「diffusion-type」を含む例文一覧(1877)
＜前へ 1 2 .... 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 次へ＞- Successively, a surface protecting film 7 is formed on the oxidized silicon film 3 including the inside of the opening 4, an opening 8 to the p-type diffusion layer 6 is then formed on the surface protecting film 7 and at the same time, the surface protecting film 7 in the outer periphery of a chip is removed.
続いて開口部４の内部を含む酸化シリコン膜３上に表面保護膜７を形成した後、表面保護膜７にｐ型拡散層６に達する開口部８を形成し、同時にチップの外周部の表面保護膜７を除去する。 - 特許庁 - To sufficiently ensure brightness of a diffusion region of a light distribution pattern after reducing the longitudinal length of a lamp unit, in a vehicular headlamp which is structured to form a predetermined light distribution pattern by light irradiation from a projector type lamp unit.
プロジェクタ型の灯具ユニットからの光照射により所定の配光パターンを形成するように構成された車両用前照灯において、灯具ユニットの前後長を短くした上で、配光パターンの拡散領域の明るさを十分に確保可能とする。 - 特許庁 - To solve a problem that a duty ratio becomes small when large-angle incident light is tried to be deflected to a normal direction of a screen in the conventional total reflection type Fresnel lens, consequently it is difficult to obtain diffusion characteristic as designed when light which has been deflected is diffused by a microlens array.
従来の全反射型フレネルレンズでは、大角度入射光をスクリーン法線方向に偏向させようとするとデューティ比が小さくなり、前記偏向後の光をマイクロレンズアレイで拡散させる場合、設計どおりの拡散特性を得るのが困難である。 - 特許庁 - The top of an aluminum substrate surface-treated with an acidic aqueous solution of ≤pH 5 at 10-70°C after surface roughening and anodic oxidation is coated with a silver halide-containing emulsion layer to obtain the objective silver salt diffusion transfer type planographic printing plate.
粗面化処理及び陽極酸化処理に続き、その表面を１０〜７０℃でｐＨ５以下の酸性の水溶液で処理されたアルミニウム支持体上に、ハロゲン化銀を含む乳剤層を塗布してなることを特徴とする銀塩拡散転写型平版印刷版。 - 特許庁 - While using mutually reverse oblique ion injections with a previously formed gate 207a as a mask, a heavily-doped region 501 of the same conductive type as that of the diffusion layers 205 and the well is formed in self-aligned manner to the gate 207a.
あらかじめ形成しておいたゲート２０７ａをマスクに用いて互いに逆方向からの斜めイオン打ち込み法を用いて、ゲート２０７ａに対して自己整合的に拡散層２０５とウェルと同導電型の高濃度不純物領域５０１を形成する。 - 特許庁 - On the active region 2a, an SiGe alloy layer 4 functioning as a base layer and an n-type diffusion layer 5 functioning as a emitter layer are formed, and are encircled with a side wall film 6 consisting of a silicon oxide film.
活性領域２ａの上には、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５が設けられ、さらにＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われている。 - 特許庁 - A rear projection display device is constituted of a projection type screen consisting of a Fresnel lens for converging light by total reflection or a method mixing both of total reflection and refraction and translucent diffusion plate as the minimum number of constitutional elements and a projector.
全反射あるいは全反射と屈折両方を混在させた方式で光線を集光するフレネルレンズと、透過型拡散板とを最低構成要素とする投写型スクリーンとプロジェクタからなる事を特徴とする背面投写型ディスプレイ装置である。 - 特許庁 - The emitter region 6 and the collector region are arranged separately in the width direction of the side wall and the depth direction of the semiconductor substrate 1 through the second conductive type impurity diffusion layer 5, and they are arranged in the closest position in width direction of the side wall.
前記エミッタ領域６と前記コレクタ領域とは前記第２導電型の不純物拡散層５を介してサイドウオールの幅方向及び半導体基板１の深さ方向に離間して配置され、かつサイドウオールの幅方向において最近接して配置されている。 - 特許庁 - In the fluorescent lamp type illumination lamp, a cylindrical body 10 is constructed of a cylindrical light guide tube 11 with a thickness of around 3 mm-5 mm or more made of polycarbonate resin with a light reflection layer 12 formed on the inner circumference face and a light diffusion layer 13 formed on the outer circumference face.
筒状の本体１０は、内周面に光反射層１２を形成し、外周面に光拡散層１３を形成したポリカーボネート樹脂製の肉厚３ｍｍ〜５ｍｍ前後あるいはそれ以上の円筒形の導光筒１１によって構成される。 - 特許庁 - This super-high temperature incineration thermal decomposition furnace of PCB comprises the incinerator 3, a rotary fire stand 4, a diffusion type super-high temperature thermal decomposition fire blast nozzle 1, a super-high temperature after burner 2, a heating air rotation guiding injection device 20 and the like as internal structures.
該焼却炉のアフターバーナーの前面に連結した焼却炉を損なわず、焼却炉内の難燃性廃棄物を１２００℃〜１５００℃に加熱し、廃熱と熱交換して１５００℃〜１８００℃で瞬時に超高温熱分解しダイオキシンを発生させない。 - 特許庁 - To provide technology capable of reducing emission of white smoke as much as possible in a combustion control system for a compression ignition type internal combustion engine capable of changing over operation mode to a plurality of operation modes including a diffusion combustion operation mode and a premix combustion operation mode.
本発明は、拡散燃焼運転モードと予混合燃焼運転モードを含む複数の運転モードを切換可能な圧縮着火式内燃機関の燃焼制御システムにおいて、白煙の排出量を可及的に低減可能な技術の提供を課題とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a capacitive element excellent in ferroelectric characteristics by preventing plug oxidation in, and by preventing iridium diffusion into, a capacitor dielectric film in the process of capacitor dielectric film crystallization for a stacked type capacitive element.
スタック型容量素子においてキャパシタ誘電体膜の結晶化過程におけるプラグの酸化を防止するとともに、キャパシタ誘電体膜へのイリジウムの拡散を防止し、優れた強誘電体特性を有する容量素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for forming a silicon nitride oxide film which can stably form a thin silicon nitride oxide film having excellent characteristics, and can reliably suppress diffusion of boron atoms during formation of a gate electrode of a P type semiconductor element.
優れた特性を有する薄いシリコン窒化酸化膜を安定して形成することができ、しかも、ｐ形半導体素子のゲート電極形成におけるボロン原子の拡散を確実に抑制することを可能にするシリコン窒化酸化膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - In the reverse blocking insulated gate type bipolar transistor of which the substrate thickness is equal to 150 μm or less, a trench 23 formed on a first main surface side is used to form an isolation diffusion region 32.
基板の厚さが１５０μｍ以下の逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタにおいて、第一主面側に形成した分離領域形成用トレンチ溝２３を利用して分離拡散領域３２が形成されている逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタとする。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display panel, an optical sheet set arranged and installed between the liquid crystal display panel and backlight units, and a support means which does not depend on individual components in order to support a light diffusion plate in a thin type display device which has the liquid crystal display panel as a screen display element.
液晶表示パネルを画面表示素子とする薄型表示装置において、該液晶表示パネルおよびバックライトユニット間に配設する光学シートセットおよび光拡散板を支持するための個別部品によらない支持手段を提供する。 - 特許庁 - By performing high-temperature heat treatment of about 1,100°C or above, an n-type impurity solid phase diffusion region 11 is formed by diffusing Si, and the window region 12 is selectively formed in the active layer 4 of the vicinity region of a planned part 14 for forming a laser end surface.
約１１００℃以上の高温熱処理を実施してｎ型不純物固相拡散領域１１をＳｉの拡散により形成し、レーザ端面形成予定部１４近傍領域の活性層４内に選択的に窓領域１２を形成する。 - 特許庁 - Since the p-type surface diffusion part 206 has a depth d of 4μm and a width w of 2μm, a relatively wide crosstalk width is provided even against the incident light of short wavelength to allow detection of deviation in incident light across a relatively wide range.
Ｐ型表面拡散部２０６は、４μｍの深さｄを有すると共に２μｍの幅ｗを有するので、短波長の入射光に対しても比較的広いクロストーク幅が得られて、比較的広い範囲に亘る入射光のずれを検出できる。 - 特許庁 - The heating air rotation guiding injection device 20 is disposed around the after burner for burning a high-temperature combustible gas while rotating in a direction opposite to the spiral within the diffusion type fire blast nozzle of diffusion type spiral heating air mixing method.
焼却炉３、回転式火台４、拡散型超高温熱分解火墳出口１と超高温アフターバーナー２、加熱空気回転誘導噴射装置２０などを内部構造として設け、拡散型超高温熱分解火墳出口１と、超高温アフターバーナー２と、拡散型螺旋加熱空気混合方法の拡散型火墳出口で螺旋の反対方向に高温の可燃性ガスが回転しながら燃焼するアフターバーナーの周りに装置された加熱空気回転誘導噴射装置２０等を主要な特徴としている拡散型螺旋加熱空気混合方法のＰＣＢ超高温焼却熱分解炉。 - 特許庁 - The LED lighting device includes a thin and long housing with light transparency or light diffusion properties, a plurality of discrete-type LED lamps arranged in coaxial shapes with each other along the extending direction of the housing, and a plurality of single wires fitted inside the housing, extended along the extending direction of the housing with the plurality of discrete-type LED lamps connected in parallel.
ＬＥＤ照明装置は、光透過性又は光拡散性の細長いハウジングと、このハウジング内に設けられ、ハウジングの伸長方向に沿って互いに同軸状に配設された複数のディスクリート型ＬＥＤランプと、ハウジング内に設けられ、複数のディスクリート型ＬＥＤランプが並列に接続されており、ハウジングの伸長方向に沿って伸長する複数の単線ワイヤ線とを備えている。 - 特許庁 - In the control method of the ferrite steel material containing an intrusion-type solid solution element, the AC high magnet field is applied to the ferrite steel material in the AC magnet field which is smaller than 0.1 to 1T, and heat treatment or processing is applied thereto while suppressing an aging phenomenon generated by the diffusion of the intrusion-type element, the spheroidization of a carbide, decarburization, and the precipitation of a carbide and a nitride.
侵入型の固溶元素を含むフェライト鋼材の材質を制御する方法において、該フェライト鋼材に、０．１〜１Ｔ未満の交流磁場中で、交流強磁場を印加し、侵入型元素の拡散により引き起こされる時効現象、炭化物の球状化、脱炭、炭化物又は窒化物の析出を抑制しながら、熱処理又は加工を施すことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a VA system reflection type liquid crystal display which is provided with a diffusion reflection plate having a rugged shape and uses a liquid crystal having negative dielectric anisotropy, wherein cost reduction, high reflectance and high contrast are ensured, and to provide a substrate for the reflection type liquid crystal display used for the same.
本発明は、凹凸形状を有する拡散反射板を備え、誘電率異方性が負の液晶を用いたＶＡ方式の反射型液晶表示装置およびそれに用いる反射型液晶表示装置用基板に関し、低コストで高反射率かつ高コントラストの反射型液晶表示装置およびそれに用いる反射型液晶表示装置用基板を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a wettability improving film on a surface of a semiconductor substrate; coating a surface of the wettability improving film with a dopant diffusing agent containing dopants of a first conductivity type and a second conductivity type; and forming a dopant diffusion layer by diffusing the dopants in the semiconductor substrate from the dopant diffusing agent.
半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第１導電型または第２導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁 - The imaging apparatus (CMOS image sensor) comprises: a p-type silicon substrate 10; a gate insulating film 11; three gate electrodes, that is, a transfer gate electrode 12, a multiplication gate electrode 13 and a read-out gate electrode 14; a photodiode portion (PD) 15; a floating diffusion region 16 made of an n-type impurity region; and an element isolation region 17.
この撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）は、ｐ型シリコン基板１０と、ゲート絶縁膜１１と、１つの転送ゲート電極１２、１つの増倍ゲート電極１３および１つの読出ゲート電極１４の３つのゲート電極と、フォトダイオード部（ＰＤ）１５と、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１６と、素子分離領域１７とにより構成されている。 - 特許庁 - A lightly doped region Y where both n+-type impurities and p+-type impurities do not exist is made on a gate electrode 14 by providing a predetermined interval between the openings of ion implantation masks, when forming the source/drain diffusion layer 37 in an n MOSFET region and the source/drain region 38 in a p MOSFET region in a self alignment process at the gate electrode.
ゲート電極に自己整合的にｎＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３７およびｐＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３８を形成する際に、それぞれのイオン注入マスクの開口部間に所定の間隔を設けて、ゲート電極１４上に、ｎ＋型不純物とｐ＋型不純物とがともに存在しない低濃度な領域Ｙを形成する。 - 特許庁 - A gate groove 5 is provided to an oxide film 4 doped with n-type impurities, n-type semiconductor regions 6 functioning as a source and a drain are formed by solid phase diffusion, and furthermore the gate groove 5 is filled up with a high dielectric material 7 and a low-resistance metal film 8 for the formation of a gate insulating film and a gate electrode.
ｎ型不純物がドープされた酸化膜４にゲート溝５を形成した後、酸化膜４からのｎ型不純物の固相拡散によりソース、ドレインとして機能するｎ型半導体領域６を形成し、さらにゲート溝５の内部に高誘電体材料７および低抵抗金属膜８を埋め込むことでそれぞれゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する。 - 特許庁 - Memory information can be written in a memory cell by selecting whether characteristics of transistors are made an enhancement type or a depression type by connecting a transistor through a connection hole in a contact window 39 and power source lines 37 for body potential in a contact window forming process near the final process in a diffusion process for a transistor group of a drive section.
ドライブ部のトランジスタ群に対して、拡散工程の中の最終に近いコンタクト窓形成工程で、コンタクト窓３９における接続孔を通じたトランジスタとボディ電位用電源配線３７との接続によって、トランジスタの特性をエンハンスメント型にするかデプレッション型にするかを選択することにより、メモリセルへの記憶情報の書き込みを行うことを可能にする。 - 特許庁 - In a solid polymer type liquid cell provided with an electrode having a diffusion layer and a catalytic layer and a solid polymer electrolytic membrane in which the electrodes are bonded to the both sides through the catalytic layer, the solid polymer type liquid cell is provided with a nonaqueous solvent that has non-erodibility against a solid polymer electrolyte and that is impregnated with the catalytic layer and the solid polymer electrolytic membrane.
拡散層と触媒層とを備えた電極と、その両面に触媒層を介して電極が接合された固体高分子電解質膜とを備えた固体高分子型燃料電池において、固体高分子電解質に対して非侵食性を備えた非水溶液を触媒層及び固体高分子電解質膜に含浸した固体高分子型燃料電池とする。 - 特許庁 - To make a reflection type liquid crystal display device of a VA (Vertically Aligned) system, which is provided with a diffusion reflecting plate having rugged shape and uses a liquid crystals negative in dielectric constant anisotropy, low in cost, high in reflectivity and high in contrast, and to provide a substrate used for the reflection type liquid crystal display device.
本発明は、凹凸形状を有する拡散反射板を備え、誘電率異方性が負の液晶を用いたＶＡ方式の反射型液晶表示装置およびそれに用いる反射型液晶表示装置用基板に関し、低コストで高反射率かつ高コントラストの反射型液晶表示装置およびそれに用いる反射型液晶表示装置用基板を提供することを目的とする。 - 特許庁 - This semiconductor device manufacturing method is composed of a process wherein the collector region is formed from the first conductivity type semiconductor substrate 1, and a process wherein the first conductivity type emitter region 6 is formed in the vicinity of the surface of the impurity diffusion layer 5 using a side wall 4 as a mask.
第１導電型の半導体基板１からコレクタ領域を形成する工程と、前記コレクタ領域の表面近傍に、配線３をマスクとして第２導電型の不純物拡散層５を形成する工程と、前記不純物拡散層５の表面近傍に、サイドウオール４をマスクとして第１導電型のエミッタ領域６を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - The npn bipolar transistor 30 is formed on the surface of the semiconductor substrate 11, and among its base area (P-wel 14b), the p-type diffusion layer 16b is formed on a joint to join with a collector area in such manner that the impurity concentration of the above area is locally elevated.
こうした半導体基板１１の表面に、上記ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ３０を形成し、そのベース領域（Ｐウェル１４ｂ）のうち、コレクタ領域と接合する接合部に同領域の不純物濃度を局所的に高く設定するかたちでＰ型拡散層１６ｂを形成する。 - 特許庁 - According to the method for manufacturing the ink jet head, a channel substrate to which movable plates are formed is formed by a single crystal silicon substrate, and a high concentration p type diffusion layer which becomes the movable plate is formed by heating at a time of bonding an electrode substrate having counter electrodes formed and the channel substrate each other.
本発明のインクジェットヘッド製造方法によれば、可動板が形成される流路基板を単結晶シリコン基板で作製し、対向電極が形成された電極基板と流路基板との接合時の加熱によって可動板となる高濃度ｐ型拡散層を形成する。 - 特許庁 - The optical space transmission module includes a light emitting part 100 for outputting transmission light; a pedestal part 110 having a reflection part 111 for reflecting the transmission light; and a reflection type heat dissipation part 120 for converting and reflecting reflected light reflected on the reflection part 111 to diffusion light.
光空間伝送モジュールは、送信光を出力する発光部１００と、送信光を反射させる反射部１１１を有する台座部１１０と、反射部１１１で反射された反射光を拡散光に変換して反射する反射型拡散部１２０とを備える。 - 特許庁 - This transmission type projection screen comprises a Fresnel lens and lenticular lens for displaying the projected videos from a projector having at least a light source, video display and projection lens and has a perpendicular direction diffusing optical element exclusive of a light diffusion material.
少なくとも光源、映像表示体、投影レンズとを有するプロジェクターからの投影映像を表示するために、フレネルレンズとレンチキュラー板から構成される透過型投影スクリーンに於いて、光拡散材以外の垂直方向拡散光学要素を有することを特徴とする透過型投影スクリーンである。 - 特許庁 - Two kinds of p-type impurities of boron having higher solid solubility with respect to silicon, and indium having lower solid solubility with respect to silicon, are diffused into a body region 10 while the ratio of concentration of indium in a site near the source diffusion layer 12a of the body region 10 is specified so as to be higher than that in the other sites.
シリコンに対する固溶限度のより高いボロンとより低いインジウムとの２つのＰ型不純物をボディ領域１０に拡散するとともに、そのボディ領域１０のソース拡散層１２ａ近傍の部位におけるインジウムの濃度比を該ボディ領域１０の他の部位に比して高くする。 - 特許庁 - Raw material powder of coarse particles is fed into a first raw material supply path 1A of a diffusion type burner and raw material powder of fine particles is fed into a second raw material supply path 6A while respectively being carried by carrier gas, and oxygen is bisected to be fed into a first oxygen supply path 5A and a second oxygen supply path 7A.
拡散型のバーナの第一原料供給路１Ａに粗粒の原料粉体を、第二原料供給路６Ａに細粒の原料粉体をキャリアガスに搬送して送り込み、酸素を第一酸素供給路５Ａと第二酸素供給路７Ａとに二分して供給する。 - 特許庁 - The main exiting direction of light from a surface mount-type LED4 is controlled to be almost parallel to the display plane so that the most of the exiting light from LED4 is scattered and reflected on the reflection face of the inner wall 12-1 of an LED holder 12 and guided to a diffusion plate 3.
表面実装型のＬＥＤ４の主たる出射方向を、表示面にほぼ平行な方向とし、ＬＥＤ４からの主たる出射光を、ＬＥＤホルダ１２の内壁１２−１の反射面で散乱反射させて拡散板３に導くように構成している。 - 特許庁 - A substrate contact diffusion area 13a is formed in a varactor active area by doping an n-well region 12 with comparatively high-concentration N-type impurities, but an extension area (or LDD area), such as the varactor of a usual semiconductor device is not formed.
バラクタ用の活性領域には、Ｎウェル領域１２に比較的高濃度のＮ型不純物をドープしてなる基板コンタクト用拡散領域１３ａが形成されているが、従来の半導体装置のバラクタのようなエクステンション領域（又はＬＤＤ領域）は形成されていない。 - 特許庁 - Since the contact type panel uses non-oxide for adhesion of the indium tin oxide film 30 with the substrate 10, the stability of a plane resistance value of the indium tin oxide film 30 is not affected by oxygen diffusion, and the excellent heat resistance and stability of the indium tin oxide film 30 can be maintained.
接触式パネルは、酸化インジウムスズ膜３０と基板１０との接着に非酸化物を使用するため、酸素拡散により酸化インジウムスズ膜３０の面抵抗値の安定性は影響を受けず、酸化インジウムスズ膜３０の良好な耐熱性および安定性を維持することを可能にする。 - 特許庁 - For the lithium air battery 100 provided with a positive electrode 10 made of a gas-diffusion type oxygen electrode containing carbon, a negative electrode 20 containing metal lithium or lithium-containing material, and organic electrolyte solution 30, an electrolyte improving agent such as a surfactant is added to the organic electrolyte solution 30.
カーボンを含むガス拡散型酸素電極からなる正極１０と、金属リチウムまたはリチウム含有物質を含む負極２０と、有機電解液３０とを有するリチウム空気電池１００であって、前記有機電解液３０に界面活性剤などの電解液改良剤を添加する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a semiconductor device eliminates ion implantation of impurities for channel formation on a field oxide film 30, in the method of ion implantation of impurities for channel formation of conductivity type reverse to that of a well diffusion layer after gate electrode formation.
本発明の半導体装置の製造方法は、ゲート電極形成後にウェル拡散層とは逆導電型のチャネル形成用の不純物をイオン注入する製造方法において、フィールド酸化膜３０にチャネル形成用の不純物をイオン注入しない製造方法である。 - 特許庁 - The driving circuit is connected to the IN terminal of the semiconductor device 1, a "high" signal is applied on the IN terminal of the semiconductor device 1, and the signal is transmitted to a power switching element 2, while passing through an n-type diffusion resistor 11 connected to an aluminum wiring 8 via a contact 9.
半導体装置１のＩＮ端子には駆動回路が接続され、通常動作時はハイ信号が半導体装置１のＩＮ端子に加えられ、コンタクト９を介してアルミ配線８に接続されたＮ型拡散抵抗１１を通りパワースイッチ素子２のゲートに信号が伝わる。 - 特許庁 - To obtain a thick film type thermal head having the heat generating part of a heating resistor accompanied by the supply of power to electrodes on its surface side, improved in perforation characteristics by suppressing the diffusion of heat up to the perforation and heating of a master and reducing a perforation diameter, enhancing heat response and enabled in cost reduction.
電極への通電に伴う発熱抵抗体の発熱部分を表面側とし、マスターの穿孔加熱までの熱拡散を抑制し、穿孔径を小さくすると共に熱応答性を向上して穿孔特性を改善した、低コスト化が可能な厚膜式サーマルヘッドを得る。 - 特許庁 - This limiting current type oxygen sensor 13 is constituted of at least an oxygen ion conductive solid electrolyte sheet 15, a pair of electrode films 16, 17 formed on a surface of the solid electrolyte sheet 15, and an oxygen diffusion limiting body 19 joined via a glass film 18 surrounding the one-side electrode film 16.
酸素イオン伝導性固体電解質板１５と、酸素イオン伝導性固体電解質板１５の表面に形成した一対の電極膜１６、１７と、片側の電極膜１６を囲む硝子膜１８を介して接合させた酸素拡散制限体１９とから少なくとも構成される。 - 特許庁 - The ID card for a human figure or object is provided with an RFID function and a diffusion type infrared ID function, so that the action or stationary state of a human figure or object to enter/leave the area can be surely identified and managed for each moving line regardless of the size of the area at low cost.
人物や事物に対するＩＤカードにＲＦＩＤ機能と拡散式赤外線ＩＤ機能を具備するようにし、進入退出する人物や事物の挙動や静止状態の動線毎の識別と管理が、コスト的にも易くつき、エリヤの大小に関わらず確実に行える。 - 特許庁 - The high concentration dispersion liquid for a gas diffusion electrode is obtained by a method comprising: dispersing carbon black into an aqueous solution containing a polyoxyethylene type nonionic surfactant of ≤5%; evaporating moisture from the dispersion liquid; and mixing the dispersion liquid concentrated into ≥20% and a PTFE dispersion.
ポリオキシエチレン型非イオン性界面活性剤を５％以下含む水溶液にカーボンブラックを分散させ、この分散液から水分を蒸発させ、２０％以上に濃縮した該分散液とＰＴＦＥディスパージョンを混合することにより得たガス拡散電極用高濃度分散液。 - 特許庁 - To enhance reliability on a gate insulating film by preventing the diffusion of hydrogen to the gate insulating film, too, in making the gate insulating film the stack type of a silicon oxide film and a silicon nitride film so as to prevent boron atoms from diffusing to a silicon semiconductor substrate.
ゲート絶縁膜を通してボロン原子がシリコン半導体基板へ拡散することを防止するために、ゲート絶縁膜をシリコン酸化膜と窒化シリコン膜の積層型とする場合に、水素のゲート絶縁膜への拡散も防止し、ゲート絶縁膜の信頼性を向上させる。 - 特許庁 - Then, source cells SC and drain cells DC are allotted respectively and alternately to the transversal rows and lateral rows of the lattices divided into the shape of the lattice in respective element regions EA, whereby a horizontal type diffusion MOS (LDMOS) transistor is formed in the element region EA.
そして、それら素子領域ＥＡ内に格子状に区画された各領域に、同格子の縦列および横列についてそれぞれ交互に、ソースセルＳＣとドレインセルＤＣとを割り当てることによって、同素子領域ＥＡ内に横型拡散ＭＯＳ（ＬＤＭＯＳ）トランジスタが形成される。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a NOx occlusion reduction type catalyst uniformly carrying a catalyst noble metal and a NOx holding substance in the whole thickness of a catalyst carrying layer, having diffusion pores for a cleaning object gas and capable of retaining a NOx holding function after being heated.
触媒担体層の全厚に亘って均等に触媒貴金属およびＮＯｘ保持物質を担持し且つ浄化対象ガスの拡散用細孔を備え、同時に、加熱後にもＮＯｘ保持機能を維持できるＮＯｘ吸蔵還元型触媒を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a revolving type fine air bubble generator which clarifies liquid such as water by introducing and dissolving gas such as air therein and which can optionally control a diffusion form of fine air bubbles in the liquid and the generation amount of fine air bubbles.
水等の液体に空気等の気体を導入・溶解させて浄化等するための旋回式微細気泡発生装置であって、液体中へ微細気泡を拡散する形状と微細気泡の発生量を任意に制御可能な旋回式微細気泡発生装置を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a first pad 1 for current source connection, a via chain which has one end connected to the first pad 1 and the other end connected to a substrate 20 via a diffusion layer 21 of the same conductivity type as the substrate 20, and a second pad 2 and a third pad 3 for voltage measurement.
本発明による半導体装置は、電流源接続用の第１パッド１と、一端が、第１パッド１に接続され、他端が、基板２０と同じ導電型の拡散層２１を介して基板２０に接続されたヴィアチェーンと、電圧測定用の第２パッド２及び第３パッド３とを具備する。 - 特許庁
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