「diffusion-type」を含む例文一覧(1877)

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  • First and second gate electrodes 106 and 107 are formed on a semiconductor substrate 100, having first and second regions 102 and 103 defined thereon, impurities of a second conduction type are implanted into a surface layer part of the second region with the use of the second gate electrode as a mask for activation treatment and for forming a first impurity diffusion region 108.
    第１及び第２領域１０２，１０３が画定される半導体基板１００に第１のゲート電極１０６と第２のゲート電極１０７とを形成し、第２のゲート電極をマスクとして第２領域表層部に第２導電型不純物を注入し活性化処理を行い、第１の不純物拡散領域１０８を形成する。 - 特許庁
  • Vertical cell transfer transistors Tr1, Tr2 and Tr3 having a channel region consisting of a single crystal silicon layer 18 formed by epitaxial growth, a source-drain region consisting of n-type diffusion regions 14 and 23 formed in upper and lower parts of the single crystal silicon layer 18 and an embedded gate electrode consisting of work line 21 are formed.
    エピタキシャル成長により形成された単結晶シリコン層１８からなるチャネル領域と、単結晶シリコン層１８の上部と下部に形成されたｎ型拡散領域１４、２３からなるソース・ドレイン領域と、ワード線２１からなる埋め込み型のゲート電極とを有する縦型セルトランスファトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３が形成される。 - 特許庁
  • In the solid high polymer type fuel cell equipped with a film-electrode zygote 10 which electrodes are joined to both sides of a solid high polymer electrolyte film 20, at least a cathode 30 is made into a two-layer structure of a catalyst layer 34 and a diffusion layer 32, and a gaseous phase side surface of an electrolyte 40 in the catalyst layer is covered with water repellant layer 42 which has oxygen permeability.
    固体高分子電解質膜２０の両面に電極が接合された膜電極接合体１０を備えた固体高分子型燃料電池において、少なくともカソード３０を触媒層３４と拡散層３２の二層構造とし、酸素透過性を有する撥水層４２で触媒層内電解質４０の気相側表面を被覆する。 - 特許庁
  • The nonvolatile memory cell comprises a gate electrode formed on a semiconductor layer through a gate insulation film, a channel region arranged under the gate electrode, a diffusion region arranged at both sides of the channel region and having a channel region and a reverse conduction type, and a memory function object having a function holding electric charges formed at the both sides of the gate electrode.
    不揮発性メモリセルは、半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、チャネル領域の両側に配置され、チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、ゲート電極の両側に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなる。 - 特許庁
  • Positive active materials contained in the lithium ion secondary battery 100 are positive active materials comprising compounds expressed by the same compositional expression (for example, LiFePO_4), and for carrying out two phase coexistence type charge and discharge, and are the positive active materials (the first positive active material 153b and the second positive active material 153c) of two kinds or more different in lithium ion diffusion coefficients.
    リチウムイオン二次電池１００に含まれる正極活物質は、同一の組成式（例えば、ＬｉＦｅＰＯ_4）で表される化合物からなり、２相共存型の充放電を行う正極活物質であって、リチウムイオン拡散係数が異なる２種以上の正極活物質（第１正極活物質１５３ｂ及び第２正極活物質１５３ｃ）である。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.
    金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.
    ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁
  • A semiconductor device 10 comprises a first semiconductor region 28 of gallium nitride (GaN) doped with magnesium which is a p-type impurity, a second semiconductor region 34 of gallium nitride, and an impurity diffusion suppression film 32 which is interposed between the first semiconductor region 28 and the second semiconductor region 34 and made of silicon oxide (SiO_2).
    本発明の半導体装置１０は、ｐ型の不純物であるマグネシウムを含む窒化ガリウム（GaN）の第１半導体領域２８と、窒化ガリウムの第２半導体領域３４と、第１半導体領域２８と第２半導体領域３４の間に介在している酸化シリコン（SiO_2）の不純物拡散抑制膜３２を備えていることを特徴としている。 - 特許庁
  • To provide a gallium nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method by which the influence on a transition active layer caused from distortion can be reduce, diffusion of magnesium as a P-type impurity Mg into the active layer by means of transition to be reduced, and the light emission efficiency and reliability be improved.
    窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、歪にて生じた転位の活性層への影響の低減及び転位を介したＰ型不純物のＭｇ（マグネシウム）の活性層への拡散の低減し、発光効率及び信頼性を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Since the accelerator is a folding type tandem accelerator, a 180° analysis electromagnet is arranged at a high voltage terminal part, and a slit having an energy analysis and diffusion restricting slit function is installed at the entrance part of the acceleration tube on high energy side, and once again the beam is accelerated by the accelerator having a single hole lens effect, and by focusing, an MeV region high energy ion nano beam is formed.
    加速器が、折り返し型タンデム加速器であるため、高電圧ターミナル部に１８０°分析電磁石を置き、高エネルギー側の加速管の入口部にエネルギー分析及び発散制限スリット機能を有するスリットを設置し、再度、単孔レンズ効果を有する加速管によりビームを加速するとともに、集束を行い、ＭｅＶ領域高エネルギーイオンナノビームを形成する。 - 特許庁
  • A conductive film of a barrier nature (referred to as barrier type conductive film, hereafter) preventing the diffusion of copper is provided between thin-film transistors (represented as TFTs, hereafter), so as to form the wiring containing copper without diffusing copper to the semiconductor layer of the TFT.
    本発明では、半導体装置に用いる配線として、配線抵抗の低抵抗化を実現する銅を含む配線を微細化して用いるとともに、銅の拡散を防ぐバリア性の導電膜（以下、バリア性導電膜）を薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと表記する）との間に設けることによりＴＦＴの半導体層に銅が拡散することなく銅を含む配線を形成することを特徴とする。 - 特許庁
  • The MOS transistor 100, 100a, 100b formed on a semiconductor substrate 90, and having a drain region 20 and a backgate region 40 comprising different conductive type diffusion layers 21, 22, 41 and 42 is characterized in that the drain region 20 and the backgate region 40 are arranged adjacent to each other, and have a region with a PN-junction formed on the adjacent surface.
    半導体基板９０に形成され、異なる導電型の拡散層２１、２２、４１、４２からなるドレイン領域２０とバックゲート領域４０とを有するＭＯＳトランジスタ１００，１００ａ、１００ｂであって、 前記ドレイン領域２０と前記バックゲート領域４０とが隣接して配置され、隣接面にＰＮ接合が形成された領域を有することを特徴とする。 - 特許庁
  • A structure composed by diffusion-bonding a thin metal sheet 102 having an annular pattern 201 and a bridge part 202 onto a metal fiber sheet 101 composed by forming a metal fiber into a sheet-like shape is employed for this electrode 103 for a fuel cell used for a flat stack type fuel cell having a structure where a basic unit cells are flatly arranged and connected in series to one another.
    基本単位セルが平面的に並べられて直列接続された構造を有する平面スタック型の燃料電池に利用される燃料電池用電極１０３として、金属繊維を板状に成形した金属繊維シート１０１上に環状パターン２０１とブリッジ部２０２を備えた薄板金属１０２を拡散接合させた構造を採用する。 - 特許庁
  • To surely hold a managing function for ID regardless of the size of area or distance between a reader (receiver) and a budge (transmitter) by solving a problem that security management in a wide area is not sufficient in an RFID system and individual management is disabled within a narrow portion on a diffusion type infrared card on the other hand, and respectively utilizing the merit of the both.
    ＲＦＩＤシステムでは、広大なエリヤにおけるセキュリティ管理が不十分であり一方拡散式赤外線カードでは狭隘な部位における個別毎の管理が出来ない点を解消し、両者の利点を各々利用し、エリヤの大小に関わらず、又、リーダー（受信機）とバッジ（送信機）との間の距離の大小に関わらず、確実にＩＤの管理機能が保持され得るようにする。 - 特許庁
  • To provide a thin-film transistor at a low cost which can restrain diffusion of impurities from a glass substrate to a semiconductor layer, and improve transistor characteristics, in particular the threshold voltage characteristic, a manufacturing method of the thin-film transistor, a transmission type liquid crystal display device capable of improving transmittance, and a manufacturing method of the liquid crystal display device.
    ガラス基板から半導体層への不純物の拡散を抑制し、トランジスタ特性、特にしきい値電圧特性を改善できる低コストの薄膜トランジスタ及びこの薄膜トランジスタの製造方法を提供すること、及び、透過率を向上することが可能な透過型の液晶表示装置及びこの液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • The light condensing diffusion sheet to be disposed between a light guide plate and a liquid crystal display element in a transmission type liquid crystal panel is composed of a transparent substrate and a powder monolayer film applied on the substrate with a binding layer by bedding and fixing a transparent power material in a single layer while the transparent powder material is partly made to protrude.
    透過型液晶パネルにおける導光板と液晶表示素子との間に配置される集光性光拡散シートであって、前記集光性光拡散シートは、透明基体と、該透明基体の表面上に結着層を介して透明粉体をその一部が突出する状態で単層に敷き詰め固定した粉体単層皮膜とから構成される集光性光拡散シート。 - 特許庁
  • The diffusion absorber 22 which dims the laser light, a laser output detector 23 which detects the dimmed laser light, and a chamber type incident light quantity-limiting means 31 for limiting the reception quantity of the laser light incident on the laser output detector 23 are provided to improve measurement precision of the laser output detector 23, thereby performing the control over the laser output which is stable.
    レーザ光を減光される拡散吸収体２２と、減光されたレーザ光を検出するレーザ出力検出器２３と、レーザ出力検出器２３に入射するレーザ光の受光量を制限するチャンバー型の入射光量制限手段３１設けることにより、レーザ出力検出器２３の測定精度を向上し、安定したレーザ出力の制御を行うことが出来る。 - 特許庁
  • In this fuzzy neural network, a functional relation capable of duplexing a simultaneous reaction diffusion equation is defined, and the state variables of plural cells are processed in a language format by duplexing the simultaneous equation, and the kinetics of a vibration type is applied by two sets of fuzzy rules to be imposed on each cell, and the two dynamic processes are provided with different kinematical characteristics simultaneously.
    このファジーニューラルネットワークは、連立反応拡散方程式を二重化することができる関数的な関係を定義し、その連立方程式の二重化は、複数セルの状態変数を言語形式で処理し、振動タイプの動態を各セルに負わせる２組のファジー規則により与えられ、２つの動的なプロセスは、同時に異なる運動学的特性を有する。 - 特許庁
  • In the display device, in which display is carried out by the unpolarized image light and the touch panel 11 having the polarizing plate 14 is used, deterioration in luminance of the touch panel 11 due to the polarizing plate 14 can be prevented while reducing reflection of the outside light when a reflection type polarizing plate 35 and a diffusion layer 36 are arranged between the display 32 and the touch panel 11.
    非偏光の映像光によって表示を行なう表示装置において、偏光板１４を備えるタッチパネル１１を用いたときに、ディスプレイ３２とタッチパネル１１との間に反射型偏光板３５と拡散層３６とを設けることによって、外光の映り込みの低減を実現しながら、しかもタッチパネル１１の偏光板１４による輝度低下を低減する。 - 特許庁
  • This rear projection type display device is structured so that an angle between a reflection mirror 4 and a diffusion screen 5 approaches to be in parallel as a cabinet 6 for housing an optical system is being decreased in the depth, and allowed to be easily made thinner by only pushing the display in the direction of making the front frame 61 approach to the rear frame 62 and reducing the depth of the device.
    光学系を収容するキャビネット６の奥行を小さくするのにともなって、反射ミラー４と拡散スクリーン５とのなす角度が平行に近づくように変位する構成とし、表示装置外側から前面フレーム６１と背面フレーム６２とを近づける方向に押し込むだけで、容易に表示装置の奥行を短くして薄型化することが可能となる。 - 特許庁
  • The display element is mounted in a transmission-type display having a light source, and the display element includes: a cell having the liquid lens inside, transmits incident light from a light source and emits the light; an absorber which is formed, at a position at which the liquid lens focuses the incident light and absorbs the light; and a diffusion part which diffuses the light emitted from the cell.
    本発明の表示素子は、光源を有する透過型の表示装置に備えられる表示素子であって、内部に液体レンズを有し、光源からの入射光を透過させて出射するセルと、液体レンズが入射光を焦点させる位置に形成され、光を吸収する吸収体と、セルから出射する光を拡散させる拡散部とを備えている。 - 特許庁
  • Since incident ion charges escape through the first and second P-type diffusion layers 7 and 11 at dry etching for the formation of the metal wirings, charge up will not take place on the first and second gate electrodes 4 and 6 or the characteristics will not become unbalanced by charge up and thereby no difference appears in the characteristics between transistors.
    上記構成をとることにより金属配線を形成する時のドライエッチングを行っても、入射イオン電荷が第一のＰ型拡散層７および第二のＰ型拡散層１１を通じて逃れるので第一のゲート電極４と第二のゲート電極６がチャージアップしない、あるいはチャージアップしてもアンバランスが生じないためトランジスタ間の特性に差が発生しない。 - 特許庁
  • The method of manufacturing a resistance change type element X like this includes: a step of forming a laminate structure including electrodes 1 and 2, an oxide layer 3, and a non-oxidizer layer 4; and an oxidizing step of making a portion of oxygen in the oxide layer 3 reach the electrode 2 through thermal diffusion to partially oxidize an end surface of the electrode 2 on the side of the oxide layer 3.
    このような抵抗変化型素子Ｘの製造方法は、電極１，２、酸化物層３、および非酸化性物質層４を含む積層構造を形成する工程と、酸化物層３内の酸素の一部を熱拡散によって電極２に至らしめて当該電極２における酸化物層３側の端面を部分的に酸化させる酸化工程とを含む。 - 特許庁
  • The solid-state imaging device comprises: a multilayer wiring layer 73; a semiconductor layer 64 that is provided on the multilayer wiring layer 73 and has a penetration trench; a first conductive layer 69 embedded inside the penetration trench; a first insulation film 32 formed on the periphery of the first conductive layer 69; and a first impurity diffusion layer 36 of a first conductive type formed on the periphery of the first insulation film 32.
    固体撮像装置は、多層配線層７３と、前記多層配線層上に設けられ、貫通トレンチを有する半導体層６４と、前記貫通トレンチ内部に埋め込まれた第１導電層６９と、前記第１導電層の周囲に形成された第１絶縁膜３２と、前記第１絶縁膜の周囲に形成された第１導電型の第１不純物拡散層３６とを備える。 - 特許庁
  • To provide an annular type spiral diffusion flame combustor substantially free from the backfire and the oscillating combustion, reducing the generation of NOx and CO, unifying a temperature in the circumferential direction, keeping low NOx and combustion efficiency regardless of the increase and decrease of load, achieving high combustion load by a single combustor, even when the combustor is enlarged, and reducing the substantial combustion load.
    逆火や振動燃焼が本質的に発生せず、ＮＯｘとＣＯの発生量を低減でき、温度を周方向に均一化でき、負荷を増減させても低ＮＯｘ性及び燃焼効率を保持でき、燃焼器サイズを大きくしても単一の燃焼器で高い燃焼負荷率を得ることができ、実質的な燃焼負荷率を低減することができるアニュラ型渦巻き拡散火炎燃焼器を提供する。 - 特許庁
  • A reverse-surface electrode type photoelectric conversion element which is provided with a semiconductor laser and an electrode for collecting carries only on the reverse surface side of a semiconductor substrate is provided with a semiconductor thin film including elements given the same or different conductivity from the semiconductor substrate and the elements are diffused to form a diffusion layer on the top surface of the semiconductor substrate.
    半導体基板の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層及び電極を設けた裏面電極型の光電変換素子において、半導体基板の受光面側に半導体基板よりもバンドギャップが大きく、かつ、半導体基板と同一の又は異なる導電性を付与する元素を含む半導体薄膜を設け、この元素の拡散により半導体基板の表面に拡散層を形成する。 - 特許庁
  • In the color filter for the reflective color liquid crystal display device comprising juxtaposed color filters transmitting light in wavelength bands of at least two or more colors, the color filter 10 is provided with the directional diffusion plate 2 diffracting the white illumination light into the transmission direction different from the linear direction and juxtaposed absorption type filters 3 with at least two or more colors arranged thereon, successively arranged on a transparent substrate 1.
    少なくとも２色以上の波長帯域の光を透過するカラーフィルターが並列されている反射型カラー液晶表示装置用カラーフィルターにおいて、カラーフィルター１０は、透明基板１の上に順に設けられた、白色照明光を直進方向とは異なる透過方向へ回折する指向性拡散板２と、その上に設けられた少なくとも２色以上の並列されている吸収型フィルター３とを有する。 - 特許庁
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