAL WAVEGUIDE STRUCTURE ONTO SUBSTRATE
拡散型光導波路構造を基板に製作する方法 - 特許庁 - The thickness of the n-type diffusion layer 11 is 30 to 45 μm.
Ｎ型拡散層１１の厚みは３０〜４５μｍである。 - 特許庁 - COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL
ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 - 特許庁 - REFLECTION TYPE DIFFUSION MIRROR AND LIGHTING OPTICAL DEVICE FOR EUV
反射型拡散ミラー及びＥＵＶ用照明光学装置 - 特許庁 - RAW MATERIAL GAS DIFFUSION SUPPRESSION-TYPE APPARATUS FOR PRODUCING CARBON NANOSTRUCTURE
原料ガス拡散抑制型カーボンナノ構造物製造装置 - 特許庁 - An N-type diffusion layer 7 is formed as a drain region so that it faces the N-type diffusion layer 6.
そして、Ｎ型の拡散層６と対向するように、ドレイン領域としてのＮ型の拡散層７が形成されている。 - 特許庁 - HOLOGRAM DIFFUSION PLATE USED FOR REFLECTION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
反射型液晶表示装置に用いるホログラム拡散板 - 特許庁 - SPECTRUM DIFFUSION TYPE RADAR DEVICE, AND PSEUDO NOISE CODE GENERATOR
スペクトラム拡散型レーダ装置及び擬似雑音符号生成器 - 特許庁 - HIGHLY LIGHT-FAST DYE DIFFUSION-TYPE HEAT TRANSFER RECEPTIVE SHEET
耐光性の優れた染料拡散型熱転写受容シート - 特許庁 - A voltage holding region 60 of an IGBT 10 includes an n-type reverse portion diffusion region 62, an n-type intermediate portion diffusion region 64, a p-type intermediate portion diffusion region 66, and a top portion diffusion region 68.
ＩＧＢＴ１０の電圧保持領域６０は、ｎ型の裏面部拡散領域６２とｎ型中間部拡散領域６４とｐ型中間部拡散領域６６と表面部拡散領域６８を有している。 - 特許庁 - A p-type diffusion layer is locally formed between an n-type source/drain diffusion layers of an NMOS transistor having a conventional type drain structure.
コンベンショナル型のドレイン構造を持つＮＭＯＳトランジスタのＮ型ソース・ドレイン拡散層の間に局所的にＰ型拡散層を形成する。 - 特許庁 - The p-type back gate region 1 comprises a p-type diffusion region 1a which is relatively shallow and a p-type diffusion region 1b which is relatively deep.
ｐ型バックゲート領域１は、比較的浅いｐ型拡散領域１ａと比較的深いｐ型拡散領域１ｂとを有している。 - 特許庁 - In this semiconductor device, a P-type diffusion layer 14 and an N-type diffusion layer 10 as a drain lead region are formed on an N-type diffusion layer 9 as a drain region.
本発明の半導体装置では、ドレイン領域としてのＮ型の拡散層９にＰ型の拡散層１４及びドレイン導出領域としてのＮ型の拡散層１０が形成される。 - 特許庁 - A p-type buried diffusion layer 6 is formed on the substrate 3, and an n-type buried diffusion layer 10 is formed on a p-type buried diffusion layer 7 in the substrate 3 and the epitaxial layer 4.
基板３にはＰ型の埋込拡散層６が形成され、基板３とエピタキシャル層４には、Ｎ型の埋込拡散層１０がＰ型の埋込拡散層７上に形成されている。 - 特許庁 - Then a third N^+ type diffusion layer 14 is made to grow by diffusion from the surface side of an N type epitaxial growth layer 13, and is joined to the second N^+ type embedded diffusion layer 12.
この後、Ｎ型エピタキシャル成長層１３の表面側から第３のＮ^＋型拡散層１４を拡散成長させて、第２のＮ^＋型埋め込み拡散層１２と接合する。 - 特許庁 - A control part 33 of a P-type diffusion layer which controls a signal read voltage and an isolation part 32 of the P-type diffusion layer which is used for layer isolation are formed on the side parts of the N-type diffusion layer 4.
このｎ型拡散層４の側方に、信号読み出し電圧を制御するｐ型拡散層の制御部３３と、層分離用のｐ型拡散層の分離部３２を形成する。 - 特許庁 - In addition, an n-type diffusion layer 107 is formed, such that it runs out from the bottom of the n-type diffusion layer 106 of the pixels of Red to underneath the n-type diffusion layer 104 for the pixels of Blue.
また、Ｒｅｄの画素のｎ型拡散層１０６の底部からＢｌｕｅの画素のｎ型拡散層１０４の下に延びるようにｎ型拡散層１０７が形成されている。 - 特許庁 - This semiconductor device for protection against static electricity contains a P type well 11 containing a P type impurity diffusion layer 90, and an N type impurity diffusion layer 20, and an N type well 13 which is formed in the P type well 11, and contains a P type impurity diffusion layer 30 and an N type impurity diffusion layer 40.
本発明の静電気保護用半導体装置は、Ｐ型不純物拡散層９０およびＮ型不純物拡散層２０を含むＰ型ウエル１１と、Ｐ型ウエル１１に形成され、Ｐ型不純物拡散層３０およびＮ型不純物拡散層４０を含むＮ型ウエル１３とを含む。 - 特許庁 - In addition, an n^+-type extension diffusion layer 13 is formed within the high-concentration halogen diffusion layer 15.
また、高濃度ハロ拡散層１５内に、ｎ＋型エクステンション拡散層１３が形成されている。 - 特許庁 - In this case, the first diffusion layer 12 has conductive type opposite to that of the second diffusion layer 13.
ここで、第１拡散層１２と第２拡散層１３は、反対の導電型を有している。 - 特許庁 - An N-type diffusion layer 5 and a P-type diffusion layer 7 are formed in the N-type well 3 having a space between each other away from the P-type semiconductor substrate 1.
Ｐ型半導体基板１とは間隔をもってＮ型ウエル３に互いに間隔をもってＮ型拡散層５及びＰ型拡散層７が形成されている。 - 特許庁 - To enlarge the range of P type diffuse conditions in a P^+ type buried diffusion layer.
Ｐ＋型埋め込み拡散層におけるＰ型拡散条件の範囲を拡大する。 - 特許庁 - To provide a transmission type projection screen of a surface diffusion type having high contrast.
コントラストの高い表面拡散タイプの透過型プロジェクションスクリーンを提供すること。 - 特許庁 - A plurality of p-type diffusion layers 3 are formed on the surface layer of an n^--type epitaxial layer 2.
ｎ^-型エピ層２の表層部に複数のｐ型拡散層３を形成する。 - 特許庁 - An N^+ type diffusion layer 3 is formed by injecting N-type impurities to the surface of a silicon board 1, a P^+ type diffusion layer 4 is formed by injecting P-type impurities, and the P^+ type diffusion layer 4 is melted by irradiation with laser beams.
シリコン基板１の表面にＮ型不純物を注入してＮ^＋型拡散層３を形成し、Ｐ型不純物を注入してＰ^＋型拡散層４を形成し、レーザ光を照射してＰ^＋型拡散層４を溶融させる。 - 特許庁 - LIGHT DIFFUSION SHEET, ITS MANUFACTURING METHOD, AND TRANSMISSION-TYPE SCREEN
光拡散シート及びその製造方法並びに透過型スクリーン - 特許庁 - SEWAGE TREATMENT METHOD BY INTERMITTENT AIR DIFFUSION USING MEMBRANE TYPE AIR DIFFUSING TUBE
メンブラン型散気管を用いた間欠散気による汚水処理法 - 特許庁 - A diffusion layer of memory cell and the selective gate transistor is n-type.
メモリセル及び選択ゲートトランジスタの拡散層は、ｎ型である。 - 特許庁 - LIGHT DIFFUSION PLATE FOR DIRECT TYPE BACKLIGHT MODULE, AND ITS MANUFACTURING METHOD
直下式バックライトモジュール用光拡散板及びその製法 - 特許庁 - The openings 22 and 26 are formed above a P type diffusion layer 16 and an N type diffusion layer 18, respectively.
開口２２および開口２６は、それぞれＰ型拡散層１６およびＮ型拡散層１８の上部に形成されている。 - 特許庁 - COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL
ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法、並びに太陽電池 - 特許庁 - The p-type diffusion layer 5 is formed to have an impurity concentration peak at a deeper part than the n-type diffusion layers 7, 8.
Ｐ型の拡散層５は、Ｎ型の拡散層７、８よりも深部に不純物濃度ピークを有するように形成されている。 - 特許庁 - The p^+-type diffusion layer 3p forms the source/drain of an MIS transistor, and the n^+-type diffusion layer 4n forms a tap TP1.
ｐ^＋型拡散層３ｐはＭＩＳトランジスタのソース／ドレインを構成し、ｎ^＋型拡散層４ｎはタップＴＰ１を構成する。 - 特許庁 - LIGHT DIFFUSION FILM AND DIRECT TYPE SURFACE LIGHT SOURCE USING THE SAME
光拡散フィルムおよびそれを用いた直下型面光源 - 特許庁 - LIGHT DIFFUSION PLATE, BACKLIGHT, AND TRANSMISSION TYPE IMAGE DISPLAY DEVICE
光拡散板及びバックライト並びに透過型画像表示装置 - 特許庁 - An n-type buried diffusion layer 9 is formed on a p-type buried diffusion layer 6 in the substrate 3 and the epitaxial layer 4.
基板３とエピタキシャル層４には、Ｎ型の埋込拡散層９がＰ型の埋込拡散層６上に形成されている。 - 特許庁 - The input and output sides of the buffer circuit 11 are connected to the n-type diffusion layer 2 and the p-type diffusion layer 3, respectively.
バッファ回路１１の入力側がｎ型拡散層２に接続され、出力側がｐ型拡散層３に接続されている。 - 特許庁 - An N type diffusion layer 8 used as a drain region is formed to surround the P type diffusion layer 5.
ドレイン領域として用いられるＮ型の拡散層８が、Ｐ型の拡散層５の周囲を囲むように形成されている。 - 特許庁 - MANUFACTURE OF GAS DIFFUSION ELECTRODE FOR PHOSPHORIC ACID TYPE FUEL CELL
リン酸形燃料電池用ガス拡散電極の製造方法 - 特許庁 - LIGHT DIFFUSION TYPE EPOXY RESIN SHEET AND CONTINUOUS MANUFACTURE THEREOF
光拡散型エポキシ系樹脂シート及びその連続製造法 - 特許庁
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