「diffusion-type」を含む例文一覧(1877)
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ｎ型のシリコン基板１上に、ｐ型拡散層から成る抵抗体２が形成されている。 - 特許庁 - An n-type diffusion layer forming composition 11 is applied to a silicon substrate 10 and is subjected to heat diffusion treatment, whereby a solar cell element including an n-type diffusion layer 12 is produced.
シリコン基板１０にこのｎ型拡散層形成組成物１１を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｎ型拡散層１２を有する太陽電池素子が製造される。 - 特許庁 - A P-type diffusion layer 32 as a channel region is formed to the substrate on the source side of the gate electrode 30, and a source diffusion layer 34 is formed on the substrate in the P-type diffusion layer 32.
ゲート電極３０のソース側の基板にはチャネル領域となるＰ型拡散層３２が形成され、Ｐ型拡散層３２内の基板にはソース拡散層３４が形成されている。 - 特許庁 - An n^+ diffusion layer 30 is formed over the entire surface of an n type epitaxial layer 2 and a p^+ diffusion layer 40 is formed on the surface of the n^+ diffusion layer 30 while surrounded with the n^+ diffusion layer 30.
ｎ型エピタキシャル層２の全面にｎ^+拡散層３０を形成し、ｎ^+拡散層３０の表面にｎ^+拡散層３０に囲まれるようにｐ^+拡散層４０を形成する。 - 特許庁 - An N-type diffusion layer 9 and a P-type diffusion layer 11 are formed away from the N-type well 3 and having a space between each other on the P-type semiconductor substrate 1 at a position surrounded by the N-type well 3.
Ｎ型拡散層３で囲まれた位置のＰ型半導体基板１に、Ｎ型拡散層３とは間隔をもって、かつ互いに間隔をもって、Ｎ型拡散層９及びＰ型拡散層１１が形成されている。 - 特許庁 - In the P-type well 23, a second N-type impurity diffusion layer 42 is formed so as to protrude from the N^+-type source layer 26 to the first N-type impurity diffusion layer 41 side, while overlapping the N^+-type source layer 26.
Ｐ型ウエル２３内には、Ｎ^＋型ソース層２６と重なり、かつＮ^＋型ソース層２６から第１Ｎ型不純物拡散層４１側にはみ出すように、第２Ｎ型不純物拡散層４２が形成されている。 - 特許庁 - Low density p-type well diffusion layers (12B, 12C, for examples) are arranged so as to fill spaces between respective diffusion layers.
各拡散層の間を埋めるように低濃度のＰ型ウェル拡散層（例えば１２Ｂ，１２Ｃ）を配置する。 - 特許庁 - The P-type second low-concentration diffusion region 9 is as deep as the low-concentration diffusion regions 7 and 11.
Ｐ型第２低濃度拡散領域９の深さは、低濃度拡散領域７，１１の深さと同じである。 - 特許庁 - WHITE DIFFUSION PLATE AND REFLECTION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME
白色拡散板及びそれを用いた反射型液晶表示装置 - 特許庁 - A gate electrode 9 is arranged to cover the P-type diffusion layer 5 in the region where the N-type diffusion layers 6 and 7 face each other.
そして、ゲート電極９は、Ｎ型の拡散層６、７が対向する領域のＰ型の拡散層５上を被覆するように配置されている。 - 特許庁 - DIFFUSION PLATE USED IN DIRECT TYPE BACKLIGHT MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
直下型バックライトモジュールに用いる拡散板及びその製造方法 - 特許庁 - ROTARY FAN TYPE AGENT DIFFUSING FAN USEUFL FOR DIFFUSION OF PEST CONTROL AGENT
害虫駆除剤の拡散に用いるロータリーファン型薬剤拡散ファン - 特許庁 - A contact to the n-type diffusion region is formed in the insulation layer.
絶縁層に、ｎ型拡散領域に到達するコンタクトを形成する。 - 特許庁 - In the epitaxial layer 4, p-type diffusion layers 31, 32 for base regions, n-type diffusion layers 27, 28, 29, 30 for collector regions and an n-type diffusion layers 35 for an emitter region are formed.
エピタキシャル層４には、ベース領域としてのＰ型の拡散層３１、３２と、コレクタ領域としてのＮ型の拡散層２７、２８、２９、３０と、エミッタ領域としてのＮ型の拡散層３５が形成されている。 - 特許庁 - OPPOSED REFLECTION DIFFUSION TYPE HIGH OUTPUT LED INTERNAL ILLUMINATION SYSTEM ROAD SIGN
対面反射拡散型高出力ＬＥＤ内照式道路標識 - 特許庁 - The n-type diffusion layer 107, together with the n-type diffusion layer 106, functions as a signal charge accumulating layer in the pixels of Red.
ｎ型拡散層１０７はｎ型拡散層１０６と一体となってＲｅｄの画素における信号電荷蓄積層として機能する。 - 特許庁 - ION-EXCHANGE MEMBRANE ELECTROLYTIC CELL USING LIQUID PERMEATION TYPE GAS DIFFUSION CATHODE
液透過型ガス拡散陰極を使用するイオン交換膜電解槽 - 特許庁 - Accordingly, impurities are segregated on the surface of the P^+ type diffusion layer 4.
これにより、Ｐ^＋型拡散層４の表面に不純物が偏析する。 - 特許庁 - The current diffusion layer has a first conductivity type impurity density.
電流拡散層は、第１の導電形の不純物濃度を有する。 - 特許庁 - PARTICLE DIFFUSION TYPE MIXEDLY FUNCTIONAL FLUID AND MACHINING METHOD USING THE SAME
粒子分散型混合機能性流体及びそれを用いた加工法 - 特許庁 - N-type extension high- concentration impurity diffusion layers 15 possessed of a shallow junction and N-type high-concentration impurity diffusion layers 14 possessed of a deep junction are each formed on both sides of the P-type impurity diffusion layer 13.
ｐ型の不純物拡散層１３の両側には、浅い接合を持つｎ型のエクステンション高濃度不純物拡散層１５及び深い接合を持つｎ型の高濃度不純物拡散層１４が形成されている。 - 特許庁 - DIFFUSION OPTICAL SHEET, TRANSMISSION TYPE SCREEN, AND BACK PROJECTION DISPLAY DEVICE
拡散光学シート、透過型スクリーン及び背面投射型表示装置 - 特許庁 - The second impurity concentration that the p type diffusion area 21 has is lower than the first impurity concentration that the p+ type diffusion region 5 has.
ｐ型拡散領域２１の有する第２の不純物濃度は、ｐ＋型拡散領域５の有する第１の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁 - OPERATION METHOD FOR SAVING POWER IN REVERSE DIFFUSION TYPE HELIUM LEAK DETECTOR
逆拡散式ヘリウムリークディテクタの省電力化のための運転方法 - 特許庁 - A Zener diode by breakdown voltage of the laser diode 11 is composed of the p-type diffusion layer 9 and the n-type diffusion layer 10.
このｐ型拡散層９およびｎ型拡散層１０により、レーザダイオード１１のブレークダウン電圧によるツェナーダイオードを構成している。 - 特許庁 - To provide a composition for forming an n-type diffusion layer which can form an n-type diffusion layer while suppressing occurrence of striation, and to provide a method for manufacturing an n-type diffusion layer and a method for manufacturing a solar cell.
ストリエーションの発生を抑制しながら、ｎ型拡散層を形成することが可能なｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a composition for forming a p-type diffusion layer which can form a p-type diffusion layer while suppressing occurrence of striation, and to provide a method for manufacturing a p-type diffusion layer and a method for manufacturing a solar cell.
ストリエーションの発生を抑制しながら、ｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The optical diffusion sheet 16 is used for an edge light type backlight device.
光拡散シート１６は、エッジライト型のバックライト装置に用いられる。 - 特許庁 - An N+-type diffusion region 9 is formed around a P-type isolation layer 8 which is formed on an N-type epitaxial layer 4.
Ｎ型エピタキシャル層４に形成されたＰ型アイソレーション層８の周囲にＮ＋型拡散領域９を形成する。 - 特許庁 - A photo-diode array 1 is provided with P+ diffusion layers 3 and 4 as second conductivity type diffusion layers, N+ channel stop layers 6 and 7, and an N+ diffusion layer 8 or the like.
フォトダイオードアレイ１は、第２導電型の拡散層としてのＰ^+拡散層３，４、Ｎ^+チャンネルストップ層６，７、Ｎ^+拡散層８等を含んでいる。 - 特許庁 - Within the p^- diffusion region 5, a plurality of p diffusion regions 20 containing p-type impurities are formed, which have high concentration as compared with the p^- diffusion region 5.
ｐ^-拡散領域５内には、このｐ^-拡散領域５よりも高濃度のｐ型の不純物を含むｐ拡散領域２０が複数個形成される。 - 特許庁 - The rear projection type screen 10 is provided with a horizontal diffusion sheet 13 and a vertical diffusion sheet 12 arranged adjacently to the horizontal diffusion sheet 13.
背面投影型スクリーン１０は、水平拡散シート１３と、水平拡散シート１３に隣接して配置された垂直拡散シート１２とを備えている。 - 特許庁 - A p-type impurity diffusion region 12 of high concentration which becomes an anode and an n-type impurity diffusion region 13 of high concentration which becomes a cathode enclosing the p-type impurity diffusion region 12 are formed on the surface of an n-type silicon well region 11.
Ｎ型シリコンウエル領域１１の表面に、アノードとなる高濃度のＰ型不純物拡散領域１２と、このＰ型不純物拡散領域１２を囲んでカソードとなる高濃度のＮ型不純物拡散領域１３を形成する。 - 特許庁 - A p-type well layer 4, an n-type buffer layer 7 and an n-type diffusion layer 20 are formed by impurity diffusion on the surface of the n-type active layer 3 between a source electrode 9 and a drain electrode 11.
ソース電極９及びドレイン電極１１間で、ｎ^- 型活性層３の表面には、ｐ型ウエル層４、ｎ型バッファ層７、及びｎ型拡散層２０が不純物拡散により形成される。 - 特許庁 - An N-type region 60 is arranged in the P-type well 52 to reach the N-type layer 51 beneath the P-type diffusion region 38.
Ｎ型領域６０が、Ｐ型拡散領域３８の下方においてＮ型層５１に到達するように、Ｐ型ウエル５２中に配置される。 - 特許庁 - A silicon oxide film 19 is formed on the upper surface of an N type diffusion layer 12 (outside of the V shaped diffusion layer 12) between a P type diffusion layer 13 and an N type drain diffusion layer 17 on the N type diffusion layer 12, and the outer periphery of the silicon oxide film has tilted angles not smaller than 3 degrees and not larger than 30 degrees.
Ｎ型拡散層１２の表面におけるＰ型拡散層１３とＮ型ドレイン拡散層１７との間に形成されるシリコン酸化膜１９を、Ｎ型拡散層１２の表面に対して上側(Ｖ型拡散層１２の外側)に形成し、然も外周部における傾斜面の傾斜角を３°よりも大きく且つ３０°よりも小さく形成している。 - 特許庁 - The P-type second low-concentration diffusion region 9 is formed by implanting N-type impurity ions for forming the N-type low-concentration diffusion region 11 and P-type impurity ions for forming the P-type low-concentration diffusion region 7 repeatedly into a semiconductor substrate, and thermally diffusing them.
Ｐ型第２低濃度拡散領域９は、Ｎ型低濃度拡散領域１１を形成するためのＮ型不純物イオンとＰ型低濃度拡散領域７を形成するためのＰ型不純物イオンが半導体基板に重複して注入され、かつ熱拡散されて形成されたものである。 - 特許庁 - Since the channel length of the transistor depends on the length of the P type channel diffusion layer 15 under the gate electrode 13, that is, the diffusion depth of the P type channel diffusion layer 15 and the diffusion depth of the P type channel diffusion layer 15 has excellent controllability, the manufacturing method can stably manufacture the MOS transistor according to the fine rule technique.
トランジスタのチャネル長は、ゲート電極１３下のＰ型チャネル拡散層１５の長さ、すなわちＰ型チャネル拡散層１５の拡散深さにより決定され、Ｐ型チャネル拡散層１５の拡散深さは制御性がよいので、微細ルールのＭＯＳトランジスタを安定的に作ることができる。 - 特許庁 - LIGHT DIFFUSION PLATE, PLANAR LIGHT SOURCE APPARATUS, AND TRANSMISSION TYPE IMAGE DISPLAY APPARATUS
光拡散板及び面光源装置並びに透過型画像表示装置 - 特許庁 - GAS DIFFUSION ELECTRODE FOR SOLID POLYMER TYPE FUEL CELL, AND ITS MANUFACTURING METHOD
固体高分子型燃料電池用ガス拡散電極とその製造方法 - 特許庁 - Further, the gate electrode 9 is wired on the N-type diffusion layer 7.
更に、ゲート電極９は、Ｎ型の拡散層７上に配線されている。 - 特許庁 - N-type diffusion areas 53 are formed on the P-well area 21.
P-型ウェル領域21の上層にはN型拡散領域53が設けられている。 - 特許庁 - REFLECTION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT AND METHOD FOR FORMING ITS LIGHT DIFFUSION LAYER
反射型液晶表示素子およびその光拡散層の形成方法 - 特許庁 - To provide a semiconductor optical element capable of preventing diffusion of a p-type dopant.
ｐ型ドーパントの拡散を防止可能な半導体光素子を提供する。 - 特許庁 - The first N type diffusion region 10 is a magneto-sensitive part, and the plurality of second N type diffusion regions 20 are I/O terminals for the magneto-sensitive parts, respectively.
第１のＮ型拡散領域１０は感磁部であり、複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々は感磁部に対する入出力端子部である。 - 特許庁 - Thus, a p-n junction in the protective diode 1 is constituted of the side face of the p+ type diffusion region 16 and the n+ type diffusion region 4a.
このため、保護ダイオード１におけるｐｎ接合は、上記ｐ＋型拡散領域１６の側面と、上記ｎ＋型拡散領域４ａとで構成される。 - 特許庁 - Furthermore, a p-type diffusion layer 31 and an n-type diffusion layer 32 are formed closely to the vertical electric charge transfer region 2 on the surface side of the semiconductor substrate 23.
更に、半導体基板２３の表面側の垂直電荷転送領域２の近傍には、ｐ型拡散層３１とｎ型拡散層３２が形成される。 - 特許庁 - In the semiconductor device, P-type diffusion layers 22, 23 as a collector region are formed around an N-type diffusion layer 24 as a base region.
本発明の半導体装置では、コレクタ領域としてのＰ型の拡散層２２、２３が、ベース領域としてのＮ型の拡散層２４の周囲に形成される。 - 特許庁 - With this structure, the impurity concentration of the n-type diffusion layer 8 near the p-type diffusion layers 10, 11 as source regions can be increased.
この構造により、ソース領域としてのＰ型の拡散層１０、１１近傍のＮ型の拡散層８の不純物濃度を高濃度とすることができる。 - 特許庁 - The diffusion region 6b of a first source-drain 6 comprises an n^+ type layer and the diffusion region 7b of a second source-drain 7 comprises an n^- type layer.
第１のソース／ドレイン６の拡張領域６ｂはｎ^+型層により、第２のソース／ドレイン７の拡張領域７ｂはｎ^-型層により構成される。 - 特許庁
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