「diffusion-type」を含む例文一覧(1877)
＜前へ 1 2 .... 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 次へ＞- The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.
この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁 - After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7.
ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。 - 特許庁 - To provide an epitaxial wafer for compound semiconductor element provided with a nearly ideal n-type InGaAs non-alloy layer not resulting in any influence on the characteristics of transistors, by solving the problems of surface flatness, diffusion into the lower layers and memory effect resulting from an n-type dopant on the InGaAs non-alloy layer of the uppermost layer.
最上層のＩｎＧａＡｓノンアロイ層へのｎ型ドーパントが及ぼす表面の平坦性、下層への拡散、及びメモリー効果といった課題を解決して、トランジスタの特性に影響が無い、理想に近いｎ型のＩｎＧａＡｓノンアロイ層を具備する化合物半導体素子用エピタキシャルウェハを提供すること。 - 特許庁 - This cigarette filter is characterized by collision-removing relatively large particle-like substances with a U tube type HEPA filter 1, diffusion-removing with a circular single plate HEPA filter 3 continuously layered with untreated fine particles, and forming a mild good taste with fine activated carbon 2 filled in the U tube type HEPA filter 1.
Ｕチューブ形ＨＥＰＡフィルター１で比較的大きな粒子状物質を衝突除去し、未処理の微細粒子を連層した円形単板ＨＥＰＡフィルター３で、拡散除去するとともに、Ｕチューブ形ＨＥＰＡフィルター１に充填した微粉活性炭２で、まろやかで旨味のある構造としたたばこフィルター。 - 特許庁 - The entire side panel of opposite conductivity type resistance diffusion layer 107a provided on the surface of one conductivity type single crystal silicon layer 104 of an SOI substrate 101 are making direct contact with a dielectrically isolating region wherein an embedding insulating film 115 is filled up in a trench 113a reaching an embedding insulating layer 103.
ＳＯＩ基板１０１の一導電型の単結晶シリコン層１０４の表面に設けられた逆導電型の抵抗拡散層１０７ａの側面の全面は、埋め込み絶縁層１０３に達する溝１１３ａに埋め込み絶縁膜１１５が充填してなる誘電体分離領域に、直接に接触している。 - 特許庁 - A diffusion layer of a second conductivity type different from the first conductivity type is provided in the semiconductor layer below the first channel region, contacts the bottom of the first channel region in a substantially perpendicular to the surface of the semiconductor layer, and forms a P-N junction with the bottom of the first channel region.
第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の拡散層が、第１のチャネル領域のさらに下の半導体層に設けられ、半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に第１のチャネル領域の底部と接し、該第１のチャネル領域の底部とＰＮ接合を形成する。 - 特許庁 - The manufacturing method of a solar battery cell includes: a process in which the aqueous phosphoric acid solution is jetted against the surface of a semiconductor substrate; and a process in which the semiconductor substrate on which the aqueous phosphoric acid solution is jetted is heated so that n-type impurities are diffused in the semiconductor substrate to form an n-type impurity diffusion layer.
半導体基板の表面にリン酸水溶液を噴霧する工程と、リン酸水溶液が噴霧された半導体基板を加熱することにより半導体基板にｎ型不純物を拡散させてｎ型不純物拡散層を形成する工程とを含む太陽電池セルの製造方法である。 - 特許庁 - The backlight unit illuminating the light-receiving type display device, such as a liquid crystal display device has single-prism type light guide plate and single-luminance increasing film, and an emission angle adjusting diffusion sheet for raising the emission angle of emission light from the light guide plate is provided between the light guide plate and the luminance increasing film.
本発明の液晶表示装置等の受光型表示装置を照明するバックライトユニットは、１枚のプリズム型導光板と１枚の輝度上昇フィルム１枚とを有し、該導光板と該輝度上昇フィルムの間に導光板からの出射光の出射角を立たせるための出射角調整拡散シートを設けた。 - 特許庁 - To provide a reflection type liquid crystal cell substrate which is thin, light in weight, excellent in mechanical strength, gas barrier properties, heat resistance and light diffusion properties and has low changing ratio of the degree of yellowing since the substrate is hardly yellowed and to provide a liquid crystal display device using the reflection type liquid crystal cell substrate.
本発明は、薄型、軽量であり、機械強度やガスバリア性に優れ、黄変しにくいため黄色度変化率が低く、耐熱性に優れ、光拡散性に優れた反射型液晶セル基板および上記反射型液晶セル基板を用いた液晶表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a solid polymer type fuel cell which has a simple and low-cost structure not including a separator and gas diffusion material, and a solid polymer type fuel cell manufactured at low cost and having excellent thermal resistance without using sulfonic acid group containing fluorine-based resin film which is expensive and has inferior thermal resistance as proton conductive polymer.
セパレータおよびガス拡散材を有さない、構造が簡素で安価な固体高分子型燃料電池、および、プロトン伝導性高分子膜として、高価かつ耐熱性が劣るスルホン酸基含有フッ素系樹脂膜を用いない、安価かつ耐熱性が優れた固体高分子型燃料電池を提供すること。 - 特許庁 - The pressure-sensitive adhesive sheets have at least a pressure-sensitive adhesive layer made by a water-dispersion type acrylic pressure-sensitive adhesive including a water-dispersion type acrylic polymer and an emulsion including a tackifying resin wherein the diffusion of formaldehyde is less than 3 μg/m^3 and that of toluene is less 10 μg/g.
粘着シート類は、水分散型アクリル系重合体と、粘着付与樹脂を含有するエマルジョンとを含有する水分散型アクリル系粘着剤による粘着剤層を、少なくとも有しており、ホルムアルデヒドの放散量が３μｇ／ｍ^3未満であり、且つトルエンの放散量が１０μｇ／ｇ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - Since an impurity concentration profile in the thickness direction of the N type and P type impurity diffusion layers 32, 33 thus formed is formed in a way suitable for the generation and movement of carriers, the semiconductor device 30 provided with the light receiving element unit A with a high response speed and excellent light receiving sensitivity is obtained.
このようにして形成されるＮ型およびＰ型不純物拡散層３２，３３の厚み方向における不純物濃度プロファイルは、キャリアの発生と移動とに好適なように形成されるので、応答速度と受光感度とに優れる受光素子部Ａを備える半導体装置３０が実現される。 - 特許庁 - A deep diffusion part with high conductivity of a conductivity type same as a drift region is provided between adjacent trenches of a trench type IGBT and at the lower part of these trenches to reduce the resistance of a drift region to the electric current at the time when a device is turned on and the resistance component at the time when spreading resistance is turned on.
デバイスがターンオンしているときの電流に対するドリフト領域の抵抗、および広がり抵抗のターンオン時の抵抗成分を小さくするように、トレンチタイプのＩＧＢＴの隣接するトレンチの間であって、これらトレンチの下方に、ドリフト領域と同じ導電性タイプの大きい導電度の深い拡散部を設ける。 - 特許庁 - To provide a back projection type screen which is good in transmission efficiency and is slight in color shift by ameliorating the loss of the transmitted light in a diffusion sheet to diffuse light and a back projection type image display device which is slight in color shift, is excellent in resolution and transmission efficiency and is less degraded in contrast by external light.
光を拡散させる拡散シートでの透過光の損失を改善することにより、透過効率が良くかつカラーシフトが軽微な背面投射型スクリーンと、カラーシフトが軽微で、かつ解像力および透過効率に優れ、しかも外光によるコントラスト低下の少ない背面投射型画像表示装置を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor junction layer comprises a step of coating semiconductor crystalline grain boundaries, which are exposed on the surface of a first conductive type semiconductor substrate and form the semiconductor substrate with a dopant diffusion barrier layer, and a step of forming the semiconductor junction layer of a second type dopant diffused on the surface of the semiconductor substrate.
第１導電型半導体基板表面に露出した該半導体基板を構成する半導体の結晶粒界を、ドーパント拡散バリア層で被覆し、前記基板表面に第２導電型ドーパントを拡散させて接合層を形成することを特徴とする半導体接合層の製造方法。 - 特許庁 - Plasma oxidation with high oxidation rate is performed by changing to higher RF electric power from a point when ashing of the resist 301 is completed, and the plasma oxidation silica film 401 as an outside diffusion prevention film of dopant is formed on surfaces of an n-type wiring 103 and a p-type wiring 104 which are composed of polysilicon.
レジスト３０１の灰化が終了した時点から高めのＲＦ電力に切り替えることで酸化レートの高いプラズマ酸化を行い、ポリシリコンからなるＮ型配線部１０３、Ｐ型配線部１０４の表面に不純物の外方拡散防止膜としてのプラズマ酸化珪素膜４０１を形成する。 - 特許庁 - A semiconductor laminated part 12 including the light-emitting layer forming unit 11 having at least an n-type layer 2 and a p-type layer 4 is provided on a semiconductor substrate 1, a current-blocking layer 7 partly provided on a surface and a current diffusion electrode 8 is further provided on the entire surface of the substrate, and a bonding electrode 9 is provided on the substrate.
半導体基板１上に、少なくともｎ形層２とｐ形層４とを有する発光層形成部１１を含む半導体積層部１２が設けられ、その表面に電流阻止層７が部分的に、さらに電流拡散用電極８が全面に設けられ、その上にボンディング用電極９が設けられている。 - 特許庁 - A gate electrode 6, a gate electrode cover nitride film 5, and a nitride film side wall 8 are formed on a substrate 1, an n--type semiconductor region 7 and a n+-type semiconductor region diffusion layer 9 are formed on the surface region of the semiconductor 1, a polysilicon layer is deposited on all the surface and etched back, and polysilicon is filled in a gap between the gate electrodes.
基板１上にゲート電極６、ゲート電極カバー窒化膜５、窒化膜サイドウォール８を形成し、基板表面領域内にｎ^-型半導体領域７、ｎ^+型半導体領域拡散層９を形成した後、全面にポリシリコンを堆積しエッチバックしてゲート電極間にポリシリコンを埋め込む。 - 特許庁 - Since the surface area of a V-CCD 15 comprising the n- type diffusion layer 15a serving as a charge transfer part is small per unit cell 10, surface area of a photodiode 21 can be increased per unit cell 10.
このため、電荷の転送部分となるｎ^-型の拡散層１５ａからなるＶ−ＣＣＤ１５の単位セル１０あたりの表面積は小さく、フォトダイオード２１の単位セル１０あたりの表面積を大きくすることができる。 - 特許庁 - A drain region 14 is formed in a region in contact with a channel region 8 in the ballast resistance region 7, and an n^+-type diffusion region 15 is formed in a region isolated from the drain region 14 via an STI region 5.
バラスト抵抗領域７におけるチャネル領域８に接する領域にドレイン領域１４を形成し、ドレイン領域１４からＳＴＩ領域５を介して離隔した領域にｎ^＋型拡散領域１５を形成する。 - 特許庁 - Wiring 28 for etching is arranged between one end section 28a that is electrically connected to the n-type epitaxial layer on a chip inner circumference and the other 28b extended to a tip end section without straddling the p^+ impurity diffusion layer 27.
エッチング用配線２８は、チップ内周にてｎ型エピタキシャル層に電気的に接続された一端部２８ａとチップ端部にまで延長された他端部２８ｂとの間で、ｐ^+不純物拡散層２７を跨がないように配置されている。 - 特許庁 - The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5.
多結晶シリコン膜７の下に位置する側壁膜６は、活性領域２ａと素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられ、且つ、側壁膜６の上部は、ｎ型拡散層５の上面より上側に位置している。 - 特許庁 - The backlight unit emits light from a light source which is made into a surface light source through diffusion parts 410, 420, through a reflecting type polarization separation element 540 containing a metal grid arranged in wire-grid shape.
バックライトユニットは，拡散部４１０，４２０を経て面光源化された光源からの光を，ワイヤーグリッド状に配列された金属格子を含む反射型偏光分離素子５４０を介して出射させることを特徴としている。 - 特許庁 - And by subjecting the laminate to an ion implantation a plurality of times with a varied ion energy, the N+ type drain lead-out diffusion layer 106A can be formed to contain a high concentration of impurities in a wide range in a depthwise direction and thus to have a low resistance.
そして、Ｎ＋ドレイン引き出し拡散層１０６Ａは、イオンエネルギを変えて複数回イオン注入を行うことで、深さ方向の広い範囲で高濃度の不純物を含むように形成され、低抵抗値となっている。 - 特許庁 - In a sheet- or roll-shaped silver salt diffusion transfer type planographic printing original plate having an aluminum support, a physical developing nuclei layer and a silver halide emulsion layer in this order, opposite two lateral faces are coated with a protective film.
アルミニウム支持体、物理現像核層、およびハロゲン化銀乳剤層をこの順序で有するシート状もしくはロール状の銀塩拡散転写型平版印刷原版において、対向する二つの側面を保護膜で覆う。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a flat cell-type memory semiconductor device which is capable of preventing a cell current from deteriorating and enhancing implanted element isolation ions in dose so as to reduce a leakage current between diffusion layers enough.
セル電流の低下を防止することができると共に、拡散層間のリークを低減する素子分離イオン注入のドーズ量を十分高く確保することができるフラットセル型メモリ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which can easily obtain a structure holding reliability of an npn-type bipolar transistor mounted on a surface of a semiconductor substrate having a diffusion layer as an element isolation layer; and to provide its manufacturing method.
素子分離層として拡散層を有する半導体基板の表面に搭載されるＮＰＮ型バイポーラトランジスタの信頼性を確保する構造を容易に得ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a waveguide type optical element capable of suppressing heat diffusion in an optical phase shifter using a thermooptical effect and realizing a variable gain equalizer and a dispersion compensator capable of easily obtaining a prescribed optical frequency characteristic.
熱光学効果を用いた光位相シフタでの熱拡散を抑制し、所望の光周波数特性を得ることが容易となる可変利得等化器や分散補償器を実現することができる導波路型光素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a rotating electrode type fuel cell rotating its electrode inside the fuel cell to reduce the adverse influence of resistance on gas diffusion, so as to hold the separation between fuel and the oxidant in the the fuel cell.
内部で燃料電池の電極が気体拡散に対する抵抗の悪影響を低減すべく回転し、且つ燃料電池内の燃料と酸化剤との間の分離が保持されるような回転電極型燃料電池を提供する。 - 特許庁 - To provide a silver salt diffusion transfer type aluminum printing plate having excellent reproducibility of thin lines and printing durability, satisfactory overall printing characteristics such as ink accepting property, ink releasing property and blanket piling, and wide development latitude, and to provide its platemaking method.
細線再現性と耐刷性に優れ、さらに、インキ受理性、インキ脱離性、ブランパイル等の総合的な印刷特性が満足できる現像寛容性の広い銀塩拡散転写型アルミニウム印刷版とその製版方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a carbon fiber woven fabric that has proper gas permeability, small thickness change in compression, low electrical resistivity in the thickness direction and is suitable as a gas diffusion layer for a solid polymer type fuel cell and to provide a method for producing the same.
適度なガス透過性を持ち、圧縮時の厚さ変化率が小さく、厚さ方向の電気抵抗値が低く、固体高分子型燃料電池用ガス拡散層として好適な炭素繊維織物及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In a core loaded with a spontaneous neutron type nuclear fuel assembly designed based on a simplified equation of a diffusion equation including spontaneous neutrons, a cooling system in a conventional BWR is changed from a double-phase flow of water into gaseous steam.
従来のBWRでの冷却方式を水のニ相流から気体の水蒸気にし、自発中性子入り拡散方程式の簡略式に基づいた設計の自発中性子型核燃料集合体を装荷せる炉心にする。 - 特許庁 - By forming a dielectric separation film 120 in a closed loop shape in a silicon layer 112, an n-type semiconductor layer region 130 in the silicon layer 112 is insulated and separated, and a diffusion resistor 131 is formed inside the region 130.
シリコン層１１２中に誘電体分離膜１２０を閉ループ状に形成することによりシリコン層１１２中のｎ−型半導体層領域１３０を絶縁分離し、その内側に拡散抵抗１３１を形成する。 - 特許庁 - The method for the determination of the diffusion tensor anisotropy or the surface energy anisotropy does not require the formation of particular structures, and enables this type of determination to be performed in the case of moderate-amplitude perturbations.
本発明は、特定の構造の形成を要求せずに拡散テンソルの異方性または表面エネルギーの異方性を決定する方法であって、適度な振幅の摂動の場合にこのような決定を可能にする方法に関する。 - 特許庁 - This lens array sheet 2 is provided with an adhesive layer 7 to which ultraviolet absorbent is added between a lens array layer 3 controlling the angle of view and a diffusion layer 8, and is combined with a Fresnel lens to constitute the transmission type screen.
視野角を制御するレンズアレイ層３と拡散層８との間に紫外線吸収剤が添加された粘着剤層７が設けられているレンズアレイシート２を構成し、これをフレネルレンズと組み合わせて透過型スクリーンを構成する。 - 特許庁 - The diffusion/reflection type screen is manufactured by separately weaving a crepe weave surface cloth and a both-side satin weave lining by using a multifilament thread (for instance, 84 d tex/72 or 36 filaments) of polyethylene terephthalate and then just laminating with an adhesive.
ポリエチレンテレフタレートのマルチフィラメント糸（例えば８４デシテックス／７２または３６フィラメント）を用いて、梨地織りの表地と、両面朱子織りの裏地を別個に製織し、接着剤で貼り合わせるだけで、拡散反射型スクリーンとする。 - 特許庁 - The direct type backlight module comprises a plurality of light emitting units, and the flux of light from these light emitting units irradiates on a diffusion plate after being reflected by a reflecting plate, or directly, and is used as a flat surface backlight light source.
本発明の直下式バックライトモジュールは、複数の発光ユニットを含み、当該発光ユニットからの光束は、反射板により反射された後に、或いは直接に、拡散板に照射し、平面式バックライト光源として用いられる。 - 特許庁 - Each of the capacitors at both ends of the active region 40 has an impurity diffusion layer in the inner wall of the isolation trench 2 (the side wall of the active region 40) as the storage electrode, and the N type conductive film 4n in the isolation trench 2 as the cell plate electrode.
活性領域４０の両端のキャパシタは、分離トレンチ２の内壁（活性領域４０の側壁）の不純物拡散層をストレージ電極とし、分離トレンチ２内のＮ型導電性膜４ｎをセルプレート電極とする。 - 特許庁 - The surface cloth of crepe weave and the lining of both-side sateen weave are separately woven by using a multifilament thread (for instance, 84d tex/72 or 36 filaments) of polyethylene terephthalate, and are just stuck to each other with an adhesive to obtain the diffusion reflection type screen.
ポリエチレンテレフタレートのマルチフィラメント糸（例えば８４デシテックス／７２または３６フィラメント）を用いて、梨地織りの表地と、両面朱子織りの裏地を別個に製織し、接着剤で貼り合わせるだけで、拡散反射型スクリーンとする。 - 特許庁 - A plurality of spherical light diffusion particles 42 diffusing and emitting image light made incident on a transmission type screen 10 are arrayed, and a sound hole 45 being a path for a sound wave is formed between the adjacent particles 42.
透過型スクリーン１０に入射する画像光を拡散して出射する球状の光拡散粒子４２を複数配列するとともに、隣接する光拡散粒子４２の間に音波の通路となるサウンドホール４５を設ける。 - 特許庁 - To solve the problem of a two chamber process ion exchange membrane type electrolytic cell using a gas diffusion electrode that the liquid pressure of an anode chamber is different according to liquid depth, and the liquid pressure is applied to an anode and an ion exchange membrane, and these members are apt to be damaged and deformed.
ガス拡散電極を使用する２室法イオン交換膜型電解槽では陽極室の液圧が液深によって異なり、この液圧が陽極やイオン交換膜に加わり、これらの部材の損傷や変形を招き易い。 - 特許庁 - A cushioning material 10 is housed between a back plate 9 of a cathode gas chamber and a gas diffusion electrode 7 in the ion exchange membrane type electrolytic cell 1 in such a manner that the reaction force thereof is made higher in the lower part of the cathode gas chamber than the upper part of the cathode gas chamber.
イオン交換膜型電解槽１の陰極ガス室背板９とガス拡散電極７の間に、その反力が陰極ガス室上部より陰極ガス室下部の方を大きくなるようにクッション材10を収容する。 - 特許庁 - To provide a vertical type insulated gate field effect transistor reduced in the number of manufacturing process compared with that of a conventional field effect transistor, without increasing the rate of an area occupied by the chip of a bidirectional Zener diode formed in the same chip by the shape of a diffusion layer as the protective diode of a power MOSFET.
パワーＭＯＳＦＥＴの保護用ダイオードとして同一チップに拡散層で形成される双方向ツェナーダイオードのチップに占める面積割合を増加させずに従来より製造工程数を低減させる。 - 特許庁 - Etching is carried out, then the photoresist is removed, as shown in Figure (a), a polysilicon plug 11 is left only between the gate electrodes 6 each provided with the gate electrode cover nitride film 5 in the region 12 with the n-type diffusion layer.
エッチングを行いフォトレジストを除去すると、（ａ）に示すように、ｎ型拡散層を有する領域１２内にゲート電極カバー窒化膜５を有するゲート電極６の間にのみポリシリコンプラグ１１を形成するポリシリコンが残る。 - 特許庁 - By adding a GDL (Gas Diffusion Layer) before the presser plate of the second time is press-inserted, a five-layer type MEA of GDL, catalyst electrode layer, PEM, the second catalyst electrode layer, and GDL' is obtained.
また、２回の押え板を押し入れる前、気体拡散層（Ｇａｓ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ、ＧＤＬ）を追加すると、ＧＤＬ＋触媒電極層＋ＰＥＭ＋第２の触媒電極層＋ＧＤＬ’の五層式ＭＥＡが得られる。 - 特許庁 - An insulated gate type semiconductor device having a trench gate forms a dummy trench by nearing to a trench gate, diffuses boron or the like from the bottom part, and forms a P+ diffusion region 112 so as to include the deepest part of the trench gate.
トレンチゲートを有する絶縁ゲート型半導体装置において、トレンチゲートに近接してダミートレンチを形成し、その底部よりボロン等を拡散し、トレンチゲートの最深部を含むようにＰ＋拡散領域１１２ を形成した。 - 特許庁 - The adsorption material is a material composed of a copper ion-exchanged ZSM-5 type zeolite and showing a peak P1 near 30,000 cm^-1 of a diffusion reflection spectrum, which does not appear before oxygen adsorption when adsorbing oxygen.
銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトからなり、酸素を吸着すると、拡散反射スペクトルにおいて３０，０００ｃｍ^−１付近に酸素吸着前には無かったピークＰ１が現れる吸着材を用いる。 - 特許庁 - To provide a flame type fuel cell having no output drop caused by oxygen partial pressure on the cathode side, no generation of the diffusion overpotential caused by an air flow in a combustion system, and effectively utilizing exhaust gas.
カソード側の酸素分圧に原因する出力低下がなく、燃焼系の空気の流れに原因する拡散過電圧の発生がなく、かつ排出ガスを有効利用することができる火炎型燃料電池を提供すること。 - 特許庁 - A second diffusion prevention film 21, a second low-k film 22 and a second cap film 23 are formed thereon, and a barrier film 25 and a Cu film 26 are buried in these films to form a second conductivity type layer.
その上に、第２拡散防止膜２１と第２ｌｏｗ−ｋ膜２２と第２キャップ膜２３が形成され、それらの膜内にバリアメタル膜２５とＣｕ膜２６が埋め込まれることにより第２導電層が形成されている。 - 特許庁 - To provide a solid polymer type fuel cell, which can achieve long life and high current supply, by controlling the concentration of a water repellency agent within an electrode layer in a thickness-wise direction of the layer and within the surface thereof to attain high efficiency and evenness of gas diffusion.
電極層内での撥水濃度を層の厚み方向及び表面内で制御してガス拡散の高効率化と均一化に行い、高寿命化と大電流化を達成できる固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
