「diffusion-type」を含む例文一覧(1877)
＜前へ 1 2 .... 25 26 27 28 29 30 31 32 33 .... 37 38 次へ＞- Node contact resistance can be decreased because the N type diffusion layers 106ba, the gate electrodes 104ab, and the heavily-doped polysilicon region 111aa of the high resistance load are interconnected by the silicide layer 110.
Ｎ型拡散層１０６ｂａ、ゲート電極１０４ａｂ、高抵抗負荷の高濃度ポリシリコン領域１１１ａａとはシリサイド層１１０によって互いに接続するため、ノード・コンタクト抵抗は低く抑えられる。 - 特許庁 - The other conductive type diffusion region is formed at a depth and a concentration aligned with those of the body, on the wall of the trench 3, and both areas are fully depleted under reverse-direction blocking.
トレンチ３の壁に、もう一方の導電型の拡散領域が、ボディの深さおよび濃度に整合した深さおよび濃度で形成され、逆方向ブロッキング下で両方の領域が完全に空乏化する。 - 特許庁 - A gate electrode 14, a source-drain region 13, and a N-type diffusion region 15 are formed on the surface of the region 12, and the capacitive element is formed with a gate oxide 16 as a dielectric.
Ｎ型ウェル領域１２の表面にゲート電極１４、ソース・ドレイン領域１３、Ｎ型の拡散領域１５を形成し、ゲート酸化膜１６を誘電体として容量素子を形成する。 - 特許庁 - In the end of the element isolation region, a p+ type impurity diffusion region 11 is formed selectively inside the surface of the silicon layer 4 so as to be buried inside the surface in a part of the STI 10.
素子分離領域の端部において、シリコン層４の上面内には、ＳＴＩ１０の一部上面内に埋め込まれる格好で、ｐ^+型の不純物拡散領域１１が選択的に形成されている。 - 特許庁 - Then, a lightly-doped second N-type semiconductor layer 4 is epitaxially grown on such a surface of the layer 2, and the layer 18 having a large diffusion coefficient is embedded therein.
第１Ｎ型半導体層の一方の表面に低濃度の第２Ｎ型半導体層４をエピタキシャル成長させるとともに，上記拡散係数の大きいＮ型半導体層１８を埋め込む。 - 特許庁 - Each pixel circuit K2 of another type includes an amplifying transistor GQ, a floating diffusion, a reset transistor RQ and the like and is commonly provided for pixels of respective rows and arranged outside pixel rows 21 to 23.
画素回路Ｋ２は、増幅トランジスタＧＱ、フローディングディフュージョン、及びリセットトランジスタＲＱ等を含み、各列の画素に対して共通に設けられ、画素列２１〜２３の外部に配置されている。 - 特許庁 - To improve the output characteristics of a semiconductor laser and to avoid deterioration of the outgoing end face by restraining diffusion of impurities in a step of forming an embedded regrowth type end face window structure.
埋め込み再成長型の端面窓構造を形成する工程における不純物の拡散を抑制して、半導体レーザの出力特性の向上、及び出射端面の劣化を回避する。 - 特許庁 - To obtain an internal latent image type direct positive silver halide emulsion having high sensitivity and high contrast in a low density region on a reversal characteristics curve and to obtain a color diffusion transfer photosensitive material using the emulsion and excellent in graininess.
高感度で反転特性曲線上の低濃度部が硬調な内部潜像型直接ポジハロゲン化銀乳剤を得、それを用いて粒状性に優れたカラー拡散転写感光材料を得る。 - 特許庁 - After forming an interlayer insulation film 10 and flattening it, emitter extraction electrodes 21 connected to the emitter layer (n-type diffusion layer 5) are so formed as to be connected to the silicide film 8 on the element isolation film 3.
そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながるエミッタ引き出し電極２１を形成する。 - 特許庁 - In this MOS transistor 21, after an LOCOS oxide film 28 and a gate electrode 35 are formed on an epitaxial layer 23, an N+ type diffusion region 31 as the drain lead-out region is formed.
本発明のＭＯＳトランジスタ２１では、エピタキシャル層２３上にＬＯＣＯＳ酸化膜２８、ゲート電極３５を形成した後に、ドレイン取り出し領域であるＮ＋型の拡散領域３１を形成する。 - 特許庁 - The material powder is distributed to a material supply passage 1A of the diffusion type burner with a carrier gas, and oxygen is supplied in a state of being divided to a first oxygen supply passage 5A and a second oxygen supply passage 6A.
拡散型のバーナの原料供給路１Ａに原料粉体をキャリアガスに搬送して送り込み、酸素を第一酸素供給路５Ａと第二酸素供給路６Ａとに二分して供給する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device which suppresses the diffusion of p-type dopant to a light emitting layer (or active layer) with a high luminance and reduces the maintenance requirement of a deposition system.
発光層（または活性層）へのｐ型ドーパントの拡散を抑制して高輝度を実現でき、また、成長装置のメンテナンス頻度を少なくできる半導体発光素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a light interference type color display which has a color shift and a contrast ratio improved by forming a film layer inside a panel instead of fitting a light diffusion plate to the outside of the panel.
パネルの外側に光拡散プレートを取り付ける代わりに、パネルの内側にフィルム層を形成することによって改良されたカラーシフトとコントラスト比を持つ光干渉型カラーディスプレイを提供すること。 - 特許庁 - The first P-type diffusion region PD21 extends near a spacing region between the first gate electrode G1b and the second gate electrode G1a, but is not formed in the spacing region.
第１のＰ型拡散領域ＰＤ２１は、第１のゲート電極Ｇ１ｂと第２のゲート電極Ｇ１ａとの間隙領域近傍まで延設され、かつ、当該間隙領域には形成されていない。 - 特許庁 - With this structure, a channel region is efficiently arranged to suppress occurrence of parasitic currents in the P-type diffusion layer, thereby preventing fluctuation in on-resistance value of an N-channel MOS transistor 1.
この構造により、効率的にチャネル領域が配置され、Ｐ型の拡散層での寄生電流の発生が抑制され、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ１のオン抵抗値の変動が防止される。 - 特許庁 - Further, an n^+ diffusion region 106a with an n-type impurity introduced thereinto is formed in the part of the write bit line 106 extending upward from the region of the read word line 110.
また、読み出しワードライン１１０の領域より上方に延在している書き込みビットライン１０６の部分に、ｎ型不純物が導入されたｎ^+拡散領域１０６ａが形成されている。 - 特許庁 - In this regard, patterning is performed such that the end 6a of the resist mask 6 abutting on a region for forming an N^+ type diffusion region 2 is located at a position separated by 0.3 μm from the STI end 3a, for example.
このとき、レジストマスク６のＮ^+型拡散領域２の形成予定領域に接する端部６ａがＳＴＩ端部３ａから例えば０．３μｍ離れたところに位置するようにパターニングを行う。 - 特許庁 - To effectively prevent the contrast and the resolving power of a video from being lowered because of the reflected light of diffused light returned to a projection side from a light diffusion layer as to a transmission type projection screen.
透過型映写スクリーンについて、光拡散層２から映写側への拡散光の戻り反射光Ｌａに起因する映像のコントラストおよび解像力の低下を効果的に防ぐことを目的とする。 - 特許庁 - In a heat treatment process after the storage node 151 is formed, diffusion of N-type impurities in the storage node 151 is restrained by oxygen in the layer 151a containing oxygen, and junction leakage is prevented.
ストレージノード１５１の形成後の熱処理工程で、ストレージノード１５１中のＮ型不純物の拡散が酸素含有層１５１ａ中の酸素により抑制され、ジャンクションリークが防止される。 - 特許庁 - To provide a III-V group compound semiconductor device in which the diffusion of Zn to an adjacent layer in which Zn is not contained is suppressed even at the time of doping Zn in p type layer with high density.
ｐ型層内へ高濃度にＺｎをドーピングした場合でも、近隣のＺｎを含まない層へのＺｎの拡散が抑制されたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The end of a gate electrode 17 on the drain side is placed over a LOCOS oxide film 13 which is formed larger than the gate insulating film 15 in thickness on the surface of the first P-type drain diffusion layer 5d.
ゲート電極１７のドレイン側の端部は、第１Ｐ型ドレイン拡散層５ｄの表面にゲート絶縁膜１５よりも厚い膜厚で形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜１３上に乗り上げている。 - 特許庁 - Therefore, in the island regions 8 and 9 constituting the small signal 2, the substrate 4 and the first epitaxial layer 5 are substantially demarcated by the n-type embedded diffusion regions 29 on which a power-supply potential is applied.
そのことで、小信号部２を構成する島領域８、９では、実質、電源電位が印加されたＮ型の埋込拡散領域２９で、基板４と第１のエピタキシャル層５とが区分される。 - 特許庁 - By global shuttering, whereby image sensing is performed simultaneously in all the pixels, a potential commensurate with the amount of light incident on a buried diode PD is held in an N-type floating diffusion region FD.
全画素同時に撮像動作を行うグローバルシャッター方式で動作することによって、埋込型フォトダイオードＰＤへの入射光に応じたポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤに保持する。 - 特許庁 - The composition for forming a p-type diffusion layer is composed to contain boron nitride particles which contain a boron nitride and an oxide derived therefrom where the oxygen content is 15 mass% or lower, and a dispersion medium.
ｐ型拡散層形成組成物を、窒化ホウ素及び窒化ホウ素に由来する酸化物を含み、酸素含有率が１５質量％以下である窒化ホウ素粒子と、分散媒とを含有して構成する。 - 特許庁 - A P-type impurity diffusion layer 103 is formed on the surface of a semiconductor substrate 100, and then a gate electrode 102 is formed on the semiconductor substrate 100 through the intermediary of a gate insulating film 101.
半導体基板１００の表面部にｐ型の不純物拡散層１０３を形成した後、半導体基板１００上にゲート絶縁膜１０１を介してゲート電極１０２を形成する。 - 特許庁 - To effectively utilize ions by effectively collecting both positive and negative types of ions in a specific space requiring them, by increasing ion density of a space region improved in natural diffusion of ions of a single type.
単一種のイオンの自然拡散を改良してある空間領域のイオン密度をあげて、＋−の両種イオンが必要な特定空間にそれらを有効に集めて、イオンの有効活用を計る。 - 特許庁 - In addition, the potential barrier has dopant formed by high-energy ion implantation, and also has dopant formed by ion implantation or diffusion during the epitaxial growth of p-type epitaxial layer.
また、前記ポテンシャル障壁は、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 - 特許庁 - The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process.
発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁 - To provide a sticking type dust flotation and diffusion preventing bag for enabling an ATM to be efficiently cleaned without using an expensive device, or diffusing eliminated dust around.
高価な装置を使用する必要がなく、また除去したゴミ（塵埃）を周囲に拡散することなく、ＡＴＭの清掃を能率的に行うことができる密着型ゴミ浮遊拡散防止袋を提供すること。 - 特許庁 - A direct-type backlight main body 10 consists of a plurality of juxtaposed fluorescent lamps 14, a housing 13 for storing the lamps and a diffusion plate 12 arranged to cover the opening of the housing.
直下型バックライト本体１０を、並置された複数本の蛍光管１４と、これらの蛍光管を収納するハウジング１３と、ハウジングの開口部を覆うように配置された拡散板１２とから構成する。 - 特許庁 - In both end parts of flexure parts 1c, p-type diffusion layers 1k used to form chamfered parts 1p smoothly continued to the side face of a plumb hob part 1a and to the inside face of a frame part 1b are formed.
撓み部１ｃの両端部において重り部１ａの側面およびフレーム部１ｂの内側面とそれぞれ滑らかに連続する面取り部１ｐを形成するｐ形拡散層１ｋを設ける。 - 特許庁 - To provide an Mn-based twin crystal type damping alloy capable of producing high damping characteristics and suppressing deterioration with time by controlling diffusion of precipitates into twin interfaces and grain boundaries.
双晶界面や結晶粒界への析出物拡散を抑制することにより、高減衰特性を発現できるとともに、経時劣化を抑制できるＭｎ基双晶型制振合金を提供すること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device in which a separating color insulating film separating an electrode wiring of a trench type capacitor and an impurity diffusion layer can be formed to a uniform film thickness.
トレンチ型キャパシタの電極配線と不純物拡散層を電気的に分離する分離カラー絶縁膜の膜厚を均一に形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - In the semiconductor device, a silicon oxide film 42 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on a p-type diffusion layer 41 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.
本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＰ型の拡散層４１上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４２が形成されている。 - 特許庁 - The three-dimensional image display screen system includes a hologram screen (or diffusion screen) 12 and a plurality of volume phase type hologram lenses 11 which diffract irradiated light rays into specified directions, respectively.
３次元像表示用スクリーンシステムは、ホログラムスクリーン（または拡散スクリーン）１２と、照射された光線をそれぞれ特定の方向に回折させる複数の体積位相型ホログラムレンズ１１とが設けられている。 - 特許庁 - Consequently, the quantity of a P-type dopant can be made uniform around the opening 4 of the electrode 3 and the diffusion of an external base layer covering the peripheral section of the emitter layer through heat treatment becomes uniform.
この構成により、Ｐ型ドーパント量を引き出し電極３の開口部４を中心に同量にすることができ、熱処理によるエミッタ層周辺部を覆う外部ベース層の拡散が均一になる。 - 特許庁 - To provide a method efficiently manufacturing a large number of flat plate type fuel cells in which the diffusion of transition metals between electrodes is suppressed and drop in the power generation performance of a fuel cell is prevented.
電極間における遷移金属の拡散が抑制されており燃料電池の発電性能を低下させない平板型燃料電池セルを効率的に大量生産できる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a titanium dioxide-containing UV shielding filter agent excellent in dispersibility and aging stability and to provide a peel apart type color diffusion transfer photographic unit excellent in stain and light resistances and physical properties of films.
分散性と経時による安定性に優れた酸化チタン含有紫外線遮蔽フィルター剤、及びステイン、耐光性並びに膜物理性に優れたピールアパート型カラー拡散転写写真ユニットを提供する。 - 特許庁 - Then a p-type gauge diffusion resistance layer 18 is formed on the epitaxial layer 11, and aluminum wiring 26 for supplying a voltage used for electrochemical etching is formed on the surface side of the epitaxial layer 11.
エピタキシャル層１１にｐ型のゲージ拡散抵抗層１８を形成し、エピタキシャル層１１の表面側に電気化学エッチング用の電圧を供給するためのアルミ配線２６を形成する。 - 特許庁 - The carrier capture region formed in the high power supply voltage circuit section is formed by the same diffusion layer as the source or drain of the MOS-type transistor formed at the high supply voltage circuit section.
また、高電源電圧回路部内に形成されたキャリア捕獲領域は、高電源電圧回路部に形成されたＭＯＳ型トランジスタのソースあるいはドレイン領域と同一の拡散層にて形成した。 - 特許庁 - The DRAM cell is a memory cell (two-device type DRAM) including first and second transfer devices in a completely deplete state each including one body(semiconductor rail), and first and second diffusion electrodes.
一つの本体（半導体レール）領域と第１および第２の拡散電極を各々含む完全に空乏状態の第１および第２の転送デバイスを有するメモリ・セル（２素子型ＤＲＡＭ）である。 - 特許庁 - The light interference type color display has a transparent substrate, an inner front light diffusion layer, a plurality of first electrodes, a patterned supporting layer, a plurality of optical films, and a plurality of second electrodes.
透明基板、内側前方光拡散層、複数の第一電極、パターン化支持層、複数の光学的フィルム、および複数の第二電極を有する光干渉型カラーディスプレイが提供される。 - 特許庁 - To provide a method for readily and effectively manufacturing a gas-diffusion electrode for solid polymer electrolyte type fuel cell having good porosity, conductivity, water repellant and durability.
容易にかつ効率的に形成され、良好な多孔性、導電性、撥水性更には耐久性を有する、固体高分子電解質型燃料電池用ガス拡散電極の製造法を提供する。 - 特許庁 - The second compound semiconductor layer 103 has its band gap shifted by n-type doping relatively in a valence-band direction to effectively function as a diffusion barrier for the thermally excited hole.
第２の化合物半導体層１０３は、ｎ型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。 - 特許庁 - In this semiconductor integrated circuit device 1, n-type embedded diffusion regions 29 are formed between a substrate 4 and an epitaxial layer 5 in island regions 8 and 9 constituting a small signal section 2.
本発明の半導体集積回路装置１では、小信号部２を構成する島領域８、９では、基板４とエピタキシャル層５との間にＮ型の埋込拡散領域２９を形成する。 - 特許庁 - To provide an electrode structure of an n-type GaAs-based semiconductor that reduces diffusion of Ga atoms and As atoms to an electrode surface, and to provide a semiconductor device having the electrode structure.
Ｇａ原子及びＡｓ原子の電極表面への拡散を低減可能なｎ型ＧａＡｓ系半導体の電極構造及びこの電極構造を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁 - An n type diffusion layer formation composition contains glass powder including a donor element and a dispersion medium and is formed so that the viscosity is equal to or more than 20 Pa s or equal to or less than 1000 Pa s at a temperature of 25°C.
ｎ型拡散層形成組成物に、ドナー元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有せしめ、２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下となるように構成する。 - 特許庁 - The cathode wiring 10a is made of a metal and completely covers a region 24 where a boundary surface between the p-type and n^+ diffusion layers 6, 7 is formed in a plan view.
カソード配線１０ａが金属よりなっており、かつ平面的に見てｐ型拡散層６とｎ^+拡散層７との境界面が形成されている領域である領域２４を完全に覆っている。 - 特許庁 - Each first impurity diffusion region 20 (20A and 20B) of low concentration and of the same conductive type as a source 26 and a drain 28 is provided on the lower side of a gate so as to adjoin the source 26 and the drain 28.
ソース２６とドレイン２８と同一の導電型で且つ低濃度である第１不純物拡散領域２０をソース２６とドレイン２８にそれぞれ隣接するようゲート下方側に設ける。 - 特許庁 - After an interlayer insulating film 10 is provided and planarized, and the lead out electrode 21 connecting with the emitter layer (n-type diffusion layer 5) is provided to connect to the silicide film 8 on the element isolation film 3.
そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながる引き出し電極２１が設けられる。 - 特許庁
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